AMC22C11QDRQ1 [TI]
具有可调阈值和锁存功能的汽车类快速响应基础型隔离式比较器 | D | 8 | -40 to 125;
| 型号： | AMC22C11QDRQ1 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 具有可调阈值和锁存功能的汽车类快速响应基础型隔离式比较器 | D | 8 | -40 to 125 比较器 |
| 文件： | 总43页 (文件大小：2272K) |
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AMC23C11-Q1
ZHCSQ12A –JUNE 2022 –REVISED AUGUST 2022
AMC22C11-Q1 具有可调节阈值和锁存功能的汽车类
快速响应基础型隔离式比较器
1 特性
3 说明
• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准：
AMC22C11-Q1 是一款响应时间短的隔离式比较器。
开漏输出与输入电路由抗电磁干扰性能极强的隔离栅隔
开。根据 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 和
UL1577，该隔离栅经认证可提供高达 3kVRMS 的电隔
离，并支持高达560 VRMS 的工作电压。
– 温度等级1：–40°C 至+125°C，TA
• 宽高侧电源电压范围：3 V 至25 V
• 低侧电源电压范围：2.7V 至5.5V
• 可调节阈值：20 mV 至2.7V
• 阈值调整基准电流：
在低迟滞模式下，可通过单个外部电阻器在 20mV 至
450mV 之间调节跳变阈值，在高迟滞模式下则可在
600mV 至2.7V 之间调节跳变阈值。
– 100μA，±1%
• 跳变阈值误差：250 mV 时为±1%（最大值）
• 具有可选锁存模式的开漏输出
• 传播延迟：240 ns（典型值）
• 高CMTI：75V/ns（最小值）
• 安全相关认证：
器件上的开漏输出支持输出状态与输入状态保持一致的
透明模式（锁存输入连接至 GND2）或在锁存输入信
号的下降沿上清除输出的锁存模式。
AMC22C11-Q1 采用 8 引脚 SOIC 封装，其整个汽车
工作温度范围为–40°C 至+125°C。
– 符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的
4250VPK 基础型隔离
– 符合UL1577 标准且长达1 分钟的3000VRMS
隔离
封装信息(1)
封装尺寸（标称值）
器件型号
封装
SOIC (8)
2 应用
AMC22C11-Q1
4.90mm × 3.90mm
• 在下述器件中进行过流或过压检测：
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
– HEV/EV 充电桩
– HEV/EV 车载充电器(OBC)
– HEV/EV 直流/直流转换器
– HEV/EV 牵引逆变器
High-side supply
(3..27 V)
Low-side supply
(2.7..5.5 V)
AMC22C11-Q1
VDD2
VDD1
IN
LDO
I
LATCH
from MCU
+
100
A
OUT
to MCU
REF
GND1
–
GND2
典型应用
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值...........................................................4
6.2 ESD 等级.................................................................... 4
6.3 建议运行条件.............................................................. 5
6.4 热性能信息.................................................................5
6.5 额定功率......................................................................5
6.6 绝缘规格......................................................................6
6.7 安全相关认证............................................................. 7
6.8 安全限值.....................................................................7
6.9 电气特征.....................................................................8
6.10 开关特性.................................................................10
6.11 时序图..................................................................... 10
6.12 绝缘特性曲线...........................................................11
6.13 典型特性..................................................................12
7 详细说明.......................................................................... 17
7.1 概述...........................................................................17
7.2 功能方框图................................................................17
7.3 特性说明....................................................................18
7.4 器件功能模式............................................................ 25
8 应用和实施.......................................................................26
8.1 应用信息....................................................................26
8.2 典型应用....................................................................26
8.3 应用曲线....................................................................29
8.4 优秀设计实践............................................................ 30
8.5 电源相关建议............................................................ 31
8.6 布局...........................................................................31
9 器件和文档支持............................................................... 32
9.1 文档支持....................................................................32
9.2 接收文档更新通知..................................................... 32
9.3 支持资源....................................................................32
9.4 商标...........................................................................32
