INA241A2IDDFR [TI]
具有增强型 PWM 抑制功能的 -5V 至 110V、双向、超精密电流检测放大器 | DDF | 8 | -40 to 125;型号: | INA241A2IDDFR |
厂家: | TEXAS INSTRUMENTS |
描述: | 具有增强型 PWM 抑制功能的 -5V 至 110V、双向、超精密电流检测放大器 | DDF | 8 | -40 to 125 放大器 |
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INA241A, INA241B
ZHCSPW7A –MARCH 2022 –REVISED AUGUST 2022
INA241x 具有增强型PWM 抑制功能的–5V 至110V、双向、超精密电流检测放
大器
1 特性
3 说明
• 针对受开关共模电压影响的系统优化的增强型
PWM 抑制
INA241x 是一款超精密双向电流感测放大器,可在 -5
V 至 110V 的宽共模范围内测量分流电阻器上的压降,
与电源电压无关。该器件在 ±10µV(最大值)的低失
调电压、±0.01%(最大值)的小增益误差和 166dB
(典型值)的高直流 CMRR 等特性的综合作用下,可
实现高精度电流测量。INA241x 适用于开关系统中的
高压双向测量,这些系统在器件输入端会出现高共模瞬
态电压。由于输入端的共模电压转换,INA241x 内部
的增强型 PWM 抑制电路可确保输出端的信号干扰最
小。
– 支持高达125 kHz 的开关频率
• 宽共模电压:
– 工作电压:-5 V 至+110 V
– 可承受电压:-20 V 至+120 V
• 双向运行
• 较高的小信号带宽:1.1 MHz(在所有增益下)
• 压摆率:8 V/µs
• 阶跃响应稳定时间为1%:1 µs
• 出色的共模抑制比(CMRR)
INA241x 由 2.7V 至 20V 的单电源供电,消耗 2.5mA
的电源电流。INA241x 有五个增益选项:10V/V、
20V/V、50V/V、100V/V 和 200V/V。运用多个增益选
项,可实现在可用的分流电阻值和宽输出动态范围要求
之间进行优化。
– 166dB 直流CMRR
– 104dB 交流CMRR(100kHz 时)
– 89dB 交流CMRR(1MHz 时)
• 精度:
– 增益误差(最大值)
INA241x 的额定工作温度范围为-40°C 至 +125°C,并
且采用节省空间的 8 引脚 SOT-23 封装和 8 引脚
VSSOP 封装。
• 版本A:±0.01%,±1ppm/°C 漂移
• 版本B:±0.1%,±5ppm/°C 漂移
– 失调电压(最大值)
器件信息(1)
• 版本A:±10 µV,±0.1 µV/°C 漂移
• 版本B:±150 µV,±0.5 µV/°C 漂移
• 可用增益:
– INA241A1、INA241B1:10 V/V
– INA241A2、INA241B2:20 V/V
– INA241A3、INA241B3:50 V/V
– INA241A4、INA241B4:100 V/V
– INA241A5、INA241B5:200 V/V
• 封装选项:SOT23-8、VSSOP-8
封装尺寸(标称值)
器件型号
INA241A
封装
SOT-23 (8)
VSSOP (8)(2)
2.90mm × 1.60mm
3.00mm × 3.00mm
INA241B
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的封装选项附录。
(2) 封装仅为预发布版
Supply
(2.7 V to 20 V)
2 应用
• 电机驱动器
• 螺线管和传动器
• 注塑机
INœ
OUT
+
IN+
REF2
REF1
• 无线电动工具
• 医学无线工具
• 无人机螺旋桨速度控制
典型应用- 直列式电机控制
本文档旨在为方便起见,提供有关TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 器件比较............................................................................ 3
6 引脚配置和功能................................................................. 3
7 规格................................................................................... 4
7.1 绝对最大额定值...........................................................4
7.2 ESD 等级.................................................................... 4
7.3 建议运行条件.............................................................. 4
7.4 热性能信息..................................................................4
7.5 电气特性......................................................................5
7.6 典型特性......................................................................8
8 详细说明.......................................................................... 15
8.1 概述...........................................................................15
8.2 功能方框图................................................................15
8.3 特性说明....................................................................15
8.4 器件功能模式............................................................ 16
9 应用和实现.......................................................................22
9.1 应用信息....................................................................22
9.2 典型应用....................................................................23
9.3 电源相关建议............................................................ 25
9.4 布局...........................................................................25
10 器件和文档支持............................................................. 26
10.1 接收文档更新通知................................................... 26
10.2 支持资源..................................................................26
10.3 商标.........................................................................26
