ISO7742QDBQRQ1 [TI]
EMC 性能优异的汽车类四通道、2/2、增强型数字隔离器 | DBQ | 16 | -40 to 125;型号: | ISO7742QDBQRQ1 |
厂家: | TEXAS INSTRUMENTS |
描述: | EMC 性能优异的汽车类四通道、2/2、增强型数字隔离器 | DBQ | 16 | -40 to 125 |
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ISO7740-Q1, ISO7741-Q1, ISO7742-Q1
ZHCSFU5D –NOVEMBER 2016 –REVISED OCTOBER 2020
ISO774x-Q1 汽车级高速四通道增强型数字隔离器
ISO774x-Q1 器件能够以较低的功耗提供高电磁抗扰度
和低辐射,同时还能够隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字
I/O。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电
容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。这些器件配有使能
引脚,可用于在多主驱动应用中将各自的输出置于高阻
抗状态,并降低功耗。ISO7740-Q1 器件具有四个全部
同向的通道, ISO7741-Q1 器件具有三个正向通道和
一个反向通道,而 ISO7742-Q1 器件具有两个正向通
道和两个反向通道。如果输入电源或信号丢失,不带后
缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输
出低电平。更多详细信息,请参阅器件功能模式 部
分。
1 特性
• 符合汽车应用要求
• 具有符合AEC-Q100 标准的下列特性:
– 器件温度等级1:–40°C 至125°C 的工作环境
温度范围
• 提供功能安全
– 可提供用于功能安全系统设计的文档:
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• 100Mbps 数据速率
• 稳健可靠的隔离栅:
– 在1500VRMS 工作电压下预计寿命超过100 年
– 隔离等级高达5700VRMS
– 浪涌能力高达12.8kV
器件信息
器件型号(1)
ISO7741-Q1
封装尺寸(标称值)
10.30mm x 14.0mm
10.30mm × 7.50mm
封装
SOIC (DWW)
SOIC (DW)
– CMTI 典型值为±100kV/μs
• 宽电源电压范围:2.25V 至5.5V
• 2.25V 至5.5V 电平转换
ISO7740-Q1
ISO7741-Q1
ISO7742-Q1
SSOP (DBQ)
4.90mm × 3.90mm
• 默认输出高电平(ISO774x) 和低电平(ISO774xF)
选项
• 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟:典型值为10.7ns
(5V 电源)
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
• 优异的电磁兼容性(EMC)
VCCO
VCCI
– 系统级ESD、EFT 和浪涌抗扰性
– 在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2 接触放
电保护
Series Isolation
Capacitors
INx
OUTx
ENx
– 低干扰(EMI)
• 超宽SOIC (DWW-16)、宽体SOIC (DW-16) 和
QSOP (DBQ-16) 封装选项
GNDI
GNDO
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• 安全相关认证:
VCCI = 输入电源,VCCO = 输出电源
GNDI = 输入接地,GNDO = 输出接地
– DIN VDE V 0884-11:2017-01
– UL 1577 组件认证计划
– CSA、CQC 和TUV 认证
简化原理图
2 应用
• 混合动力、电动和动力总成系统(EV/HEV)
– 电池管理系统(BMS)
– 车载充电器
– 牵引逆变器
– 直流/直流转换器
– 逆变器和电机控制
3 说明
ISO774x-Q1 汽车级器件 是高性能四通道数字隔离
器,可提供符合 UL 1577 标准的 5700VRMS(DWW
封装)、5000VRMS (DW 封装)和 3000VRMS(DBQ
封装)隔离等级。该系列器件具有符合 VDE、CSA、
TUV 和CQC 标准的增强型绝缘等级。
本文档旨在为方便起见,提供有关TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 说明(续).........................................................................4
6 引脚配置和功能................................................................. 4
引脚功能............................................................................6
7 规格................................................................................... 7
7.1 绝对最大额定值...........................................................7
7.2 ESD 等级................................................................... 7
7.3 建议运行条件.............................................................. 7
7.4 热性能信息..................................................................8
7.5 额定功率......................................................................8
7.6 绝缘规格......................................................................9
7.7 安全相关认证............................................................ 10
7.8 安全限值....................................................................10
7.9 电气特性- 5V 电源....................................................12
7.10 电源电流特性- 5V 电源...........................................13
7.11 电气特性- 3.3V 电源...............................................14
7.12 电源电流特性- 3.3V 电源........................................15
7.13 电气特性- 2.5V 电源...............................................16
7.14 电源电流特性- 2.5V 电源........................................17
7.15 开关特性- 5V 电源..................................................18
7.16 开关特性- 3.3V 电源...............................................18
7.17 开关特性- 2.5V 电源...............................................19
7.18 绝缘特性曲线.......................................................... 20
7.19 典型特性..................................................................21
8 参数测量信息...................................................................23
9 详细说明.......................................................................... 25
9.1 概述...........................................................................25
9.2 功能方框图................................................................25
9.3 特性说明....................................................................26
9.4 器件功能模式............................................................ 27
10 应用和实施.....................................................................29
10.1 应用信息..................................................................29
10.2 典型应用..................................................................29
11 电源相关建议................................................................. 32
12 布局............................................................................... 33
12.1 布局指南..................................................................33
12.2 布局示例..................................................................33
13 器件和文档支持............................................................. 34
13.1 文档支持..................................................................34
13.2 相关链接..................................................................34
13.3 接收文档更新通知................................................... 34
13.4 支持资源..................................................................34
13.5 商标.........................................................................34
13.6 静电放电警告.......................................................... 34
13.7 术语表..................................................................... 34
14 机械、封装和可订购信息...............................................35
4 修订历史记录
注:以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision C (February 2020) to Revision D (October 2020)
Page
• 向节 1 添加了”功能安全“要点.........................................................................................................................1
Changes from Revision B (June 2018) to Revision C (February 2020)
Page
• 通篇进行了编辑性和修饰性更改.........................................................................................................................1
• 将“隔离栅寿命:超过40 年”更改为“在1500VRMS 工作电压下预计寿命超过 100 年”(在节1 中)......... 1
• 在节1 中添加了“隔离等级高达 5700VRMS”....................................................................................................1
• 在节1 中添加了“浪涌能力高达 12.8kV”.........................................................................................................1
• 在节1 中添加了“在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护”......................................................1
• 通篇将VDE 标准名称从“DIN V VDE V 0884-11:2017-01”更改为“DIN VDE V 0884-11:2017-01”............ 1
• 删除了节1 中的“除DBQ-16 封装器件的 CQC 认证外,所有认证均已完成”.................................................1
• 更新了节 2 中的应用列表....................................................................................................................................1
• 更新了图3-1,以便显示每个通道的两个串联隔离电容器,而不是单个隔离电容器...........................................1
• 在数据表中添加了ISO7741-Q1 的超宽SOIC (DWW-16) 封装信息...................................................................4
• 在节7.2 中添加了±8000V 的“根据IEC 61000-4-2 进行接触放电”规格.........................................................7
• 为数据速率规格添加了以下表格注释:“尽管可以实现更高的数据速率,但最大指定数据速率为
100Mbps。”......................................................................................................................................................7
• 将“ISO7741-Q1 PD1”或“最大功耗(侧1)”从50mW 更改为75mW 并将PD2 或“最大功率(侧2)”从
150mW 更改为125mW(节7.5 表中)............................................................................................................. 8
• 将DW-16 封装的VIORM 值从“1414 VPK”更改为“2121VPK”(在节7.6 表中)...........................................9
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• 将DW-16 封装的VIOWM 值从“1000VRMS”和“1414VDC”更改为“1500VRMS”和“2121VDC”(在节7.6
表中).................................................................................................................................................................9
• 向节7.6 中VIOWM 规格的测试条件添加了“请参阅图10-7”............................................................................ 9
• 将VIOSM 测试条件从“测试方法符合IEC 60065”更改为“测试方法符合IEC 62368-1”(在节7.6 表中).....