9.5 静电放电警告............................................................ 32
9.6 术语表....................................................................... 32
10 机械、封装和可订购信息...............................................32
10.1 机械数据..................................................................33
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision * (June 2022) to Revision A (August 2022)
Page
• 将文档状态从预告信息更改为量产数据.............................................................................................................1
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5 引脚配置和功能
VDD1
IN
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD2
LATCH
OUT
REF
GND1
GND2
Not to scale
图5-1. D 封装、8 引脚SOIC （顶视图）
表5-1. 引脚功能
引脚
类型
说明
编号
名称
VDD1
IN
高侧电源。(1)
1
高侧电源
模拟输入
2
比较器的模拟输入引脚。
定义跳变阈值的基准引脚。此引脚上的电压也会影响比较器的迟滞，正如基准输入部
分所述。此引脚在内部链接至100μA 电流源。在REF 和GND1 之间连接一个电阻
器来定义跳变阈值，而在REF 和GND1 之间连接一个电容器来对基准电压进行滤
波。为了获得最佳的高瞬态噪声抗扰度，应将电容器尽可能靠近引脚放置。此引脚也
可以由外部电压源驱动。
3
REF
模拟输入
4
5
6
GND1
GND2
OUT
高侧接地端
低侧接地端
数字输出
高侧接地端。
低侧接地端。
比较器的开漏输出。连接至一个外部上拉电阻器。
用于选择开漏输出的锁存模式（高电平）或透明模式（低电平）的数字输入。请勿使
输入引脚处于未连接状态（悬空）。不使用时连接至GND2。
低侧电源。(1)
7
8
锁存
数字输入
低侧电源
VDD2
(1) 有关电源去耦方面的建议，请参阅电源相关建议部分。
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
请参阅(1)
最小值
最大值
单位
-0.3
30
VDD1 至GND1
V
电源电压
-0.3
-0.5
6.5
6.5
VDD2 至GND2
REF 至GND1
V
模拟输入电压
5.5
IN 至GND1
–6
VDD2 + 0.5
VDD2 + 0.5
10
V
V
LATCH 至GND1
OUT 至GND2
–0.5
–0.5
-10
数字输入电压
数字输出电压
输入电流
mA
连续，除电源引脚外的任何引脚
结温，TJ
150
°C
温度
-65
150
贮存温度，Tstg
(1) 超出绝对最大额定值的运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其
他条件下能够正常运行。如果在建议运行条件之外但又在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能会影响器件
的可靠性、功能性和性能，并缩短器件的寿命。
6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合AEC Q100-002(1)、HBM ESD 分类等级2
充电器件模型(CDM)，符合AEC Q100-011、CDM ESD 分类等级C6
±2000
V(ESD）
V
静电放电
±1000
(1) AEC Q100-002 指示HBM 应力测试应当符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范。
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6.3 建议运行条件
在工作环境温度范围内测得（除非另外注明）
最小值
标称值
最大值
单位
电源
VVDD1
3.0
2.7
5
25
V
V
VDD1 至GND1
VDD2 至GND2
高侧电源电压
VVDD2
3.3
5.5
低侧电源电压
模拟输入
IN 至GND1，VDD1 ≤4.3V
IN 至GND1，VDD1 > 4.3V
低迟滞模式
–0.4
–0.4
20
VDD1 –0.3
VIN
V
输入电压
基准电压
4
450
VREF
mV
600
1.4
2700(1)
高迟滞模式
V
VDD1 –VREF
基准电压余量
20
100
nF
REF 引脚上的滤波器电容
数字输入/输出
数字输入电压
GND2
GND2
0
VDD2
VDD2
4
V
V
LATCH 引脚
OUT 至GND2
OUT
数字输出电压
灌电流
mA
温度范围
TA
25
125
°C
–40
额定环境温度
(1) 基准电压(VREF) >1.6V 要求VVDD1 > VVDD1,MIN 以保持1.4V 的最小余量(VVDD1 –VREF)。
6.4 热性能信息
D (SOIC)
8 引脚
116.5
52.8
热指标(1)
单位
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
RθJB
58.9
19.4
ΨJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
58.0
ΨJB
RθJC(bot)
不适用
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
6.5 额定功率
参数
测试条件
值
95
30
20
83
18
12
12
8
单位
VDD1 = 25V，VDD2 = 5.5V
VDD1 = VDD2 = 5.5V
VDD1 = VDD2 = 3.6 V
VDD1 = 25 V
PD
mW
最大功耗（两侧）
PD1
VDD1 = 5.5 V
mW
mW
最大功耗（高侧）
最大功耗（低侧）
VDD1 = 3.6 V
VDD2 = 5.5 V
PD2
VDD2 = 3.6 V
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6.6 绝缘规格
在工作环境温度范围内（除非另外注明）
参数
测试条件
值
单位
常规
外部间隙(1)
≥4
≥4
≥15.4
≥400
II
CLR
CPG
DTI
mm
mm
µm
V
引脚间的最短空间距离
外部爬电距离(1)
绝缘穿透距离
相对漏电起痕指数
材料组别
引脚间的最短封装表面距离
绝缘层的最小内部缝隙（内部间隙）
DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112
符合IEC 60664-1
CTI
I-IV
额定市电电压≤150VRMS
过压类别
（符合IEC 60664-1）
I-III
额定市电电压≤300VRMS
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)(2)
VIORM
790
560
VPK
VRMS
VDC
最大重复峰值隔离电压
在交流电压下
在交流电压下（正弦波）
最大额定隔离
工作电压
VIOWM
790
在直流电压下
4250
5100
5000
VTEST = VIOTM，t = 60s（合格测试）
VTEST = 1.2 × VIOTM，t = 1s（100% 生产测试）
在空气中进行测试，符合IEC 62368-1 的1.2/50µs 方波
最大瞬态
隔离电压
VIOTM
VPK
最大脉冲电压(3)
VIMP
VPK
VPK
在油中进行测试（合格测试）
符合IEC 62368-1 的1.2/50µs 方波
最大浪涌
隔离电压(4)
VIOSM
6500
≤5
≤5
≤5
~1.5
方法a，输入/输出安全测试子组2/3 后，
Vini = VIOTM，tini = 60s，Vpd(m) = 1.2 × VIORM，tm = 10s
方法a，环境测试子组1 后，
Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.3 × VIORM，tm = 10s
视在电荷(5)
qpd
pC
方法b2，常规测试（100% 生产），
Vini = VIOTM = Vpd(m)；tini = tm = 1s
