AMC23C14DWVR [TI]
具有可调阈值的双路快速响应增强型隔离式窗口比较器 | DWV | 8 | -40 to 125;型号: | AMC23C14DWVR |
厂家: | TEXAS INSTRUMENTS |
描述: | 具有可调阈值的双路快速响应增强型隔离式窗口比较器 | DWV | 8 | -40 to 125 比较器 |
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AMC23C14
ZHCSM64A –FEBRUARY 2022 –REVISED JULY 2022
AMC23C14 具有可调阈值的双路快速响应
增强型隔离式窗口比较器
1 特性
3 说明
• 宽高侧电源电压范围:3V 至27V
• 低侧电源电压范围:2.7V 至5.5V
• 双路窗口比较器:
– 窗口比较器1:±20mV 至±300mV 可调节阈值
– 窗口比较器2:±300mV 固定阈值
• 支持正比较器模式:
AMC23C14 是一款响应时间较短的双路隔离式窗口比
较器。开漏输出与输入电路由高度抗电磁干扰性的隔离
栅隔开。该隔离栅经认证可提供高达5kVRMS 的增强型
电隔离,符合 VDE 0884-17 和 UL1577 标准,并且可
支持最高1kVPK 的工作电压。
两个比较器的窗口电压都以 0V 为中心,这表示如果正
向或负向输入超出阈值,则比较器就会跳变。一个比较
器具有 ±300 mV 的固定阈值,第二比较器通过单个外
部电阻器具有±20mV 至±300mV 的可调节阈值。
– Cmp0:600mV 至2.7V 可调节阈值
– Cmp2:300mV 固定阈值
– Cmp1 和Cmp3:禁用
• 阈值调整基准:100μA,±2%
• 跳变阈值误差:250 mV 时为±1%(最大值)
• 开漏输出
• 传播延迟:280 ns(典型值)
• 高CMTI:15 V/ns(最小值)
• 安全相关认证:
AMC23C14 还支持只有正比较器的模式。当REF 引脚
上的电压大于 550mV 时,负比较器会被禁用,仅正比
较器正常运行。该模式下的基准电压可高达 2.7V。该
模式对于监控正电压电源特别有用。
AMC23C14 采用 8 引脚宽体 SOIC 封装,其额定工业
级工作温度范围为–40°C 至+125°C。
– 符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的
7000VPK 增强型隔离
– 符合UL1577 标准且长达1 分钟的5000VRMS
隔离
封装信息(1)
封装尺寸(标称值)
器件型号
AMC23C14
封装
SOIC (8)
5.85mm × 7.50mm
• 针对更大工业温度范围进行了全面优化: –40°C
至+125°C
(1) 有关所有的可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
2 应用
• 在以下器件中提供过流或过压检测:
– 电机驱动器
– 变频器
– 光伏逆变器
– 直流/直流转换器
High-side supply
(3..27 V)
Low-side supply
(2.7..5.5 V)
AMC23C14
VDD2
VDD1
IN
LDO
100
300 mV
+
I
OUT2
to MCU
–
A
OUT1
to MCU
REF
GND1
+
GND2
–
典型应用
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值...........................................................4
6.2 ESD 等级.................................................................... 4
6.3 建议运行条件.............................................................. 5
6.4 热性能信息.................................................................5
6.5 额定功率......................................................................5
6.6 绝缘规格......................................................................6
6.7 安全相关认证............................................................. 7
6.8 安全限值.....................................................................7
6.9 电气特征.....................................................................8
6.10 开关特性.................................................................10
6.11 时序图..................................................................... 10
6.12 绝缘特性曲线...........................................................11
6.13 典型特性..................................................................12
7 详细说明.......................................................................... 22
7.1 概述...........................................................................22
7.2 功能方框图................................................................22
7.3 特性说明....................................................................23
7.4 器件功能模式............................................................ 29
8 应用和实施.......................................................................30
8.1 应用信息....................................................................30
8.2 典型应用...................................................................30
8.3 优秀设计实践............................................................ 35
8.4 电源相关建议............................................................ 36
8.5 布局...........................................................................36
9 器件和文档支持............................................................... 37
9.1 文档支持....................................................................37
9.2 接收文档更新通知..................................................... 37
9.3 支持资源....................................................................37
9.4 商标...........................................................................37
9.5 静电放电警告............................................................ 37
9.6 术语表....................................................................... 37
10 机械、封装和可订购信息...............................................37
4 修订历史记录
注:以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision * (February 2022) to Revision A (July 2022)
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• 将文档状态从预告信息更改为量产数据.............................................................................................................1
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5 引脚配置和功能
VDD1
IN
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD2
OUT2
OUT1
GND2
REF
GND1
Not to scale
图5-1. DWV 封装、8 引脚SOIC (顶视图)
表5-1. 引脚功能
引脚
类型
说明
编号
名称
高侧电源。(1)
1
VDD1
高侧电源
模拟输入
2
IN
窗口比较器1 和2 的共模模拟输入引脚。
定义窗口比较器1 的跳变阈值的基准引脚。此引脚上的电压还会影响比较器Cmp0 比
较器的迟滞,具体如基准输入部分所述。此引脚在内部链接至100μA 电流源。在
REF 和GND1 之间连接一个电阻器来定义跳变阈值,而在REF 和GND1 之间连接
一个电容器来对基准电压进行滤波。为了获得最佳的高瞬态噪声抗扰度,应将电容器
尽可能靠近引脚放置。此引脚也可以由外部电压源驱动。
3
REF
模拟输入
4
5
6
7
8
GND1
GND2
OUT1
OUT2
VDD2
高侧接地端
