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SD1542-04
RF &微波晶体管
航空电子应用
.
.
.
.
.
.
.
专为高功率脉冲
IFF
600瓦(分钟) IFF一千○九十○分之一千○三十〇兆赫
耐火材料镀金
6.0分贝MIN 。 GAIN
压载和低的热
REISTANCE可靠性及
耐用性
30 : 1 VSWR负载能力的AT
指定的运行条件
输入匹配的公共基
CON组fi guration
0.400 X 0.500 2LFL ( M112 )
密封式
订货编号
SD1542-04
BRANDING
SD1542-4
引脚连接
描述
该SD1542-04是密封的,金我 -
tallized ,硅NPN功率晶体管。该SD1542-
04是专为要求高的应用高峰
功耗和低工作周期,如IFF 。该
SD1542-04封装在一个密闭的金属/胶结
RAMIC封装,内部输入匹配,再
质保的义务在提高宽带性能和
低热reistance 。
绝对最大额定值
(T
=
25
°
C)
符号
参数
1.集热器
2.基
3.辐射源
4.基地
价值
单位
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
65
65
3.5
40
1350
+200
65〜 150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
热数据
R
日(J -C )
1992年11月
结 - 壳热阻
0.06
° C / W
1/5
SD1542-04
电气规格
(T
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
=
25mA
I
E
=
10mA
V
CE
=
50V
V
CE
=
5V
I
E
=
0mA
I
C
=
0mA
I
E
=
0mA
I
C
=
1A
65
3.5
5
35
200
V
V
mA
动态
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
G
P
注意:
f
=
1090兆赫
f
=
1090兆赫
=
10
µ
秒,占空比Cyle
P
IN
=
150 W
P
IN
=
150 W
=
1%
V
CE
=
50 V
V
CE
=
50 V
600
6.0
W
dB
脉冲宽度
典型性能
功率输出VS电源输入
功率输出与频率
2/5
SD1542-04
阻抗数据
典型输入阻抗
典型集电极负载
阻抗
3/5
SD1542-04
测试电路
C1, C2,
C3
:
C4
:
C5
:
C6
:
C7
:
L1
L2
0.8 - 4.8pF Gigatrim
120pF电容器芯片
芯片为680pF电容器
1000
µ
˚F 63Vdc电解
56pF电容芯片
: 100mils宽黄铜带
: # 18 AWG电线
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
:
:
:
:
:
:
:
510密耳X 20密耳
120mils X 380mils
210mils X 20密耳
270mils X 725mils
400mils X 720mils
340mils ×20密耳
245mils ×20密耳
电路板布局
4/5
SD1542-04
包装机械数据
参考:的Dwg 。 No.12-0112
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