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STD30NF03LT
N沟道30V - 0.017Ω - 30A - DPAK
的STripFET ™II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD30NF03LT
V
DSS
30V
R
DS ( ON)
< 0.025Ω
I
D
30A
低阈值DRIVE
1
DPAK
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小™ "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻,崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此,一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STD30NF03LTT4
记号
D30NF03LT
DPAK
包装
磁带&卷轴
2007年2月
REV 3
1/13
www.st.com
13
目录
STD30NF03LT
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STD30NF03LT
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(1)
I
D
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
的AS (4)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 kΩ)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
-55至175
马克斯。工作结温
°C
价值
30
30
± 20
30
21
120
50
0.33
4
450
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.
I
SD
30A , di / dt的
400A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX 。
4.起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= 15A V
DD
= 25V
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
3.0
100
275
° C / W
° C / W
°C
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 15 V)
最大值
40
2.3
单位
A
J
3/13
电气特性
STD30NF03LT
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表4 。
符号
V
( BR ) DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
GS
= 6V ,我
D
= 15A
V
GS
= 105V ,我
D
= 15A
1
1.7
0.025
0.017
分钟。
30
1
10
±100
2.5
0.035
0.025
典型值。
马克斯。
单位
V
µA
µA
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
表5 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ,我
D
= 15A
分钟。
典型值。
30
750
280
70
15
30
20
10
13
5.5
5
18
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
V
DD
= 15V ,我
D
= 15A
R
G
= 4.7Ω V
GS
= 6V
(见
图12)
V
DD
= 15V ,我
D
= 30A,
V
GS
= 6V ,R
G
= 4.7Ω
(见
图13)
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
4/13
STD30NF03LT
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
I
SD
= 30A ,V
GS
= 0
35
38
2.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 30A ,的di / dt = 100A / μs的,
反向恢复电荷V
DD
= 20V ,T
j
= 150°C
反向恢复电流(见
图14)
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
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