低侧接地端
数字输出
高侧接地端。
低侧接地端。
窗口比较器1 的开漏输出。连接到外部上拉电阻或在不使用时保持断开(悬空)。
窗口比较器2 的开漏输出。连接到外部上拉电阻或在不使用时保持断开(悬空)。
低侧电源。(1)
数字输出
低侧电源
(1) 有关电源去耦方面的建议,请参阅布局部分。
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
请参阅(1)
最小值
最大值
单位
-0.3
30
VDD1 至GND1
V
电源电压
-0.3
-0.5
6.5
VDD2 至GND2
6.5
REF 至GND1
V
模拟输入电压
5.5
VDD2 + 0.5
10
IN 至GND1
–6
V
OUT1、OUT2 至GND2
–0.5
-10
数字输出电压
输入电流
mA
连续,除电源引脚外的任何引脚
结温,TJ
150
°C
温度
-65
150
贮存温度,Tstg
(1) 超出绝对最大额定值的运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其
他条件下能够正常运行。如果在建议运行条件之外但又在绝对最大额定值范围内使用,器件可能不会完全正常运行,这可能会影响器件
的可靠性、功能性和性能,并缩短器件的寿命。
6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM),符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)
充电器件模型(CDM),符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准(2)
±2000
V(ESD)
V
静电放电
±1000
(1) JEDEC 文档JEP155 指出:500V HBM 能够在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出:250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
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6.3 建议运行条件
在工作环境温度范围内测得(除非另外注明)
最小值
标称值
最大值
单位
电源
VVDD1
3.0
2.7
5
27
V
V
VDD1 至GND1
VDD2 至GND2
高侧电源电压
VVDD2
3.3
5.5
低侧电源电压
模拟输入
IN 至GND1,VDD1 ≤4.3V
IN 至GND1,VDD1 > 4.3V
REF 至GND1
–0.4
–0.4
20
VDD1 –0.3
VIN
V
输入电压
4
300
450
基准电压,窗口比较器模式
20
低迟滞模式
VREF
mV
基准电压,正比较器模式
高迟滞模式
(仅Cmp0)
600
2700(1)
1.4
20
V
VDD1 –VREF
基准电压余量
100
nF
REF 引脚上的滤波器电容
数字输出
GND2
0
VDD2
4
V
OUT1、OUT2 至GND2
OUT1、OUT2
数字输出电压
灌电流
mA
温度范围
TA
25
125
°C
–40
额定环境温度
(1) 基准电压(VREF) >1.6V 要求VVDD1 > VVDD1,MIN 以保持1.4V 的最小余量(VVDD1 –VREF)。
6.4 热性能信息
DWV (SOIC)
8 引脚
102.8
45.1
热指标(1)
单位
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板热阻
RθJB
63.0
14.3
ΨJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳(底部)热阻
61.1
ΨJB
RθJC(bot)
不适用
(1) 有关新旧热指标的更多信息,请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
6.5 额定功率
参数
测试条件
值
110
34
22
98
21
14
12
8
单位
VDD1 = 25V,VDD2 = 5.5V
VDD1 = VDD2 = 5.5V
VDD1 = VDD2 = 3.6 V
VDD1 = 25 V
PD
mW
最大功耗(两侧)
PD1
VDD1 = 5.5 V
mW
mW
最大功耗(高侧)
最大功耗(低侧)
VDD1 = 3.6 V
VDD2 = 5.5 V
PD2
VDD2 = 3.6 V
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6.6 绝缘规格
在工作环境温度范围内(除非另外注明)
参数
测试条件
值
单位
常规
外部间隙(1)
≥8.5
≥8.5
≥15.4
≥600
I
CLR
CPG
DTI
mm
mm
µm
V
引脚间的最短空间距离
外部爬电距离(1)
绝缘穿透距离
相对漏电起痕指数
材料组别
引脚间的最短封装表面距离
双重绝缘层的最小内部缝隙(内部间隙)
DIN EN 60112 (VDE 0303-11);IEC 60112
符合IEC 60664-1
CTI
I-III
额定市电电压≤600 VRMS
过压类别
(符合IEC 60664-1)
I-II
额定市电电压≤1000 VRMS
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)(2)
VIORM
1060
750
VPK
VRMS
VDC
最大重复峰值隔离电压
在交流电压下
在交流电压下(正弦波)
最大额定隔离
工作电压
VIOWM
1060
7070
8500
8300
在直流电压下
VTEST = VIOTM,t = 60s(合格测试)
VTEST = 1.2 × VIOTM,t = 1s(100% 生产测试)
在空气中进行测试,符合IEC 62368-1 的1.2/50µs 方波
最大瞬态
隔离电压
VIOTM
VPK
最大脉冲电压(3)
VIMP
VPK
VPK
在油中进行测试(合格测试)
符合IEC 62368-1 的1.2/50µs 方波
最大浪涌
隔离电压(4)
VIOSM
10000
≤5
方法a,输入/输出安全测试子组2/3 后,
Vini = VIOTM,tini = 60s,Vpd(m) = 1.2 × VIORM,tm = 10s
方法a,环境测试子组1 后,
Vini = VIOTM,tini = 60s;Vpd(m) = 1.6 × VIORM,tm = 10s
视在电荷(5)
qpd
≤5
pC
方法b1,常规测试(100% 量产测试)和预调节(类型测
试),Vini = VIOTM,tini = 1s;Vpd(m) = 1.875 × VIORM,tm = 1s
≤5
势垒电容,
CIO
VIO = 0.5VPP (1MHz)
~1.5
pF
输入至输出(6)
VIO = 500V (TA = 25°C)
> 1012
> 1011
> 109
绝缘电阻,
RIO
VIO = 500V (100°C ≤TA ≤125°C)
VIO = 500V,TS = 150°C
Ω
输入至输出(6)
2
污染等级
气候类别
55/125/21
UL1577
VTEST = VISO = 5700 VRMS,t = 60s(合格),
VTEST = 1.2 × VISO = 6840 VRMS,t = 1s(100% 生产测试)
VISO
5000
VRMS
可承受的隔离电压
(1) 根据应用特定的设备隔离标准应用爬电距离和电气间隙要求。务必使爬电距离和电气间隙一直符合电路板设计的要求,以确保在印刷电
路板(PCB) 上安装的隔离器焊盘不会缩短这一距离。在某些情况下,PCB 上的爬电距离和电气间隙相等。在PCB 上插入坡口、肋或两
者等技术可帮助提高这些规格。
(2) 此耦合器仅适用于安全额定值范围内的安全电气绝缘。应借助合适的保护电路来确保符合安全额定值。
(3) 在空气中进行测试,以确定封装的固有浪涌抗扰度。
(4) 在油中进行测试,以确定隔离栅的固有浪涌抗扰度。
(5) 视在电荷是由局部放电(pd) 引起的电气放电。
(6) 将隔离栅每一侧的所有引脚都连在一起,构成一个双引脚器件。
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6.7 安全相关认证
VDE
UL
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)、
EN IEC 60747-17、
DIN EN IEC 62368-1 (VDE 0868-1)、
EN IEC 62368-1、
在1577 组件认证计划下进行了认证
IEC 62368-1 条款:5.4.3;5.4.4.4;5.4.9
增强型绝缘
单一绝缘保护
证书编号:待定
文件编号:E181974
6.8 安全限值
安全限制(1)旨在最大限度地减小在发生输入或输出电路故障时对隔离栅的潜在损害。I/O 发生故障时会导致低电阻接地或连接
到电源,如果没有限流电路,则会因为功耗过大而导致芯片过热并损坏隔离栅,甚至可能导致辅助系统出现故障。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
RθJA = 102.8°C/W,
VDD1 = VDD2 = 5.5V,
TJ = 150°C,TA = 25°C
220
IS
mA
安全输入、输出或电源电流
RθJA = 102.8°C/W,
VDD1 = VDD2 = 3.6V,
TJ = 150°C,TA = 25°C
340
R
θJA = 102.8°C/W,
PS
TS
1220
150
mW
°C
安全输入、输出或总电源
最高安全温度
TJ = 150°C,TA = 25°C
(1) 最高安全温度TS 与器件指定的最大结温TJ 的值相同。IS
和PS 参数分别表示安全电流和安全功率。请勿超过IS 和PS 的最大限值。这些
限值随着环境温度TA 的变化而变化。
热信息表中的结至空气热阻RθJA 是安装在含引线的表面贴装封装的
高K 测试板上的器件的热阻。可以使用这些公式来计算各个参数的值:
TJ = TA + RθJA × P,其中P 为器件上消耗的功率。
TJ(max) = TS = TA + RθJA × PS,其中TJ(max) 为最大结温。
PS = IS × AVDDmax + IS × DVDDmax,其中AVDDmax 为最大高侧电压,而DVDDmax 为最大控制器侧电源电压。
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6.9 电气特征
最小值和最大值规格的适用条件为:TA = –40°C 至125°C,VDD1 = 3.0V 至27V,VDD2 = 2.7V 至5.5V, VREF = 20mV 至
2.7V(1) 且VIN = –400mV 至4V(3);典型值规格的条件为TA = 25°C,VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 且VREF = 250mV(除非另