势垒电容，
CIO
VIO = 0.5VPP (1MHz)
pF
输入至输出(6)
VIO = 500V (TA = 25°C)
> 1012
> 1011
> 109
绝缘电阻，
RIO
VIO = 500V (100°C ≤TA ≤125°C)
VIO = 500V，TS = 150°C
Ω
输入至输出(6)
2
污染等级
气候类别
55/125/21
UL1577
VTEST = VISO = 3000 VRMS 或4250 VDC，t = 60s（合格），
VTEST = 1.2 × VISO = 3600 VRMS，t = 1s（100% 量产测试）
VISO
3000
VRMS
可承受的隔离电压
(1) 根据应用特定的设备隔离标准应用爬电距离和电气间隙要求。务必使爬电距离和电气间隙一直符合电路板设计的要求，以确保在印刷电
路板(PCB) 上安装的隔离器焊盘不会缩短这一距离。在某些情况下，PCB 上的爬电距离和电气间隙相等。在PCB 上插入坡口、肋或两
者等技术可帮助提高这些规格。
(2) 此耦合器仅适用于安全额定值范围内的安全电气绝缘。应借助合适的保护电路来确保符合安全额定值。
(3) 在空气中进行测试，以确定封装的固有浪涌抗扰度。
(4) 在油中进行测试，以确定隔离栅的固有浪涌抗扰度。
(5) 视在电荷是由局部放电(pd) 引起的电气放电。
(6) 将隔离栅每一侧的所有引脚都连在一起，构成一个双引脚器件。
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6.7 安全相关认证
VDE
UL
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)、
EN IEC 60747-17、
DIN EN 61010-1 (VDE 0411-1) 条款：6.4.3；6.7.1.3；6.7.2.1；6.7.2.2；
6.7.3.4.2；6.8.3.1
在1577 组件认证计划下进行了认证
基础型绝缘
单一绝缘保护
证书编号：待定
文件编号：E181974
6.8 安全限值
安全限制(1)旨在最大限度地减小在发生输入或输出电路故障时对隔离栅的潜在损害。I/O 发生故障时会导致低电阻接地或连接
到电源，如果没有限流电路，则会因为功耗过大而导致芯片过热并损坏隔离栅，甚至可能导致辅助系统出现故障。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
RθJA = 116.5°C/W，
VDD1 = VDD2 = 5.5 V，
TJ = 150°C，TA = 25°C
195
IS
mA
安全输入、输出或电源电流
RθJA = 116.5°C/W，
VDD1 = VDD2 = 3.6V，
TJ = 150°C，TA = 25°C
300
R
θJA = 116.5°C/W，
PS
TS
1070
150
mW
°C
安全输入、输出或总电源
最高安全温度
TJ = 150°C，TA = 25°C
(1) 最高安全温度TS 与器件指定的最大结温TJ 的值相同。IS
和PS 参数分别表示安全电流和安全功率。请勿超过IS 和PS 的最大限值。这些
限值随着环境温度TA 的变化而变化。
热信息表中的结至空气热阻RθJA 是安装在含引线的表面贴装封装的
高K 测试板上的器件的热阻。可以使用这些公式来计算各个参数的值：
TJ = TA + RθJA × P，其中P 为器件上消耗的功率。
TJ(max) = TS = TA + RθJA × PS，其中TJ(max) 为最大结温。
PS = IS × AVDDmax + IS × DVDDmax，其中AVDDmax 为最大高侧电压，而DVDDmax 为最大控制器侧电源电压。
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6.9 电气特征
最小值和最大值规格的适用条件为：TA = –40°C 至125°C，VDD1 = 3.0V 至25V，VDD2 = 2.7V 至5.5V， VREF = 20mV 至
2.7V(1) 且VIN = –400mV 至4V(2)；典型值规格的条件为TA = 25°C，VDD1 = 5V，VDD2 = 3.3V 且VREF = 250mV（除非另
有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
模拟输入
RIN
1
0.1
IN 引脚，0V ≤VIN ≤4V
GΩ
nA
输入电阻
IN 引脚，0V ≤VIN ≤4V(3)
IN 引脚，–400mV ≤VIN ≤0V(4)
IN 引脚
25
IBIAS
CIN
输入偏置电流
输入电容
–310
–0.5
4
pF
基准引脚
IREF
99
500
450
100
550
500
50
101
600
550
REF 至GND1，20mV < VREF ≤2.7V
μA
mV
mV
基准电流
V
V
REF 上升
REF 下降
VMSEL
模式选择阈值
模式选择阈值迟滞
正向跳变阈值
比较器
VIT+
VREF + VHYS
mV
mV
(VIT+ –VREF –VHYS)，
VREF = 20mV，VHYS = 4mV
-2
-2
-5
2
2
5
(VIT+ –VREF –VHYS)，
VREF = 250mV，VHYS = 4mV
EIT+
正向跳变阈值误差
(VIT+ –VREF –VHYS)，
VREF = 2V，VHYS = 25mV
VIT-
VREF
mV
mV
负向跳变阈值
-2.5
-2.5
-5
2.5
2.5
5
(VIT– –VREF)，VREF = 20mV
(VIT– –VREF)，VREF = 250mV
(VIT– –VREF)，VREF = 2V
EIT–
负向跳变阈值误差
4
(VIT+ –VIT–)，VREF ≤450mV
(VIT+ –VIT–)，VREF ≥600mV
VHYS
mV
跳变阈值迟滞
25
数字输入/输出
0.7 x
VDD2
VDD2 +
0.3
VIH
V
V
LATCH 引脚
LATCH 引脚
高电平输入电压
0.3 x
VDD2
VIL
-0.3
低电平输入电压
CIN
4
80
pF
mV
nA
LATCH 引脚
输入电容
VOL
ISINK = 4mA
250
100
低电平输出电压
开漏输出漏电流
共模瞬态抗扰度
ILKG
CMTI
VDD2 = 5V，VOUT = 5V
|VIN –VREF| ≥4mV，RPULLUP = 10kΩ
5
75
150
V/ns
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6.9 电气特征(continued)
最小值和最大值规格的适用条件为：TA = –40°C 至125°C，VDD1 = 3.0V 至25V，VDD2 = 2.7V 至5.5V， VREF = 20mV 至
2.7V(1) 且VIN = –400mV 至4V(2)；典型值规格的条件为TA = 25°C，VDD1 = 5V，VDD2 = 3.3V 且VREF = 250mV（除非另
有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源
3
2.9
2.3
2.7
2.1
3.7
2.2
VDD1 上升
VDD1 下降
VDD1 下降
VDD2 上升
VDD2 下降
VDD1UV
V
V
V
VDD1 欠压检测阈值
VDD1 上电复位阈值
VDD2 欠压检测阈值
VDD1POR
VDD2UV
IDD1
IDD2
2.7
1.8
mA
mA
高侧电源电流
低侧电源电流
(1) 基准电压>1.6V 要求VDD1 > VDD1MIN。有关详细信息，请参阅建议工作条件表。
(2) 但请勿超过建议工作条件表中指定的最大输入电压。
(3) 典型值是在VIN = 0.4V 下测量的。
(4) 典型值是在VIN = –400mV 下测量的。
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6.10 开关特性
在工作环境温度范围内（除非另外注明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
锁存输入
1.8
3.2
µs
抗尖峰脉冲时间
开漏输出
下降沿
VDD2 = 3.3V，VREF = 250mV，
VOVERDRIVE = 10mV，CL = 15pF
240
210
240
380
340
380
340
tpH
ns
传播延迟时间，|VIN| 上升
VDD2 = 3.3V，VREF = 2V，
VOVERDRIVE = 50mV，CL = 15pF
VDD2 = 3.3V，VREF = 250mV，
VOVERDRIVE = 10mV，CL = 15pF
tpL
ns
ns
传播延迟时间，|VIN| 下降
VDD2 = 3.3V，VREF = 2V，