10.4 Electrostatic Discharge Caution..............................26
10.5 术语表..................................................................... 26
11 机械、封装和可订购信息............................................... 26
4 修订历史记录
Changes from Revision * (March 2022) to Revision A (August 2022)
Page
• 将数据表状态从“预告信息”更改为“生产数据”.............................................................................................1
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5 器件比较
表5-1. 器件比较
器件名称
增益
10V/V
INA241A1、INA241B1
INA241A2、INA241B2
INA241A3、INA241B3
INA241A4、INA241B4
INA241A5、INA241B5
20V/V
50V/V
100V/V
200V/V
6 引脚配置和功能
INœ
GND
REF2
NC
1
8
7
6
5
IN+
INœ
1
2
3
4
8
7
6
5
IN+
2
3
4
REF1
Vs
GND
REF1
Vs
REF2
NC
OUT
OUT
Not to scale
Not to scale
1.此封装仅为预发布版。
图6-1. INA241x:DDF 封装8 引脚SOT-23 顶视图
图6-2. INA241x:DGK 封装8 引脚VSSOP 顶视图
表6-1. 引脚功能
引脚
类型
说明
名称
编号
GND
2
接地
输入
接地
电流感测放大器正输入。对于高侧应用,连接至感测电阻的总线电压侧。对于低侧应用,连
接至感测电阻的负载侧。
IN+
8
1
电流感测放大器负输入。对于高侧应用,连接至感测电阻的负载侧。对于低侧应用,连接至
感测电阻的接地侧。
IN–
输入
NC
4
5
接地
输出
保留。接地。
输出电压
OUT
基准1 电压。从0V 至VS,连接到电压电势;有关连接选项,请参阅使用基准引脚调整输
出。
REF1
7
输入
基准2 电压。从0V 至VS,连接到电压电势;有关连接选项,请参阅使用基准引脚调整输
出。
REF2
VS
3
6
输入
电源
电源,2.7V 至20V
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7 规格
7.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)(1)
最小值
最大值
单位
22
V
电源电压(VS)
30
V
V
差分(VIN+) − (VIN-
)
−30
−20
模拟输入,
(2)
VIN+,VIN-
120
共模
REF1、REF2、
NC 输入
VS + 0.3
V
GND − 0.3
Vs + 0.3
150
V
GND –0.3
输出
TA
-55
°C
°C
°C
工作温度
结温
TJ
150
Tstg
150
–65
存储温度
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不意味着器件在这些条件下或在建议工作条件以外的任何其他
条件下能够正常运行。如果超出建议工作条件但在绝对最大额定值范围内使用,器件可能不会完全正常运行,这可能影响器件的可靠
性、功能和性能,并缩短器件寿命。
(2)
VIN+ 和VIN- 分别为IN+ 和IN–引脚上的电压。
7.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM),符合ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001,所有引脚(1)
±2000
V(ESD)
V
静电放电
充电器件模型(CDM),符合ANSI/ESDA/
JEDEC JS-002 标准,所有引脚(2)
±1000
(1) JEDEC 文档JEP155 指出:500V HBM 能够在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出:250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
7.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)
最小值
−5
标称值
最大值
单位
V
VCM
48
5
110
20
共模输入范围
VS
TA
2.7
V
工作电源电压范围
环境温度
-40
125
°C
7.4 热性能信息
INA241
DDF (SOT23)
8 引脚
129.7
58
DGK (VSSOP)(2)
热指标(1)
单位
8 引脚
待定
待定
待定
待定
待定
RθJA
RθJC(top)
RθJB
ΨJT
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板热阻
52.6
2.3
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
52.3
ΨJB
(1) 有关新旧热指标的更多信息,请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
(2) 此封装仅为预发布版。
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7.5 电气特性
在TA = 25°C,VS = 5V,VSENSE = VIN+ –VIN–,VCM = VIN– = 48V 且VREF1 = VREF2 = VS/2 时测得(除非另有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
输入
VIN+,VIN– = –5V 至110V,VSENSE
0mV
TA = –40°C 至125°C
=
共模输入范围(1)
–5
150
120
VCM
110
V
VIN+,VIN– = –5V 至110V,VSENSE
0mV
TA = –40°C 至125°C,INA241A
=
166
130
CMRR
dB
共模抑制比,以输入为基准
VIN+,VIN– = –5V 至110V,VSENSE
0mV
=
TA = –40°C 至125°C,INA241B
f = 50kHz
105
±5
VSENSE = 0mV,INA241A1
VSENSE = 0mV,INA241A2
±20
±15
±3
Vos
VSENSE = 0mV,INA241A3,INA241A4
VSENSE = 0mV,INA241A5
±3
±10
µV
失调电压,以输入为基准
±2
±8
VSENSE = 0mV,INA241B
±25
±50
±30
±150
±250
±150
TA = –40°C 至125°C,INA241A1
TA = –40°C 至125°C,INA241A2
dVos/dT
nV/°C
失调电压漂移,以输入为基准
TA = –40°C 至125°C,INA241A3,
INA241A4,INA241A5
±20
±100
±500
±100
TA = –40°C 至125°C,INA241B
VS = 2.7V 至20V,VSENSE = 0mV,
VREF1 = VREF2 = 1V,
TA = –40°C 至125°C,INA241A1
±0.2
±0.1
±1
VS = 2.7V 至20V,VSENSE = 0mV,
VREF1 = VREF2 = 1V,
±0.75
TA = –40°C 至125°C,INA241A2
PSRR
µV/V
电源抑制比,以输入为基准
VS = 2.7V 至20V,VSENSE = 0mV,
VREF1 = VREF2 = 1V,
TA = –40°C 至125°C,INA241A3,