............................................................................................................................................................................9
• 更新了节7.7 表中的认证信息........................................................................................................................... 10
• 将法规信息表更改为安全相关认证并更新了内容............................................................................................ 10
• 将安全相关认证表中的认证从计划进行认证更改为已认证...............................................................................10
• 更正了节9.4.1 中“输入(ISO774xF)”原理图的接地符号...............................................................................28
• 更新了图10-1,将CAN 收发器从将SN65HVD231Q 更改为TCAN1042-Q1 并将变压器驱动器从SN6501-Q1
更改为SN6505x-Q1......................................................................................................................................... 29
• 在节10.2.3 部分下添加了节10.2.3.1 子部分....................................................................................................31
• 在节11 部分中添加了SN6505x-Q1 相关内容.................................................................................................. 32
• 在节13.1 部分中添加了如何通过隔离改善工业系统的ESD、EFT 和浪涌抗扰性应用报告.............................34
• 在节13.1 部分中添加了SN6505x-Q1 数据表相关内容.................................................................................... 34
Changes from Revision A (May 2018) to Revision B (June 2018)
Page
• 将DBQ 封装的隔离等级从 2500VRMS 更改为 3000VRMS ..................................................................................1
• 将HBM 和CDM 值从特性部分移至ESD 等级表............................................................................................. 7
• 向绝缘规格表中最大瞬态隔离电压参数的条件添加了VTEST .............................................................................9
• 通篇将DBQ 封装的值从3600VPK 更改为4242VPK .......................................................................................... 9
• 更改了绝缘规格表中视在电荷的方法b1 Vini 条件..............................................................................................9
• 将“计划进行认证”更改为“已认证”(在节7.7 的VDE 列中)...................................................................10
• 向节7.7 添加了条件说明.................................................................................................................................. 10
• 将“计划进行认证”更改为“已认证”(在节7.7 的UL 列中)......................................................................10
• 将“计划进行认证”更改为“已认证”(在节7.7 的TUV 列中)................................................................... 10
• 将“计划的认证”更改为“证书编号:40040142”(在节7.7 的VDE 列中)............................................... 10
• 将“计划的认证”更改为“文件编号:E181974”(在节7.7 的VDE 列中).................................................10
• 将“计划的认证”更改为“客户端ID 编号:77311”(在节7.7 的TUV 列中).............................................10
• 将CMTI 典型值从75kV/µs 更改为100kV/μs(在节7.9 中).........................................................................12
• 将CMTI 典型值从75kV/µs 更改为100kV/μs(在节7.11 中).......................................................................14
• 将CMTI 典型值从75kV/µs 更改为100kV/μs(在节7.13 中).......................................................................16
• 将tDO 典型值从6μs 更改为0.1μs,并将最大值从9µs 更改为0.3µs(在节7.15 中).................................18
• 将tDO 典型值从6μs 更改为0.1μs,并将最大值从9µs 更改为0.3µs(在节7.16 中).................................18
• 将tDO 典型值从6μs 更改为0.1μs,并将最大值从9µs 更改为0.3µs(在节7.17 中).................................19
• 在图7-14 中交换了2.5V 时VCC 与3.3V 时VCC 所对应的线条颜色................................................................ 21
• 切换了电源欠压阈值与自然通风温度间的关系图例中VCC1 下降和VCC2 上升的标签......................................21
Changes from Revision * (November 2016) to Revision A (May 2018)
Page
• 更新了安全相关认证表.....................................................................................................................................10
• 在所有电气特性表中将CMTI 最小值从40 更改为85......................................................................................12
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5 说明(续)
这些器件与隔离式电源搭配使用,有助于防止数据总线(例如,CAN 和 LIN)或其他电路上的噪声电流进入本地
接地以及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布局技术,ISO774x-Q1 器件 的电磁兼容性得到了显著增
强,可轻松满足系统级 ESD、EFT、浪涌和辐射方面的合规要求。ISO774x-Q1 器件 采用 16 引脚宽体 SOIC
(DW) 和QSOP (DBQ) 封装。ISO7741-Q1 还提供超宽SOIC (DWW) 封装。
6 引脚配置和功能
1
2
3
4
5
6
7
8
16
V
V
CC1
CC2
GND1
INA
15 GND2
14 OUTA
13 OUTB
12 OUTC
11 OUTD
10 EN2
9 GND2
INB
INC
IND
NC
GND1
图6-1. ISO7740-Q1 DW 和DBQ 封装16 引脚SOIC-WB 和QSOP 顶视图
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1
2
3
4
5
6
7
8
16
V
V
CC1
CC2
GND1
INA
15 GND2
14 OUTA
13 OUTB
12 OUTC
11 IND
10 EN2
9 GND2
INB
INC
OUTD
EN1
GND1
图6-2. ISO7741-Q1DWW、DW 和DBQ 封装16 引脚SOIC-Extra-WB、SOIC-WB 和QSOP 顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
V
V
CC1
CC2
GND1
INA
15 GND2
14 OUTA
13 OUTB
12 INC
11 IND
10 EN2
9 GND2
INB
OUTC
OUTD
EN1
GND1
图6-3. ISO7742-Q1 DW 和DBQ 封装16 引脚SOIC-WB 和QSOP 顶视图
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引脚功能
引脚
I/O
说明
ISO7740-Q1 ISO7741-Q1
ISO7742-Q1
名称
输出使能1。EN1 为高电平或开路时,启用侧1 的输出引脚,EN1 为
低电平时,处于高阻抗状态。
EN1
7
7
I
I
—
输出使能2。EN2 为高电平或开路时,启用侧2 的输出引脚,EN2 为
低电平时,处于高阻抗状态。
EN2
10
10
10
2
8
2
8
2
8
GND1
V
V
CC1 的接地连接
CC2 的接地连接
—
—
9
9
9
GND2
15
3
15
3
15
3
INA
I
I
I
I
输入,通道A
输入,通道B
输入,通道C
输入,通道D
未连接
INB
4
4
4
INC
5
5
12
11
IND
6
11
NC
7
—
—
—
OUTA
OUTB
OUTC
OUTD
VCC1
VCC2
14
13
12
11
1
14
14
O
输出,通道A
输出,通道B
输出,通道C
输出,通道D
电源,侧1
13
12
6
13
5
O
O
6
O
1
1
—
—
16
16
16
电源,侧2
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7 规格
7.1 绝对最大额定值
请参阅(1)
最小值
–0.5
-0.5
最大值
单位
V
V
CC1、VCC2
电源电压(2)
6
V
VCCX + 0.5(3)
V
INx、OUTx、ENx 处的电压
IO
-15
15
mA
°C
°C
输出电流
结温
TJ
150
150
Tstg
–65
贮存温度
(1) 应力超出绝对最大额定值下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些仅仅是应力等级,并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条
件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 差分I/O 总线电压以外的所有电压值均为相对于本地接地端子(GND1 或GND2)的峰值电压值。
(3) 最大电压不得超过6V。
7.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM),符合AEC Q100-002(1)
HBM ESD 分类等级3A
±6000
V(ESD)
V
充电器件模型(CDM),符合AEC Q100-011
CDM ESD 分类等级C6
静电放电
±1500
±8000
根据IEC 61000-4-2 进行接触放电;隔离栅耐受测试(2) (3)
(1) AEC Q100-002 指示应当按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范执行HBM 应力测试。
(2) 在隔离栅上施加IEC ESD 冲击并将两侧的所有引脚都连在一起来构成一个双端子器件。
(3) 在空气或油中进行测试,旨在确定器件的固有接触放电能力。
7.3 建议运行条件
最小值
标称值
最大值
单位
2.25
5.5
V
V
V
CC1、VCC2
电源电压
VCC(UVLO+)
VCC(UVLO-)
VHYS(UVLO)
2
1.8
2.25
电源电压上升时的UVLO 阈值
电源电压下降时的UVLO 阈值
电源电压UVLO 迟滞
1.7
100
-4
V
200
mV
VCCO (1) = 5V
VCCO = 3.3V
VCCO = 2.5V
VCCO = 5V
-2
IOH
mA
mA
高电平输出电流
低电平输出电流
–1
4
2
IOL
VCCO = 3.3V
VCCO = 2.5V
1
(1)
VIH
VIL
DR
TA
0.7 × VCCI
VCCI
V
V
高电平输入电压
低电平输入电压
数据速率(2)
0
0
0.3 × VCCI
100
Mbps
°C
-40
25
125
环境温度
(1) VCCI = 输入侧VCC;VCCO = 输出侧VCC。
(2) 尽管可以实现更高的数据速率,但最大指定数据速率为100Mbps。