有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
模拟输入
RIN
1
0.1
IN 引脚,0V ≤VIN ≤4V
GΩ
nA
输入电阻
IN 引脚,0V ≤VIN ≤4V(4)
IN 引脚,–400mV ≤VIN ≤0V(5)
IN 引脚
25
IBIAS
CIN
输入偏置电流
输入电容
–310
–0.5
4
pF
基准引脚
IREF
99
500
450
100
550
500
50
101
600
550
REF 至GND1,20mV < VREF ≤2.7V
μA
mV
mV
基准电流
V
V
REF 上升
REF 下降
模式选择阈值(2)
VMSEL
模式选择阈值迟滞
300mV 固定阈值比较器(CMP2 和CMP3)
VIT+
Cmp2
304
300
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
正向跳变阈值
EIT+
Cmp2
-3.5
-3.5
-4.5
-4.5
3.5
3.5
4.5
4.5
正向跳变阈值误差
负向跳变阈值
VIT–
EIT–
VIT–
EIT–
VIT+
Cmp2
Cmp2
负向跳变阈值误差
负向跳变阈值
Cmp3
-304
–300
4
Cmp3
负向跳变阈值误差
正向跳变阈值
Cmp3
EIT+
Cmp3
正向跳变阈值误差
跳变阈值迟滞
VHYS
Cmp2 和Cmp3,(VIT+ –VIT–
)
可变阈值比较器(CMP0 和CMP1)
VIT+
Cmp0
VREF + VHYS
mV
mV
正向跳变阈值
Cmp0,(VIT+ –VREF –VHYS),
VREF = 20mV,VHYS = 4mV
-2
-2
-5
2
2
5
Cmp0,(VIT+ –VREF –VHYS),
VREF = 250mV,VHYS = 4mV
EIT+
正向跳变阈值误差
Cmp0,(VIT+ –VREF –VHYS),
VREF = 2V,VHYS = 25mV
VIT-
Cmp0
VREF
mV
mV
mV
负向跳变阈值
-2.5
-2.5
-5
2.5
2.5
5
Cmp0,(VIT– –VREF),VREF = 20mV
Cmp0,(VIT– –VREF),VREF = 250mV
Cmp0,(VIT– –VREF),VREF = 2V
Cmp1
EIT–
负向跳变阈值误差
负向跳变阈值
VIT-
–VREF –VHYS
-3
Cmp1,(VIT– + VREF + VHYS),
VREF = 20mV,VHYS = 4mV
3
3
EIT–
mV
负向跳变阈值误差
Cmp1,(VIT– + VREF + VHYS),
VREF = 250mV,VHYS = 4mV
-3
VIT+
EIT+
Cmp1
mV
mV
–VREF
正向跳变阈值
Cmp1,(VIT+ + VREF),VREF = 20mV
Cmp1,(VIT+ + VREF),VREF = 250mV
-3.5
-3.5
3.5
3.5
正向跳变阈值误差
Cmp0 和Cmp1,(VIT+ –VIT–),VREF
450mV
≤
4
VHYS
mV
跳变阈值迟滞
25
仅Cmp0,(VIT+ –VIT–),VREF ≥600mV
数字输出
VOL
ISINK = 4mA
80
5
250
100
mV
nA
低电平输出电压
开漏输出漏电流
共模瞬态抗扰度
ILKG
VDD2 = 5V,VOUT = 5V
|VIN –VREF| ≥4mV,RPULLUP = 10kΩ
CMTI
15
40
V/ns
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6.9 电气特征(continued)
最小值和最大值规格的适用条件为:TA = –40°C 至125°C,VDD1 = 3.0V 至27V,VDD2 = 2.7V 至5.5V, VREF = 20mV 至
2.7V(1) 且VIN = –400mV 至4V(3);典型值规格的条件为TA = 25°C,VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 且VREF = 250mV(除非另
有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源
3
2.9
2.3
2.7
2.1
4.3
2.2
VDD1 上升
VDD1 下降
VDD1 下降
VDD2 上升
VDD2 下降
VDD1UV
V
V
V
VDD1 欠压检测阈值
VDD1 上电复位阈值
VDD2 欠压检测阈值
VDD1POR
VDD2UV
IDD1
IDD2
3.2
1.8
mA
mA
高侧电源电流
低侧电源电流
(1) 基准电压>1.6V 要求VDD1 > VDD1MIN。有关详细信息,请参阅建议工作条件表。
(2) 电压电平VREF 确定该器件是作为具有正负阈值的窗口比较器工作,还是作为仅具有正阈值的简易比较器工作。有关更多详细信息,请
参阅基准输入部分。
(3) 但请勿超过建议工作条件表中指定的最大输入电压。
(4) 典型值是在VIN = 0.4V 下测量的。
(5) 典型值是在VIN = –400mV 下测量的。
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6.10 开关特性
在工作环境温度范围内(除非另外注明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
开漏输出
VDD2 = 3.3V,VREF = 250mV,
VOVERDRIVE = 10mV,CL = 15pF
280
240
280
410
370
410
370
tpH
ns
传播延迟时间,|VIN| 上升
VDD2 = 3.3V,VREF = 2V,
VOVERDRIVE = 50mV,CL = 15pF
VDD2 = 3.3V,VREF = 250mV,
VOVERDRIVE = 10mV,CL = 15pF
tpL
ns
ns
传播延迟时间,|VIN| 下降
VDD2 = 3.3V,VREF = 2V,
VOVERDRIVE = 50mV,CL = 15pF
240
2
tf
RPULLUP = 4.7kΩ,CL = 15pF
输出信号下降时间
模式选择
tHSEL
10
10
µs
µs
µs
Cmp0,VREF 上升或下降
Cmp1 和Cmp3,VREF 上升
Cmp1 和Cmp3,VREF 下降
比较器迟滞选择抗尖峰脉冲时间
比较器禁用抗尖峰脉冲时间
比较器启用抗尖峰脉冲时间
tDIS13
tEN13
100
启动时序
tLS ,STA
40
45
µs
µs
µs
µs
VDD2 步进至2.7V,VDD1 ≥3.0V
VDD1 步进至3.0V,VDD2 ≥2.7V
低侧启动时间
tHS ,STA
tHS,BLK
tHS,FLT
高侧启动时间
200
100
高侧消隐时间
高侧故障检测延迟时间
6.11 时序图
VREF + VOVERDRIVE
VOVERDRIVE
VREF
VOVERDRIVE
IN
VREF – VOVERDRIVE
tpH
tpL
OUTx
90%
50%
10%
10%
tf
图6-1. 上升、下降和延迟时间定义
300 mV
VREF
VIN
–VREF
–300 mV
OUT2
OUT1
图6-2. 功能时序图
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6.12 绝缘特性曲线
400
350
300
250
200
150
100
50
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
VDD1 = VDD2 = 3.6 V
VDD1 = VDD2 = 5.5 V
0
0
25
50
75
TA (°C)
100
125
150
0
25
50
75
TA (°C)
100
125
150
D070
D069
图6-4. 安全限制功率的热降额曲线(符合VDE)
图6-3. 安全限制电流的热降额曲线(符合VDE)
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6.13 典型特性
在VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 时(除非另有说明)
306
305
304
303
302
301
300
299
298
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
297
296
0
5
10
15
20
25
30
VDD1 (V)
D008a
图6-5. Cmp2 跳变阈值与电源电压间的关系
图6-6. Cmp2 跳变阈值与温度间的关系
2
1.5
1
2
1.5
1
0.5
0
0.5
0
-0.5
-1
-0.5
-1
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
-1.5
-2
-1.5
-2
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D008b
D009b
图6-7. Cmp2 跳变阈值误差与电源电压间的关系
图6-8. Cmp2 跳变阈值误差与温度间的关系
6
5
4
3
2
1
Device 1
Device 2
Device 3
0
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
D013
图6-9. Cmp2 跳变阈值迟滞与电源电压间的关系
图6-10. Cmp2 跳变阈值迟滞与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 时(除非另有说明)
-296
-296
-297
-298
-299
-300
-301
-302
-303
-304
-305
-306
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
-297
-298
-299
-300
-301
-302
-303
-304
-305
-306
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D014a
图6-12. Cmp3 跳变阈值与温度间的关系
图6-11. Cmp3 跳变阈值与电源电压间的关系
2
1.5
1
2
1.5
1
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
0.5
0
0.5
0
-0.5
-1
-0.5
-1
-1.5
-2
-1.5
-2
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D014b
D015b
图6-13. Cmp3 跳变阈值误差与电源电压间的关系
图6-14. Cmp3 跳变阈值误差与温度间的关系
6
5
4
3
2
1
6
5
4
3
2
1
Device 1
Device 2