VOVERDRIVE = 50mV，CL = 15pF
210
2
tf
RPULLUP = 4.7kΩ，CL = 15pF
输出信号下降时间
模式选择
tHSEL
10
10
µs
µs
µs
V
V
V
REF 上升或下降
REF 上升
比较器迟滞选择抗尖峰脉冲时间
比较器禁用抗尖峰脉冲时间
比较器启用抗尖峰脉冲时间
tDIS13
tEN13
100
REF 下降
启动时序
tLS ,STA
40
45
µs
µs
µs
µs
VDD2 步进至2.7V，VDD1 ≥3.0V
VDD1 步进至3.0V，VDD2 ≥2.7V
低侧启动时间
tHS ,STA
tHS,BLK
tHS,FLT
高侧启动时间
200
100
高侧消隐时间
高侧故障检测延迟时间
6.11 时序图
VREF + VOVERDRIVE
VOVERDRIVE
VREF
VOVERDRIVE
IN
VREF – VOVERDRIVE
tpH
tpL
OUT
90%
50%
10%
10%
tf
图6-1. 上升、下降和延迟时间定义（LATCH = 低电平）
VREF
VIN
OUT
LATCH
latch mode
transparent mode
图6-2. 功能时序图
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6.12 绝缘特性曲线
350
300
250
200
150
100
50
1200
1000
800
600
400
200
0
VDD1 = VDD2 = 3.6 V
VDD1 = VDD2 = 5.5 V
0
0
25
50
75
TA (°C)
100
125
150
0
25
50
75
TA (°C)
100
125
150
D070
D069
图6-4. 安全限制功率的热降额曲线（符合VDE）
图6-3. 安全限制电流的热降额曲线（符合VDE）
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6.13 典型特性
在VDD1 = 5V，VDD2 = 3.3V 时（除非另有说明）
26
25
24
23
22
21
20
19
18
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
17
16
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020a
D021a
VREF = 20mV
VREF = 20mV
图6-5. 跳变阈值与电源电压间的关系
图6-6. 跳变阈值与温度间的关系
1.5
1.5
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
1
0.5
0
1
0.5
0
-0.5
-1
-0.5
-1
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
-1.5
-1.5
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020d
D021d
VREF = 20mV
VREF = 20mV
图6-7. 跳变阈值误差与电源电压间的关系
图6-8. 跳变阈值误差与温度间的关系
6
5
4
3
2
1
0
Device 1
Device 2
Device 3
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
D025a
VREF = 20mV
VREF = 20mV
图6-9. 跳变阈值迟滞与电源电压间的关系
图6-10. 跳变阈值迟滞与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V，VDD2 = 3.3V 时（除非另有说明）
256
255
254
253
252
251
250
249
248
256
255
254
253
252
251
250
249
248
247
246
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
247
246
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020b
D021b
VREF = 250mV
VREF = 250mV
图6-11. 跳变阈值与电源电压间的关系
图6-12. 跳变阈值与温度间的关系
2.5
2
2.5
2
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
1.5
1
1.5
1
0.5
0
0.5
0
-0.5
-1
-0.5
-1
-1.5
-2
-1.5
-2
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
-2.5
-2.5
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020e
D021e
VREF = 250mV
VREF = 250mV
图6-13. 跳变阈值误差与电源电压间的关系
图6-14. 跳变阈值误差与温度间的关系
6
5
4
3
2
1
6
5
4
3
2
1
0
Device 1
Device 2
Device 3
Device 1
Device 2
Device 3
0
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D024b
D025b
VREF = 250mV
VREF = 250mV
图6-15. 跳变阈值迟滞与电源电压间的关系
图6-16. 跳变阈值迟滞与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V，VDD2 = 3.3V 时（除非另有说明）
2.030
2.025
2.020
2.015
2.010
2.005
2.000
1.995
1.990
2.030
2.025
2.020
2.015
2.010
2.005
2.000
1.995
1.990
1.985
1.980
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
1.985
1.980
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020c
D021c
VREF = 2 V
VREF = 2 V
图6-17. 跳变阈值与电源电压间的关系
图6-18. 跳变阈值与温度间的关系
5
4
5
4
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
3
3
2
2
1
1
0
0
-1
-2
-3
-4
-1
-2
-3
-4
-5
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
-5
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020f
D021f
VREF = 2 V
VREF = 2 V
图6-19. 跳变阈值误差与电源电压间的关系
图6-20. 跳变阈值误差与温度间的关系
30
25
20
15
10
5
30
25
20
15
10
5
Device 1
Device 2
Device 3
Device 1
Device 2
Device 3
0
0
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D024c
D025c
VREF = 2 V
VREF = 2 V
图6-21. 跳变阈值迟滞与电源电压间的关系
图6-22. 跳变阈值迟滞与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V，VDD2 = 3.3V 时（除非另有说明）
VOVERDRIVE = 10mV
图6-23. 传播延迟与过驱间的关系
图6-24. 传播延迟与温度间的关系
7
VDD1 = 3.3 V
VDD1 = 5 V
6
5
4
3
2
1
0
-0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VIN (V)
D001
VIN = 2V
图6-26. 输入偏置电流与温度间的关系
图6-25. 输入偏置电流与输入电压间的关系
102
101.5
101
102
101
100
99
100.5
100
99.5
99
Device 1
Device 2
Device 3
Device 1
Device 2
Device 3
98.5
98
98
10
100
1000
5000
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VREF (mV)
D007
