概述
规格参数
数据手册2N6553 概述
1A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 功率双极晶体管
2N6553 规格参数
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH CURRENT DRIVER | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JEDEC-95代码： | TO-202 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
2N6553 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 2N6553LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin, | 获取价格 |
|
| 2N6553N | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-202VAR | 获取价格 |
|
| 2N6553PBFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, | 获取价格 |
|
| 2N6554 | CENTRAL | Power Transistors | 获取价格 |
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| 2N6554 | NJSEMI | COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE | 获取价格 |
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| 2N6554LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin, | 获取价格 |
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| 2N6554N | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-202VAR | 获取价格 |
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| 2N6555 | CENTRAL | Power Transistors | 获取价格 |
|
| 2N6555 | NJSEMI | COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE | 获取价格 |
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| 2N6555 | TI | 1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 | 获取价格 |
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