Device 3
Device 1
Device 2
Device 3
0
0
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D018
D019
图6-15. Cmp3 跳变阈值迟滞与电源电压间的关系
图6-16. Cmp3 跳变阈值迟滞与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 时(除非另有说明)
26
25
24
23
22
21
20
19
18
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
17
16
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020a
D021a
VREF = 20mV
VREF = 20mV
图6-17. Cmp0 跳变阈值与电源电压间的关系
图6-18. Cmp0 跳变阈值与温度间的关系
1.5
1.5
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
1
0.5
0
1
0.5
0
-0.5
-1
-0.5
-1
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
-1.5
-1.5
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020d
D021d
VREF = 20mV
VREF = 20mV
图6-19. Cmp0 跳变阈值误差与电源电压间的关系
图6-20. Cmp0 跳变阈值误差与温度间的关系
6
5
4
3
2
1
Device 1
Device 2
Device 3
0
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
D025a
VREF = 20mV
VREF = 20mV
图6-21. Cmp0 跳变阈值迟滞与电源电压间的关系
图6-22. Cmp0 跳变阈值迟滞与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 时(除非另有说明)
256
255
254
253
252
251
250
249
248
256
255
254
253
252
251
250
249
248
247
246
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
247
246
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020b
D021b
VREF = 250mV
VREF = 250mV
图6-23. Cmp0 跳变阈值与电源电压间的关系
图6-24. Cmp0 跳变阈值与温度间的关系
2.5
2
2.5
2
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
1.5
1
1.5
1
0.5
0
0.5
0
-0.5
-1
-0.5
-1
-1.5
-2
-1.5
-2
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
-2.5
-2.5
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020e
D021e
VREF = 250mV
VREF = 250mV
图6-25. Cmp0 跳变阈值误差与电源电压间的关系
图6-26. Cmp0 跳变阈值误差与温度间的关系
6
5
4
3
2
1
6
5
4
3
2
1
Device 1
Device 2
Device 3
Device 1
Device 2
Device 3
0
0
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D024b
D025b
VREF = 250mV
VREF = 250mV
图6-27. Cmp0 跳变阈值迟滞与电源电压间的关系
图6-28. Cmp0 跳变阈值迟滞与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 时(除非另有说明)
2.030
2.025
2.020
2.015
2.010
2.005
2.000
1.995
1.990
2.030
2.025
2.020
2.015
2.010
2.005
2.000
1.995
1.990
1.985
1.980
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
1.985
1.980
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020c
D021c
VREF = 2 V
VREF = 2 V
图6-29. Cmp0 跳变阈值与电源电压间的关系
图6-30. Cmp0 跳变阈值与温度间的关系
5
4
5
4
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
3
3
2
2
1
1
0
0
-1
-2
-3
-4
-1
-2
-3
-4
-5
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
-5
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D020f
D021f
VREF = 2 V
VREF = 2 V
图6-31. Cmp0 跳变阈值误差与电源电压间的关系
图6-32. Cmp0 跳变阈值误差与温度间的关系
30
25
20
15
10
5
30
25
20
15
10
5
Device 1
Device 2
Device 3
Device 1
Device 2
Device 3
0
0
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D024c
D025c
VREF = 2 V
VREF = 2 V
图6-33. Cmp0 跳变阈值迟滞与电源电压间的关系
图6-34. Cmp0 跳变阈值迟滞与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 时(除非另有说明)
-16
-16
-17
-18
-19
-20
-21
-22
-23
-24
-25
-26
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
-17
-18
-19
-20
-21
-22
-23
-24
-25
-26
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D026a
D027a
VREF = 20mV
VREF = 20mV
图6-35. Cmp1 跳变阈值与电源电压间的关系
图6-36. Cmp1 跳变阈值与温度间的关系
1.5
1
0.5
0
-0.5
-1
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
-1.5
0
5
10
15
20
25 30
VDD1 (V)
D026c
VREF = 20mV
VREF = 20mV
图6-37. Cmp1 跳变阈值误差与电源电压间的关系
图6-38. Cmp1 跳变阈值误差与温度间的关系
6
5
4
3
2
1
6
5
4
3
2
1
Device 1
Device 2
Device 3
Device 1
Device 2
Device 3
0
0
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D030a
D031a
VREF = 20mV
VREF = 20mV
图6-39. Cmp1 跳变阈值迟滞与电源电压间的关系
图6-40. Cmp1 跳变阈值迟滞与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 时(除非另有说明)
-246
-246
-247
-248
-249
-250
-251
-252
-253
-254
-255
-256
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
Device 1, VIT−
Device 2, VIT−
Device 3, VIT−
Device 1, VIT+
Device 2, VIT+
Device 3, VIT+
-247
-248
-249
-250
-251
-252
-253
-254
-255
-256
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D026b
D027b
VREF = 250mV
VREF = 250mV
图6-41. Cmp1 跳变阈值与电源电压间的关系
图6-42. Cmp1 跳变阈值与温度间的关系
2.5
2
2.5
2
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
Device 1, EIT−
Device 2, EIT−
Device 3, EIT−
Device 1, EIT+
Device 2, EIT+
Device 3, EIT+
1.5
1
1.5
1
0.5
0
0.5
0
-0.5
-1
-0.5
-1
-1.5
-2
-1.5
-2
-2.5
-2.5
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D026d
D027d
VREF = 250mV
VREF = 250mV
图6-43. Cmp1 跳变阈值误差与电源电压间的关系
图6-44. Cmp1 跳变阈值误差与温度间的关系
6
5
4
3
2
1
6
5
4
3
2
1
Device 1
Device 2
Device 3
Device 1
Device 2
Device 3
0
0
0
5
10
15
20
25
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D030b
D031b
VREF = 250mV
VREF = 250mV
图6-45. Cmp1 跳变阈值迟滞与电源电压间的关系
图6-46. Cmp1 跳变阈值迟滞与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 时(除非另有说明)
310
310
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
VINP rising
VINP falling
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
200
VINP rising
VINP falling
