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594D22X0-016C2T  594D22X0-016B2T  45-21UFC/1632X10/TR8  594D22X0-035B2T  SUR2X100-06  594D22X0-004C2T  45-21UFC/3132X10/TR8  SFH601-2X006  594D22X0-010B2T  45-21UFC/3532X10/TR8  
M58LT128HSB 128兆位(8 MB 】 16 ,多银行,多层次的接口,突发) 1.8 V电源供电,安全闪存 (128-Mbit (8 Mb 】16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories)
.型号:   M58LT128HSB
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描述: 128兆位(8 MB 】 16 ,多银行,多层次的接口,突发) 1.8 V电源供电,安全闪存
128-Mbit (8 Mb 】16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories
文件大小 :   813 K    
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M58LT128HST , M58LT128HSB
编程和擦除时间和耐力周期
10
编程和擦除时间和耐力周期
编程和擦除次数和数量/擦除每块周期
所示
确切的擦写次数可根据存储阵列上的改变
条件。最好的情况是,当在块中的所有位都为“0” (预编程序) 。该
最坏的情况是,当在块中的所有位都为“1” (未预编程) 。通常,该
系统开销是可以忽略不计相对于所述擦除时间。在M58LT128HST / B的
编程/擦除周期的最大数目取决于在V
PP
电源使用。
表16 。
编程/擦除时间和耐力周期
(1) (2)
条件
参数块( 16 KWord的)
典型的后
典型值
100kW/E
周期
0.4
1.2
1.5
12
12
384
768
5
5
100,000
100,000
10
20
1
3
最大
2.5
4
4
180
180
单位
s
s
s
µs
µs
µs
ms
µs
µs
周期
周期
参数
抹去
主座( 64
KWord的)
单字
预编程
不预编程
Word程序
V
PP
= V
DD
节目
(3)
缓冲区方案
缓冲器( 32字) (缓冲程序)
主座( 64 KWord的)
节目
暂停延迟
抹去
编程/擦除周期
(每座)
主要模块
参数块
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