INA241A4,INA241A5
±0.06
±0.5
±10
VS = 2.7V 至20V,VSENSE = 0mV,
VREF1 = VREF2 = 1V,
TA = –40°C 至125°C,INA241B
±1
35
IB
IB+,IB–,VSENSE = 0mV
25
0
45
VS
uA
V
输入偏置电流
基准输入范围
输出
10
20
V/V
V/V
V/V
V/V
V/V
A1、B1 器件
A2、B2 器件
A3、B3 器件
A4、B4 器件
A5、B5 器件
G
50
增益
100
200
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在TA = 25°C,VS = 5V,VSENSE = VIN+ –VIN–,VCM = VIN– = 48V 且VREF1 = VREF2 = VS/2 时测得(除非另有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
(GND + 50mV) < VOUT < (VS - 200mV),
INA241A1,INA241A2,INA241A3
±0.002
±0.01
(GND + 50mV) < VOUT < (VS - 200mV),
INA241A4, INA241A5
±0.003
±0.02
±0.05
±0.1
±0.015
±0.1
±1
%
增益误差
(GND + 50mV) < VOUT < (VS - 200mV),
INA241B
GERR
TA = –40°C 至+125°C,
INA241A1,INA241A2,INA241A3
TA = –40°C 至+125°C,
INA241A4,INA241A5
±2 ppm/°C
±5
增益误差漂移
TA = –40°C 至+125°C,
INA241B
±0.2
±0.001
1
%
非线性误差
nF
无持续振荡,无隔离电阻器
最大电容负载
电压输出
RL = 10kΩ至GND,
TA= –40°C 至+125°C
V
相对于VS 电源轨的摆幅
VS − 0.07 VS − 0.2
RL = 10kΩ至GND,VSENSE = 0mV,
VREF1 = VREF2 = 0V,
8
20
mV
对地摆幅
TA = –40°C 至+125°C
参考输入
VREF1 = VREF2 = 0.5V 至4.5V,
TA = –40°C 至+125°C,INA241A1
±1
±0.5
±10
±2.5
±1.5
±20
VREF1 = VREF2 = 0.5V 至4.5V,
TA = –40°C 至+125°C,INA241A2,
INA241A3,INA241A4,INA241A5
RVRR
µV/V
基准电压抑制比,以输入为基准
VREF1 = VREF2 = 0.5V 至4.5V,
TA = –40°C 至+125°C,INA241B,
在VSENSE =0mV 时VOUT = |(VREF1
VREF2)| / 2,
VREF1 = VS,VREF2 = GND
VREF1 = GND,VREF2 = VS
+
±0.002
±0.002
±0.005
TA = –40°C 至+125°C,INA241A1,
INA241A2
在VSENSE =0mV 时VOUT = |(VREF1
VREF2)| / 2,
VREF1 = VS,VREF2 = GND
VREF1 = GND,VREF2 = VS
+
%
基准分压器精度
±0.01
±0.15
TA = –40°C 至+125°C,INA241A3,
INA241A4,INA241A5
在VSENSE =0mV 时VOUT = |(VREF1
VREF2)| / 2,
+
VREF1 = VS,VREF2 = GND
VREF1 = GND,VREF2 = VS
TA = –40°C 至+125°C,INA241B
±0.02
1.1
频率响应
BW
MHz
所有增益,−3dB 带宽
带宽
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在TA = 25°C,VS = 5V,VSENSE = VIN+ –VIN–,VCM = VIN– = 48V 且VREF1 = VREF2 = VS/2 时测得(除非另有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
VIN+,VIN– = 48V,VOUT = 0.5V 至
4.5V,
1.5
µs
输出稳定到0.5%
VIN+,VIN– = 48V,VOUT = 0.5V 至
4.5V,
输出稳定到1%
1
µs
趋稳时间
压摆率
VIN+,VIN– = 48V,VOUT = 0.5V 至
4.5V,
输出稳定到5%
0.5
8
µs
SR
V/µs
上升
噪声(以输入为基准)
电压噪声密度
电源
62
49
39
36
28
A1、B1 器件
A2、B2 器件
A3、B3 器件
A4、B4 器件
A5、B5 器件
nV/√Hz
VS
2.7
-40
20
3
V
电源电压
VSENSE = 0mV
2.5
mA
IQ
静态电流
VSENSE = 0mV,
TA = –40°C 至+125°C
3.2
mA
温度
TA
125
°C
指定的范围
(1)
VIN+ 和VIN- 的共模电压不得超过指定的共模输入范围。
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7.6 典型特性
在TA = 25°C,VS = 5V,VSENSE = VIN+ –VIN–,VCM = VIN– = 48V 且VREF1 = VREF2 = VS/2 时测得(除非另有说明)
Input Offset Voltage (ꢀV)
Input Offset Voltage (ꢀV)
图7-1. INA241A1 输入失调电压产生分布图
图7-2. INA241A2 输入失调电压产生分布图
Input Offset Voltage (ꢀV)
Input Offset Voltage (ꢀV)
图7-3. INA241A3 和INA241A4 输入失调电压产生分布图
图7-4. INA241A5 输入失调电压产生分布图
12
8
G = 10
G = 20
G = 50
G = 100
G = 200
4
0
-4
-8
-12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (ꢀC)
Input Offset Voltage (ꢀV)
INA241A
。
图7-6. 输入失调电压与温度间的关系
图7-5. 所有增益INA241B 输入失调电压产生分布图
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7.6 典型特性(continued)
在TA = 25°C,VS = 5V,VSENSE = VIN+ –VIN–,VCM = VIN– = 48V 且VREF1 = VREF2 = VS/2 时测得(除非另有说明)
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
G = 10
G = 20
G = 50
G = 100
G = 200
-8
-10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (ꢀC)
INA241A
INA241A
图7-7. 共模抑制比与温度间的关系
图7-8. 共模抑制比与频率间的关系
50
40
30
20
10
0
G = 10
G = 20
G = 50
G = 100
G = 200
-10
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Gain Error (m%)
。
1 % = 1000 m%
图7-9. 增益与频率间的关系
图7-10. INA241A1、INA241A2 和INA241A3 增益误差产生分布图
Gain Error (m%)
Gain Error (m%)
1 % = 1000 m%
1 % = 1000 m%
图7-12. 所有增益INA241B 增益误差产生分布图
