ISOUSB211 [TI]
低发射、高速/全速/低速隔离式 USB 中继器;
| 型号： | ISOUSB211 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 低发射、高速/全速/低速隔离式 USB 中继器 中继器 |
| 文件： | 总42页 (文件大小：1865K) |
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ISOUSB211
ZHCSQ53C –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
ISOUSB211 高速/全速/低速隔离式USB 转发器
1 特性
3 说明
• 符合USB 2.0 要求
• 支持低速(1.5 Mbps)、全速(12 Mbps) 和高速(480
Mbps) 信号传输
• 不需要外部晶体或时钟输入
• 自动速度和连接检测
• 支持L1（睡眠）和L2（挂起）低功耗状态
• 可编程均衡，用于补偿高速模式中的板迹线损耗
• 下游端CDP 广播
ISOUSB211 是一款兼容 USB 2.0 的电气隔离式中继
器，支持低速 (1.5Mbps)、全速 (12Mbps) 和高速
(480Mbps) 信号传输速率。该器件支持自动连接和速
度检测、上拉/下拉反射以及链路电源管理，因而能够
实现插入式 USB 集线器、主机、外设和电缆隔离。该
器件还支持自动角色交换。如果连接断开后在上行端口
上检测到新的连接，上行和下行端口定义将会调换。此
功能使器件能够支持 USB On-The-Go (OTG) 和 Type-
C 双角色端口(DRP) 实现。ISOUSB211 内置可编程的
均衡功能，能够消除板迹线导致的信号损失，从而帮助
满足 USB2.0 高速 TX 和 RX 眼图模板的要求。该器件
采用二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅， 可承受高达
5000VRMS 的电压和 1500VRMS 的工作电压。此器件与
隔离式电源一同使用，可抵御高电压冲击，并防止总线
的噪声电流进入局部接地层。ISOUSB211 器件可用于
增强型隔离。该器件支持 –40°C 至 +125°C 的宽环境
温度范围，并采用小尺寸SSOP-28 (28-DP) 封装。
• 对侧电源正常指示
• 支持USB On-the-Go (OTG) 和Type C® 双角色端
口(DRP) 设计的自动角色交换
• 高CMTI：100kV/µs
• 在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保
护
• VBUS 电压范围：4.25V 至5.5V
– 3.3V 和1.8 V 内部LDO
• 符合CISPR32 B 类辐射限制
• 环境温度范围：–40°C 至+125°C
• 小尺寸28-SSOP 封装
器件信息
器件型号(1)
ISOUSB211
封装尺寸（标称值）
封装
• 安全相关认证：
SSOP (28) DP
10.30mm × 7.50mm
– 符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标
准的7071VPK
型）
VIOTM 和2121VPK VIORM（增强
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
– 符合UL 1577 标准且长达1 分钟的5000VRMS
隔离
– IEC 62368-1、IEC 60601-1 和IEC 61010-1 认
证
3.3 V (local supply)
Upstream
Port
Connector
ISOUSB211
V3P3V2
VBUS2
DD+
DD-
VBUS1
UD+
VCC
Peripheral
MCU
– CQC、TUV 和CSA 认证
DP
USB
HOST
DM
UD-
2 应用
GND1
GND2
GND
• USB 集线器、主机、外设和电缆隔离
• 医疗
• 工厂自动化
• 电机驱动器
• 电网基础设施
• 电力输送
Galvanic
Isolation Barrier
PERIPHERAL
应用示意图
• USB 音频
增强型隔离选项
ISOUSB211
特性
保护级别
增强型
12800VPK
5000VRMS
浪涌隔离电压
隔离额定值
1500VRMS
2121VPK
/
隔离工作电压
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SLLSFC5
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 5
6.1 绝对最大额定值...........................................................5
6.2 ESD 等级.................................................................... 5
6.3 建议工作条件.............................................................. 5
6.4 热性能信息..................................................................6
6.5 额定功率......................................................................6
6.6 绝缘规格......................................................................7
6.7 安全相关认证.............................................................. 8
6.8 安全限值......................................................................8
6.9 电气特性......................................................................9
6.10 开关特性..................................................................13
6.11 绝缘特性曲线...........................................................15
6.12 典型特性..................................................................16
7 参数测量信息...................................................................17
7.1 测试电路....................................................................17
8 详细说明.......................................................................... 19
8.1 概述...........................................................................19
8.2 功能方框图................................................................19
8.3 特性说明....................................................................20
8.4 器件功能模式............................................................ 22
9 电源相关建议...................................................................23
10 应用和实现.....................................................................24
10.1 典型应用..................................................................24
10.2 符合USB2.0 HS 眼图规范......................................28
10.3 散热注意事项.......................................................... 29
11 布局................................................................................33