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7.4 热性能信息
ISO774x-Q1
DBQ
热指标(1)
DWW (SOIC) DW (SOIC)
单位
(QSOP)
16 引脚
109
16 引脚
58.3
21.4
30.5
7.1
16 引脚
83.4
46
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
54.4
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板热阻
48
51.9
19.1
47.5
14.2
ψJT
结至顶部的特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳(底部)热阻
29.8
51.4
ψJB
RθJC(bottom)
—
—
—
(1) 有关新旧热指标的更多信息,请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
7.5 额定功率
参数
测试条件
最小 典型值 最大
单位
值
值
ISO7740-Q1
PD
200
40
mW
mW
mW
最大功耗
VCC1 = VCC2 = 5.5V,TJ = 150°C,CL = 15pF,
输入50MHz 50% 占空比方波
PD1
PD2
最大功耗(侧1)
最大功耗(侧2)
160
ISO7741-Q1
PD
200
75
mW
mW
mW
最大功耗
VCC1 = VCC2 = 5.5V,TJ = 150°C,CL = 15pF,
输入50MHz 50% 占空比方波
PD1
PD2
最大功耗(侧1)
最大功耗(侧2)
125
ISO7742-Q1
PD
200
100
100
mW
mW
mW
最大功耗
VCC1 = VCC2 = 5.5V,TJ = 150°C,CL = 15pF,
输入50MHz 50% 占空比方波
PD1
PD2
最大功耗(侧1)
最大功耗(侧2)
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7.6 绝缘规格
值
参数
测试条件
单位
DWW-16 DW-16
DBQ-16
>3.7
>3.7
>21
外部间隙(1)
CLR
CPG
DTI
>14.5
>14.5
>21
>600
I
>8
>8
mm
mm
端子间的最短空间距离
端子间的最短封装表面距离
最小内部间隙
外部爬电距离(1)
绝缘穿透距离
相对漏电起痕指数
材料组别
>21
>600
I
μm
CTI
DIN EN 60112 (VDE 0303-11);IEC 60112
符合IEC 60664-1
>600
I
V
I-IV
I-IV
I-IV
I-III
I-III
额定市电电压≤300VRMS
额定市电电压≤600VRMS
额定市电电压≤1000VRMS
I-IV
过压类别(符合IEC 60664-1)
不适用
不适用
I-IV
DIN VDE V 0884-11:2017-01(2)
VIORM
2828
2000
2828
2121
1500
2121
566
400
566
VPK
VRMS
VDC
交流电压(双极)
最大重复峰值隔离电压
交流电压;时间依赖型电介质击穿(TDDB) 测试;请参阅图10-7
VIOWM
最大工作隔离电压
直流电压
VTEST = VIOTM
t = 60s(鉴定测试);
VTEST = 1.2 × VIOTM
,
VIOTM
8000
8000
4242
VPK
最大瞬态隔离电压
,
t = 1s(100% 生产测试)
测试方法符合IEC 62368-1,1.2/50µs 波形,
VTEST = 1.6 × VIOSM(鉴定测试)
最大浪涌隔离电压(3)
VIOSM
8000
8000
4000
VPK
方法a,输入/输出安全测试子组2/3 后,
Vini = VIOTM,tini = 60s;
Vpd(m) = 1.2 × VIORM,tm = 10s
≤5
≤5
≤5
方法a,环境测试子组1 后,
Vini = VIOTM,tini = 60s;
视在电荷(4)
≤5
≤5
≤5
≤5
≤5
≤5
qpd
pC
Vpd(m) = 1.6 × VIORM,tm = 10s
方法b1,常规测试(100% 生产测试)和预处理(类型测试),
Vini = 1.2 × VIOTM,tini = 1s;
Vpd(m) = 1.875 × VIORM,tm = 1s
势垒电容,输入至输出(5)
VIO = 0.4 × sin (2πft),f = 1 MHz
VIO = 500V,TA = 25°C
CIO
RIO
~1
>1012
>1011
>109
2
~1
>1012
>1011
>109
2
~1
>1012
>1011
>109
2
pF
隔离电阻(5)
VIO = 500V,100°C ≤TA ≤125°C
VIO = 500V,TS = 150°C
Ω
污染等级
气候类别
55/125/
21
55/125/
21
55/125/
21
UL 1577
VTEST = VISO,t = 60s(鉴定测试);
VTEST = 1.2 × VISO,t = 1s(100% 生产测试)
VISO
5700
5000
3000
VRMS
最大耐受隔离电压
(1) 爬电距离和间隙应满足应用的特定设备隔离标准中的要求。请注意保持电路板设计的爬电距离和间隙,从而确保印刷电路板上隔离器的
安装焊盘不会导致此距离缩短。在某些情况下,印刷电路板上的爬电距离和间隙变得相等。在印刷电路板上插入坡口和/或肋等技术用于
帮助提高这些规格。
(2) 此耦合器仅适用于安全等级范围内的安全电气绝缘。应借助合适的保护电路来确保符合安全等级。
(3) 在空气或油中执行测试,以确定隔离栅的固有浪涌抗扰度。
(4) 视在电荷是由局部放电(pd) 引起的电气放电。
(5) 将隔离栅每一侧的所有引脚都连在一起,构成一个双端子器件。
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TUV
7.7 安全相关认证
VDE
CSA
UL
CQC
根据EN 61010-1:2010/
根据DIN VDE V
0884-11:2017-01 进行了认
证
A1:2019、EN
根据IEC 60950-1、IEC 62368-1
和IEC 60601-1 进行了认证
根据UL 1577 组件认证计划进 根据GB 4943.1-2011 进行了认
60950-1:2006/A2:2013 和
EN 62368-1:2014 进行了认
证
行了认证
证
符合EN 61010-1:2010/
A1:2019 标准的5700VRMS
(DWW-16)、5000VRMS
(DW-16) 和3000VRMS
(DBQ-16) 增强型绝缘,高达
1000VRMS (DWW-16)、
600VRMS (DW-16) 和
300VRMS (DBQ-16) 的工作
电压
符合CSA 60950-1-07+A1+A2、
IEC 60950-1 第2 版+A1+A2、
CSA 62368-1-14 和IEC 62368-1
第2 版标准的增强型绝缘
1450VRMS (DWW-16)、800VRMS
(DW-16) 和370VRMS (DBQ-16)
最大工作电压(污染等级2,材料
组I);
2 MOPP(患者保护方法),符合
CSA 60601-1:14 和IEC
60601-13.1 版本标准,400VRMS
(DWW-16) 和250 VRMS (DW-16)
最大工作电压
最大瞬态隔离电压,
8000VPK (DWW-16/DW-16)
和4242VPK (DBQ-16);
最大重复峰值隔离电压,
2828VPK(DWW-16,增强
型)2121VPK(DW-16,增
强型)和566VPK
DWW-16:增强型绝缘,海拔
≤5000m,热带气候,1450
VRMS 最大工作电压;
DW-16:增强型绝缘,海拔≤
5000m,热带气候,700VRMS
最大工作电压;
DBQ-16:基础型绝缘,海拔≤
5000m,热带气候,400VRMS
最大工作电压
DW-16:单一保护,
5000VRMS
;
符合EN 60950-1:2006/
A2:2013 和EN
DBQ-16:单一保护,
3000VRMS
(DBQ-16);
62368-1:2014 标准的
5700VRMS (DWW-16)、
5000VRMS (DW-16) 和
3000VRMS (DBQ-16) 增强型
绝缘,高达1450VRMS
(DWW-16)、800VRMS
(DW-16) 和370VRMS
(DBQ-16) 的工作电压
最大浪涌隔离电压,
8000VPK(DWW-16/
DW-16,增强型)和
4000VPK (DBQ-16)
证书编号:
CQC15001121716 (DWx-16)
CQC18001199097 (DBQ-16)
增强型证书:40040142
主合同编号:220991
文件编号:E181974
客户端ID 编号:77311
7.8 安全限值
安全限制(1)旨在最大限度地减小在发生输入或输出电路故障时对隔离栅的潜在损害。I/O 发生故障时会导致低电阻接地或连接
到电源,如果没有限流电路,则会因为功耗过大而导致芯片过热并损坏隔离栅,甚至可能导致辅助系统出现故障。
最小 典型 最大
参数
测试条件
单位
值
值
值
DWW-16 封装
R
7-1
θJA = 58.3 °C/W,VI = 5.5V,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图
390
R
7-1
θJA = 58.3 °C/W,VI = 3.6V,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图
IS
596 mA
安全输入、输出或电源电流
R
7-1
θJA = 58.3°C/W,VI = 2.75V,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图
780
PS
TS
2144 mW
R
θJA = 58.3 °C/W,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图7-4
安全输入、输出或总电源
最高安全温度
150
273
°C
DW-16 封装
RθJA = 83.4 °C/W,VI = 5.5V,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图
7-2
R
7-2
θJA = 83.4 °C/W,VI = 3.6V,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图
IS
416 mA
安全输入、输出或电源电流
R
7-2
θJA = 83.4°C/W,VI = 2.75V,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图
545
PS
TS
1499 mW
RθJA = 83.4 °C/W,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图7-5
安全输入、输出或总电源
最高安全温度
150
°C
DBQ-16 封装
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安全限制(1)旨在最大限度地减小在发生输入或输出电路故障时对隔离栅的潜在损害。I/O 发生故障时会导致低电阻接地或连接
到电源,如果没有限流电路,则会因为功耗过大而导致芯片过热并损坏隔离栅,甚至可能导致辅助系统出现故障。
最小 典型 最大
参数
测试条件
单位
值
值
值
R
7-3
θJA = 109 °C/W,VI = 5.5V,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图
209
R
7-3
θJA = 109 °C/W,VI = 3.6V,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图
IS
319 mA
安全输入、输出或电源电流
R
7-3
θJA = 109°C/W,VI = 2.75V,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图
417
PS
TS
1147 mW
RθJA = 109 °C/W,TJ = 150°C,TA = 25°C,请参阅图7-6
安全输入、输出或总电源
最高安全温度
150
°C
(1) 最大安全温度是指规定的器件最大结温。结温取决于应用硬件中所安装器件的功耗和结至空气热阻。节7.4 表中的假定结至空气热阻所
属器件安装在引线式表面贴装封装对应的高K 测试板上。功耗为建议的最大输入电压与电流之积。因此,结温是环境温度加上功耗与结
至空气热阻之积。
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7.9 电气特性- 5V 电源
VCC1 = VCC2 = 5V ±10%(在推荐的运行条件下测得,除非另有说明)
参数
测试条件
IOH = –4mA;请参阅图8-1
IOL = 4mA;请参阅图8-1
最小值
典型值
最大值 单位
(1)
VCCO
–
0.4
VOH
4.8
V
高电平输出电压
VOL
0.2
0.6 × VCCI
0.4 × VCCI
0.2 × VCCI
0.4
V
V
低电平输出电压
上升输入电压阈值
下降输入电压阈值
输入阈值电压迟滞
高电平输入电流
低电平输入电流
VIT+(IN)
VIT-(IN)
VI(HYS)
IIH
0.7 × VCCI
0.3 × VCCI
0.1 × VCCI
V
V
(1)
10
在INx 或ENx 处,VIH = VCCI
在INx 或ENx 处,VIL = 0V
μA
μA
IIL
–10
VI = VCCI 或0V,VCM = 1200V;请参阅图
CMTI
CI
85
100
2
kV/μs
共模瞬态抗扰度
输入电容(2)
8-4
VI = VCC/ 2 + 0.4×sin(2πft),f = 1MHz,
VCC = 5V
pF
(1) VCCI = 输入侧VCC;VCCO = 输出侧VCC。
(2) 输入引脚到接地端的测量结果。
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7.10 电源电流特性- 5V 电源
VCC1 = VCC2 = 5V ±10%(在推荐的运行条件下测得,除非另有说明)。
参数
测试条件
电源电流
最小值 典型值
最大值 单位
ISO7740-Q1
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
1.2
0.3
5.5
0.3
1.2
2
1.6
0.5
7.8
0.5
1.6
3.2
EN2 = 0V;VI = VCC1 (ISO7740-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
电源电流- 禁用
EN2 = 0V;VI = 0V (ISO7740-Q1);
VI = VCC1(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
