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®
T1235H
12A双向可控硅
S
A2
无缓冲器™高温
表1 :主要特点
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/V
RRM
I
GT (Q
1
)
价值
12
600
35
单位
A
V
mA
A2
G
A1
A2
描述
专为在高温下使用
环境(在炎热的电器,如发现
电饭煲,烤箱,灶台,电加热器,咖啡马
。中国...... ) ,新12安培
T1235H
三端双向可控硅提供
中的功率损耗方面的性能增强
和热耗散。这允许optimiza-
化的散热尺寸,导致
空间和成本effectivness时相比
电子生物力学的解决方案。
基于ST无缓冲器的技术,他们提供
高换向开关功能和高
抗噪声水平。而且,由于他们的AS-夹
sembly技术,它们提供了优越的per-
formance浪涌电流处理。
表3 :绝对最大额定值
符号
I
T( RMS )
I
TSM
I
²
t
的di / dt
参数
通态电流(全正弦波)的RMS
A1 A2
G
A1
A2
G
D
2
PAK
(T1235H-600G)
TO-220AB
(T1235H-600T)
表2 :订购代码
产品型号
T1235H-600G
T1235H-600G-TR
T1235H-600TRG
记号
T1235H600G
T1235H600G
T1235H600T
价值
T
c
= 135°C
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
12
140
145
112
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 150°C
50
700
4
1
- 40〜 + 150
- 40〜 + 150
单位
A
A
A
²
s
A / μs的
V
A
W
°C
不重复浪涌峰值通态F = 50赫兹
电流(完整周期,T
j
初始= 25 ° C) F = 60 Hz的
I
²
为融合吨价
对国家崛起的临界速度
电流I
G
= 2×我
GT
, t
r
100纳秒
t
p
= 10毫秒
F = 120赫兹
V
帝斯曼
/V
RSM
非重复浪涌峰值断态吨
p
= 10毫秒
电压
I
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
2006年2月
栅极峰值电流
平均门功耗
t
p
= 20 µs
存储结温范围
工作结温范围
启示录6
1/8
T1235H
表4 :电气特性
(T
j
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt (2)
测试条件
V
D
= 12 V R
L
= 33
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 kΩ
I
T
= 100毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 %V
DRM
门打开
T
j
= 150°C
I - III
II
T
j
= 150°C
象限
I - II - III
I - II - III
I - II - III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
价值
35
1.3
0.15
35
50
80
300
5.3
单位
mA
V
V
mA
mA
V / μs的
A / MS
( di / dt的)C ( 2 )无缓冲
T
j
= 150°C
表5 :静态特性
符号
V
T
(2)
V
to
(2)
R
d
(2)
I
DRM
I
RRM
I
TM
= 17 A
测试条件
t
p
= 380 µs
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 150°C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.55
0.80
25
5
5.5
mA
3.5
单位
V
V
mΩ
µA
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
V
DRM
/V
RRM
= 400V
(在电源的峰值电压)
注1 :
我最小
GT
被guaranted于I 10%
GT
马克斯。
注2 :
为A2的两极参考A1 。
表6 :热阻
符号
R
日(J -C )
结到外壳( AC)
结到环境
S = 1厘米
²
参数
D
2
PAK
TO-220AB
D
2
PAK
TO-220AB
45
60
° C / W
价值
1.2
单位
° C / W
R
号(j -a)的
选项卡下的S =铜表面。
2/8
T1235H
图1 :最大功耗与
RMS通态电流(全周期)
P( W)的
14
12
10
8
6
4
2
14
12
10
8
6
4
2
图2 : RMS通态电流对案件
温度(全周期)
I
T( RMS )
(A)
I
T( RMS )
(A)
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
25
50
T
C
(°C)
75
100
125
150
图3 : RMS通态电流与环境
温度(印刷电路板FR4,铜
厚度为35μm ) (全循环)
I
T( RMS )
(A)
5
D
2
PAK
(S=1cm
2
)
图4 :热的相对变化
阻抗与脉冲持续时间
K = [Z
th
/R
th
]
1.00
Z
日(J -C )
4
3
0.10
2
Z
号(j -a)的
1
T
C
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
150
t
p
(s)
0.01
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
图5 :通态特性(最大
值)
I
TM
(A)
200
100
T
j
马克斯。
V
to
= 0.85V
R
d
= 50 m
T
j
= T
j
马克斯。
图6 :通态电流与浪涌峰值
周期数
I
TSM
(A)
150
125
t=20ms
100
不重复
T
j
initial=25°C
T
j
= 25°C.
一个周期
75
50
25
重复
T
C
=135°C
10
V
TM
(V)
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
周期数
0
1
10
100
1000
3/8
T1235H
图7 :通态不重复浪涌峰值
电流的正弦脉冲宽度t
p
& LT ; 10毫秒
和我对应的值
2
t
I
TSM
(A ) ,我T(A S)
2000
T
j
initial=25°C
di / dt的限制:
50A/µs
2
2
图8 :门极触发的相对变化
当前,保持电流和电流闭锁
对结点温度(典型值)的
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] / I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
=25°C]
2.5
2.0
I
GT
1000
1.5
I
H
&放大器;我
L
1.0
I
TSM
0.5
t
p
(女士)
100
0.01
0.10
1.00
It
2
T
j
(°C)
0.0
10.00
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
图9:爆击率的相对变化
下降主要与当前(的dV / dt )的c
(典型值)
( di / dt的) C [ (的dV / dt ) C] /指定的( di / dt的)C
6.0
5.0
图10:爆击率的相对变化
减少主电流与结
温度
( di / dt的)C [T
j
] / ( di / dt的)C [T
j
= 150°C]
8
7
6
4.0
3.0
2.0
1.0
5
4
3
2
(的dV / dt )C (V / μs)内
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1
0
25
50
75
T
j
(°C)
100
125
150
图11 :漏电流与结
温度为阻断的不同值
电压(典型值)
I
DRM
/ I
RRM
(MA )
1E+1
图12 :可接受重复峰值断态
电压与案例环境的热阻
V
DRM
/ V
RRM
(V)
700
600
T
j
= 150°C
R
日(J -C )
= 1.2 ° C / W
1E+0
V
D
= V
R
= 600V
V
D
= V
R
= 400V
500
400
300
200
100
0
1E-1
V
D
= V
R
= 200V
1E-2
T
j
(°C)
1E-3
50
75
100
125
150
R
TH( C-A )
( ° C / W)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4/8
T1235H
图13 :D
2
PAK热阻结到
环境与选项卡下的铜表面(印
电路板FR4 ,铜厚度: 35微米)
R
号(j -a)的
( ° C / W)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
D
2
PAK
S(平方厘米)
图14 :订购信息计划
牛逼12 35 H - 600克( -TR )
三端双向可控硅系列
当前
12 = 12A
灵敏度
35 = 35毫安
温度
H = HIGH
电压
600 = 600V
G = ð
2
PAK
T = TO- 220AB
包装方式
布兰克= D
2
乐在管
RG = TO- 220AB在管
-TR =带卷&
表7 :产品选择
产品编号
T1235H-600G
T1235H-600T
电压
600 V
600 V
灵敏度
35毫安
35毫安
TYPE
无缓冲器
无缓冲器
D
2
PAK
TO-220AB
5/8
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