概述
规格参数
数据手册VQ7254N6 概述
N- and P-Channel Quad Power MOSFET Arrays N和P沟道四路功率MOSFET阵列 小信号场效应晶体管
VQ7254N6 规格参数
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T14 |
| 针数： | 14 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH INPUT IMPEDANCE |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 50 pF | JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1.5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
VQ7254N6 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| VQ7254P | ETC | N-and P-Channel Enhancement -Mode MOS Transistor Arrays | 获取价格 |
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| VQ80386EX-25 | INTEL | RISC Microprocessor, 32-Bit, 25MHz, CMOS, CQFP164 | 获取价格 |
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| VQ80486DX4100 | INTEL | Microprocessor, 32-Bit, 100MHz, CMOS, CQFP196, CAVITY-UP, CERAMIC, QUAD PACK-196 | 获取价格 |
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| VQ80486DX475 | INTEL | Microprocessor, 32-Bit, 75MHz, CMOS, CQFP196, CAVITY-UP, CERAMIC, QUAD PACK-196 | 获取价格 |
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| VQ87C196KD-20 | INTEL | Microcontroller, 16-Bit, OTPROM, 20MHz, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | 获取价格 |
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