图7-11. INA241A4 和INA241A5 增益误差产生分布图
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7.6 典型特性(continued)
在TA = 25°C,VS = 5V,VSENSE = VIN+ –VIN–,VCM = VIN– = 48V 且VREF1 = VREF2 = VS/2 时测得(除非另有说明)
40
30
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
G = 10
G = 20
G = 50
G = 100
G = 200
20
10
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-10
-20
-30
-40
G = 10
G = 20
G = 50
G = 100
G = 200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (ꢀC)
Temperature (ꢀC)
INA241A
INA241A
图7-13. 增益误差与温度间的关系
图7-14. 电源抑制比与温度间的关系
160
140
120
100
80
G = 10
G = 20
G = 50 to 200
60
40
20
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
INA241A
VSENSE = 0V
图7-15. 电源抑制比与频率间的关系
图7-16. 输入偏置电流与共模电压间的关系
50
40
30
20
10
0
400
320
240
160
80
IB+
IB-
IB+, VS = 0V
IB-, VS = 0V
VS = 2.7V to 20V, VCM = 110V
VS = 2.7V to 20V, VCM = 48V
VS = 2.7V to 20V, VCM = -5V
VS = 0V, VCM = 110V
0
-80
-160
-240
-320
-10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-2000 -1500 -1000 -500
0
500 1000 1500 2000
Temperature (ꢀC)
VSENSE (mV)
图7-17. 输入偏置电流与温度间的关系
图7-18. INA241x1 输入偏置电流与VSENSE 间的关系
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7.6 典型特性(continued)
在TA = 25°C,VS = 5V,VSENSE = VIN+ –VIN–,VCM = VIN– = 48V 且VREF1 = VREF2 = VS/2 时测得(除非另有说明)
250
200
150
100
50
150
125
100
75
IB+
IB-
IB+
IB-
IB+, VS = 0V
IB-, VS = 0V
IB+, VS = 0V
IB-, VS = 0V
50
0
25
-50
0
-100
-150
-200
-25
-50
-75
-1000 -750 -500 -250
0
250
500
750 1000
-400 -300 -200 -100
0
100
200
300
400
VSENSE (mV)
VSENSE (mV)
图7-19. INA241x2 输入偏置电流与VSENSE 间的关系
84
图7-20. INA241x3 和INA241x4 输入偏置电流与VSENSE 间的关系
VS
IB+
IB-
125ꢀC
72
60
48
36
24
12
0
VS - 0.3
VS - 0.6
25ꢀC
IB+, VS = 0V
IB-, VS = 0V
-40ꢀC
VS - 0.9
VS - 1.2
GND + 1.2
GND + 0.9
GND + 0.6
GND + 0.3
GND
-12
-24
-100
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
0
2.5
5
7.5
10
VSENSE (mV)
Output Current (mA)
VS = 2.7V
。
图7-21. INA241x5 输入偏置电流与VSENSE 间的关系
图7-22. 输出电压与输出电流间的关系
200
100
10
1
0.1
0.01
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
VS = 5V 至20V
。
图7-24. 输出阻抗与频率间的关系
图7-23. 输出电压与输出电流间的关系
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7.6 典型特性(continued)
在TA = 25°C,VS = 5V,VSENSE = VIN+ –VIN–,VCM = VIN– = 48V 且VREF1 = VREF2 = VS/2 时测得(除非另有说明)
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
20
15
10
5
VS = 2.7V
VS = 5V
VS = 20V
VS = 20V
VS = 5V
VS = 2.7V
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (ꢀC)
Temperature (ꢀC)
VREF1 = VREF2 =
RL = 10kΩ至GND
RL = 10kΩ至GND
0V,VSENSE = 0V
.
图7-26. 相对于GND 的摆幅与温度间的关系
图7-25. 电源摆幅与温度间的关系
100
80
70
60
50
40
30
20
G = 10
G = 20
G = 50
G = 100
G = 200
10
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Time (1 s/div)
Frequency (Hz)
图7-28. 0.1Hz 至10Hz 电压噪声
图7-27. 输入参考噪声与频率间的关系
40
35
30
25
20
15
10
5
VS = 20V, Sinking
VS = 20V, Sourcing
VS = 5V, Sinking
VS = 5V, Sourcing
VS = 2.7V, Sinking
VS = 2.7V, Sourcing
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (ꢀC)
VSENSE = 0V
。
图7-29. 短路电流与温度间的关系
图7-30. 静态电流与温度间的关系
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7.6 典型特性(continued)
在TA = 25°C,VS = 5V,VSENSE = VIN+ –VIN–,VCM = VIN– = 48V 且VREF1 = VREF2 = VS/2 时测得(除非另有说明)
3
2.5
2
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.5
1
1.8
1.6
1.4
125ꢀC
25ꢀC
-40ꢀC
VS = 20V
VS = 5V
VS = 2.7V
0.5
0
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
-20
0
20
40
60
80
100
120
Supply Voltage (V)
Common-Mode Voltage (V)
VREF1 = VREF2 =
.
.
0V,VSENSE = 0V
图7-31. 静态电流与电源电压间的关系
图7-32. 静态电流与共模电压间的关系
Common-Mode
Voltage
Input Voltage
Output Voltage
Output Voltage
Time (2 ꢀs/div)
Time (500 ns/div)
INA241A4
VCM = -5V 至110V,
.