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Overdrive (mV)
Temperature (C)
D042
D059
图6-47. Cmp2 传播延迟与过驱间的关系
图6-48. Cmp2 传播延迟与温度间的关系
310
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
VINP falling
VINP rising
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
D060
图6-49. Cmp3 传播延迟与过驱间的关系
图6-50. Cmp3 传播延迟与温度间的关系
310
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
310
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
VINP rising
VINP falling
VINP rising
VINP falling
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Overdrive (mV)
Temperature (C)
D046a
D057
图6-51. Cmp0 传播延迟与过驱间的关系
图6-52. Cmp0 传播延迟与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 时(除非另有说明)
310
310
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
VINP falling
VINP rising
300
290
280
270
260
250
240
230
220
210
VINP rising
VINP falling
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
Overdrive (mV)
D050
D058
图6-53. Cmp1 传播延迟与过驱间的关系
图6-54. Cmp1 传播延迟与温度间的关系
7
6
5
4
3
2
1
0
VDD1 = 3.3 V
VDD1 = 5 V
-0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VIN (V)
D001
VIN = 2V
图6-56. 输入偏置电流与温度间的关系
图6-55. 输入偏置电流与输入电压间的关系
102
101.5
101
102
101
100
99
100.5
100
99.5
99
Device 1
Device 2
Device 3
Device 1
Device 2
Device 3
98.5
98
98
10
100
1000
5000
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VREF (mV)
D007
Temperature (C)
D007b
图6-57. 基准电流与基准电压间的关系
图6-58. 基准电流与温度间的关系
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6.13 典型特性(continued)
在VDD1 = 5V,VDD2 = 3.3V 时(除非另有说明)
5
5
4
3
2
1
0
VREF = 250 mV
VREF = 2 V
VREF = 250 mV
VREF = 2 V
4
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
VDD1 (V)
Temperature (C)
D038a
D033a
图6-59. 高侧电源电流与电源电压间的关系
图6-60. 高侧电源电流与温度间的关系
2.2
2
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1.8
1.6
1.4
1.2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
VDD2 (V)
D040
D041
图6-61. 低侧电源电流与电源电压间的关系
图6-62. 低侧电源电流与温度间的关系
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7 详细说明
7.1 概述
AMC23C14 是一款具有开漏输出的双路隔离式窗口比较器。窗口比较器 1 由比较器 Cmp0 和 Cmp1 构成,窗口
比较器 2 由比较 Cmp2 和 Cmp3 构成。Cmp0 和 Cmp2 将输入电压 (VIN) 与各自的正阈值 (VIT+) 进行比较,
Cmp1 和 Cmp3 将输入电压 (VIN) 与各自的负阈值 (VIT–) 进行比较。上述 VIT+ 和 VIT– 阈值具有相同的幅度,但
符号不同,因此这两个窗口比较器的窗口电压以 0V 为中心。窗口比较器 2 具有 ±300mV 的固定阈值。窗口比较
器 1 具有 ±20mV 至 ±300mV 的可调阈值,该阈值通过一个内部生成的 100μA 基准电流和一个外部电阻器进行
调节。
当输入电压(VIN) 超出各自的比较窗口时,开漏输出主动拉至低电平,但在其他情况下则处于高阻抗状态。
当REF 引脚上的电压大于VMSEL 时,该器件在正比较器模式下工作。此模式对于监测正电压电源时尤其有用。两
个负比较器(Cmp1 和Cmp3)都处于禁用状态,只有正比较器(Cmp0 和Cmp2)正常运行。此模式中的基准电
压可高达2.7V。
该器件高压侧与低压侧之间的电气隔离通过跨过基于SiO2 的增强型电容式隔离栅发送比较器状态来实现。此隔离
栅支持高水平的磁场抗扰度,如 ISO72x 数字隔离器磁场抗扰度 应用报告所述。 AMC23C14 中用于跨过隔离栅
发送数据的数字调制方案,以及隔离栅本身的特征,可实现高可靠性和共模瞬态抗扰度。
7.2 功能方框图
Window Comparator 2
AMC23C14
VDD1
IN
VDD2
OUT2
LDO
Cmp2
300 mV
Cmp3
–300 mV
100
A
Cmp0
Cmp1
REF
OUT1
GND2
VREF
GND1
–VREF
Window Comparator 1
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7.3 特性说明
7.3.1 模拟输入
AMC23C14 采用单个输入来驱动两个窗口比较器。窗口比较器1 具有可调阈值,窗口比较器2 具有固定阈值。
当输入电压 (VIN) 上升到相应的 VIT+ 阈值以上时,正比较器会发生跳变,其中阈值被定义为基准值加上内部迟滞
电压(例如,对于固定阈值比较器,为 304mV)。当 VIN 降至相应的 VIT– 阈值以下时,正比较器会释放,其中
该阈值等于基准值(例如,对于固定阈值比较器,为 300mV)。当 VIN 降至相应的 VIT– 阈值以下时,负比较器
会发生跳变,其中阈值被定义为负基准值减去内部迟滞电压(例如,对于固定阈值比较器,为 –304mV)。当
VIN 上升到相应的 VIT+ 阈值以上时,负比较器会释放,其中该阈值等于负基准值(例如,对于固定阈值比较器,
为–300mV)。
VIT+ 与VIT– 之间的差值被称为比较器迟滞,对于小于450mV 的基准电压,该差值为4mV。由于存在集成迟滞,
AMC23C14 对输入噪声不那么敏感,无需添加外部正反馈来产生迟滞,即可在高噪声环境中稳定工作。当基准值
(VREF) 大于600mV 时,Cmp0 的迟滞会增加到25mV。更多详细信息,请参阅基准输入说明。
图7-1 展示了迟滞与开关阈值之间关系的时序图。
VIT+
VHYS
VIT– (300 mV)
0 V
VIN
VIT+ (–300 mV)
VHYS
VIT–
OUT2
VIT+
VHYS
VIT– (VREF
)
0 V
VIN
VIT+ (–VREF
)
VHYS
VIT–
OUT1
图7-1. 开关阈值与迟滞
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7.3.2 基准输入
REF 引脚上的电压决定窗口比较器1 的跳变阈值。内部精密电流源会强制100μA 的电流流过从REF 引脚连接到
GND1 的外部电阻器。电阻器上产生的电压(VREF) 等于正负跳变阈值的幅度;请参阅图7-1。将一个 100nF 电容
器与电阻器并联放置,以对基准电压进行滤波。在上电期间,此电容器必须由 100μA 电流源充电,且充电时间
可能超过高侧消隐时间 (tHS,BLK)。在这种情况下,如图 7-2 所示,窗口比较器 1 可能会在高侧消隐时间过期后输
出错误的状态,直到VREF 达到其最终值。有关上电行为的更多详细信息,请参阅上电和断电行为一节。
VDD1
VDD2
ON
<1%
OUT1 not valid
if VIN is in this range
during power-up
VREF
VREF settling time
OUT1
low
low
Output not valid
Output valid
OUT2
Output valid
tHS,STA + tHS,BLK
图7-2. 导致基准电压趋稳时间过长时的输出行为
REF 引脚上的电压还决定负比较器(Cmp1、Cmp3)的功能和正比较器(Cmp0) 的迟滞,如功能方框图所示。如
果 VREF 超过规格 表中定义的 VMSEL 阈值,两个负比较器(Cmp1 和 Cmp3)会被禁用,而 Cmp0 的迟滞会从
4mV(典型值)增加到25mV。正比较器模式适用于需要更高输入电压和更高抗噪性能的电压监测应用。
该基准引脚可由外部电压源驱动以在工作期间更改比较器阈值。不过,在正常工作期间,请勿动态驱动 VREF 越过
V
MSEL 阈值,因为这样做会改变Cmp0 比较器的迟滞,并可能导致OUT1 输出的意外切换。
图7-3 显示了模式选择时序图。
tDIS13
tEN13
VREF
VMSEL
tHSEL
tHSEL
Hysteresis
(Cmp0)
4 mV
25 mV
4 mV
Enable
(Cmp1, Cmp3)
enabled
disabled
enabled
Mode of operation
window comparator mode
positive-comparator mode
window comparator mode
图7-3. 模式选择
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7.3.3 隔离通道信号传输
AMC23C14 使用开关键控 (OOK) 调制方案(如图 7-4 所示),跨过基于 SiO2 的隔离栅来传输比较器输出状态。
功能方框图所示发送驱动器(TX) 跨过隔离栅发送一个内部生成的高频载波来表示数字一,不发送信号则指示数字
零。
隔离栅另一端的接收器 (RX) 会恢复并解调信号,然后向驱动开漏输出缓冲器的逻辑提供数据。AMC23C14 传输
