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MBR2080CTG-1TLP  MBR2080CT-1TRLPBF  MBR2080CT-1TRRPBF  MBR2080CTG-1PBF  MBR2080CTGP  MBR2080CT-1TRLPBF  MBR2080CTG-1P  MBR2080CTG-1TLPBF  MBR2080CTG-1PBF  MBR2080CTGTLPBF  
M58LT128HSB 128兆位(8 MB 】 16 ,多银行,多层次的接口,突发) 1.8 V电源供电,安全闪存 (128-Mbit (8 Mb 】16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories)
.型号:   M58LT128HSB
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描述: 128兆位(8 MB 】 16 ,多银行,多层次的接口,突发) 1.8 V电源供电,安全闪存
128-Mbit (8 Mb 】16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories
文件大小 :   813 K    
页数 : 110 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
编程和擦除时间和耐力周期
表16 。
M58LT128HST , M58LT128HSB
编程/擦除时间和耐力周期
(1) (2)
(续)
条件
参数块( 16 KWord的)
典型的后
典型值
100kW/E
周期
0.4
1
10
2.5
80
80
160
160
1.28
1.28
最大
2.5
4
170
单位
s
s
µs
µs
µs
µs
ms
ms
s
s
1000次
2500次
16
4
ms
ms
参数
抹去
主座( 64 KWord的)
Word程序
单字
缓冲增强
工厂计划
(4)
缓冲区方案
缓冲器( 32个字)缓冲增强
工厂计划
缓冲区方案
主座( 64
K字)
缓冲增强
工厂计划
缓冲区方案
银行( 8兆比特)
缓冲增强
工厂计划
V
PP
= V
PPH
节目
(3)
编程/擦除周期
(每座)
BLANK CHECK
主要模块
参数块
主要模块
参数块
1. T
A
= -40〜 85 ℃; V
DD
= 1.7V至2V ; V
DDQ
= 2.7V至3.6V 。
2.价值观是容易改变与外部系统级开销(指令序列和状态寄存器投票
执行)。
3.不包括执行命令序列所需的时间。
4.这是整个器件上的平均值。
52/110
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