Temperature (C)
D007b
图6-27. 基准电流与基准电压间的关系
图6-28. 基准电流与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V，VDD2 = 3.3V 时（除非另有说明）
5
5
4
3
2
1
0
VREF = 250 mV
VREF = 2 V
VREF = 250 mV
VREF = 2 V
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D038b
D039b
图6-29. 高侧电源电流与电源电压间的关系
图6-30. 高侧电源电流与温度间的关系
2.2
2
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1.8
1.6
1.4
1.2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
VDD2 (V)
D040
D041
图6-31. 低侧电源电流与电源电压间的关系
图6-32. 低侧电源电流与温度间的关系
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7 详细说明
7.1 概述
AMC22C11-Q1 是一款具有开漏输出和可选锁存功能的隔离式比较器。该比较器将输入电压 (VIN) 与 VIT+ 阈值进
行比较，其中该阈值可通过内部生成的 100μA 基准电流和外部电阻器在 20mV 至 2.7 V 之间调节。当输入电压
(VIN) 大于基准值 VREF 时，开漏输出主动拉至低电平。VIN 降至跳变阈值以下时的行为由LATCH 引脚决定，具体
如开漏数字输出一节所述。
该器件高压侧与低压侧之间的电气隔离通过跨过基于SiO2 的电容式隔离栅发送比较器状态来实现。此隔离栅支持
高水平的磁场抗扰度，如 ISO72x 数字隔离器磁场抗扰度 应用手册所述。由于 AMC22C11-Q1 采用数字调制方案
来跨过隔离栅发送数据，另外再加上隔离栅的特性，该器件具有高可靠性和共模瞬态抗扰度。
7.2 功能方框图
AMC22C11-Q1
VDD1
IN
VDD2
LDO
LATCH
100 μA
REF
OUT
GND1
GND2
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7.3 特性说明
7.3.1 模拟输入
当输入电压 (VIN) 上升到 VIT+ 阈值以上时，该比较器会发生跳变，其中该阈值被定义为基准值加上内部迟滞电
压。当VIN 降至VIT– 阈值以下时，该比较器会释放，其中该阈值等于基准值。
VIT+ 与VIT– 之间的差值被称为比较器迟滞，对于小于450mV 的基准电压，该差值为4mV。由于存在集成迟滞，
AMC22C11-Q1 对输入噪声不那么敏感，无需添加外部正反馈来产生迟滞，即可在高噪声环境中稳定工作。当基
准值(VREF) 大于600mV 时，迟滞会增加到25mV。更多详细信息，请参阅基准输入说明。
图7-1 展示了迟滞与开关阈值之间关系的时序图。
VIT+
VHYS
VIN
VIT– (VREF)
0 V
OUT
LATCH
图7-1. 开关阈值与迟滞
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7.3.2 基准输入
REF 引脚上的电压决定比较器的跳变阈值。内部精密电流源会强制100μA 的电流流过从REF 引脚连接到GND1
的外部电阻器。电阻器上产生的电压 (VREF) 等于跳变阈值；请参阅图 7-1。将一个 100nF 电容器与电阻器并联放
置，以对基准电压进行滤波。在上电期间，此电容器必须由 100μA 电流源充电，且充电时间可能超过高侧消隐
时间 (tHS,BLK)。在这种情况下，如图 7-2 所示，比较器可能会在高侧消隐时间结束后输出错误的状态，直到 VREF
达到最终值。有关上电行为的更多详细信息，请参阅上电和断电行为一节。
VDD1
VDD2
ON
<1%
OUT not valid
if VIN is in this range
during power-up
VREF
OUT
VREF settling time
low
tHS, STA + tHS,BLK
Output not valid
Output valid
图7-2. 导致基准电压趋稳时间过长时的输出行为
该基准引脚可由外部电压源驱动以在工作期间更改比较器阈值。不过，在正常工作期间，请勿动态驱动 VREF 越过
V
MSEL 阈值，因为这样做会改变比较器的迟滞，并可能导致输出的意外切换。
图7-3 显示了模式选择时序图。
VREF
VMSEL
tHSEL
tHSEL
Hysteresis
4 mV
25 mV
4 mV
Mode of operation
low-hysteresis mode
high-hysteresis mode
low-hysteresis mode
图7-3. 模式选择
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7.3.3 隔离通道信号传输
AMC22C11-Q1 使用开关键控 (OOK) 调制方案（如图 7-4 所示），跨过基于 SiO2 的隔离栅来传输比较器输出状
态。功能方框图所示发送驱动器(TX) 跨过隔离栅发送一个内部生成的高频载波来表示数字一，不发送信号则指示
数字零。
隔离栅另一端的接收器(RX) 会恢复并解调信号，然后向驱动开漏输出缓冲器的逻辑提供数据。AMC22C11-Q1 传
输通道经过优化，可实现最高的共模瞬态抗扰度 (CMTI) 和最小的辐射发射（高频载波和 RX/TX 缓冲器开关所
致）。
Data
on High-side
Signal Across Isolation Barrier
Recovered Data
on Low-side
图7-4. 基于OOK 的调制方案
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7.3.4 开漏数字输出
AMC22C11-Q1 提供了一个具有可选锁存功能的开漏输出。当VIN 超过 REF 引脚上的电压定义的阈值时，该输出
主动拉至低电平，具体请参阅图7-1。
开漏输出通过二极管连接到 VDD2 电源（请参阅功能方框图），这意味着在较大的电流开始流向 OUT 引脚前，
不能将该输出拉高到超过 VDD2 电源 500mV。特别是，如果 VDD2 为 GND2 电平，该开漏输出会被钳位至一个
高于地的二极管电压。这种行为由图7-5 至图7-10 中的灰色阴影表示。
在系统级别上，开漏信号线的 CMTI 性能取决于上拉电阻的值。在具有高压摆率（高 dV/dt）的共模瞬态事件期
间，由于印刷电路板 (PCB) 高侧和低侧之间的寄生电容耦合，开漏信号线可能被拉至低电平。寄生耦合对信号电
平的影响是上拉强度的函数，上拉电阻值越小，CMTI 性能越好。AMC22C11-Q1 的特点是上拉电阻值较弱，为
10 kΩ，以确保在具有4.7kΩ或更低的上拉电阻的典型应用中满足指定的CMTI 性能。
7.3.4.1 透明输出模式
当LATCH 引脚被拉至低电平时，器件被设置为透明模式，从而允许输出状态发生变化并跟随输入信号相对于编程
跳变阈值的情况。例如，当输入信号上升到跳变阈值以上时，OUT 引脚会被拉至低电平。当输入信号降至跳变阈
值以下时，输出会返回到默认的高电平输出状态。在透明模式下使用该器件的一个常见实现是将OUT 引脚连接到
控制器上的硬件中断输入。一旦器件检测到存在超出范围的状况并且OUT 引脚被拉至低电平，控制器中断端子会
检测到输出状态变化并开始更改系统工作情况来解决超出范围问题。
7.3.4.2 锁存输出模式
一些应用不具备通过持续检测OUT 引脚状态来检测过流状况的能力。此应用的典型示例是，系统仅能够定期轮询
OUT 端子状态来确定该系统是否正常运行。在此类应用中将器件设置为透明模式后，如果超出范围的情况未在定
期轮询期间出现，则可能会错过OUT 引脚的状态变化。
锁存模式专用于此类应用。通过将LATCH 端子上的电压设置为逻辑高电平，可将该器件置于锁存模式。锁存模式
和透明模式之间的区别在于，输出在超出范围事件结束时的响应方式不同。在透明模式中，当输入信号降至跳变
阈值以下时，输出状态会返回默认高电平设置，以指示超出范围事件已结束。
在锁存模式下，检测到超出范围事件且 OUT 引脚被拉至低电平后，如果输入信号降至跳变阈值电平以下，则
OUT 引脚不会恢复到默认的高电平状态。若要清除该事件，必须将 LATCH 端子拉至低电平，并至少持续 4μs。
只有输入信号降至跳变阈值以下，通过将 LATCH 引脚拉至低电平，OUT 引脚可以返回到默认的高电平状态。如
果将 LATCH 引脚拉至低电平时输入信号仍高于阈值，则 OUT 端子会保持低电平。当系统控制器检测到超出范围
事件时，LATCH 引脚可以恢复到高电平状态，以使器件恢复到锁存模式。