VSENSE = 0V
图7-34. 小阶跃响应
图7-33. 共模电压快速瞬态脉冲
Input Voltage
Output Voltage
Supply Voltage
Output Voltage
0V
0V
Time (5 ꢀs/div)
Time (500 ns/div)
INA241A4
。
图7-36. 启动响应
图7-35. 大阶跃响应
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7.6 典型特性(continued)
在TA = 25°C,VS = 5V,VSENSE = VIN+ –VIN–,VCM = VIN– = 48V 且VREF1 = VREF2 = VS/2 时测得(除非另有说明)
Supply Voltage
Output Voltage
0V
0V
Time (20 ꢀs/div)
图7-37. 欠压恢复
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8 详细说明
8.1 概述
INA241x 是一款高侧、直列式或低侧双向高速电流感测放大器,具有宽共模范围、高精度、零漂移拓扑、出色的
共模抑制比 (CMRR),并在器件的输入端具有增强的脉冲宽度调制(PWM) 抑制功能。增强型 PWM 抑制降低了共
模瞬变的影响,共模瞬变可传播到与 PWM 输入信号相关联的输出信号。多个增益版本可用于根据应用中预期的
目标电流范围优化所需的满量程输出电压。
8.2 功能方框图
VS
IN–
IN+
–
+
PWM
Rejection
OUT
REF2
REF1
GND
8.3 特性说明
8.3.1 放大器输入共模信号
INA241x 支持从-5V 至+110V 的宽输入共模电压。INA241x 的内部拓扑支持共模范围超过电源电压(VS)。因此,
INA241x 可用于超出2.7V 至20V 电源电压范围的低侧、直列式和高侧电流感测应用。
8.3.1.1 增强型PWM 抑制操作
INA241x 的增强型 PWM 抑制功能增加了对大共模 ΔV/Δt 瞬态的衰减。与PWM 信号相关的大 ΔV/Δt 共模瞬变
用于电机或螺线管驱动和开关电源等应用。电流感测放大器输出端可能发生的共模瞬变干扰会导致错误的测量,
并在输出有效时施加限制。INA241x 采用高共模抑制技术设计,可在系统受到干扰之前减少大的 ΔV/Δt 瞬变。
因此,使用 INA241x 可使系统设计变得简单。与传统电流感测放大器相比,它将高交流 CMRR 与信号带宽相结
合,使得INA241x 可在共模转换期间最大限度地减小输出干扰和振铃。
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
3.25
Common-mode Voltage
Output Voltage
3
2.75
2.5
2.25
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25
-10
-20
Time (1s/div)
图8-1. 增强型PWM 抑制性能
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图 8-1 显示了 INA241x PWM 增强性能。当 INA241x 感测到大共模 ΔV/Δt 瞬变时,它会使输出在 1μs 内保持
不变,因而防止共模干扰传播到输出端。如果在接下来的 3μs 内发生另一次共模瞬变,则 INA241x 依赖高带宽
和交流 CMMR 来减弱共模瞬态的影响。可在高达 125kHz 的 PWM 频率下,或如果共模瞬态边沿间隔为 3μs 或
更长时间,即可实现增强型PWM 抑制。
8.3.1.2 输入信号带宽
INA241x 提供多种增益选项,包括10V/V、20V/V、50V/V、100V/V 和200V/V。独特的多级设计使放大器能够在
所有增益下实现1.1MHz 的高带宽。这个高带宽可提供快速检测和处理过流事件所需的吞吐量和快速响应。
8.3.1.3 低输入偏置电流
在共模电压高达110V 时,INA241x 输入的每个输入引脚消耗35µA(典型值)偏置电流,可在需要较低电流泄漏
的应用中实现精密的电流感测。不同于输入偏置电流与共模电压成正比的许多高电压电流感测放大器,INA241x
的输入偏置电流在整个共模电压范围内保持恒定。
8.3.1.4 低VSENSE 运行
INA241x 在整个有效的 VSENSE 范围内实现高性能运行。INA241x 的零漂移输入架构提供在 -40°C 至 +125°C 的
宽工作温度范围内准确测量低 VSENSE 电平所需的低失调电压和低温漂。当使用低欧姆值分流器进行低电流测量
时,因为分流器上的功率损耗显著降低,所以低VSENSE 运行特别有益。
8.3.1.5 宽固定增益输出
在室温下,INA241x 最大增益误差为±0.01%;在-40°C 至+125°C 的整个温度范围内,最大漂移为 ±1ppm/°C。
INA241x 提供了多种增益选项:10V/V、20V/V、50V/V、100V/V 和 200V/V,系统设计人员应根据其所需的信噪
比和其他系统要求(例如,动态电流范围和满标度输出电压目标)进行选择。
8.3.1.6 宽电源电压
INA241x 在 2.7V 至 20V 的宽电源电压范围内工作。虽然 INA241x 的输入共模电压范围与电源电压无关,但输出
电压受施加到器件的电源电压的约束。输出电压可以从低至20mV 到高至200mV 不等,但要低于电源电压。
8.4 器件功能模式
8.4.1 使用基准引脚调整输出
图8-2 显示了基准分压器精度测试电路。INA241x 输出可配置为支持单向或双向运行。
VS
VS
INœ
œ
OUT
+
IN+
REF2
REF1
GND
图8-2. 基准分压器精度测试电路
通过向基准电压输入 REF1 和 REF2 施加一个或多个电压来设置输出电压。基准输入连接到内部增益网络。两个
基准引脚的运行是相同的。连接到两个基准引脚的电阻器网络具有超高精度和匹配度。当电流感测输入电压为 0V
时,输出准确设置为施加到基准电压输入的电压的一半,如方程式 1 所示。在大多数双向应用中,一个基准输入
连接到正电源,另一个基准输入连接到负电源(GND 引脚),以便将输出电压设置为1/2 Vs。
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V
+ V
REF1
REF2
V
= G × V
− V +
IN −
(1)
OUT
IN +
2
8.4.2 单向电流测量的基准引脚连接
单向操作允许通过电阻分流器在一个方向上测量电流。对于单向操作,将器件基准引脚连接在一起,然后连接到
负轨(参阅 以接地为基准的输出 部分)或正轨(参阅 以 VS 为基准的输出 部分)。所需的差分输入极性取决于
基准输入设置。放大器输出与基准轨的偏离与通过外部分流电阻器的电流成比例。如果放大器基准引脚连接到正
轨,则输入极性必须为负才能将放大器输出向下移动(朝向地)。如果将放大器基准引脚接地,则输入极性必须