EN2 = VCC2;VI = VCC1 (ISO7740-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
电源电流- 直流信号
5.5
2.2
3.3
2.3
3.4
4.2
3.8
22.7
7.8
mA
3.6
EN2 = VCC2;VI = 0V (ISO7740-Q1);
VI = VCC1(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
4.7
3.6
4.8
5.8
5.7
28
1Mbps
所有通道均通过方波时钟输入实现开
关;CL = 15pF
10Mbps
电源电流- 交流信号
100Mbps
ISO7741-Q1
EN1 = EN2 = 0V;VI = VCCI (1) (ISO7741-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
1
0.8
4.3
1.8
1.5
2
1.5
1.1
6.3
2.7
2.3
3
电源电流- 禁用
EN1 = EN2 = 0V;VI = 0V (ISO7741-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
EN1 = EN2 = VCCI;VI = VCCI (ISO7741-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
电源电流- 直流信号
4.8
3.2
3.2
2.8
3.7
4.2
8.6
18
6.8
mA
4.9
EN1 = EN2 = VCCI;VI = 0V (ISO7741-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
4.6
4.1
5.2
5.7
11.3
22
1Mbps
所有通道均通过方波时钟输入实现开
10Mbps
电源电流- 交流信号
关;CL = 15pF
100Mbps
ISO7742-Q1
EN1 = EN2 = 0V;VI = VCCI (ISO7742-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
0.9
3
1.3
4.6
I
I
I
I
CC1、ICC2
CC1、ICC2
CC1、ICC2
CC1、ICC2
电源电流- 禁用
EN1 = EN2 = 0V;VI = 0V (ISO7742-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
EN1 = EN2 = VCCI;VI = VCCI (ISO7742-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
1.7
4
2.7
mA
电源电流- 直流信号
EN1 = EN2 = VCCI;VI = 0V (ISO7742-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
5.9
1Mbps
3
4
4.4
5.5
17
I
I
I
CC1、ICC2
CC1、ICC2
CC1、ICC2
所有通道均通过方波时钟输入实现开
关;CL = 15pF
10Mbps
电源电流- 交流信号
100Mbps
13.4
(1) VCCI = 输入侧VCC
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7.11 电气特性- 3.3V 电源
VCC1 = VCC2 = 3.3V ±10%(在推荐的运行条件下测得,除非另有说明)
参数
测试条件
IOH = –2mA;请参阅图8-1
IOL = 2mA;请参阅图8-1
最小值
典型值
最大值
单位
VCCO (1) –0.3
VOH
3.2
V
高电平输出电压
低电平输出电压
上升输入电压阈值
下降输入电压阈值
输入阈值电压迟滞
高电平输入电流
低电平输入电流
共模瞬态抗扰度
VOL
0.1
0.6 × VCCI
0.4 × VCCI
0.2 × VCCI
0.3
V
V
VIT+(IN)
VIT-(IN)
VI(HYS)
IIH
0.7 × VCCI
0.3 × VCCI
0.1 × VCCI
V
V
(1)
10
在INx 或ENx 处,VIH = VCCI
在INx 或ENx 处,VIL = 0V
μA
μA
kV/μs
IIL
–10
CMTI
85
100
VI = VCCI 或0V,VCM = 1200V;请参阅图8-4
(1) VCCI = 输入侧VCC;VCCO = 输出侧VCC。
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7.12 电源电流特性- 3.3V 电源
VCC1 = VCC2 = 3.3V ±10%(在推荐的运行条件下测得,除非另有说明)。
参数
测试条件
电源电流
最小值 典型值 最大值
单位
ISO7740-Q1
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
1.2
0.3
5.5
0.3
1.2
1.9
5.5
2.2
3.3
2.2
3.4
3.6
3.3
17
1.6
0.5
7.8
0.5
1.6
3.2
7.8
3.6
4.7
3.6
4.8
5
EN2 = 0V;VI = VCC1 (ISO7740-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
电源电流- 禁用
EN2 = 0V;VI = 0V (ISO7740-Q1);
VI = VCC1(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
EN2 = VCC2;VI = VCC1 (ISO7740-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
电源电流- 直流信号
EN2 = VCC2;VI = 0V (ISO7740-Q1);
VI = VCC1(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
mA
1Mbps
所有通道均通过方波时钟输入实现开
关;CL = 15pF
10Mbps
电源电流- 交流信号
5.5
20
100Mbps
ISO7741-Q1
EN1 = EN2 = 0V;VI = VCCI (1) (ISO7741-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
1
0.8
4.3
1.9
1.5
2
1.5
1.1
6.3
2.7
2.3
3
电源电流- 禁用
EN1 = EN2 = 0V;VI = 0V (ISO7741-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
EN1 = EN2 = VCCI;VI = VCCI (ISO7741-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
电源电流- 直流信号
电源电流- 交流信号
4.8
3.2
3.2
2.7
3.5
3.7
6.8
13.7
6.8
4.9
4.6
4.1
5
EN1 = EN2 = VCCI;VI = 0V (ISO7741-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
mA
1Mbps
所有通道均通过方波时钟输入实现开
10Mbps
关;CL = 15pF
5.2
9.3
16.4
100Mbps
ISO7742-Q1
EN1 = EN2 = 0V;VI = VCCI (ISO7742-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
0.9
3
1.3
4.6
2.7
5.9
I
I
I
I
CC1、ICC2
CC1、ICC2
CC1、ICC2
CC1、ICC2
电源电流- 禁用
EN1 = EN2 = 0V;VI = 0V (ISO7742-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
EN1 = EN2 = VCCI;VI = VCCI (ISO7742-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
1.7
4
mA
电源电流- 直流信号
EN1 = EN2 = VCCI;VI = 0V (ISO7742-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
1Mbps
2.9
3.6
4.3
5.1
13
I
I
I
CC1、ICC2
CC1、ICC2
CC1、ICC2
所有通道均通过方波时钟输入实现开
关;CL = 15pF
10Mbps
电源电流- 交流信号
100Mbps
10.3
(1) VCCI = 输入侧VCC
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7.13 电气特性- 2.5V 电源
VCC1 = VCC2 = 2.5V ±10%(在推荐的运行条件下测得,除非另有说明)
参数
测试条件
IOH = –1mA;请参阅图8-1
IOL = 1mA;请参阅图8-1
最小值
典型值
最大值
单位
VCCO (1) –0.2
VOH
2.45
V
高电平输出电压
低电平输出电压
上升输入电压阈值
下降输入电压阈值
输入阈值电压迟滞
高电平输入电流
低电平输入电流
共模瞬态抗扰度
VOL
0.05
0.6 × VCCI
0.4 × VCCI
0.2 × VCCI
0.2
V
V
VIT+(IN)
VIT-(IN)
VI(HYS)
IIH
0.7 × VCCI
0.3 × VCCI
0.1 × VCCI
V
V
(1)
10
在INx 或ENx 处,VIH = VCCI
在INx 或ENx 处,VIL = 0V
μA
μA
kV/μs
IIL
–10
CMTI
85
100
VI = VCCI 或0V,VCM = 1200V;请参阅图8-4
(1) VCCI = 输入侧VCC;VCCO = 输出侧VCC。
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7.14 电源电流特性- 2.5V 电源
VCC1 = VCC2 = 2.5V ±10%(在推荐的运行条件下测得,除非另有说明)
参数
测试条件
电源电流
最小值 典型值
最大值 单位
ISO7740-Q1
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
1.2
0.3
5.5
0.3
1.2
1.9
5.4
2.2
3.3
2.2
3.4
3.2
3.2
13
1.6
0.5
7.8
0.5
1.6
3.2
EN2 = 0V;VI = VCC1 (ISO7740-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
电源电流- 禁用
EN2 = 0V;VI = 0V (ISO7740-Q1);
VI = VCC1(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
EN2 = VCC2;VI = VCC1 (ISO7740-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
电源电流- 直流信号
7.8
mA
3.6
EN2 = VCC2;VI = 0V (ISO7740-Q1);
VI = VCC1(带有后缀F 的ISO7740-Q1)
4.7
3.5
4.8
4.7
5.4
17
1Mbps
所有通道均通过方波时钟输入实现
开关;CL = 15pF
10Mbps
电源电流- 交流信号
100Mbps
ISO7741-Q1
EN1 = EN2 = 0V;VI = VCCI (1) (ISO7741-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
ICC1
ICC2
1
0.8
4.3
1.8
1.4
2
1.5
1.1
6.3
2.7
2.3
3
电源电流- 禁用
EN1 = EN2 = 0V;VI = 0V (ISO7741-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
EN1 = EN2 = VCCI;VI = VCCI (ISO7741-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
电源电流- 直流信号
4.7
3.2
3.1
2.7
3.4
3.5
5.6
10.8
6.8
mA
4.9
EN1 = EN2 = VCCI;VI = 0V (ISO7741-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7741-Q1)
4.6
4
1Mbps
4.9
4.9
8.3
13.8
所有通道均通过方波时钟输入实现
10Mbps
电源电流- 交流信号
开关;CL = 15pF
100Mbps
ISO7742-Q1
EN1 = EN2 = 0V;VI = VCCI (ISO7742-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
0.9
3
1.3
4.6
I
I
I
I
CC1、ICC2
CC1、ICC2
CC1、ICC2
CC1、ICC2
电源电流- 禁用
EN1 = EN2 = 0V;VI = 0V (ISO7742-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
EN1 = EN2 = VCCI;VI = VCCI (ISO7742-Q1);
VI = 0V(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
1.7
4
2.7
mA
电源电流- 直流信号
EN1 = EN2 = VCCI;VI = 0V (ISO7742-Q1);
VI = VCCI(带有后缀F 的ISO7742-Q1)
5.9
1Mbps
2.9
3.4
8.3
4.3
4.9
I
I
I
CC1、ICC2
CC1、ICC2
CC1、ICC2
所有通道均通过方波时钟输入实现
开关;CL = 15pF
10Mbps
电源电流- 交流信号
100Mbps
11.5
(1) VCCI = 输入侧VCC
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7.15 开关特性- 5V 电源
VCC1 = VCC2 = 5V ±10%(在推荐的运行条件下测得,除非另有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值 单位
6
10.7
16
4.9
4
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PLH、tPHL
传播延迟时间
请参阅图8-1
