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NUVOTON
IQE065N10NM5CG
IQE065N10NM5CG 是英飞凌对创新性 源极底置 技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置 概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括 电机驱动、 电信、 SMPS 或 服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。
INFINEON
ONSEMI
FCR-4WD-P/Q
Space-saving Plug-in Signal Conditioners F-UNIT
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NUVOTON
MKP1847C612235K2
AC Filtering Metalized Polypropylene Film Capacitor Radial Type
VISHAY
NUVOTON
MURATA
ONSEMI
NUVOTON
NUVOTON
MSYSTEM
ONSEMI
SVF-32-R
Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
MSYSTEM
ONSEMI
FHV40110G0JNRW
Thick Film Planar Resistors, Through-Hole, Axial Lead, High Voltage
VISHAY
CHERRY
ALV-041-C
Limit Alarms (rotary switch adj.) AL-UNIT
MSYSTEM
NUVOTON
LEIDITECH
ETC
NTH4LN019N65S3H
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 75 A, 19.3 mΩ, TO-247 narrow 4lead
ONSEMI
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TAI-TECH
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RENCO
- 元器件品牌
KYOCERA AVX
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SAMTEC
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VISHAY
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