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M29F800AT
M29F800AB
8兆位(1MB X8或X16 512KB ,引导块)
单电源闪存
初步数据
s
单5V ± 10 %电源电压
编程,擦除和读取操作
访问时间: 70ns的
编程时间
- 每个字节8μs /字典型
19内存块
- 1引导块(顶部或底部的位置)
- 2参数和16个主要模块
1
44
s
s
s
s
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/ Word程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
- 就绪/忙输出引脚
TSOP48 ( N)
12× 20毫米
SO44 (M)的
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
临时块解除保护
模式
低功耗
- 待机和自动待机
19
A0-A18
W
E
G
RP
VCC
s
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
M29F800AT
M29F800AB
字节
RB
s
每10万编程/擦除周期
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码: 0020H
- M29F800AT器件代码: 00ECh
- M29F800AB器件代码: 0058h
s
s
VSS
AI02198B
2000年1月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
1/21
M29F800AT , M29F800AB
图2A 。 TSOP连接
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
W
RP
NC
NC
RB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
VSS
E
A0
图2B中。 SO连接
12
13
M29F800AT
M29F800AB
37
36
RB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
44
2
43
3
42
4
41
5
40
6
39
7
38
8
37
9
36
10
35
11 M29F800AT 34
12 M29F800AB 33
13
32
14
31
15
30
16
29
17
28
18
27
19
26
20
25
24
21
22
23
AI02101B
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
24
25
AI02199
表1.信号名称
A0-A18
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
E
G
W
RP
RB
字节
V
CC
V
SS
NC
2/21
地址输入
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织的选择
电源电压
在内部没有连接
概要说明
该M29F800A是一个8兆比特(1MB ×8或512KB
×16)的非易失性存储器,可进行读取,擦除
和重新编程。这些操作可以per-
使用单一5V电源形成。上电时
内存默认的阅读模式,它可以
读以同样的方式作为ROM或EPROM 。
所述存储器被划分成块,可以是
独立地被擦除,因此,能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护,以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作,可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
M29F800AT , M29F800AB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
参数
工作环境温度(温度范围选项1 )
T
A
工作环境温度(温度范围选项6 )
工作环境温度(温度范围选项3 )
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-40到85
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 〜6
-0.6 〜6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注: 1,除了等级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
在存储器中的块是不对称AR-
列,看表3A和3B中,块地址。
第一个或最后一个64字节被分成
另外四个区块。 16 KB的引导块
可用于小的初始化代码开始
微处理器,两个8 KB的参数
块可用于存储参数和
剩下的32K是小主座,其中AP-
褶皱可以被存储。
芯片使能,输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机,通常无需额外的逻辑。
内存提供的TSOP48 ( 12× 20毫米)
和SO44封装。为70ns的存取时间和
为90ns可用。存储与供给
全部被擦除的位(设置为' 1') 。
信号说明
参见图1 ,逻辑图和表1中,信号
名,对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入( A0 - A18 ) 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出( DQ0 - DQ7 ) 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
数据输入/输出( DQ8 - DQ14 ) 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
当字节期间总线读操作地址
是高电平,V
IH
。当字节为低,V
IL
,这些引脚
不使用,它们是高阻抗。在公交车
写操作命令寄存器不
使用这些位。当读状态寄存器
这些位将被忽略。
数据输入/输出或输入地址( DQ15A - 1 ) 。
当字节为高,V
IH
,该引脚表现为
数据输入/输出引脚(如DQ8 - DQ14 ) 。当
字节是低,V
IL
,该引脚表现为一个地址
销; DQ15A - 1低会选择Word中的LSB
在其他地址, DQ15A - 1高将选择
的MSB。通篇考虑引用
数据输入/输出,包括该引脚时,
字节是高和引用的地址在 -
把包含该引脚时,字节是除了低
明确指出,否则当。
3/21
M29F800AT , M29F800AB
表3A 。 M29F800AT块地址
SIZE
(千字节)
16
8
8
32
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
地址范围
(x8)
FC000h-FFFFFh
FA000h-FBFFFh
F8000h-F9FFFh
F0000h-F7FFFh
E0000h - EFFFF ħ
D0000h-DFFFFh
C0000h-CFFFFh
B0000h - BFFFF ħ
A0000h - AFFFF ħ
90000h-9FFFFh
80000h-8FFFFh
70000h-7FFFFh
60000h-6FFFFh
50000h-5FFFFh
40000h-4FFFFh
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
00000h-0FFFFh
地址范围
(x16)
7E000h-7FFFFh
7D000h-7DFFFh
7C000h-7CFFFh
78000h-7BFFFh