通道经过优化,可实现最高的共模瞬态抗扰度 (CMTI) 和最小的辐射发射(高频载波和 RX/TX 缓冲器开关所
致)。
Data
on High-side
Signal Across Isolation Barrier
Recovered Data
on Low-side
图7-4. 基于OOK 的调制方案
7.3.4 开漏数字输出
AMC23C14 具有两个开漏输出,每个窗口比较器都有一个开漏输出。如图 7-1 所示,当|VIN| 超过 REF 引脚上的
电压定义的阈值时,OUT1 主动拉至低电平。当 |VIN| 超过由内部 300mV 基准定义的阈值时,OUT2 主动拉至低
电平。
开漏输出通过二极管连接到 VDD2 电源(请参阅功能方框图),这意味着在较大的电流开始流向 OUTx 引脚前,
不能将这些输出拉高到超过 VDD2 电源 500mV。特别是,如果 VDD2 为 GND2 电平,该开漏输出会被钳位至一
个高于地的二极管电压。这种行为由图7-5 至图7-10 中的灰色阴影表示。
在系统级别上,开漏信号线的 CMTI 性能取决于上拉电阻的值。在具有高压摆率(高 dV/dt)的共模瞬态事件期
间,由于印刷电路板 (PCB) 高侧和低侧之间的寄生电容耦合,开漏信号线可能被拉至低电平。寄生耦合对信号电
平的影响是上拉强度的函数,上拉电阻值越小,CMTI 性能越好。AMC23C14 的特点是上拉电阻值较弱,为 10
kΩ,以确保在具有4.7kΩ或更低的上拉电阻的典型应用中满足指定的CMTI 性能。
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7.3.5 上电和断电行为
当低侧电源 (VDD2) 开启时,两个开漏输出都以高阻抗状态(高阻态)上电。上电后,如果高侧还未正常运行,
两个输出都会主动拉至低电平。这种情况在低侧启动时间加上高侧故障检测延迟时间 (tLS,STA + tHS,FLT) 之后发
生,如图 7-5 所示。类似地,如果正常工作期间高侧电源电压降至欠压阈值 (VDD1UV) 以下并且持续时间超过高
侧故障检测延迟时间,则两个输出都会被拉至低电平,如图 7-8 所示。此延迟让系统能够在高侧电源缺失时可靠
地关断。
比较器高侧和低侧之间的通信具有一定的延迟,即高侧消隐时间(tHS,BLK,在高压侧实现的时间常数),以便内
部300mV 基准和REF 引脚的电压能够建立,同时避免在上电期间意外切换比较器输出。
图7-5 至图7-10 展示了典型的上电和断电情况。
在图 7-5 中,低侧电源 (VDD2) 开启,但高侧电源 (VDD1) 保持关闭。两个输出都默认以高阻态上电。经过
t
HS,FLT 后,两个输出都被拉至低电平,指示高侧出现无电源故障。
在图7-6 中,高侧电源(VDD1) 在低侧电源(VDD2) 开启很长时间后开启。两个输出最初都处于低电平有效状态;
请参阅实例 (1)。在高侧电源启用后,需要保持一段时间 (tHS, STA + tHS,BLK),器件才会正常运行,并且两个输出都
会反映窗口比较器的当前状态。
VDD1
(high-side)
VDD1
(high-side)
VDD1UV
OFF
VDD2
(low-side)
VDD2UV
tLS
VDD2
(low-side)
ON
,STA+ tHS,BLK
,
STA
tHS
OUT2
(open-drain)
90%
OUT2
(open-drain)
normal
operation
(Hi-Z)
(Hi-Z)
(Hi-Z)
fault
fault
fault
fault
10%
tHS,FLT
OUT1
(open-drain)
OUT1
(open-drain)
normal
operation
(Hi-Z)
图7-5. VDD2 开启且VDD1 保持关闭
图7-6. VDD2 保持开启;VDD1 开启
(长延迟)
在图7-7 中,低侧电源(VDD2) 开启,然后在短暂延迟后,高侧电源(VDD1) 开启。两个输出最初都处于高阻态。
高侧故障检测延迟 (tHS,FLT) 短于高侧消隐时间 (tHS,BLK),因此在经过 tHS, FLT 后,两个输出都被拉至低电平,指示
高侧尚未正常工作。经过高侧消隐时间 (tHS,BLK) 后,器件才会正常运行,并且两个输出都会反映窗口比较器的当
前状态。
在图7-8 中,高侧电源(VDD1) 关闭,接着低侧电源(VDD2) 关闭。经过高侧故障检测延迟时间(tHS,FLT) 后,两个
输出都主动拉至低电平。一旦VDD2 降至VDD2UV 阈值以下,两个输出都会进入高阻态。
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VDD1
(high-side)
VDD1
(high-side)
VDD1UV
tHS
VDD1UV
,STA+ tHS,BLK
VDD2
(low-side)
VDD2
(low-side)
VDD2UV
tLS,STA + tHS,FLT
90%
VDD2UV
tHS,FLT
OUT2
(open-drain)
normal
operation
OUT2 normal
(open-drain) operation
90%
(Hi-Z) (Hi-Z)
fault
fault
fault
fault
(Hi-Z)
(Hi-Z)
10%
OUT1
(open-drain)
normal
operation
OUT1 normal
(open-drain) operation
(Hi-Z) (Hi-Z)
图7-7. VDD2 和VDD1 先后开启
(短暂延迟)
图7-8. VDD1 和VDD2 先后关闭
在图 7-9 中,低侧电源 (VDD2) 会在高侧完全上电后(VDD1 与 VDD2 之间的延迟大于 (tHS,STA + tHS,BLK))开
启。两个输出都以高阻态启动。经过低侧启动时间(tLS,STA) 后,器件会进入正常工作状态。
在图7-10 中,低侧电源(VDD2) 会关闭,接着高侧电源(VDD1) 会关闭。一旦VDD2 降至VDD2UV 阈值以下,两
个输出都会进入高阻态。
VDD1
(high-side)
VDD1
(high-side)
VDD1UV
>tHS,STA + tHS
,
BLK
VDD2
(low-side)
VDD2
(low-side)
VDD2UV
VDD2UV
OUT2
(open-drain)
normal
operation
OUT2 normal
(open-drain) operation
90%
(Hi-Z)
(Hi-Z)
(Hi-Z)
(Hi-Z)
(Hi-Z)
tLS
,
STA
OUT1
(open-drain)
normal
operation
OUT1 normal
(open-drain) operation
(Hi-Z)
图7-9. VDD1 和VDD2 先后开启
(长延迟)
图7-10. VDD2 和VDD1 先后关闭
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7.3.6 VDD1 欠压和失去电源行为
欠压是指这样一种情况:VDD1 电源电压降至规定的工作电压范围以下,但器件仍工作正常。失去电源是指这样
一种情况:VDD1 电源电压降至某个电平以下,此时器件将停止工作。根据持续时间和电压电平,在器件的输出
端可能会也可能不会注意到欠压情况。失去电源情况则始终会体现在隔离比较器的输出端。
图7-11 至图7-13 显示了典型的欠压和失去电源情况。
在图 7-11 中,VDD1 降至欠压检测阈值 (VDD1UV) 以下,但在高侧故障检测延迟时间 (tHS,FLT) 过期之前恢复正
常。该欠压事件对比较器输出没有影响。
在图 7-12 中,VDD1 降至欠压检测阈值 (VDD1UV) 以下并且持续时间超过高侧故障检测延迟时间 (tHS,FLT)。欠压
情况被检测为故障,同时在经过tHS,FLT 的延迟后,两个输出都会被拉至低电平。一旦VDD1 恢复到VDD1UV 阈值
以上,器件就会恢复正常工作。
VDD1UV
tHS,FLT
VDD1
(high-side)
VDD1
(high-side)
VDD1UV
< tHS,FLT
VDD2
(low-side)
VDD2
(low-side)
ON
ON
OUT2
(open-drain)
OUT2 normal
(open-drain) operation
normal
operation
90%
no change on output
no change on output
fault
OUT1
(open-drain)
OUT1 normal
(open-drain) operation
normal
operation
图7-11. VDD1 上短暂欠压事件的输出响应
图7-12. VDD1 上较长欠压事件的输出响应
在图 7-13 中,VDD1 降至上电复位 (POR) 阈值 (VDD1POR) 以下。失去电源情况被检测为故障,同时在经过
tHS,FLT 延迟后,两个输出会被拉至低电平。VDD1 恢复到 VDD1UV 阈值以上后,器件会在经过 tHS,STA + tHS,BLK
延迟后恢复正常运行。
VDD1
(high-side)
VDD1UV
tHS
VDD1POR
,STA+ tHS,BLK
VDD2
(low-side)
ON
tHS,FLT
OUT2 normal
(open-drain) operation
normal
operation
90%
90%
fault
fault
OUT1 normal
(open-drain) operation
normal
operation
图7-13. VDD1 上失去电源事件的输出响应
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7.4 器件功能模式
施加电源电压VDD1 和VDD2 时,AMC23C14 器件可正常运行,如建议运行条件表中所述。
当REF 引脚上的电压低于 VMSEL 阈值时,高侧的四个比较器(Cmp0 至Cmp3)用作两个独立的窗口比较器。如
果 REF 引脚上的电压超过 VMSEL 阈值,负比较器(Cmp1 和 Cmp3)将被禁用,而 Cmp0 和 Cmp2 用作两个独
立的正比较器,如基准输入一节中所述。
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8 应用和实施
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围,TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计,以确保系统功能。
8.1 应用信息
AMC23C14 具有低响应时间、高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 和增强型的隔离栅,旨在为恶劣和嘈杂环境中的高压应
用提供快速且可靠的过流和过压检测。
8.2 典型应用
8.2.1 过流和短路电流检测
快速过流和短路电流检测是直流/直流转换器和电机控制应用的一项常见要求,可以使用 AMC23C14 隔离式窗口
比较器来实现,如图8-1 所示。
