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HT14G  HT1602L  HT1621G  HT16220  HT1621_10  HT15G  HT15  HT1621  HT1622  HT1621  
STW240NF55 N沟道55V - 0.0027 з - 120A TO- 247 STripFET⑩ II功率MOSFET (N-CHANNEL 55V - 0.0027 з - 120A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET)
.型号:   STW240NF55
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描述: N沟道55V - 0.0027 з - 120A TO- 247 STripFET⑩ II功率MOSFET
N-CHANNEL 55V - 0.0027 з - 120A TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
文件大小 :   254 K    
页数 : 8 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
STW240NF55
N沟道55V - 0.0027
- 120A TO-247
的STripFET ™II功率MOSFET
TYPE
STW240NF55
V
DSS
55V
R
DS ( ON)
<0.0035
I
D
(1)
120A
典型ř
DS
(上) = 0.0027
标准阈DRIVE
100%的雪崩测试
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小™ "带钢
基于过程。由此产生的晶体管显示了极高
高的堆积密度低的导通电阻,坚固
雪崩特性和不太重要的调整
步骤
因此
a
卓越
制造业
重现。
1
TO-247
2
3
应用
大电流,高开关速度
OR- ing功能可
内部原理图
订购信息
销售类型
STW240NF55
记号
W240NF55
TO-247
包装
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(1
)
I
D
(1
)
I
DM
(
•)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
AS(3)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k
)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
55
55
± 20
120
120
480
500
3.33
5
3.5
-55至175
(2) I
SD
120A , di / dt的
600A / μs的,V
DD
48V ,T
j
T
JMAX 。
( 3 )起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= 60A ,V
DD
= 30V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
J
°C
(
•)
脉冲宽度有限的安全工作区。
( 1 )按封装电流限制
2004年5月
1/8
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