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STB140NF55 - STB140NF55-1
STP140NF55
N沟道55V - 0.0065Ω - 80A - D
2
PAK - 我
2
PAK - TO- 220
的STripFET ™II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB140NF55
STB140NF55-1
STP140NF55
V
DSS
55V
55V
55V
R
DS ( ON)
<0.008Ω
<0.008Ω
<0.008Ω
I
D (1)
80A
80A
80A
3
1
2
1.电流限制通过包装
3
1
3
12
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸™ “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻,崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此,一个显着的制造
重现。
TO-220
D²PAK
I²PAK
内部原理图
应用
电机控制
大电流,开关的应用
订购代码
产品型号
STB140NF55
STB140NF55-1
STP140NF55
记号
B140NF55
B140NF55
P140NF55
D²PAK
I²PAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
2007年3月
转4
1/15
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目录
STB140NF55 - STB140NF55-1 - STP140NF55
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
STB140NF55 - STB140NF55-1 - STP140NF55
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM (2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
的AS (4)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
-55至175
工作结温
°C
价值
55
±20
80
80
320
300
2
10
1.3
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
J
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 80A , di / dt的< 300A / μs的,V
DD
=80%V
( BR ) DSS
4.启动TJ = 25 ° C,I
D
= 40A ,V
DD
= 30V
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
热数据
价值
参数
的TO-220 - I²PAK
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
62.5
--
300
0.5
--
单位
D²PAK
° C / W
° C / W
° C / W
°C
RthJ -PCB
(1)
热阻结到PCB最大
T
l
最大无铅焊接温度的
目的( 10秒,从案例1.6毫米)
35
1.当安装在1英寸2 , FR4板, 2盎司铜
3/15
电气特性
STB140NF55 - STB140NF55-1 - STP140NF55
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A
2
3
分钟。
55
1
10
±100
4
典型值。
MAX 。 UNIT
V
µA
µA
nA
V
0.0065 0.008
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ,我
D
= 40 A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫
V
GS
= 0
V
DD
= 44V ,我
D
= 80A
V
GS
=10V
(参见图14)
分钟。
典型值。
100
5300
1000
290
142
27
55
MAX 。 UNIT
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
4/15
STB140NF55 - STB140NF55-1 - STP140NF55
电气特性
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 27.5 V,I
D
= 40A
R
G
= 4.7Ω
,
V
GS
= 10V
(参见图13)
V
DD
= 27.5V ,我
D
= 40A,
R
G
= 4.7Ω, V
GS
= 10V
(参见图13)
分钟。
典型值。
30
150
125
45
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ,V
GS
= 0
I
SD
= 80A ,的di / dt = 100 A / μs的,
V
DD
= 20V ,T
j
= 150°C
(参见图15)
90
275
6.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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