DC-link
Low-side supply (3..5.5 V)
R2
R3
HS Gate Driver Supply (3..27 V)
R4
10
4.7 k
4.7 k
AMC23C14
VDD1
VDD2
OUT2
OUT1
GND2
IN
to MCU
to MCU
R5
10
REF
GND1
C2
C1
C6
R1
C5
C3
C4
1 µF 100 nF 1 nF 1.96 k 100 nF
100 nF
1µF
Low-side supply (3..5.5 V)
AMC1300B
VDD1
VDD2
OUTP
OUTN
GND2
INP
ADC
M
INN
3~
RSHUNT
10 m
GND1
LS Gate Driver Supply
图8-1. 使用AMC23C14 进行过流和短路检测
流经外部分流电阻器 RSHUNT 的负载电流会产生压降,该电压降由 AMC1300B 检测以用于控制目的。与电流感
应放大器并联的 AMC23C14 监控相同的电压,并为正负故障电流检测提供快速感应路径。过流检测的跳变阈值由
外部电阻 R1 设置。短路检测的跳变阈值由内部 300mV 基准固定。过流条件在 OUT1 上发出信号,短路条件在
OUT2 上发出信号。
如图 8-1 所示,高侧的集成低压差 (LDO) 稳压器允许将 VDD1 输入直接连接到常用的悬空栅极驱动器电源。另
外,AMC23C14 可与 AMC1300B 共享稳压电源。在这种情况下,AMC23C14 的 VDD1 引脚直接连接到
AMC1300B 的VDD1 引脚,并且不需要 R4。AMC23C14 的快速响应时间和高共模瞬态抗扰度(CMTI) 确保了即
便在高噪声环境中,也能可靠、准确地工作。
8.2.1.1 设计要求
表8-1 列出了图8-1 中应用示例的参数。
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表8-1. 设计要求
参数
值
3 V 至27 V
2.7V 至5.5V
10mΩ
高侧电源电压
低侧电源电压
分流电阻器值
±250mV
±25A
AMC1300B 的线性输入电压范围
最大峰值电机电流
过流检测阈值
±20A
±30A
短路电流检测阈值
8.2.1.2 详细设计过程
本例中,分流电阻器的值为10mΩ,由AMC1300B 电流检测放大器 (±250mV) 的线性输入电压范围和满量程电流
±25A 确定。AMC23C14 的短路电流检测阈值是一个固定的300mV 值,并将短路电流阈值设置为30A。
在所需的 20A 过流检测电平条件下,分流电阻器上的压降为10mΩ × 20A = 200mV。窗口比较器 1 的正向跳变阈
值为 VREF + VHYS,其中 VHYS 为 4mV(如电气特征 表中所述),而 VREF 为连接在 REF 与 GND1 引脚之间的
R1 上的电压。R1 的计算公式为 (VTRIP –VHYS) / IREF = (200mV –4mV) / 100μA = 1.96kΩ,并与 E96 系列中
的值匹配(1% 准确度)。
比较器的输入端放置了一个10Ω、1nF RC 滤波器(R5、R6),用于过滤输出信号并降低噪声敏感度。该滤波器
增加了10Ω× 1nF = 10ns 的传播延迟,在计算保护电路的总体响应时间时必须考虑该延迟。如果系统可以承受额
外的延迟,那么使用较大的滤波常数有助于提高噪声抗扰度。
表8-2 汇总了该设计的关键参数。
表8-2. 过流和短路检测设计示例
参数
值
基准电阻值(R1)
基准电容值(C5)
基准电压
1.96kΩ
100nF
196 mV
基准电压趋稳时间(达到最终值的90%)
过流跳变阈值(上升)
470μs
200 mV/20.0 A
196 mV/19.6 A
304 mV/30.4 A
300 mV/30.0 A
过流跳变阈值(下降)
短路电流跳变阈值(上升)
短路电流跳变阈值(下降)
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8.2.2 过压和欠压检测
工业 I/O 模块通常由外部现场电源供电,其标称电压为 24V 且容差为 –15% 至 +20% 。在安全关键型应用中,
控制器端可能需要知道电压是否在正确运行的有效范围内。图 8-2 展示了应用中的 AMC23C14,该应用监控高侧
的24V 电源并向低端的可编程逻辑控制器(PLC) 发送欠压和过压条件信号。
调整分压器 R5 和R6,在电源低于 20.4V (24V –15%) 的最低有效工作电压时跳变内部固定300mV 阈值。在第
二步中,当电源电压超过 28.8V (24V + 20%) 时,调整 R1 (连接到 REF 引脚)的大小使可调阈值比较器跳变。
AMC23C14 由现场电源供电,并由齐纳二极管(Z1)和分流电阻器R4 保护,防止电压大于30V 。
当电源低于 20.4V 时,AMC23C14 的两个输出端均处于高阻态。在 20.4V 和 28.8V 之间,OUT1 处于高阻态,
而OUT2 被主动拉至低电平。当电源高于28.8V 时,两个输出端都被拉低,如图8-3 所示。
Low-side supply (2.7..5.5 V)
R2
R3
4.7 k
4.7 k
R4
1 k
R5
237 k
AMC23C14
VDD1
VDD2
OUT2
OUT1
GND2
+
–
24 V field supply
IN
to PLC
to PLC
REF
GND1
R6
3.52 k
C2
C1
C6
R1
C5
C3
C4
Z1
27 V
1 µF 100 nF 1 nF 4.17 k 100 nF
100 nF 1 µF
图8-2. 使用AMC23C14 进行过压和欠压检测
28.8 V
28.5 V
Supply
Voltage
Valid Supply Range
20.8 V
20.5 V
OUT2
OUT1
Off
Undervoltage
Normal
Overvoltage
Normal
Undervoltage
Off
图8-3. AMC23C14 在电源电压监控器应用中的输出
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8.2.2.1 设计要求
表8-1 列出了图8-2 中应用示例的参数。
表8-3. 设计要求
参数
值
3V 至27V
高侧电源电压
2.7V 至5.5V
24V,–15 % 至+20%
20.4 V
低侧电源电压
场电源电压范围
欠压检测阈值
28.8 V
过压流检测阈值
电阻分压器中的交叉电流(R5、R6)
100μA
8.2.2.2 详细设计过程
额定励磁电源电压 (24V) 下的 100μA 交叉电流要求决定了由 R5 和 R6 组成的电阻分压器的总阻抗为 240kΩ。
分压器的阻抗由R5 决定,因此R5 选择为237kΩ。
在 20.4V 的场电源电压下,R6 两端的电压必须等于 300mV 的固定比较器阈值。该值决定分压器分压比,R6 的
理想值计算方式为 R6 = R5 × 300mV / (VTRIP – 300mV),其中 VTRIP 等于 20.4V。R6 的计算值为 3.54kΩ,而
E192 系列最接近的下限值为3.52kΩ。
在R6 和R5 已知的情况下,可以计算当励磁电源达到28.8V(有效工作范围的上限)时比较器输入端的电压。此
电压为V2 = 28.8V × (R6 / (R5 + R6) = 421.5mV,并确定R1 的值。R1 是连接到 AMC23C14 REF 引脚的电阻。
R1 的计算方式为(V2 –VHYS) / IREF = (421.5mV –4mV) / 100μA = 4.17kΩ。4.17kΩ的值与E192 系列中的值
相匹配。从V2 中减去比较器迟滞电压(VHYS) ,因为比较器在VREF + VHYS 处跳变,请参阅图7-1。
当R5 = 237kΩ、R6 = 3.52kΩ且 R1 = 4.17kΩ时,欠压检测的上升和下降阈值为20.8V 和20.5V,过压检测的
上升和下降阈值为28.8V 和28.5V,请参阅图8-3。
表8-4 汇总了该设计的关键参数。
表8-4. 过压和欠压检测设计示例
参数
值
分压器,顶部电阻值(R5)
分压器,底部电阻值(R6)
基准电阻值(R1)
237kΩ
3.52kΩ
4.17kΩ
100nF
417 mV
960μs
20.5V
基准电容值(C5)
基准电压
基准电压趋稳时间(达到最终值的90%)
欠压跳变阈值(上升)
20.8 V
28.8 V
28.5 V
欠压跳变阈值(下降)
过压跳变阈值(上升)
过压跳变阈值(上升)
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8.2.3 应用曲线
图 8-4 显示了 AMC23C14 对振幅为 720mVPP 的双极三角输入波形的典型响应。当 VIN 超过由 REF 引脚电压
(在本示例中偏置至 250mV)确定的 ±250mV 电平时,OUT1 将切换。当 VIN 超过由固定内部基准值确定的
±300mV 电平时,OUT2 将切换。
图8-4. AMC23C14 对三角输入波形的输出响应
AMC23C14 的集成 LDO 极大地放宽了高压侧的电源要求,并允许通过非稳压变压器、电荷泵和自举电源为器件
供电。如 图 8-5 至 图 8-7 所示,内部 LDO 为内部电路提供稳定的工作电压,即使在 2VPP 及更高的纹波电压
下,跳变阈值也能保持基本不受干扰。
1.4
1.2
1
1.4
1.2
1
VDD1 = 5 V
VDD1 = 10 V
VDD1 = 5 V
VDD1 = 10 V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
VDD1 Ripple Voltage (VPP
)
VDD1 Ripple Voltage (VPP)
D063a
D063b
图8-5. 跳变阈值对VDD1 纹波电压的灵敏度(Cmp0, 图8-6. 跳变阈值对VDD1 纹波电压的灵敏度(Cmp1,
fRIPPLE = 10kHz)
fRIPPLE = 10kHz)
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1.4
1.2
1
1.4
1.2
1
VDD1 = 5 V
VDD1 = 10 V
VDD1 = 5 V
VDD1 = 10 V
0.8
0.6
0.4
0.2
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
VDD1 Ripple Voltage (VPP
)
VDD1 Ripple Voltage (VPP
)
D063c
D063d
图8-7. 跳变阈值对VDD1 纹波电压的灵敏度(Cmp2,
fRIPPLE = 10kHz)
图8-8. 跳变阈值对VDD1 纹波电压的灵敏度(Cmp3,
fRIPPLE = 10kHz)
8.3 优秀设计实践
检测电阻低侧与AMC23C14 GND1 引脚之间应保持较短的低阻抗连接。接地线上的任何压降都会增加比较器输入
端检测到的电压误差,并导致跳变阈值不准确。