为正才能使放大器输出向上移动(朝向电源)。
以下各部分描述了如何为单向操作情况配置输出。
8.4.2.1 以接地为基准的输出
在单向模式下使用 INA241x,且具有以接地为基准的输出时,两个参考输入均连接到地。当输入具有 0V 差分电
压时(请参阅图8-3),此配置将输出接地。
VS
VS
INœ
œ
OUT
+
REF2
REF1
IN+
GND
图8-3. 以接地为基准的输出
8.4.2.2 以VS 为基准的输出
通过将两个基准引脚连接到正电源来配置输出以 VS 为基准的单向模式。对于需要上电并稳定放大器输出信号的
电路和其他控制电路,在向负载供电之前,使用此配置(请参阅图8-4)。
VS
VS
INœ
œ
OUT
+
REF2
REF1
IN+
GND
图8-4. 以VS 为基准的输出
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8.4.3 双向电流测量的基准引脚连接
INA241x 测量流经电阻器(通常称为电流感测电阻器或分流电阻器)的电流产生的差分电压。根据基准引脚上的
电压电势,INA241x 可以在单向或双向模式下运行。
输出级的线性范围受限于输出电压接近地的程度以及电源电压,如规格 中所述。电流感测电阻的选择、要测量的
电流范围、增益选项的选择以及施加到基准引脚的电压,都应该使INA241x 保持在线性工作区域内。
8.4.3.1 输出设置为外部基准电压
将两个引脚连接在一起,然后连接到基准电压会导致以下结果:在输入引脚短路或0V 差分输入的情况下,输出电
压等于基准电压。图 8-5 显示了此配置。当 IN+ 引脚相对于 IN- 引脚为负时,输出电压降至基准电压以下;当
IN+ 引脚相对于IN- 引脚为正时,输出电压增加。这种技术是将输出偏置到精确电压的准确方法。
VS
VS
INœ
œ
OUT
+
IN+
REF5025
2.5-V
REF2
REF1
Reference
GND
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图8-5. 外部基准输出
8.4.3.2 输出设置为1/2 Vs 电压
通过将一个基准引脚连接到 VS,将另一个连接到 GND 引脚,图 8-6 显示了在没有差分输入时,输出设置为电源
电压的一半。这种方法会使电源电压产生比例式偏移,在这种情况下,在输入端施加 0V,输出电压保持在
VS/2。
VS
VS
IN–
–
OUT
Output
+
IN+
REF1
REF2
GND
图8-6. 1/2 Vs 电压输出
8.4.3.3 输出设置为1/2 外部基准
在这种情况下,图 8-7 显示了如何通过将一个 REF 引脚连接到地、将另一个 REF 引脚连接到基准,来得到 1/2
的外部基准。
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VS
VS
IN–
–
+
OUT
REF1
REF2
IN+
REF5025
2.5-V
Reference
GND
图8-7. 1/2 外部基准输出
8.4.3.4 使用电阻分压器设置输出
INA241x 基准引脚支持调整输出电压的中点,以便系统电路连接到模数转换器 (ADC) 或其他放大器。基准引脚设
计为直接连接到电源、地或低阻抗基准电压。基准引脚可以连接在一起并使用电阻分压器进行偏置,以实现自定
义输出电压。如果在此配置中使用放大器,如图 8-8 所示,则可将输出用作相对于电阻分压器电压的差分信号。
不建议在此配置中将放大器输出用作单端信号,因为内部阻抗偏移会对器件性能规格产生不利影响。如果需要单
端测量,TI 建议使用外部运算放大器来缓冲电阻分压器电压(参阅图8-9)。
VS
VS
R1
INœ
œ
OUT
TO ADC+
+
TO ADCœ
IN+
REF2
REF1
R2
GND
图8-8. 使用电阻分压器设置基准
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VS
VS
R1
IN–
IN+
–
+
OUT
REF2
REF1
TO ADC
R2
GND
Op Amp
图8-9. 使用电阻分压器和运算放大器缓冲器来设置基准
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8.4.4 高信号吞吐量
在增益为 20V/V 和压摆率为 8V/µs 时,INA241x 带宽为 1.1MHz,专门设计用于检测和保护应用程序免受快速浪
涌电流的影响。如表8-1 中所示,对于在2mΩ分流器上测量75A 阈值的系统,INA241x 响应时间小于1μs。
表8-1. 响应时间
等式
INA241x AT VS = 5V
参数
G
20V/V
100A
75 A
2mΩ
4V
增益
IMAX
最大电流
阈值电流
IThreshold
RSENSE
VOUT_MAX
VOUT_THR
SR
电流感测电阻值
最大电流下的输出电压
阈值电流下的输出电压
压摆率
VOUT_MAX = IMAX × RSENSE × G
VOUT_THR = ITHR × RSENSE × G
3V
8V/µs
< 1µs
Tresponse
Tresponse= VOUT_THR / SR
输出响应时间
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9 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围,TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计,以确保系统功能。
9.1 应用信息
当电流经电阻流向负载时,INA241x 会将在电流感测电阻器两端产生的电压放大。INA241x 具有宽输入共模电压
范围和高共模抑制比,因此可使用各种电压轨,同时仍能维持精确的电流测量。
9.1.1 RSENSE 和器件增益选择
通过选择尽可能最大的电流感测电阻值,可以提高任何电流感测放大器的精度。较大的感测电阻值可在给定电流
量下使差分输入信号达到最大,并减小失调电压的误差贡献。但是,由于封装的物理尺寸、封装结构和最大功耗
不同,在给定的应用中,对于电流感测电阻值可以有多大存在一些实际限制。方程式 2 给出了在给定功率损耗预
算下,电流感测电阻的最大值。
PDMAX
RSENSE
<
2
IMAX
(2)
其中:
• PDMAX 是RSENSE 中的最大允许功率损耗。
• IMAX 是将流过RSENSE 的最大电流。
电流感测电阻的大小和器件增益的其他限制取决于电源电压VS 和器件摆幅至轨限制。为了确保电流感测信号适当
地传递到输出,必须检查正和负输出摆幅限制。方程式 3 提供了 RSENSE 和 GAIN 的最大值,以便防止设备超过
正摆幅限制。
IMAX ª RSENSE ª GAIN < VSP
(3)
其中:
• IMAX 是将流过RSENSE 的最大电流。
• GAIN 是电流感测放大器的增益。
