RD3P02BAT (新产品)
RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
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ROHM
BSZ070N08LS5
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
开关 无线 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极
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