70000h-77FFFh
68000h-6FFFFh
60000h-67FFFh
58000h-5FFFFh
50000h-57FFFh
48000h-4FFFFh
40000h-47FFFh
38000h-3FFFFh
30000h-37FFFh
28000h-2FFFFh
20000h-27FFFh
18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
00000h-07FFFh
表3B 。 M29F800AB块地址
SIZE
(千字节)
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
32
8
8
16
地址范围
(x8)
F0000h-FFFFFh
E0000h-EFFFFh
D0000h - DFFFF ħ
C0000H - CFFFF ħ
B0000h-BFFFFh
A0000h-AFFFFh
90000h-9FFFFh
80000h-8FFFFh
70000h-7FFFFh
60000h-6FFFFh
50000h-5FFFFh
40000h-4FFFFh
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
08000h-0FFFFh
06000h-07FFFh
04000h-05FFFh
00000h-03FFFh
地址范围
(x16)
78000h-7FFFFh
70000h-77FFFh
68000h-6FFFFh
60000h-67FFFh
58000h-5FFFFh
50000h-57FFFh
48000h-4FFFFh
40000h-47FFFh
38000h-3FFFFh
30000h-37FFFh
28000h-2FFFFh
20000h-27FFFh
18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
04000h-07FFFh
03000h-03FFFh
02000h-02FFFh
00000h-01FFFh
芯片启用( E) 。
该芯片使能, E,激活
内存,允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高,V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能( G) 。
输出使能,G ,连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能( W) 。
写使能, W,控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
复位/座临时撤消( RP ) 。
在重
集/座临时撤消引脚可用于
应用硬件复位到内存或温
porarily解除保护已被亲的所有块
tected 。
硬件复位是通过保持复位实现/
座临时撤消低,V
IL
对于至少
t
PLPX
。后复位/座临时撤消
变高,V
IH
,内存将准备巴士
阅读和总线写吨后操作
PHEL
or
t
RHEL
,以先到为准过去。看到就绪/忙
输出部分,表14和图10 ,复位/
临时撤消AC特性更
详细信息。
在V控股RP
ID
将暂时取消保护
在存储器受保护的块。计划和
对所有的块擦除操作将成为可能。
从V过渡
IH
到V
ID
必须比要慢
t
PHPHH
.
就绪/忙输出( RB ) 。
就绪/忙脚
是漏极开路输出,可以用于识别
当在存储器阵列可以被读取。就绪/忙
是在阅读模式下,自动选择高阻抗
模式和擦除挂起模式。
硬件复位后,总线读取和写入总线
操作不能开始,直到就绪/忙BE-
来自高阻抗。见表14和图
10 ,复位/临时撤消AC Characteris-
抽动。
在编程或擦除操作就绪/忙
是低电平,V
OL
。就绪/忙期间将保持低位
读/复位命令或硬件复位为止
内存准备进入阅读模式。
采用漏极开路输出允许就绪/
要连接从多个存储器忙碌引脚
到一个单一的上拉电阻。那么A低会显示
的存储器的一个,或多个,正忙。
字节/字组织的选择( BYTE ) 。
该字节/
文字组织选择引脚用于切换BE-
补间的MEM-的8位和16位总线模式
ORY 。当字节/字组织的选择是低,
V
IL
中,存储器是在8位模式下,当它为高电平时,
V
IH
,内存是16位模式。
4/21
M29F800AT , M29F800AB
表4A 。公交车运营,字节= V
IL
手术
总线读
总线写
输出禁用
待机
阅读制造商
CODE
阅读设备代码
注:X = V
IL
或V
IH
.
E
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
W
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IH
地址输入
DQ15A - 1 , A0 -A18
小区地址
命令地址
X
X
A0 = V
IL
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
数据输入/ Outpu TS
DQ14-DQ8
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
DQ7-DQ0
数据输出
数据输入
高阻
高阻
20h
ECH ( M29F800AT )
58H ( M29F800AB )
表4B 。公交车运营,字节= V
IH
手术
总线读
总线写
输出禁用
待机
阅读制造商
CODE
阅读设备代码
注:X = V
IL
或V
IH
.
E
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
W
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IH
地址输入
A0-A18
小区地址
命令地址
X
X
A0 = V
IL
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
数据输入/ Outpu TS
DQ15A -1, DQ14 - DQ0
数据输出
数据输入
高阻
高阻
0020h
00ECh ( M29F800AT )
0058h ( M29F800AB )
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作(读,亲
克,擦除等) 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压,
V
LKO
。这可以防止总线写操作,从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据,
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止, memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作,我
CC4
.
V
SS
地面上。
在V
SS
地面为基准
所有的电压测量。
巴士业务
有迹象表明,控制五个标准总线操作
该设备。这些总线读,写总线,输出
把禁用,待机和自动待机。看
表4A和4B中,总线的运行,对于summa-
RY 。少毛刺通常比芯片恩为5ns
能或写使能的存储器中被忽略
并且不影响公交车运营。
总线读。
总线读操作的读
存储器单元,或在COM的特定寄存器
命令接口。一个有效的总线读操作IN-
volves上的地址设置所需的地址
输入,应用低信号,V
IL
,到芯片使能
和输出使能,并保持写使能
高,V
IH
。数据输入/输出将输出
值,见图7 ,阅读模式AC波形,
和表11 ,阅读交流特性,了解详细信息
的时,输出变为有效。
总线写。
总线写操作写入到
命令接口。一个有效的总线写操作
首先在AD-设置所需的地址
5/21
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