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HC11193  NT90TPHBSDC15VCB2.2  NT90TPHBSDC110VI  NT90RHBSAC12VCF0.9  HC11137  NT90TPHBSDC12VSB0.6  NT90RHBSAC110VSB0.9  HBS7PBB6SP041C  HC11141  NT90TPHBSDC12VCF0.9  
STM8AQ6X27TAY 汽车的8位MCU,具有高达128 KB闪存, EEPROM , 10位ADC ,计时器, LIN , CAN , USART , SPI , I2C , 3 V至5.5 V (Automotive 8-bit MCU, with up to 128 Kbytes Flash, EEPROM, 10-bit ADC, timers, LIN, CAN, USART, SPI, I2C, 3 V to 5.5 V)
.型号:   STM8AQ6X27TAY
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描述: 汽车的8位MCU,具有高达128 KB闪存, EEPROM , 10位ADC ,计时器, LIN , CAN , USART , SPI , I2C , 3 V至5.5 V
Automotive 8-bit MCU, with up to 128 Kbytes Flash, EEPROM, 10-bit ADC, timers, LIN, CAN, USART, SPI, I2C, 3 V to 5.5 V
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
电气特性
STM8AF61xx , STM8AF51xx
11.3.6
RESET引脚特性
除一般的工作条件V
DD
和T
A
除非另有规定ED 。
表31 。
符号
V
白细胞介素( NRST )
V
IH ( NRST )
V
OL ( NRST )
R
PU ( NRST )
V
F( NRST )
V
NF ( NRST )
NRST引脚特性
参数
NRST输入低电平电压
(1)
NRST输入高电平电压
NRST输出低电平电压
NRST上拉电阻
(3)
NRST输入滤波脉冲
(4)
NRST输入不过滤脉冲
I
OL
±待定
(2)
mA
30
40
待定
待定
条件
V
SS
待定
典型值
最大
待定
V
DD
待定
60
kΩ
ns
µs
V
单位
根据表征结果1.数据,而不是在生产测试。
2. TBD =待定。
3.第r
PU
拉等效电阻是基于电阻式晶体管
4.
由设计保证数据的,而不是在生产测试。
图34.典型NRST V
IL
和V
IH
VS V
DD
@ 4下
-40°C
6
5
4
V
IL
/ V
IH
[V]
3
2
1
0
2.5
3
3.5
4
V
DD
[V]
4.5
5
5.5
6
25°C
85°C
125°C
76/100
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