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7.3.5 上电和断电行为
当低侧电源 (VDD2) 开启时，开漏输出以高阻抗状态（高阻态）上电。上电后，如果高侧还未正常运行，输出会
主动拉至低电平。这种情况在低侧启动时间加上高侧故障检测延迟时间 (tLS,STA + tHS,FLT) 之后发生，如图 7-5 所
示。类似地，如果正常工作期间高侧电源电压降至欠压阈值 (VDD1UV) 以下并且持续时间超过高侧故障检测延迟
时间，则开漏输出被拉至低电平，如图7-8 所示。此延迟让系统能够在高侧电源缺失时可靠地关断。
比较器高侧和低侧之间的通信具有一定的延迟，即高侧消隐时间（tHS,BLK，在高压侧实现的时间常数），以便
REF 引脚的电压能够建立，同时避免在上电期间意外切换比较器输出。
图7-5 至图7-10 展示了典型的上电和断电情况。
在图 7-5 中，低侧电源 (VDD2) 开启，但高侧电源 (VDD1) 保持关闭。输出以高阻态上电。经过 tHS, FLT 后，OUT
被拉至低电平，指示高侧出现无电源故障。
在图7-6 中，高侧电源(VDD1) 在低侧电源(VDD2) 开启很长时间后开启。输出最初处于低电平有效状态；请参阅
实例 (1)。在高侧电源启用后，需要保持一段时间 (tHS, STA + tHS, BLK)，器件才会正常运行，并且输出会反映比较
器的当前状态。
VDD1
(high-side)
VDD1
(high-side)
VDD1UV
VDD2
(low-side)
VDD2UV
tLS
VDD2
(low-side)
ON
,STA+ tHS,BLK
,
STA
tHS
OUT
(open-drain)
90%
OUT
(open-drain)
normal
operation
(Hi-Z)
(Hi-Z)
fault
fault
10%
tHS,FLT
图7-5. VDD2 开启且VDD1 保持关闭
图7-6. VDD2 保持开启；VDD1 开启
（长延迟）
在图7-7 中，低侧电源(VDD2) 开启，然后在短暂延迟后，高侧电源(VDD1) 开启。输出最初处于高阻态。高侧故
障检测延迟 (tHS,FLT) 短于高侧消隐时间 (tHS,BLK)，因此在经过 tHS,FLT 后，输出被拉至低电平，指示高侧还未正常
工作。经过高侧消隐时间(tHS,BLK) 后，器件才会正常运行，并且输出会反映比较器的当前状态。
在图7-8 中，高侧电源(VDD1) 关闭，接着低侧电源(VDD2) 关闭。经过高侧故障检测延迟时间(tHS,FLT) 后，输出
主动拉至低电平。一旦VDD2 降至VDD2UV 阈值以下，输出便会进入高阻态。
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VDD1
(high-side)
VDD1
(high-side)
VDD1UV
tHS
VDD1UV
,STA+ tHS,BLK
VDD2
(low-side)
VDD2
(low-side)
VDD2UV
tLS,STA + tHS,FLT
90%
VDD2UV
tHS,FLT
OUT
(open-drain)
normal
operation
OUT normal
(open-drain) operation
90%
(Hi-Z) (Hi-Z)
fault
fault
(Hi-Z)
10%
图7-7. VDD2 和VDD1 先后开启
（短暂延迟）
图7-8. VDD1 和VDD2 先后关闭
在图 7-9 中，低侧电源 (VDD2) 会在高侧完全上电后（VDD1 与 VDD2 之间的延迟大于 (tHS,STA + tHS,BLK)）开
启。经过低侧启动时间(tLS,STA) 后，器件会进入正常工作状态。
在图7-10 中，低侧电源(VDD2) 会关闭，接着高侧电源(VDD1) 会关闭。一旦VDD2 降至VDD2UV 阈值以下，输
出会进入高阻态。
VDD1
(high-side)
VDD1
(high-side)
VDD1UV
>tHS,STA + tHS
,
BLK
VDD2
(low-side)
VDD2
(low-side)
VDD2UV
VDD2UV
OUT
(open-drain)
normal
operation
OUT normal
(open-drain) operation
90%
(Hi-Z)
(Hi-Z)
(Hi-Z)
tLS
,
STA
图7-9. VDD1 和VDD2 先后开启
（长延迟）
图7-10. VDD2 和VDD1 先后关闭
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7.3.6 VDD1 欠压和失去电源行为
欠压是指这样一种情况：VDD1 电源电压降至规定的工作电压范围以下，但器件仍工作正常。失去电源是指这样
一种情况：VDD1 电源电压降至某个电平以下，此时器件将停止工作。根据持续时间和电压电平，在器件的输出
端可能会也可能不会注意到欠压情况。失去电源情况则始终会体现在隔离比较器的输出端。
图7-11 至图7-13 显示了典型的欠压和失去电源情况。
在图 7-11 中，VDD1 降至欠压检测阈值 (VDD1UV) 以下，但在高侧故障检测延迟时间 (tHS,FLT) 过期之前恢复正
常。该欠压事件对比较器输出没有影响。
在图 7-12 中，VDD1 降至欠压检测阈值 (VDD1UV) 以下并且持续时间超过高侧故障检测延迟时间 (tHS,FLT)。欠压
情况被检测为故障，同时在经过tHS,FLT 的延迟后，输出会被拉至低电平。一旦VDD1 恢复到VDD1UV 阈值以上，
器件就会恢复正常工作。
VDD1UV
tHS, FLT
VDD1
(high-side)
VDD1
(high-side)
VDD1UV
< tHS, FLT
VDD2
(low-side)
VDD2
(low-side)
ON
ON
OUT
(open-drain)
OUT normal
(open-drain) operation
normal
operation
90%
no change on output
fault
图7-11. VDD1 上短暂欠压事件的输出响应
图7-12. VDD1 上较长欠压事件的输出响应
在图 7-13 中，VDD1 降至上电复位 (POR) 阈值 (VDD1POR) 以下。失去电源情况被检测为故障，同时在经过
HS,FLT 延迟后，输出会被拉至低电平。VDD1 恢复到 VDD1UV 阈值以上后，器件会在经过 tHS,STA + tHS,BLK 延迟
后恢复正常运行。
t
VDD1
(high-side)
VDD1UV
tHS
VDD1POR
,
STA+ tHS, BLK
ON
VDD2
(low-side)
tHS, FLT
OUT normal
(open-drain) operation
normal
operation
90%
fault
图7-13. VDD1 上失去电源事件的输出响应
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7.4 器件功能模式
施加电源电压VDD1 和VDD2 时，AMC22C11-Q1 器件可正常运行，如建议运行条件表中所述。
REF 引脚上的电压会影响比较器的阈值。当基准电压低于VMSEL 阈值时，比较器采用低迟滞模式工作。当基准电
压高于VMSEL 阈值时，比较器采用高迟滞模式工作，如基准输入一节中所述。
该器件具有透明模式和锁存模式这两种输出工作模式，具体根据LATCH 输入引脚设置来选择。这两个模式会影响
OUT 引脚对输入信号条件变化的响应方式。详细信息，请参阅开漏数字输出一节。
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8 应用和实施
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
8.1 应用信息
AMC22C11-Q1 器件具有低响应时间、高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 和基础型认证隔离栅，能够在恶劣和嘈杂的环境
中为高压应用提供快速可靠的过流和过压检测。
8.2 典型应用
8.2.1 直流链路过流检测
直流链路过流检测是直流/直流转换器和电机驱动设计的一项常见要求。尽管直流/直流转换器的电感器电流或电机
驱动器的相电流通常被检测以用于控制目的，但仅依靠相电流检测还不足以检测所有可能的过流状况（例如，功
率级中的击穿）。实现直流链路过流检测最全面的方法是监测DC+ 和DC–线路中的电流。如图8-1 所示，这种
检测可通过监测两个分流电阻器上的压降来实现。
流过分流电阻器 R10 的 DC+ 负载电流会产生相对于 GND1 的正电压，该电压由 AMC22C11-Q1 监测。当 R10