脉宽失真度(1) |tPHL –tPLH
通道间输出偏斜时间(2)
器件间偏斜时间(3)
输出信号上升时间
输出信号下降时间
|
PWD
tsk(o)
tsk(pp)
tr
0
同向通道
4.4
3.9
3.9
20
20
20
2.4
2.4
9
请参阅图8-1
tf
tPHZ
tPLZ
禁用传播延时,高电平至高阻抗输出
9
禁用传播延时,低电平至高阻抗输出
7
启用传播延时,高阻抗至高电平输出,适用于ISO774x-Q1
tPZH
启用传播延时,高阻抗至高电平输出,适用于带有后缀F 的
请参阅图8-2
3
3
7
8.5
8.5
20
μs
μs
ns
ISO774x-Q1
启用传播延时,高阻抗至低电平输出,适用于ISO774x-Q1
tPZL
启用传播延时,高阻抗至低电平输出,适用于带有后缀F 的
ISO774x-Q1
从VCC 低于1.7V 之时开始测量。请参
阅图8-4
tDO
tie
0.1
0.8
0.3
μs
输入功率损耗的默认输出延时时间
时间间隔误差
100Mbps 时的PRBS 数据为216 –1
ns
(1) 也称为脉冲偏斜。
(2)
(3)
t
t
sk(o) 是以下单个器件的输出之间的偏斜:所有驱动输入均连在一起且在驱动相同负载时输出在相同方向上开关。
sk(pp) 是以下不同器件的任意端子之间的传播延迟时间差幅度:在相同电源电压、温度、输入信号和负载下工作,同时在相同方向上开
关。
7.16 开关特性- 3.3V 电源
VCC1 = VCC2 = 3.3V ±10%(在推荐的运行条件下测得,除非另有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值 最大值
单位
6
11
16
5
ns
t
PLH、tPHL
传播延迟时间
请参阅图8-1
脉宽失真度(1) |tPHL –tPLH
通道间输出偏斜时间(2)
器件间偏斜时间(3)
输出信号上升时间
输出信号下降时间
|
PWD
tsk(o)
tsk(pp)
tr
0.1
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4.1
4.5
3
同向通道
1.3
1.3
17
17
17
请参阅图8-1
tf
3
tPHZ
tPLZ
30
30
30
禁用传播延时,高电平至高阻抗输出
禁用传播延时,低电平至高阻抗输出
启用传播延时,高阻抗至高电平输出,适用于ISO774x-Q1
tPZH
启用传播延时,高阻抗至高电平输出,适用于带有后缀F 的
请参阅图8-2
3.2
3.2
17
8.5
8.5
30
μs
μs
ns
ISO774x-Q1
启用传播延时,高阻抗至低电平输出,适用于ISO774x-Q1
tPZL
启用传播延时,高阻抗至低电平输出,适用于带有后缀F 的
ISO774x-Q1
从VCC 低于1.7V 之时开始测量。请参
阅图8-4
tDO
tie
0.1
0.9
0.3
μs
输入功率损耗的默认输出延时时间
时间间隔误差
100Mbps 时的PRBS 数据为216 –1
ns
(1) 也称为脉冲偏斜。
(2)
(3)
t
t
sk(o) 是以下单个器件的输出之间的偏斜:所有驱动输入均连在一起且在驱动相同负载时输出在相同方向上开关。
sk(pp) 是以下不同器件的任意端子之间的传播延迟时间差幅度:在相同电源电压、温度、输入信号和负载下工作,同时在相同方向上开
关。
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7.17 开关特性- 2.5V 电源
VCC1 = VCC2 = 2.5V ±10%(在推荐的运行条件下测得,除非另有说明)
参数
测试条件
最小值 典型值
7.5 12
最大值
18.5
单位
ns
t
PLH、tPHL
传播延迟时间
请参阅图8-1
脉宽失真(1) |tPHL –tPLH
通道间输出偏斜时间(2)
器件间偏斜时间(3)
输出信号上升时间
输出信号下降时间
|
PWD
tsk(o)
tsk(pp)
tr
0.2
5.1
4.1
4.6
3.5
3.5
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
同向通道
1
1
请参阅图8-1
tf
tPHZ
tPLZ
22
22
18
禁用传播延时,高电平至高阻抗输出
40
禁用传播延时,低电平至高阻抗输出
40
启用传播延时,高阻抗至高电平输出,适用于ISO774x-Q1
tPZH
启用传播延时,高阻抗至高电平输出,适用于带有后缀F
的ISO774x-Q1
请参阅图8-2
3.3
3.3
18
8.5
8.5
40
μs
μs
ns
启用传播延时,高阻抗至低电平输出,适用于ISO774x-Q1
tPZL
启用传播延时,高阻抗至低电平输出,适用于带有后缀F
的ISO774x-Q1
从VCC 低于1.7V 之时开始测量。请参
阅图8-4
tDO
tie
0.1
0.7
0.3
μs
输入功率损耗的默认输出延时时间
时间间隔误差
100Mbps 时的PRBS 数据为216 –1
ns
(1) 也称为脉冲偏斜。
(2)
(3)
t
t
sk(o) 是以下单个器件的输出之间的偏斜:所有驱动输入均连在一起且在驱动相同负载时输出在相同方向上开关。
sk(pp) 是以下不同器件的任意端子之间的传播延迟时间差幅度:在相同电源电压、温度、输入信号和负载下工作,同时在相同方向上开
关。
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7.18 绝缘特性曲线
800
600
500
400
300
200
100
0
VCC1 = VCC2 = 2.75 V
VCC1 = VCC2 = 3.6 V
VCC1 = VCC2 = 5.5 V
VCC1 = VCC2 = 2.75 V
VCC1 = VCC2 = 3.6 V
VCC1 = VCC2 = 5.5 V
600
400
200
0
0
50
100
Ambient Temperature (oC)
150
200
0
50
100
Ambient Temperature (èC)
150
200
D017
D001
图7-1. DWW-16 封装安全限制电流的热降额曲线
图7-2. DW-16 封装安全限制电流的热降额曲线
450
2250
2000
1750
1500
1250
1000
750
VCC1 = VCC2 = 2.75 V
VCC1 = VCC2 = 3.6 V
VCC1 = VCC2 = 5.5 V
400
350
300
250
200
150
100
50
500
250
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
50
100
Ambient Temperature (èC)
150
200
Ambient Temperature (oC)
D018
D002
图7-4. DWW-16 封装安全限制功率的热降额曲线
图7-3. DBQ-16 封装安全限制电流的热降额曲线
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
50
100
Ambient Temperature (èC)
150
200
0
50
100
Ambient Temperature (èC)
150
200
D003
D004
图7-5. DW-16 封装安全限制功率的热降额曲线
图7-6. DBQ-16 封装安全限制功率的热降额曲线
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20
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7.19 典型特性
25
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ICC1 at 2.5 V
ICC1 at 2.5 V
ICC2 at 2.5 V
ICC1 at 3.3 V
ICC2 at 3.3 V
ICC1 at 5 V
ICC2 at 2.5 V
ICC1 at 3.3 V
ICC2 at 3.3 V
ICC1 at 5 V
20
15
10
5
ICC2 at 5 V
ICC2 at 5 V
0
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
D005
D006
TA = 25°C
CL = 15pF
TA = 25°C
CL = 无负载
图7-7. ISO7740-Q1 电源电流与数据速率间的关系
(具有15pF 负载)
图7-8. ISO7740-Q1 电源电流与数据速率间的关系
(无负载)
20
9
ICC1 at 2.5 V
ICC2 at 2.5 V
ICC1 at 3.3 V
ICC2 at 3.3 V
ICC1 at 5 V
ICC2 at 5 V
ICC1 at 2.5 V
18
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ICC2 at 2.5 V
ICC1 at 3.3 V
ICC2 at 3.3 V
ICC1 at 5 V
16
14
12
10
8
ICC2 at 5 V
6
4
2
0
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
D007
D008
TA = 25°C
CL = 15pF
TA = 25°C
CL = 无负载
图7-9. ISO7741-Q1 电源电流与数据速率间的关系
(具有15pF 负载)
图7-10. ISO7741-Q1 电源电流与数据速率间的关系
(无负载)
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16
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ICC1 at 2.5 V
ICC1 at 2.5 V
ICC2 at 2.5 V
ICC1 at 3.3 V
ICC2 at 3.3 V
ICC1 at 5 V
ICC2 at 2.5 V
ICC1 at 3.3 V
ICC2 at 3.3 V
ICC1 at 5 V
14
12
10
8
ICC2 at 5 V
ICC2 at 5 V
6
4
2
0
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
D009
D010
TA = 25°C
CL = 15pF
TA = 25°C
CL = 无负载
图7-11. ISO7742-Q1 电源电流与数据速率间的关系
(具有15pF 负载)
图7-12. ISO7742-Q1 电源电流与数据速率间的关系
(无负载)
6
5
4
3
2
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
VCC at 2.5 V
VCC at 3.3 V
VCC at 5 V
VCC at 2.5 V
VCC at 3.3 V
VCC at 5 V
1
0.1
0
0
0
5
10
Low-Level Output Current (mA)
15
-15
-10 -5
High-Level Output Current (mA)
0
D012
D011
TA = 25°C
TA = 25°C
图7-14. 低电平输出电压与低电平输出电流间的关系
图7-13. 高电平输出电压与高电平输出电流间的关系
2.10
2.05
2.00
1.95
1.90
1.85
1.80
14
13
12
11
10
VCC1 Rising
VCC2 Rising
VCC1 Falling
VCC2 Falling
1.75
tPHL at 2.5 V
tPLH at 2.5 V
tPHL at 3.3 V
tPLH at 3.3 V
tPHL at 5 V
tPLH at 5 V
9
1.70
1.65
8
-55
-55
-5
45
95
125
-25
5
35
65
95
125
Free-Air Temperature (èC)
D013
Free-Air Temperature (èC)
D014
图7-15. 电源欠压阈值与自然通风条件下的温度间的关
系
图7-16. 传播延迟时间与自然通风条件下的温度间的关
系
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8 参数测量信息
V
CCI
V
50%
I
50%
IN
OUT
0 V
V
t
t
PHL
PLH
Input
Generator
(See Note A)
C
L
V
I
V
50 ꢀ
O
See Note B
OH
90%
10%
50%
50%
V
O
V
OL
t
r
t
f
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A. 输入脉冲由具有以下特性的发生器提供:PRR ≤50kHz,50% 占空比,tr ≤3ns,tf ≤3ns,ZO = 50Ω。输入端需要50Ω电阻器来端
接输入发生器信号。实际应用中则不需要。
B. CL = 15 pF 并包含±20% 范围内的仪表和设备电容。
图8-1. 开关特性测试电路和电压波形
V
CCO
V
CC
R
L
= 1 kꢀ 1%
V
/ 2
CC
V
/ 2
CC
V
I
IN
OUT
0 V
V
0 V
O
t
t
PLZ
PZL
V
OH
EN
0.5 V
V
V
O
50%
C
L
OL
See Note B
Input
Generator
(See Note A)
V
I
50 ꢀ
V
CC
V
O
IN
OUT
3 V
V / 2
CC
V
/ 2
CC
V
I
0 V
t
PZH
EN
See Note B
R
L
= 1 kꢀ 1%
V
OH
C
L
50%
Input
Generator
(See Note A)
0.5 V
V
O
V
I
0 V
t
50 ꢀ
PHZ
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A. 输入脉冲由具有以下特性的发生器提供:PRR ≤10kHz,50% 占空比,
tr ≤3ns,tf ≤3ns,ZO = 50Ω。
B. CL = 15 pF 并包含±20% 范围内的仪表和设备电容。
图8-2. 启用/禁用传播延时时间测试电路和波形
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V
I
See Note B
V
CC
V
CC
V
1.7 V
I
0 V
default high
IN
OUT
IN = 0 V (Devices without suffix F)
IN = V (Devices with suffix F)
V
O
t
DO
CC
V
OH
C
L
50%
V
O
See Note A
V
OL
default low
A. CL = 15 pF 并包含±20% 范围内的仪表和设备电容。
B. 电源电压斜升速率= 10mV/ns
图8-3. 默认输出延时时间测试电路和电压波形
V
V
CCO
CCI
C = 0.1 µF 1%
C = 0.1 µF 1%
Pass-fail criteria:
The output must
remain stable.
