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VSD-20X20-LA1  V72C15T150BN3  VSD-16X28-CU1  VSD-16X28-FU1  V72C24M150BL  VSD-20X20-FU1  VSD-16X32-CU1  VSD-16X32-UU1  VSD-20X16-TU1  VSD-20X20-UU1  
MSS50-1200 BACK TO BACK可控硅模块 (BACK TO BACK SCR MODULE)
.型号:   MSS50-1200
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描述: BACK TO BACK可控硅模块
BACK TO BACK SCR MODULE
文件大小 :   152 K    
页数 : 5 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
®
MSS40 / 50系列
BACK TO BACK可控硅模块
主要特点:
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/V
RRM
I
GT
价值
55和70
800和1200
50
单位
A
V
mA
G2
A2
G1
描述
包装ISOTOP模块中, MSS40 /
MSS50系列是基于两个背到后端SCR
配置,提供高抗噪性。
它们适合于高功率应用,例如
固态继电器,加热控制系统,
焊接设备,电动机控制电路...
在ISOTOP封装的小型化使得
高功率密度,优化电源总线
连接。由于其内部的陶瓷垫,
他们提供高电压绝缘( 2500V RMS )
UL标准符合(文件编号: E81734 ) 。
引脚连接
A1
ISOTOP ™
G1
1 :晶闸管2阳极(A2)的
2 :晶闸管2门( G2 )
3 :晶闸管1阳极(A1)的
4 : 1晶闸管门( G1 )
4
1
3
A1
A2
2
G2
绝对额定值
(限制值)
符号
参数
MSS40
I
T( RMS )
I
TSM
I
²
t
的di / dt
I
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
V
RGM
RMS通态电流
不重复浪涌峰值通态
当前
I
²
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2×我
GT
, TR
100纳秒
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
最大峰值反向栅极电压
TC = 80℃
TC = 85 ºC
TP = 16.7毫秒
TJ = 25°C
TP = 20毫秒
TP = 10毫秒
F = 120赫兹
TP = 20微秒
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
55
420
400
800
50
4
1
- 40〜 + 150
- 40至+ 125
5
70
630
600
1800
价值
MSS50
A
A
A
2
S
A / μs的
A
W
°C
V
1/5
单位
ISOTOP是意法半导体的registred商标。
2000年9月 - 埃德: 3
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