|
|
|
|||||||||||||||||||||||
![]() ® TPI8011N TPI12011N 三极保护 对于ISDN INTERFACES 专用分立器件 A.S.D. ™ 特点 双向TRIPLE CROWBAR 保护。 峰值脉冲电流: I PP = 30 A , 10/1000 µs. 击穿电压: TPI80xxN : 80V TPI120xxN : 120V 。 适用车型SO8封装。 低动态击穿电压: TPI80N : 150V TPI120 : 200V 描述 对于ISDN接口和高的专用设备 高速数据通信线路保护。相当于 三TRISIL低电容。 这些器件提供: - 从线低电容到地,使 没有信号的高速传输 衰减。 - 在线路之间的良好平衡电容 命令以确保纵向平衡。 - 在固定的击穿电压一般和 差分模式。 - 在两个相同的浪涌电流能力 共模和差模。 - 一个特别注意了对 内部引线接合。在“ 4点”配置 确保了可靠的保障,免除 过电压由寄生引入 布线( Ldi上/ dt的) ,尤其是对电感 特快速暂态过电压。 COMPLIESWITHTHE FOLLOWINGSTANDARDS : CCITT K17 - K20 VDE 0433 VDE 0878 CNET 10/700 µs 5/310 µ s 10/700 µs 5/310 µ s 1.2/50 µ s 1/20 µs 0.5/700 µ s 0.2/310 µs 1.5 38 2 50 1.5 40 1.5 38 kV A kV A kV A kV A SO 8 原理图 TIP GND GND 环 1 2 3 4 8 7 6 5 TIP GND GND 环 TM : ASD是SGS - THOMSON微电子公司的商标。 1999年11月版: 3A 1/7
|
首页 - - 友情链接 |
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM ![]() 粤公网安备 44030402000629号 粤ICP备13051289号-7 |