电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
AG-16080AFAL  AG-16080AFTLB  AG-16080AFBEY  AG-16080AFB  AG-16080AFAEB  AG-16080AFBLY  AG-16080AFIEW  AG-16080AFBY  AG-16080AFUW  AG-16080AFUE  
STE110NA20 N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 (N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR)
.型号:   STE110NA20
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
文件大小 :   108 K    
页数 : 8 页
Logo:   
品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
购买 :   
  浏览型号STE110NA20的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号STE110NA20的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号STE110NA20的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号STE110NA20的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号STE110NA20的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号STE110NA20的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号STE110NA20的Datasheet PDF文件第8页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
STE110NA20
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
初步数据
TYPE
ST E110NA20
V
DSS
200 V
R
DS ( ON)
< 0.019
I
D
110 A
s
s
s
s
s
s
s
s
s
典型ř
DS ( ON)
= 0.015
高电流功率模块
雪崩坚固的技术
非常大型SOA - 大峰值功率
能力
易于安装
相同的电流能力的
两个输出端子
特低的Rth (结到外壳)
非常低内部寄生
电感
独立包装UL认可
ISOTOP
应用
s
SMPS & UPS
s
电机控制
s
焊接设备
s
输出级PWM ,超声
电路
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(•)
P
给T
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25 C
降额因子
T
ST克
T
j
V
ISO
储存温度
马克斯。工作结温
绝缘Withhstand电压( AC- RMS)
o
o
价值
200
200
±
30
110
73
440
450
3.6
-55到150
150
2500
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
o
C
C
V
( • )脉冲宽度有限的安全工作区
1996年3月
1/8
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7