为了获得最佳的共模瞬态抗扰度,应将滤波电容器 C5 尽可能靠近 REF 引脚放置,如图 8-10 所示。如 开漏数字
输出 一节所述,在开漏输出上使用低值上拉电阻 (<10kΩ),以最大限度地减少共模瞬态事件期间电容耦合对开漏
信号线的影响。
对于双向电流检测应用,请勿超过建议运行条件 表中规定的 300mV VREF 限值。请勿在 REF 引脚偏置接近
VMSEL 阈值(450mV 至600mV 范围)的情况下运行该器件,以避免Cmp0 迟滞出现动态切换,如基准输入 一节
所述。
AMC23C14 提供了有限的 200μs 消隐时间 (tHS,BLK),以便在启动期间使基准电压 (VREF)趋稳。对于许多应用而
言,基准电压趋稳所需的时间都要超过200μs 消隐时间,并且比较器的输出可能会在系统启动期间出现短时脉冲
波干扰,如图7-2 所示。在整个系统启动设计中需要考虑基准电压建立时间。
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8.4 电源相关建议
AMC23C14 无需任何特定的上电时序。高侧电源 (VDD1) 通过与低 ESR、1µF 电容器 (C2) 并联的低 ESR、
100nF 电容器(C1) 进行去耦。低侧电源(VDD2) 同样通过与低ESR、1µF 电容器(C4) 并联的低ESR、100nF 电
容器(C3) 进行去耦。将所有四个电容器(C1、C2、C3 和C4)尽可能靠近器件放置。图8-9 展示了 AMC23C14
的去耦示意图。
对于高VDD1 电源电压(>5.5V),可将VDD1 电源与10Ω电阻器(R4) 串联在一起以进行额外的滤波。
High-side supply (3..27V)
Low-side supply (2.7..5.5 V)
R2
R3
4.7 k
4.7 k
R4
10
AMC23C14
I
R5
10 Ω
VDD1
VDD2
OUT2
OUT1
GND2
IN
to MCU
to MCU
REF
GND1
C2
C1
C6
R1
C5
C3
C4
1 µF 100 nF 1 nF 1.96 k 100 nF
100 nF 1 µF
图8-9. 去耦AMC23C14
在应用中出现的适用直流偏置条件下,电容器必须能够提供足够的有效电容。在实际条件下,通常仅使用多层陶
瓷电容器 (MLCC) 标称电容的一小部分,因此在选择这些电容器时,必须考虑到这个因素。此问题在低厚度电容
器中尤为严重,在该类电容器中,电容器越薄,电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置
关系曲线,这大大简化了元件的选型。
8.5 布局
8.5.1 布局指南
图 8-10 给出了布局建议,其中说明了去耦电容器的关键布局(尽可能靠近 AMC23C14 电源引脚放置)以及器件
所需的其他组件的放置方式。
8.5.2 布局示例
High-side
Low-side
supply
supply
Clearance area, to be
kept free of any
conductive materials.
R4
C2
C1
C4
C3
C6
IN
to MCU
to MCU
OUT2
OUT1
AMC23C14
REF
GND2
GND1
Top Metal
Inner or Bottom Layer Metal
Via
图8-10. 建议布局AMC23C14
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9 器件和文档支持
9.1 文档支持
9.1.1 相关文档
相关文档参考如下:
• 德州仪器(TI),隔离相关术语应用报告
• 德州仪器(TI),半导体和IC 封装热指标应用报告
• 德州仪器(TI),ISO72x 数字隔离器磁场抗扰度应用报告
• 德州仪器(TI),AMC1300 精密、±250mV 输入、增强型隔离放大器数据表
• 德州仪器(TI),隔离放大器电压检测Excel 计算器设计工具
9.2 接收文档更新通知
要接收文档更新通知,请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册,即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息,请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
9.3 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料,可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范,并且不一定反映 TI 的观点;请参阅
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9.4 商标
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所有商标均为其各自所有者的财产。
9.5 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序,可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级,大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏,这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
9.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
10 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更,恕不另行通知,
且不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本,请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
AMC23C14DWV
AMC23C14DWVR
ACTIVE
ACTIVE
SOIC
SOIC
DWV
DWV
8
8
64
RoHS & Green
NIPDAU
Level-3-260C-168 HR
Level-3-260C-168 HR
-40 to 125
-40 to 125
MC23C14
MC23C14
Samples
Samples
1000 RoHS & Green
NIPDAU
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
AMC23C14DWVR
SOIC
DWV
8
1000
330.0
16.4
12.05 6.15
3.3
16.0
16.0
Q1
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SOIC DWV
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
350.0 350.0 43.0
AMC23C14DWVR
8
1000
Pack Materials-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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TUBE
T - Tube
height
L - Tube length
W - Tube
width
B - Alignment groove width
*All dimensions are nominal
Device
Package Name Package Type
DWV SOIC
Pins
SPQ
L (mm)
W (mm)
T (µm)
B (mm)
AMC23C14DWV
8
64
505.46
13.94
4826
6.6
Pack Materials-Page 3
PACKAGE OUTLINE
DWV0008A
SOIC - 2.8 mm max height
S
C
A
L
E
2
.
0
0
0
SOIC
C
SEATING PLANE
11.5 0.25
TYP
PIN 1 ID
AREA
0.1 C
6X 1.27
8
1
2X
5.95
5.75
NOTE 3
3.81
4
5
0.51
0.31
8X
7.6
7.4
0.25
C A
B
A
B
2.8 MAX
NOTE 4
0.33
0.13
TYP
SEE DETAIL A
(2.286)
0.25
GAGE PLANE
0.46
0.36
0 -8
1.0
0.5
DETAIL A
TYPICAL
(2)
4218796/A 09/2013
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm, per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm, per side.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
DWV0008A
SOIC - 2.8 mm max height
SOIC
8X (1.8)
SEE DETAILS
SYMM
SYMM
8X (0.6)
6X (1.27)
(10.9)
LAND PATTERN EXAMPLE
9.1 mm NOMINAL CLEARANCE/CREEPAGE
SCALE:6X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL
METAL
0.07 MAX
ALL AROUND
0.07 MIN
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4218796/A 09/2013
NOTES: (continued)
5. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
6. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DWV0008A
SOIC - 2.8 mm max height
SOIC
SYMM
8X (1.8)
8X (0.6)
SYMM
6X (1.27)
(10.9)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:6X
4218796/A 09/2013
NOTES: (continued)
7. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
8. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
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