上的压降超过由外部电阻器R11 设置的基准值时，比较器就会跳变，并在开漏输出OUT 上发出过流事件信号。
流过分流电阻器R20 的DC- 负载电流会产生相对于GND1 的负电压，该电压由AMC22C12-Q1 监测。当R20 上
的压降超过由外部电阻器R21 设置的基准值时，比较器就会跳变，并在开漏输出OUT 上发出过流事件信号。
两个隔离式比较器的开漏输出短接在一起，形成单个警报信号到微控制器单元 (MCU)。同样地，两个 LATCH 信
号连接在一起，可以由MCU 的单个GPIO 引脚控制。
DC+ 侧的隔离式比较器需要一个以 DC+ 电势为基准的高侧电源。一种低成本的解决方案基于推挽式驱动器
SN6501-Q1 和支持所需隔离电压额定值的变压器。AMC22C11-Q1 高侧上的集成式低压降 (LDO) 稳压器允许将
VDD1 引脚直接连接到变压器输出，无需对变压器输出电压进行进一步预调节。
DC–侧的隔离式比较器需要一个以 DC–电势为基准的高侧电源。一种常见的解决方案是通过低侧栅极驱动器电
源（如图 8-1 所示）或任何其他以 DC– 为基准的电压电源为隔离式比较器供电。 AMC22C12-Q1 高侧上的集成
式低压降(LDO) 稳压器支持宽输入电压范围，大大简化了电源设计。
AMC22C11-Q1 的快速响应时间和高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 确保了即便在高噪声环境中，也能可靠、准确地工
作。
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Low-side supply
(3.3 V or 5.5 V)
SN6501-Q1
D1
GND
4.7 μF
VCC
D2
GND
10 μF 100 nF
R14
10
AMC22C11-Q1
VDD1
VDD2
LATCH
OUT
R12
4.7 k
IN
R15
10
REF
GND1
GND2
C12
C11
C16
R11
C15
C13
100 nF
C14
1 µF
1 µF 100 nF 1 nF 2.94 k 100 nF
R10
10 m
DC +
L1
L2
L3
M
3~
LS Gate Driver supply
(2.7..27 V)
N
+
–
N
DC –
R20
10 m
R24
10
AMC22C12-Q1
VDD1
VDD2
LATCH
OUT
IN
from MCU (optional)
to MCU
R25
10
REF
GND1
GND2
C22
C21
C26
R21
C25
C23
C24
1 µF 100 nF 1 nF 2.94 k 100 nF
100 nF
1 µF
图8-1. 使用AMC22C11-Q1 进行DC+ 过流检测
8.2.1.1 设计要求
表8-1 列出了图8-1 中所含应用示例的各项参数。
表8-1. 设计要求
参数
值
3V 至27V
2.7V 至5.5V
10mΩ
高侧电源电压
低侧电源电压
分流电阻器值
过流检测阈值
30A
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8.2.1.2 详细设计过程
本例中，分流电阻器（R10 和R20）的值为 10mΩ。在所需的 30A 过流检测电平条件下，分流电阻器上的压降为
10mΩ × 30A = 300mV。比较器的正向跳变阈值为 VREF + VHYS，其中 VHYS 为 4mV（如电气特征 表中所述），
而VREF 为REF 与GND1 引脚之间所连 R11（或R12，相应地）上的电压。R11 和R12 的计算方式为 (VTRIP
–
VHYS) / IREF = (300mV – 4mV) / 100μA = 2.96kΩ。E96 系列（精度 1%）的下一个较小值为 2.94kΩ，因此过
流跳变阈值（上升）为29.8A。
比较器的输入端放置了一个 10Ω、1nF RC 滤波器（分别为 R15、C16 和 R25、C26），用于过滤输出信号并降
低噪声敏感度。该滤波器增加了10Ω× 1nF = 10ns 的传播延迟，在计算保护电路的总体响应时间时必须考虑该延
迟。如果系统可以承受额外的延迟，那么较大的滤波常数有助于提高系统的噪声抗扰度。
表8-2 汇总了该设计的关键参数。
表8-2. 过流检测设计示例
参数
值
基准电阻值（R11、R21）
基准电容值（C15、C25）
基准电压
2.94kΩ
100nF
296 mV
基准电压趋稳时间（达到最终值的90%）
过流跳变阈值（上升）
690μs
298mV/29.8A
294mV/29.4A
过流跳变阈值（下降）
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8.3 应用曲线
图8-2 显示了AMC22C11-Q1 对振幅为310mVPP 的三角输入波形的典型响应。当VIN 超过由REF 引脚电压（在
本示例中偏置至250mV）确定的250mV 电平时，输出(OUT) 将切换。
图8-2. AMC22C11-Q1 对三角输入波形的输出响应
AMC22C11-Q1 的集成 LDO 极大地放宽了高压侧的电源要求，并允许通过非稳压变压器、电荷泵和自举电源为器
件供电。如下图所示，内部 LDO 为内部电路提供稳定的工作电压，即使在 2VPP 及更高的纹波电压下，跳变阈值
也能保持基本不受干扰。
1.4
VDD1 = 5 V
VDD1 = 10 V
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
VDD1 Ripple Voltage (VPP
)
D063a
图8-3. 跳变阈值对VDD1 纹波电压的灵敏度(fRIPPLE = 10kHz)
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8.4 优秀设计实践
检测电阻低侧与 AMC22C11-Q1 GND1 引脚之间应保持较短的低阻抗连接。接地线上的任何压降都会增加比较器
输入端检测到的电压误差，并导致跳变阈值不准确。
为了获得最佳的共模瞬态抗扰度，应将滤波电容器 C5 尽可能靠近 REF 引脚放置，如图8-5 所示。如开漏数字输
出 一节所述，在开漏输出上使用低值上拉电阻 (<10kΩ)，以最大限度地减少共模瞬态事件期间电容耦合对开漏信
号线的影响。
请勿在 REF 引脚偏置接近 VMSEL 阈值（450mV 至 600mV 范围）的情况下运行该器件，以避免比较器迟滞出现
动态切换，如基准输入部分所述。
AMC22C11-Q1 提供了有限的200μs 消隐时间(tHS,BLK)，以便在启动期间使基准电压 (VREF)趋稳。对于许多应用
而言，基准电压趋稳所需的时间都要超过200μs 消隐时间，并且比较器的输出可能会在系统启动期间出现短时脉
冲波干扰，如图7-2 所示。在整个系统启动设计中需要考虑基准电压建立时间。
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8.5 电源相关建议
AMC22C11-Q1 无需任何特定的上电时序。高侧电源 (VDD1) 通过与低 ESR、1µF 电容器 (C2) 并联的低 ESR、
100nF 电容器(C1) 进行去耦。低侧电源(VDD2) 同样通过与低ESR、1µF 电容器(C4) 并联的低ESR、100nF 电
容器 (C3) 进行去耦。将所有四个电容器（C1、C2、C3 和 C4）尽可能靠近器件放置。图 8-4 展示了
AMC22C11-Q1 的去耦示意图。
对于高VDD1 电源电压(>5.5V)，可将VDD1 电源与10Ω电阻器(R4) 串联在一起以进行额外的滤波。
High-side supply (3..27 V)
Low-side supply (2.7..5.5 V)
R2
4.7 k
R4
10
AMC22C11-Q1
I
R5
10 Ω
VDD1
VDD2
LATCH
OUT
IN
from MCU
to MCU
REF
GND1
GND2
C2
C1
C6
R1
C5
C3
C4
1 µF 100 nF 1 nF 2.94 k 100 nF
100 nF 1 µF
图8-4. 去耦AMC22C11-Q1
在应用中出现的适用直流偏置条件下，电容器必须能够提供足够的有效电容。在实际条件下，通常仅使用多层陶
瓷电容器 (MLCC) 标称电容的一小部分，因此在选择这些电容器时，必须考虑到这个因素。此问题在低厚度电容
器中尤为严重，在该类电容器中，电容器越薄，电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置
关系曲线，这大大简化了元件的选型。
8.6 布局
8.6.1 布局指南
图 8-5 给出了布局建议，其中说明了去耦电容器的关键布局（尽可能靠近 AMC22C11-Q1 电源引脚放置）以及器
件所需的其他组件的放置方式。
8.6.2 布局示例
High-side
Low-side
supply
