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2308-2DCG  2308-5HPGGI8  2308-5HPGG  2308-5HPGGI  2308-4DCG  2308-2HDCG8  2308-5HDCG  2308-3DCGI8  2308-2DCG8  2308-4DCGI  
STM8AQ6X27TAY 汽车的8位MCU,具有高达128 KB闪存, EEPROM , 10位ADC ,计时器, LIN , CAN , USART , SPI , I2C , 3 V至5.5 V (Automotive 8-bit MCU, with up to 128 Kbytes Flash, EEPROM, 10-bit ADC, timers, LIN, CAN, USART, SPI, I2C, 3 V to 5.5 V)
.型号:   STM8AQ6X27TAY
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描述: 汽车的8位MCU,具有高达128 KB闪存, EEPROM , 10位ADC ,计时器, LIN , CAN , USART , SPI , I2C , 3 V至5.5 V
Automotive 8-bit MCU, with up to 128 Kbytes Flash, EEPROM, 10-bit ADC, timers, LIN, CAN, USART, SPI, I2C, 3 V to 5.5 V
文件大小 :   1750 K    
页数 : 100 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
电气特性
表38 。
符号
STM8AF61xx , STM8AF51xx
EMS数据
参数
条件
水平/班
V
FESD
V
DD
=
3.3 V ,T
A
=
25 °C,
电压范围,可在任何I / O引脚施加
f
=
16兆赫( HSI时钟) ,
诱发功能障碍
符合IEC 1000-4-2
快速的瞬态电压限制爆裂是
通过100 pF的对V应用
DD
和V
SS
销诱发功能障碍
V
DD
=
3.3 V ,T
A
=
25 °C,
f
=
16兆赫( HSI时钟) ,
符合IEC 1000-4-4
3B
V
EFTB
4A
电磁干扰( EMI)的
发射试验符合SAE J 3分之1752标准的测试软件,电路板布局和引脚
装载。
表39 。
EMI数据
条件
符号
参数
一般条件
最大˚F
CPU(1)
8
兆赫
15
18
-1
2
16
兆赫
17
22
3
2.5
24
兆赫
22
16
5
2.5
-
dBμV的
单位
受监控
频带
S
EMI
峰值电平
SAE EMI水平
V
DD
=
5 V,
T
A
=
25 °C,
LQFP80封装
符合SAE J
1752/3
0.1 MHz到30 MHz的
30兆赫至130兆赫
130兆赫到1千兆赫
根据表征结果1.数据,而不是在生产测试。
绝对最大额定值(电子灵敏度)
基于使用特定的测量方法中,两种不同的测试( ESD和LU)
产品被强调,以确定其在电气灵敏度方面的性能。欲了解更多
详细信息,请参阅应用笔记AN1181 。
静电放电( ESD )
静电放电( 3正,则3负脉冲相隔1秒)的
根据每个销组合施加到每个样本的引脚。试样尺寸
取决于电源引脚的器件的数量(3份*第(n + 1)电源引脚) 。该测试
符合JESD22- A114A / A115A标准。有关详细信息,请参阅应用
注意AN1181 。
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