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NAND256W4A2CZB1 128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 (128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories)
.型号:   NAND256W4A2CZB1
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描述: 128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
文件大小 :   916 K    
页数 : 57 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
NAND128 -A , NAND256 -A
NAND512 -A , NAND01G -A
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 )
528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存
功能摘要
高密度NAND闪存
高达1 Gbit存储器阵列
高达32 Mbit的备用区
符合成本效益的解决方案,海量存储
应用
x8或x16总线宽度
复用的地址/数据
所有密度的引脚排列的兼容性
1.8V器件: V
DD
= 1.7〜 1.95V
3.0V器件: V
DD
= 2.7〜 3.6V
图1.套餐
NAND接口
TSOP48 12× 20毫米
电源电压
PAGE SIZE
X8装置: ( 512 + 16备用)字节
X16设备: ( 256 + 8备用)词
X8设备: ( 16K + 512备用)字节
X16设备: ( 8K + 256备用)词
随机存取: 12μs (最大值)
顺序访问:为50ns (分钟)
页编程时间:为200μs (典型值)
快速页复印,无需外部缓冲
USOP48 12 ×17× 0.65毫米
FBGA
BLOCK SIZE
VFBGA55 8 ×10× 1毫米
TFBGA55 8 ×10× 1.2毫米
VFBGA63 9× 11× 1毫米
TFBGA63 9× 11× 1.2毫米
PAGE读取/编程
数据完整性
100,000编程/擦除周期
10年的数据保留
无铅元件符合
RoHS指令
纠错码的软件和
硬件模型
坏块管理和损耗
均衡算法
文件系统OS本机参考软件
硬件仿真模型
复制回编程模式
快速块擦除
块擦除时间: 2毫秒(典型值)
符合RoHS标准
状态寄存器
电子签名
CHIP ENABLE “无关”选项
简单的接口与微控制器
序列号选项
硬件数据保护
电源在编程/擦除锁定
TRANSITIONS
开发工具
2005年2月
1/57
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