supply
Clearance area, to be
kept free of any
conductive materials.
R4
C2
C1
C4
C3
C6
IN
from MCU
to MCU
LATCH
OUT
AMC22C11-Q1
REF
GND2
GND1
Top Metal
Inner or Bottom Layer Metal
Via
图8-5. 建议布局AMC22C11-Q1
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9 器件和文档支持
9.1 文档支持
9.1.1 相关文档
请参阅如下相关文档：
• 德州仪器(TI)，隔离相关术语应用手册
• 德州仪器(TI)，半导体和IC 封装热指标应用手册
• 德州仪器(TI)，ISO72x 数字隔离器磁场抗扰度应用手册
• 德州仪器(TI)，SN6501-Q1 用于隔离式电源的变压器驱动器数据表
• 德州仪器(TI)，隔离放大器电压检测Excel 计算器设计工具
9.2 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
9.3 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
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9.4 商标
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所有商标均为其各自所有者的财产。
9.5 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
9.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
10 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，
且不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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10.1 机械数据
PACKAGE OUTLINE
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SCALE 2.800
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
C
SEATING PLANE
.228-.244 TYP
[5.80-6.19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ID AREA
6X .050
[1.27]
8
1
2X
.189-.197
[4.81-5.00]
NOTE 3
.150
[3.81]
4X (0 -15 )
4
5
8X .012-.020
[0.31-0.51]
B
.150-.157
[3.81-3.98]
NOTE 4
.069 MAX
[1.75]
.010 [0.25]
C A B
.005-.010 TYP
[0.13-0.25]
4X (0 -15 )
SEE DETAIL A
.010
[0.25]
.004-.010
[0.11-0.25]
0 - 8
.016-.050
[0.41-1.27]
DETAIL A
TYPICAL
(.041)
[1.04]
4214825/C 02/2019
NOTES:
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed .006 [0.15] per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
SEE
DETAILS
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:8X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
.0028 MAX
[0.07]
ALL AROUND
.0028 MIN
[0.07]
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL
SCALE:8X
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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13-Mar-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
AMC22C11QDRQ1
ACTIVE
SOIC
D
8
3000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
22C11Q
Samples
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF AMC22C11-Q1 :
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
13-Mar-2023
Catalog : AMC22C11
•
NOTE: Qualified Version Definitions:
Catalog - TI's standard catalog product
•
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
12-Aug-2022
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
AMC22C11QDRQ1
SOIC
D
8
3000
330.0
12.4
6.4
5.2
2.1
8.0
12.0
Q1
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
12-Aug-2022
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SOIC
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
356.0 356.0 35.0
AMC22C11QDRQ1
D
8
3000
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SCALE 2.800
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
C
SEATING PLANE
.228-.244 TYP
[5.80-6.19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ID AREA
6X .050
[1.27]
8
1
2X
.189-.197
[4.81-5.00]
NOTE 3
.150
[3.81]
4X (0 -15 )
4
5
8X .012-.020
[0.31-0.51]
B
.150-.157
[3.81-3.98]
NOTE 4
.069 MAX
[1.75]
.010 [0.25]
C A B
.005-.010 TYP
[0.13-0.25]
4X (0 -15 )
SEE DETAIL A
.010
[0.25]
.004-.010
[0.11-0.25]
0 - 8
.016-.050
[0.41-1.27]
DETAIL A
TYPICAL
(.041)
[1.04]
4214825/C 02/2019
NOTES:
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed .006 [0.15] per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
SEE
DETAILS
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:8X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
.0028 MAX
[0.07]
.0028 MIN
[0.07]
ALL AROUND
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL
SCALE:8X
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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