• VSP 是器件的正输出摆幅,如规格中所指定。
为了避免在选择RSENSE 的值时出现正输出摆幅限制,在感测电阻的值与所考虑的器件增益之间总是存在权衡。如
果为最大功率损耗选择的感测电阻太大,则可以选择较低的增益器件以避免正摆幅限制。
负摆幅限制对给定应用的感测电阻值可以小到何种程度施加了限制。方程式4 提供了对感测电阻最小值的限制。
IMIN ª RSENSE ª GAIN > VSN
(4)
其中:
• IMIN 是将流过RSENSE 的最小电流。
• GAIN 是电流感测放大器的增益。
• VSN 是器件的负输出摆幅,如规格中所指定。
表 9-1 显示了使用 INA241x 的五个不同增益版本所获得的不同结果示例。从表格数据中可以看出,最高增益的器
件支持使用较小的分流电阻器并降低元件中的功率损耗。
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表9-1. RSENSE 选择和功率损耗(1)
VS = 5V 时的结果
参数
等式
A1、B1 器件 A2、B2 器件 A3、B3 器件 A4、B4 器件 A5、B5 器件
G
10V/V
500mV
50mΩ
5W
20V/V
250mV
25mΩ
2.5W
50V/V
100mV
10mΩ
1W
100V/V
50mV
5mΩ
200V/V
25mV
增益
VSENSE
RSENSE
PSENSE
VSENSE = VOUT / G
理想的差分输入电压
电流感测电阻值
RSENSE = VSENSE / IMAX
2.5mΩ
0.25W
RSENSE × IMAX
2
0.5W
电流感测电阻功率损耗
(1) 设计示例,满量程电流为10A,最大输出电压设置为5V。
9.2 典型应用
INA241x 是一款双向电流感测放大器,能够通过共模电压为-5V 至+110V 的电阻分流器来测量电流。
9.2.1 直列式电机电流感测应用
48 V
5 V
VS
100 m
IN–
IN+
OUT
+
REF1
REF2
GND
图9-1. 直列式电机应用电路
9.2.1.1 设计要求
直列式电流检测在电机控制中具有诸多优势,包括减少扭矩纹波和监测实时电机运行状态。但是,直列式电流测
量的满量程 PWM 电压要求对准确测量电流提出了挑战。50kHz 至 100kHz 范围内的开关频率会产生更高的 ΔV/
Δt 信号转换,必须解决这些问题才能获得准确的直列式电流测量值。
INA241x 具有卓越的共模抑制能力、高精度和高共模规格,可在各种共模电压下提升性能。
9.2.1.2 详细设计过程
对于此应用,INA241x 可测量48V、4000RPM 电机驱动电路中的电流。
为了展示该器件的性能,本设计选择了增益为20V/V 的INA241A2,并由5V 电源供电。
使用节8.4.3.2 部分中的信息,通过将REF1 连接到电源,将REF2 连接到地来分离电源,从而将基准点设置为中
量程。这种配置允许进行双极电流测量。或者,基准引脚可以连接在一起并由外部精密基准驱动。
调整电流感测电阻器的大小,使 INA241x 的输出不饱和。选择 100mΩ 的值以将模拟输入保持在器件限制范围
内。
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9.2.1.3 应用曲线
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
3.25
Motor Inline PWM Input Signal
VOUT
3
2.75
2.5
2.25
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25
-10
Time (20s/div)
图9-2. INA241A2 直列式电机电流感测输入和输出信号
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9.3 电源相关建议
因为输入端(IN+ 和IN–)可使用-5V 和+110V 之间的任何电压(与VS 无关),所以INA241x 可以在连接的电
源电压(VS) 之外进行精确测量。例如,在VS 电源等于5V 时,被测分流器的共模电压可高达+110V。
9.3.1 电源去耦
电源旁路电容器的位置应尽可能靠近电源引脚和接地引脚。TI 建议使用0.1μF 的旁路电容值。可以添加额外的去
耦电容以补偿噪声或高阻抗电源。
9.4 布局
9.4.1 布局指南
建议用户采用优秀的布局规范。
• 使用开尔文连接或4 线制连接将输入引脚连接到感测电阻器。这种连接技术可确保在输入引脚之间仅检测电流
感测电阻的阻抗。电流感测电阻布线不良通常会导致在输入引脚之间存在额外的电阻。鉴于电流感测电阻的欧
姆值非常低,任何额外的高载流阻抗都会导致严重的测量误差。
• 电源旁路电容器的位置应尽可能靠近器件电源引脚和接地引脚。建议使用0.1µF 的旁路电容器。可以添加额外
的去耦电容以补偿噪声或高阻抗电源。
9.4.2 布局示例
RSHUNT
IN-
1
2
3
4
8
7
6
5
IN+
CBYPASS
VIA to Ground Plane
VIA to Ground Plane
GND
REF2
NC
REF1
VS
VIA to Ground Plane
VIA to Power Supply
INA Device
OUT
图9-3. INA241x SOT-23 (DDF) 和VSSOP (DGK) 封装建议布局
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10 器件和文档支持
10.1 接收文档更新通知
若要接收文档更新通知,请导航至 ti.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的提醒我进行注册,即可每周接收
产品信息更改摘要。有关更改的详细信息,请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
10.2 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料,可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范,并且不一定反映 TI 的观点;请参阅
TI 的《使用条款》。
10.3 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
10.4 Electrostatic Discharge Caution
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled
with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may
be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published
specifications.