IN
OUT
S1
+
C
L
V
or V
OL
OH
See Note A
œ
GNDO
GNDI
+
œ
V
CM
A. CL = 15 pF 并包含±20% 范围内的仪表和设备电容。
图8-4. 共模瞬态抗扰度测试电路
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9 详细说明
9.1 概述
ISO774x-Q1 系列器件采用开关键控 (OOK) 调制方案,可通过基于二氧化硅的隔离栅传输数字数据。发送器通过
隔离栅发送高频载波来表示一种数字状态,而不发送信号则表示另一种数字状态。接收器在高级信号调节后对信
号进行解调并通过缓冲器级产生输出。如果 ENx 引脚为低电平,则输出变为高阻抗。ISO774x-Q1 器件还采用了
先进的电路技术,可充分提高 CMTI 性能,并有效减少由高频载波和IO 缓冲器开关产生的辐射发射。图9-1 为数
字电容隔离器的概念方框图,展示了典型通道的功能方框图。
9.2 功能方框图
Transmitter
Receiver
EN
OOK
Modulation
TX IN
SiO based
2
RX OUT
TX Signal
Conditioning
RX Signal
Conditioning
Envelope
Detection
Capacitive
Isolation
Barrier
Emissions
Reduction
Techniques
Oscillator
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图9-1. 数字电容隔离器的概念框图
图9-2 所示为开关键控方案工作原理的概念细节。
TX IN
Carrier signal through
isolation barrier
RX OUT
图9-2. 基于开关键控(OOK) 的调制方案
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9.3 特性说明
表9-1 汇总了器件特性。
表9-1. 器件特性
隔离额定值(1)
器件型号
通道方向
最大数据速率
默认输出
封装
DW-16
5000VRMS/8000VPK
3000VRMS/4242VPK
5000VRMS/8000VPK
3000VRMS/4242VPK
5700VRMS/8000VPK
5000VRMS/8000VPK
3000VRMS/4242VPK
5700VRMS/8000VPK
5000VRMS/8000VPK
3000VRMS/4242VPK
5000VRMS/8000VPK
3000VRMS/4242VPK
5000VRMS/8000VPK
3000VRMS/4242VPK
4 个正向,
0 个反向
ISO7740-Q1
100 Mbps
高
低
DBQ-16
DW-16
4 个正向,
0 个反向
带有后缀F 的
ISO7740-Q1
100Mbps
100 Mbps
DBQ-16
DWW-16
DW-16
3 个正向,
1 个反向
ISO7741-Q1
高
低
DBQ-16
DWW-16
DW-16
3 个正向,
1 个反向
带有后缀F 的
ISO7741-Q1
100Mbps
DBQ-16
DW-16
2 个正向,
2 个反向
ISO7742-Q1
100 Mbps
100Mbps
高
低
DBQ-16
DW-16
2 个正向,
2 个反向
带有后缀F 的
ISO7742-Q1
DBQ-16
(1) 有关详细的隔离等级,请参阅节7.7。
9.3.1 电磁兼容性(EMC) 注意事项
恶劣工业环境中的很多应用都对静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT)、浪涌和电磁辐射等干扰非常敏感。IEC
61000-4-x 和CISPR 22 等国际标准对这些电磁干扰进行了规定。尽管系统级性能和可靠性在很大程度上取决于应
用电路板设计和布局,但 ISO774x-Q1 系列器件包含很多芯片级设计改进,可增强整体系统稳健性。其中的一些
改进包括:
• 输入和输出信号引脚以及芯片间接合焊盘具有可靠的ESD 保护单元。
• ESD 单元与电源和接地引脚之间采用低电阻连接。
• 高压隔离电容器具有增强性能,能够更好地耐受ESD、EFT 和浪涌事件。
• 片上去耦电容器更大,可通过低阻抗路径旁路不良的高能信号。
• PMOS 和NMOS 器件通过防护环互相隔离,从而避免触发寄生SCR。
• 通过确保纯差分内部运行,减少隔离栅上的共模电流。
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9.4 器件功能模式
表9-2 列出了ISO774x-Q1 器件的功能模式。
表9-2. 功能表
输出
输入
(INx)(3)
输出使能
(ENx)
(1)
VCCI
VCCO
备注
(OUTx)
H
L
H
L
H 或开路
H 或开路
正常运行:
通道输出假定其输入的逻辑状态。
PU
PU
默认模式:INx 断开时,相应通道输出进入其默认逻辑状态。
ISO774x-Q1 默认为高电平,而带后缀F 的ISO774x-Q1 则默认为低
电平。
Open
X
H 或开路
默认
X
PU
PU
L
Z
输出使能值偏低,会导致输出为高阻抗。
默认模式:VCCI 未上电时,通道输出根据所选默认选项假定逻辑状
态。ISO774x-Q1 默认为高电平,而带后缀F 的ISO774x-Q1 则默认
为低电平。
PD
X
X
H 或开路
默认
V
V
CCI 从未上电转换为上电时,通道输出假定输入的逻辑状态。
CCI 从上电转换为未上电时,通道输出假定所选默认状态。
V
V
CCO 未上电时,通道输出不确定(2)
CCO 从未上电转换为上电时,通道输出假定输入的逻辑状态。
.
X
PD
X
不确定
(1) VCCI = 输入侧VCC;VCCO = 输出侧VCC;PU = 上电(VCC ≥2.25 V);PD = 断电(VCC ≤1.7 V);X = 不相关;H = 高电平;L = 低电
平;Z = 高阻抗
(2) 当1.7V < VCCI 且VCCO < 2.25V 时,输出为不确定状态。
(3) 强驱动输入信号可通过内部保护二极管为浮动VCC 提供微弱的电能,导致输出不确定。
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9.4.1 器件I/O 原理图
Input (ISO774x)
Input (ISO774xF)
V
V
V
V
V
V
V
CCI
CCI
CCI
CCI
CCI
CCI
CCI
1.5 MW
985 W
985 W
INx
INx
1.5 MW
Output
Enable
V
CCO
V
V
V
V
CCO
CCO
CCO
CCO
2 MW
~20 W
1970 W
OUTx
ENx
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图9-3. 器件I/O 原理图
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10 应用和实施
备注
以下应用部分中的信息不属于 TI 元件规范,TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定各元件
是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实现,以确认系统功能。
10.1 应用信息
ISO774x-Q1 器件是高性能四通道数字隔离器。这些器件每侧都配有使能引脚,可用于在多主驱动应用中将各自的
输出置于高阻抗状态,也可用于降低功耗。ISO774x-Q1 器件采用单端 CMOS 逻辑开关技术。VCC1 和VCC2 这两
个电源的电压范围均为 2.25V 至 5.5V。使用数字隔离器进行设计时,请注意由于采用的是单端设计结构,数字隔
离器不符合任何特定的接口标准,并仅用于隔离单端 CMOS 或 TTL 数字信号线。不管接口类型或标准如何,隔
离器通常都放在数据控制器(即μC 或UART)和数据转换器或数据线收发器之间。
10.2 典型应用
图10-1 显示了典型的隔离式CAN 接口实现。
VS
10 ꢀF
3.3 V
2
MBR0520L
Vcc
1:1.33
ISO 3.3V
3
1
1
5
2
D2
IN
OUT
TPS76333-Q1
SN6505x-Q1
10 ꢀF
0.1 ꢀF
10 ꢀF
3
EN
GND
D1
GND
MBR0520L
GND
4
5
ISO Barrier
0.1 ꢀF
0.1 ꢀF
VCC2
0.1 ꢀF
0.1 ꢀF
29,57
3
VCC1
V
VCC
DDIO
1
5
16
26
25
CANRXA
CANTXA
CANH
OUTC
INA
INC
RXD
TXD
7
6
TMS320F28
035PAGQ
4
1
12
14
TCAN1042-Q1
OUTA
CANL
3
GND
2
V
SS
6,28
ISO7742-Q1
0.1 ꢀF
3
0.1 ꢀF
OUTD
INB
VCC
29,57
IND
6
4
11
CANH
TCAN1042-Q1
CANL
V
7
6
DDIO
RXD
TXD
GND
2
4
OUTB
26
25
13
CANRXA
CANTXA
1
TMS320F28
035PAGQ
GND1
GND2
2,8
9,15
V
SS
6,28
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图10-1. 典型隔离式CAN 应用电路
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10.2.1 设计要求
若要使用这些器件进行设计,请使用表10-1 中所列参数。
表10-1. 设计参数
参数
值
2.25 至5.5 V
0.1µF
电源电压:VCC1 和VCC2
V
V
CC1 和GND1 之间的去耦电容器
CC2 和GND2 之间的去耦电容器
0.1µF
10.2.2 详细设计过程
不同于需要外部元件来提高性能、提供偏置或限制电流的光耦合器,ISO774x-Q1 系列器件仅需两个外部旁路电容
器即可工作。
2 mm maximum
from VCC1
2 mm maximum
from VCC2
0.1 µF
0.1 µF
VCC2
VCC1
1
16
GND1
GND2
2
3
15
14
INA
INB
INC
OUTA
OUTB
OUTC
13
4
12
11
10
9
5
6
7
8
IND
OUTD
EN2
EN1
GND2
GND1
图10-2. 典型ISO774x-Q1 电路组装
DWW 封装无需两个串联隔离器或额外的隔离式电源,即可提供更宽的爬电距离和间隙,从而节省设计成本和布
板空间。有关更多详细信息,请参阅技术文档如何满足汽车应用中更高的隔离爬电距离和间隙要求。
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10.2.3 应用曲线
下面展示了ISO774x-Q1 系列器件在最大数据速率100Mbps 下的低抖动和张开度大的典型眼图。
Time = 2.5 ns / div
Time = 2.5 ns / div
图10-3. 眼图:100Mbps PRBS 216 –1,5V,25°C 图10-4. 眼图:100Mbps PRBS 216 –1,3.3V,25°C
Time = 2.5 ns / div
图10-5. 眼图:100Mbps PRBS 216 –1,2.5V,25°C
10.2.3.1 绝缘寿命
绝缘寿命预测数据是使用业界通用的时间依赖性电介质击穿 (TDDB) 测试方法收集的。在该测试中,隔离栅两侧
的所有引脚都连在一起,构成了一个双端子器件并在两侧之间施加高电压;对于 TDDB 测试设置,请参阅图
10-6。绝缘击穿数据是在开关频率为 60 Hz 以及各种高电压条件下在整个温度范围内收集的。对于增强型绝缘,
VDE 标准要求使用故障率小于 1 ppm 的 TDDB 预测线。尽管额定工作隔离电压条件下的预期最短绝缘寿命为 20
年,但是 VDE 增强认证要求工作电压具有额外20% 的安全裕度,寿命具有额外 87.5% 的安全裕度,也就是说在
工作电压高于额定值20% 的条件下,所需的最短绝缘寿命为37.5 年。
图 10-7 展示了隔离栅在整个寿命期内承受高压应力的固有能力。根据 TDDB 数据,DW-16 封装的绝缘耐受能力
为1500VRMS,寿命为135 年,如图10-7 所示。同样,DWW-16 封装的绝缘耐受能力为2000VRMS,相应的寿命
为 34 年。在 400VRMS 工作电压下,DBQ-16 封装的寿命比 DW-16 和 DWW-16 封装长得多。封装尺寸、污染等
级和材料组等因素可能会限制元件的工作电压。
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A
Vcc 1
Vcc 2
Time Counter
> 1 mA
DUT
GND 1
GND 2
V
S
Oven at 150 °C
图10-6. 绝缘寿命测量的测试设置
图10-7. 绝缘寿命预测数据
11 电源相关建议
为确保在各种数据速率和电源电压条件下可靠运行,建议将0.1μF 旁路电容器放置在输入和输出电源引脚(VCC1
和 VCC2)处。电容器应尽量靠近电源引脚放置。如果应用中只有单个初级侧电源,则可以借助德州仪器 (TI) 的
SN6501-Q1 或 SN6505B-Q1 等变压器驱动器为次级侧生成隔离式电源。对于这类应用,有关详细的电源设计和
变压器选择建议,请参阅 SN6501-Q1 适用于隔离式电源的变压器驱动器 和 SN6505x-Q1 适用于隔离式电源的低
噪声1A 变压器驱动器数据表。
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12 布局
12.1 布局指南
至少需要四层才能实现低 EMI PCB 设计(请参阅图 12-1)。层堆叠应符合以下顺序(从上到下):高速信号
层、接地平面、电源平面和低频信号层。
• 在顶层布置高速迹线可避免使用过孔(以及引入其电感),并且可实现隔离器与数据链路的发送器和接收器电
路之间的可靠互连。
• 通过在高速信号层旁边放置一个实心接地平面,可以为传输线互连建立受控阻抗,并为返回电流提供出色的低
电感路径。
• 在接地平面旁边放置电源平面后,会额外产生大约100pF/inch2 的高频旁路电容。
• 在底层路由速度较慢的控制信号可实现更高的灵活性,因为这些信号链路通常具有裕量来承受过孔等导致的不
连续性。
如果需要额外的电源电压平面或信号层,请在堆栈中添加另一个电源平面或接地平面系统,以使其保持对称。这
样可使堆栈保持机械稳定并防止其翘曲。此外,每个电源系统的电源平面和接地平面可以放置得更靠近彼此,从
而显著增大高频旁路电容。
有关详细的布局建议,请参阅数字隔离器设计指南。
12.1.1 PCB 材料
对于运行速度低于 150Mbps(或上升和下降时间大于 1ns)且布线长度达 10 英寸的数字电路板,请使用标准
