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ES29LV160D-90WCI  160B18W105ZV4E  160B18Z105MV4R  ES29F160D-70TG  ES29F160D-70WC  160B18W105MV4U  160B18Z105ZV4T  ES29LV160D-70WC  ES29DL160D-90RTG  160B18W471MV4E  
PSD814F2V-20J Flash在系统可编程ISP外设对于8位MCU (Flash In-System Programmable ISP Peripherals For 8-bit MCUs)
.型号:   PSD814F2V-20J
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描述: Flash在系统可编程ISP外设对于8位MCU
Flash In-System Programmable ISP Peripherals For 8-bit MCUs
文件大小 :   1723 K    
页数 : 110 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
PSD813F2 , PSD833F2 , PSD834F2 , PSD853F2 , PSD854F2
主闪存和辅助闪存
内存描述
主要的闪存平均分为
八个相等的部门。二级闪存
被分成四个相等的扇区。的每个扇区
任一存储器块可以单独保护
从编程和擦除周期。
快闪记忆体可在一个部门逐节删除
器的基础。 Flash扇区擦除可能会被暂停
当数据从块的其他部门阅读
和阅读后,再重新开始。
在闪存编程或擦除周期,
状态可以在就绪/忙( PC3 )输出。
该引脚设置使用PSDsoft中快速组态
口粮。
内存块选择信号
该DPLD生成所有的选择信号
内存模块(请参阅部分标题为
每八个行业
主要的闪存有一个选择信号( FS0-
FS7 ),其可含有多达3个乘积项。
四个部门的二次闪光的
内存有一个选择信号( CSBOOT0-
CSBOOT3 ),其可含有多达3产物
条款。有三个方面的产品为每个选择
信号允许在给定扇区映射在differ-
系统内存耳鼻喉科领域。当使用一个MCU
有独立的程序和数据空间,这些
灵活的选信号进行动态重映射
从到另一个存储器空间扇区。
就绪/忙( PC3 ) 。
这个信号可以用来
输出PSD的Ready / Busy状态。在输出
穿上就绪/忙( PC3 )是0 (忙)在Flash
存储器被写入,
or
当闪存
正在被删除。输出是一个1 (就绪)时
不写或擦除周期正在进行中。
存储器操作。
主要的闪存
和第二Flash存储器寻址
通过单片机总线接口。 MCU可以AC-
CESS这些存储器中的两种方法之一:
- MCU可以执行一个典型的总线写或
手术
只是因为它会如果访问
使用标准总线RAM或ROM设备
周期。
- MCU可以执行特定的指令
即由几个写和读
操作。这涉及到写作的具体数据
模式到Flash中的特殊地址
内存调用嵌入算法。
这些指令汇总于
通常情况下, MCU可以通过读取闪存
读操作,就像它会读取DE- ROM
副。然而,闪速存储器只能被改变
使用特定的擦除和编程指令。为
例如, MCU不能写一个字节二
接连到闪存,因为它会写入一个字节
内存。要设定一个字节到闪存中,
MCU必须执行一个程序指令,则
测试程序循环的状态。此状态
测试是由一个读操作或轮询实现
就绪/忙( PC3 ) 。
闪速存储器还可以通过使用特殊的读取
指令检索特定的闪存器件产生
形成(部门保护状态和ID ) 。
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