®

TPI8011N

TPI12011N

三极保护

对于ISDN INTERFACES

专用分立器件

A.S.D.

™

特点

双向TRIPLE CROWBAR

保护。

峰值脉冲电流：

I

PP

= 30 A , 10/1000

µs.

击穿电压：

TPI80xxN ： 80V

TPI120xxN ： 120V 。

适用车型SO8封装。

低动态击穿电压：

TPI80N ： 150V

TPI120 ： 200V

描述

对于ISDN接口和高的专用设备

高速数据通信线路保护。相当于

三TRISIL低电容。

这些器件提供：

-

从线低电容到地，使

没有信号的高速传输

衰减。

-

在线路之间的良好平衡电容

命令以确保纵向平衡。

-

在固定的击穿电压一般和

差分模式。

-

在两个相同的浪涌电流能力

共模和差模。

-

一个特别注意了对

内部引线接合。在“ 4点”配置

确保了可靠的保障，免除

过电压由寄生引入

布线（ Ldi上/ dt的） ，尤其是对电感

特快速暂态过电压。

COMPLIESWITHTHE FOLLOWINGSTANDARDS ：

CCITT K17 - K20

VDE 0433

VDE 0878

CNET

10/700

µs

5/310

µ

s

10/700

µs

5/310

µ

s

1.2/50

µ

s

1/20

µs

0.5/700

µ

s

0.2/310

µs

1.5

38

2

50

1.5

40

1.5

38

kV

A

kV

A

kV

A

kV

A

SO 8

原理图

TIP

GND

GND

环

1

2

3

4

8

7

6

5

TIP

GND

GND

环

TM ： ASD是SGS - THOMSON微电子公司的商标。

1999年11月版： 3A

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