FR-4 UL94V-0 印刷电路板。该 PCB 在高频下具有较低的电介质损耗、较低的吸湿性、较高的强度和刚度以及自
熄性可燃性特征,因而优于较便宜的替代产品。
12.2 布局示例
High-speed traces
10 mils
Ground plane
Keep this
FR-4
space free
from planes,
traces, pads,
and vias
40 mils
10 mils
0 ~ 4.5
r
Power plane
Low-speed traces
图12-1. 原理图布局示例
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13 器件和文档支持
13.1 文档支持
13.1.1 相关文档
请参阅如下相关文档:
• 德州仪器(TI),数字隔离器设计指南
• 德州仪器(TI),隔离相关术语
• 德州仪器(TI),如何通过隔离改善工业系统的ESD、EFT 和浪涌抗扰性应用报告
• 德州仪器(TI),SN6501-Q1 用于隔离式电源的变压器驱动器数据表
• 德州仪器(TI),SN6505 用于隔离式电源的低噪声1A 变压器驱动器数据表
• 德州仪器(TI),TCAN1042-Q1 具有CAN FD 的汽车故障保护CAN 收发器数据表
• 德州仪器(TI),TMS320F28035 Piccolo™ 微控制器数据表
• 德州仪器(TI),TPS76333-Q1 低功耗150mA 低压降线性稳压器数据表
13.2 相关链接
下表列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持和社区资源、工具和软件,以及申请样片或购买产品的快速
链接。
表13-1. 相关链接
器件
产品文件夹
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立即订购
点击此处
点击此处
点击此处
技术文档
点击此处
点击此处
点击此处
工具和软件
点击此处
点击此处
点击此处
支持和社区
点击此处
点击此处
点击此处
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13.3 接收文档更新通知
若要接收文档更新通知,请导航至ti.com.cn 上的器件产品文件夹。点击右上角的提醒我进行注册,即可每周接收
产品信息更改摘要。有关更改的详细信息,请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
13.4 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料,可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范,并且不一定反映 TI 的观点;请参阅
TI 的《使用条款》。
13.5 商标
Piccolo™ is a trademark of Texas Instruments.
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
13.6 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序,可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级,大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏,这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
13.7 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
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14 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更,恕不另行通知,
且不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本,请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
ISO7740FQDBQQ1
ISO7740FQDBQRQ1
ISO7740FQDWQ1
ISO7740FQDWRQ1
ISO7740QDBQQ1
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ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SSOP
SSOP
SOIC
SOIC
SSOP
SSOP
SOIC
SOIC
SSOP
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SSOP
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
DBQ
DBQ
DW
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
75
RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
7740FQ
2500 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
75 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
75 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
45 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
75 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
45 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
7740FQ
ISO7740FQ
ISO7740FQ
7740Q
DW
DBQ
DBQ
DW
7740Q
ISO7740Q
ISO7740Q
7741FQ
ISO7740QDWRQ1
ISO7741FQDBQQ1
ISO7741FQDBQRQ1
ISO7741FQDWQ1
ISO7741FQDWRQ1
ISO7741FQDWWQ1
ISO7741FQDWWRQ1
ISO7741QDBQQ1
ISO7741QDBQRQ1
ISO7741QDWQ1
DW
DBQ
DBQ
DW
7741FQ
ISO7741FQ
ISO7741FQ
ISO7741FQ
ISO7741FQ
7741Q
DW
DWW
DWW
DBQ
DBQ
DW
7741Q
ISO7741Q
ISO7741Q
ISO7741Q
ISO7741Q
ISO7741QDWRQ1
ISO7741QDWWQ1
ISO7741QDWWRQ1
DW
DWW
DWW
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
10-Dec-2020
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
ISO7742FQDBQQ1
ISO7742FQDBQRQ1
ISO7742FQDWQ1
ISO7742FQDWRQ1
ISO7742QDBQQ1
ISO7742QDBQRQ1
ISO7742QDWQ1
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SSOP
SSOP
SOIC
SOIC
SSOP
SSOP
SOIC
SOIC
DBQ
DBQ
DW
16
16
16
16
16
16
16
16
75
RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
7742FQ
2500 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
75 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
7742FQ
ISO7742FQ
ISO7742FQ
7742Q
DW
DBQ
DBQ
DW
7742Q
ISO7742Q
ISO7742Q
ISO7742QDWRQ1
DW
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
Addendum-Page 2
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
10-Dec-2020
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 3
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
14-Mar-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
ISO7740FQDBQRQ1
ISO7740FQDWRQ1
ISO7740FQDWRQ1
ISO7740QDBQRQ1
ISO7740QDWRQ1
ISO7740QDWRQ1
ISO7740QDWRQ1
ISO7741FQDBQRQ1
ISO7741FQDWRQ1
ISO7741FQDWRQ1
ISO7741FQDWWRQ1
ISO7741QDBQRQ1
ISO7741QDWRQ1
ISO7741QDWRQ1
ISO7741QDWWRQ1
ISO7742FQDBQRQ1
SSOP
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SSOP
DBQ
DW
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
2500
2000
2000
2500
2000
2000
2000
2500
2000
2000
1000
2500
2000
2000
1000
2500
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
12.4
16.4
16.4
12.4
16.4
16.4
16.4
12.4
16.4
16.4
24.4
12.4
16.4
16.4
24.4
12.4
6.4
5.2
2.1
2.7
2.7
2.1
2.7
2.7
2.7
2.1
2.7
2.7
3.0
2.1
2.7
2.7
3.0
2.1
8.0
12.0
12.0
8.0
12.0
16.0
16.0
12.0
16.0
16.0
16.0
12.0
16.0
16.0
24.0
12.0
16.0
16.0
24.0
12.0
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
10.75 10.7
10.75 10.7
DW
DBQ
DW
6.4
5.2
10.75 10.7
10.75 10.7
10.75 10.7
12.0
12.0
12.0
8.0
DW
DW
DBQ
DW
6.4
5.2
10.75 10.7
10.75 10.7
12.0
12.0
20.0
8.0
DW
DWW
DBQ
DW
18.0
6.4
10.0
5.2
10.75 10.7
10.75 10.7
12.0
12.0
20.0
8.0
DW
DWW
DBQ
18.0
6.4
10.0
5.2
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
14-Mar-2023
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
ISO7742FQDWRQ1
ISO7742FQDWRQ1
ISO7742QDBQRQ1
ISO7742QDWRQ1
ISO7742QDWRQ1
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
DW
DW
DBQ
DW
DW
16
16
16
16
16
2000
2000
2500
2000
2000
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
16.4
16.4
12.4
16.4
16.4
10.75 10.7
10.75 10.7
2.7
2.7
2.1
2.7
2.7
12.0
12.0
8.0
16.0
16.0
12.0
16.0
16.0
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
6.4
5.2
10.75 10.7
10.75 10.7
12.0
12.0
Pack Materials-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
14-Mar-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
ISO7740FQDBQRQ1
ISO7740FQDWRQ1
ISO7740FQDWRQ1
ISO7740QDBQRQ1
ISO7740QDWRQ1
ISO7740QDWRQ1
ISO7740QDWRQ1
ISO7741FQDBQRQ1
ISO7741FQDWRQ1
ISO7741FQDWRQ1
ISO7741FQDWWRQ1
ISO7741QDBQRQ1
ISO7741QDWRQ1
ISO7741QDWRQ1
ISO7741QDWWRQ1
ISO7742FQDBQRQ1
ISO7742FQDWRQ1
ISO7742FQDWRQ1
SSOP
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
DBQ
DW
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
2500
2000
2000
2500
2000
2000
2000
2500
2000
2000
1000
2500
2000
2000
1000
2500
2000
2000
350.0
356.0
356.0
350.0
356.0
356.0
350.0
350.0
356.0
356.0
350.0
350.0
356.0
356.0
350.0
350.0
350.0
356.0
350.0
356.0
356.0
350.0
356.0
356.0
350.0
350.0
356.0
356.0
350.0
350.0
356.0
356.0
350.0
350.0
350.0
356.0
43.0
35.0
35.0
43.0
35.0
35.0
43.0