10.5 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
11 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更,恕不另行通知,且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本,请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
INA241A1IDDFR
INA241A2IDDFR
INA241A3IDDFR
INA241A4IDDFR
INA241A5IDDFR
INA241B1IDDFR
INA241B2IDDFR
INA241B3IDDFR
INA241B4IDDFR
INA241B5IDDFR
ACTIVE SOT-23-THIN
ACTIVE SOT-23-THIN
ACTIVE SOT-23-THIN
ACTIVE SOT-23-THIN
ACTIVE SOT-23-THIN
ACTIVE SOT-23-THIN
ACTIVE SOT-23-THIN
ACTIVE SOT-23-THIN
ACTIVE SOT-23-THIN
ACTIVE SOT-23-THIN
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
2PH3
2PI3
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
2PJ3
2PK3
2PL3
2PM3
2PN3
2PO3
2PP3
2PQ3
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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10-May-2023
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF INA241A, INA241B :
Automotive : INA241A-Q1, INA241B-Q1
•
NOTE: Qualified Version Definitions:
Automotive - Q100 devices qualified for high-reliability automotive applications targeting zero defects
•
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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2-Feb-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
INA241A1IDDFR
INA241A2IDDFR
INA241A3IDDFR
INA241A4IDDFR
INA241A5IDDFR
INA241B1IDDFR
INA241B2IDDFR
INA241B3IDDFR
INA241B4IDDFR
SOT-23-
THIN
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
8
8
8
8
8
8
8
8
8
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
3.1
1.55
1.55
1.55
1.55
1.55
1.55
1.55
1.55
1.55
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
SOT-23-
THIN
SOT-23-
THIN
SOT-23-
THIN
SOT-23-
THIN
SOT-23-
THIN
SOT-23-
THIN
SOT-23-
THIN
SOT-23-
THIN
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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2-Feb-2023
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
INA241B5IDDFR
SOT-23-
THIN
DDF
8
3000
180.0
8.4
3.15
3.1
1.55
4.0
8.0
Q3
Pack Materials-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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2-Feb-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
INA241A1IDDFR
INA241A2IDDFR
INA241A3IDDFR
INA241A4IDDFR
INA241A5IDDFR
INA241B1IDDFR
INA241B2IDDFR
INA241B3IDDFR
INA241B4IDDFR
INA241B5IDDFR
SOT-23-THIN
SOT-23-THIN
SOT-23-THIN
SOT-23-THIN
SOT-23-THIN
SOT-23-THIN
SOT-23-THIN
SOT-23-THIN
SOT-23-THIN
SOT-23-THIN
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
DDF
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
210.0
210.0
210.0
210.0
210.0
210.0
210.0
210.0
210.0
210.0
185.0
185.0
185.0
185.0
185.0
185.0
185.0
185.0
185.0
185.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
Pack Materials-Page 3
PACKAGE OUTLINE
DDF0008A
SOT-23 - 1.1 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
PLASTIC SMALL OUTLINE
C
2.95
2.65
SEATING PLANE
TYP
PIN 1 ID
AREA
0.1 C
A
6X 0.65
8
1
2.95
2.85
NOTE 3
2X
1.95
4
5
0.38
0.22
8X
0.1
C A B
1.65
1.55
B
1.1 MAX
0.20
0.08
TYP
SEE DETAIL A
0.25
GAGE PLANE
0.1
0.0
0 - 8
0.6
0.3
DETAIL A
TYPICAL
4222047/C 10/2022
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
DDF0008A
SOT-23 - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
8X (1.05)
SYMM
1
8
8X (0.45)
SYMM
6X (0.65)
5
4
(R0.05)
TYP
(2.6)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4222047/C 10/2022
NOTES: (continued)
4. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
5. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
DDF0008A
SOT-23 - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
8X (1.05)
SYMM
(R0.05) TYP
8
1
8X (0.45)
SYMM
6X (0.65)
5
4
(2.6)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:15X
4222047/C 10/2022
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
7. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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重要声明和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源,
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保,包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
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