43.0
35.0
35.0
43.0
43.0
35.0
35.0
43.0
43.0
43.0
35.0
DW
DBQ
DW
DW
DW
DBQ
DW
DW
DWW
DBQ
DW
DW
DWW
DBQ
DW
DW
Pack Materials-Page 3
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
14-Mar-2023
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
ISO7742QDBQRQ1
ISO7742QDWRQ1
ISO7742QDWRQ1
SSOP
SOIC
SOIC
DBQ
DW
16
16
16
2500
2000
2000
350.0
367.0
367.0
350.0
367.0
367.0
43.0
38.0
38.0
DW
Pack Materials-Page 4
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
14-Mar-2023
TUBE
T - Tube
height
L - Tube length
W - Tube
width
B - Alignment groove width
*All dimensions are nominal
Device
Package Name Package Type
Pins
SPQ
L (mm)
W (mm)
T (µm)
B (mm)
ISO7740FQDBQQ1
ISO7740FQDWQ1
ISO7740FQDWQ1
ISO7740QDBQQ1
ISO7740QDWQ1
ISO7740QDWQ1
ISO7741FQDBQQ1
ISO7741FQDWQ1
ISO7741FQDWQ1
ISO7741FQDWWQ1
ISO7741QDBQQ1
ISO7741QDWQ1
ISO7741QDWQ1
ISO7741QDWWQ1
ISO7742FQDBQQ1
ISO7742FQDWQ1
ISO7742FQDWQ1
ISO7742QDBQQ1
ISO7742QDWQ1
ISO7742QDWQ1
DBQ
DW
SSOP
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
SSOP
SOIC
SOIC
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
75
40
40
75
40
40
75
40
40
45
75
40
40
45
75
40
40
75
40
40
505.46
507
6.76
12.83
12.7
6.76
12.83
12.7
6.76
12.7
12.83
20
3810
5080
4826
3810
5080
4826
3810
4826
5080
5000
3810
4826
5080
5000
3810
4826
5080
3810
4826
5080
4
6.6
6.6
4
DW
506.98
505.46
507
DBQ
DW
6.6
6.6
4
DW
506.98
505.46
506.98
507
DBQ
DW
6.6
6.6
9
DW
DWW
DBQ
DW
507
505.46
506.98
507
6.76
12.7
12.83
20
4
6.6
6.6
9
DW
DWW
DBQ
DW
507
505.46
506.98
507
6.76
12.7
12.83
6.76
12.7
12.83
4
6.6
6.6
4
DW
DBQ
DW
505.46
506.98
507
6.6
6.6
DW
Pack Materials-Page 5
PACKAGE OUTLINE
DWW0016A
SOIC - 2.65 mm max height
S
C
A
L
E
1
.
0
0
0
PLASTIC SMALL OUTLINE
C
17.4
17.1
SEATING PLANE
A
0.1 C
PIN 1 ID AREA
14X 1.27
16
1
10.4
10.2
NOTE 3
2X
8.89
8
9
0.51
0.31
16X
(2.286)
14.1
13.9
NOTE 4
B
0.25
A B
C
2.65 MAX
0.28
0.22
TYP
SEE DETAIL A
(1.625)
0.25
GAGE PLANE
0.3
0.1
1.1
0.6
0 -8
DETAIL A
TYPICAL
4221501/A 11/2014
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0,15 mm per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DWW0016A
SOIC - 2.65 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
16X (1.875)
(14.5)
16X (2)
(14.25)
16X (0.6)
16X (0.6)
1
1
16
16
SYMM
SYMM
14X
8
14X
(1.27)
9
8
9
(1.27)
SYMM
(16.25)
SYMM
(16.375)
LAND PATTERN EXAMPLE
PCB CLEARANCE & CREEPAGE OPTIMIZED
SCALE:3X
LAND PATTERN EXAMPLE
STANDARD
SCALE:3X
0.07 MAX
ALL AROUND
0.07 MIN
ALL AROUND
METAL
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4221501/A 11/2014
NOTES: (continued)
5. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
6. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DWW0016A
SOIC - 2.65 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
16X (2)
SYMM
1
16
16X (0.6)
SYMM
14X (1.27)
8
9
(16.25)
SOLDER PASTE EXAMPLE
STANDARD
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:4X
16X (1.875)
SYMM
1
16
16X (0.6)
SYMM
14X (1.27)
8
9
(16.375)
SOLDER PASTE EXAMPLE
PCB CLEARANCE & CREEPAGE OPTIMIZED
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:4X
4221501/A 11/2014
NOTES: (continued)
7. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
8. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
GENERIC PACKAGE VIEW
DW 16
7.5 x 10.3, 1.27 mm pitch
SOIC - 2.65 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
This image is a representation of the package family, actual package may vary.
Refer to the product data sheet for package details.
4224780/A
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
DW0016B
SOIC - 2.65 mm max height
S
C
A
L
E
1
.
5
0
0
SOIC
C
10.63
9.97
SEATING PLANE
TYP
PIN 1 ID
AREA
0.1 C
A
14X 1.27
16
1
2X
10.5
10.1
NOTE 3
8.89
8
9
0.51
0.31
16X
7.6
7.4
B
2.65 MAX
0.25
C A
B
NOTE 4
0.33
0.10
TYP
SEE DETAIL A
0.25
GAGE PLANE
0.3
0.1
0 - 8
1.27
0.40
DETAIL A
TYPICAL
(1.4)
4221009/B 07/2016
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm, per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm, per side.
5. Reference JEDEC registration MS-013.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DW0016B
SOIC - 2.65 mm max height
SOIC
SYMM
SYMM
16X (2)
1
16X (1.65)
SEE
DETAILS
SEE
DETAILS
1
16
16
16X (0.6)
16X (0.6)
SYMM
SYMM
14X (1.27)
14X (1.27)
R0.05 TYP
9
9
8
8
R0.05 TYP
(9.75)
(9.3)
HV / ISOLATION OPTION
8.1 mm CLEARANCE/CREEPAGE
IPC-7351 NOMINAL
7.3 mm CLEARANCE/CREEPAGE
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:4X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL
METAL
0.07 MAX
ALL AROUND
0.07 MIN
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4221009/B 07/2016
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DW0016B
SOIC - 2.65 mm max height
SOIC
SYMM
SYMM
16X (1.65)
16X (2)
1
1
16
16
16X (0.6)
16X (0.6)
SYMM
SYMM
14X (1.27)
14X (1.27)
8
9
8
9
R0.05 TYP
R0.05 TYP
(9.75)
(9.3)
HV / ISOLATION OPTION
8.1 mm CLEARANCE/CREEPAGE
IPC-7351 NOMINAL
7.3 mm CLEARANCE/CREEPAGE
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:4X
4221009/B 07/2016
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
DBQ0016A
SSOP - 1.75 mm max height
SCALE 2.800
SHRINK SMALL-OUTLINE PACKAGE
C
SEATING PLANE
.228-.244 TYP
[5.80-6.19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ID AREA
14X .0250
[0.635]
16
1
2X
.189-.197
[4.81-5.00]
NOTE 3
.175
[4.45]
8
9
16X .008-.012
[0.21-0.30]
B
.150-.157
[3.81-3.98]
NOTE 4
.069 MAX
[1.75]
.007 [0.17]
C A
B
.005-.010 TYP
[0.13-0.25]
SEE DETAIL A
.010
[0.25]
GAGE PLANE
.004-.010
[0.11-0.25]
0 - 8
.016-.035
[0.41-0.88]
DETAIL A
TYPICAL
(.041 )
[1.04]
4214846/A 03/2014
NOTES:
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed .006 inch, per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
5. Reference JEDEC registration MO-137, variation AB.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBQ0016A
SSOP - 1.75 mm max height
SHRINK SMALL-OUTLINE PACKAGE
16X (.063)
[1.6]
SEE
DETAILS
SYMM
1
16
16X (.016 )
[0.41]
14X (.0250 )
[0.635]
8
9
(.213)
[5.4]
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:8X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL
METAL
.002 MAX
[0.05]
ALL AROUND
.002 MIN
[0.05]
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214846/A 03/2014
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBQ0016A
SSOP - 1.75 mm max height
SHRINK SMALL-OUTLINE PACKAGE
16X (.063)
[1.6]
SYMM
1
16
16X (.016 )
[0.41]
SYMM
14X (.0250 )
[0.635]
9
8
(.213)
[5.4]
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON .005 INCH [0.127 MM] THICK STENCIL
SCALE:8X
4214846/A 03/2014
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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