11.1 布局指南..................................................................33
12 器件和文档支持............................................................. 35
12.1 文档支持..................................................................35
12.2 接收文档更新通知................................................... 35
12.3 支持资源..................................................................35
12.4 商标.........................................................................35
12.5 静电放电警告.......................................................... 35
12.6 术语表..................................................................... 35
13 机械、封装和可订购信息...............................................35
13.1 卷带封装信息.......................................................... 39
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision B (September 2022) to Revision C (January 2023)
Page
• 从数据表中删除了“基本”选项。......................................................................................................................1
Changes from Revision A (March 2022) to Revision B (September 2022)
Page
• 将器件状态更新为“量产数据”......................................................................................................................... 1
Changes from Revision * (November 2021) to Revision A (March 2022)
Page
• 将TA 最大值更新为125°C..................................................................................................................................5
• 更新了“散热注意事项”部分。....................................................................................................................... 29
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5 引脚配置和功能
V
1
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
V
BUS1
BUS2
V
2
3P3V1
GND1
3P3V2
3
GND2
V
4
V
1P8V1
1P8V2
V
5
V
CC1
CC2
V2OK
UD-
6
V1OK
DD-
7
UD+
8
DD+
EQ10
EQ11
9
EQ20
EQ21
10
11
12
13
14
V
V
1P8V1
GND1
1P8V2
GND2
CDPENZ2
NC
CDPENZ1
NC
Not to scale
图5-1. DP 封装28 引脚SSOP 俯视图
表5-1. 引脚功能- 28 引脚
引脚
名称
I/O
说明
编号
1 侧的输入电源。如果存在4.25V 至5.5V（例如USB 电源总线）电源，则将其连接到VBUS1。在这种情
况下，内部LDO 会生成V3P3V1。否则，将VBUS1 和V3P3V1 连接到外部3.3V 电源。
1
VBUS1
—
1 侧的电源。如果VBUS1 上连接了一个4.25V 至5.5V 电源，则在V3P3V1 与GND1 之间连接一个旁路电
容器。在这种情况下，内部LDO 会生成V3P3V1。否则，将VBUS1 和V3P3V1 连接到外部3.3V 电源。
2
3
4
V3P3V1
GND1
V1P8V1
—
—
—
接地1。隔离器1 侧的接地基准。
1 侧的电源。如果VCC1 上连接了一个2.4 V 至5.5V 电源，则在V1P8V1 与GND1 之间连接一个旁路电容
器。在这种情况下，内部LDO 会生成V1P8V1。否则，将VCC1 和V1P8V1 连接到外部1.8V 电源。
1 侧的输入电源。如果存在2.4 V 至5.5V（例如USB 电源总线，或源自USB 电源总线的直流/直流电
源）电源，则将其连接到VCC1。在这种情况下，内部LDO 会生成V1P8V1。否则，将VCC1 和V1P8V1 连
接到外部1.8V 电源。
5
VCC1
—
6
V2OK
UD-
O
I/O
I/O
I
该引脚上的高电平表示2 侧已加电。
上行端口D-。
7
8
UD+
上行端口D+。
9
EQ10
EQ11
V1P8V1
GND1
CDPENZ1
NC
1 侧的均衡设置，LSB。逻辑输入。
1 侧的均衡设置，MSB。逻辑输入。
将引脚11 连接到引脚4，并引脚11 附近放置本地旁路电容器。
接地1。隔离器1 侧的接地基准。
低电平有效信号。在UD+/UD- 引脚上启用CDP 广播。
10
11
12
13
14
15
I
—
—
I
保持悬空或连接至V3P3V1
。
。
—
—
NC
保持悬空或连接至V3P3V2
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表5-1. 引脚功能- 28 引脚(continued)
引脚
名称
I/O
说明
编号
16
CDPENZ2
GND2
V1P8V2
EQ21
EQ20
DD+
I
低电平有效信号。在DD+/DD- 引脚上启用CDP 广播。
接地2。隔离器2 侧的接地基准。
将引脚18 连接到引脚25，并引脚18 附近放置本地旁路电容器。
2 侧的均衡设置，MSB。逻辑输入。
2 侧的均衡设置，LSB。逻辑输入。
下行端口D+。
17
18
19
20
21
22
23
—
—
I
I
I/O
I/O
O
DD-
下行端口D-。
V1OK
该引脚上的高电平表示1 侧已加电。
2 侧的输入电源。如果存在2.4 V 至5.5V（例如USB 电源总线，或源自USB 电源总线的直流/直流电
源）电源，则将其连接到VCC2。在这种情况下，内部LDO 会生成V1P8V2。否则，将VCC2 和V1P8V2 连
接到外部1.8V 电源。
24
VCC2
—
1 侧的电源。如果VCC2 上连接了一个2.4 V 至5.5V 电源，则在V1P8V2 与GND2 之间连接一个旁路电容
器。在这种情况下，内部LDO 会生成V1P8V2。否则，将VCC2 和V1P8V2 连接到外部1.8V 电源。
25
26
27
V1P8V2
GND2
V3P3V2
—
—
—
接地2。隔离器2 侧的接地基准。
2 侧的电源。如果VBUS2 上连接了一个4.25V 至5.5V 电源，则在V3P3V2 与GND1 之间连接一个旁路电
容器。在这种情况下，内部LDO 会生成V3P3V2。否则，将VBUS2 和V3P3V2 连接到外部3.3V 电源。
2 侧的输入电源。如果存在4.25V 至5.5V（例如USB 电源总线）电源，则将其连接到VBUS2。在这种情
况下，内部LDO 会生成V3P3V2。否则，将VBUS2 和V3P3V2 连接到外部3.3V 电源。
28
VBUS2
—
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）(1) (2)
最小值
最大值
单位
-0.3
6
V
V
V
V
V
BUS1、VBUS2
CC1、VCC2
VBUS 电源电压
-0.3
-0.3
6
4.25
2.1
V
V
V
VCC 电源电压
3P3V1、V3P3V2
1P8V1、V1P8V2
3.3V 输入电源电压
1.8V 输入电源电压
–0.3
总线引脚（UD+、UD-、DD+、DD-）上的电压总共1000 次短路事
件、累计持续时间为1000 小时
VDPDM
6
V
–0.3
VIO
IO
-0.3
-10
V3P3Vx+0.3(3)
V
IO 电压范围（V*OK、EQ*、CDPENZ*）
10
150
150
mA
°C
°C
输出引脚上的输出电流(V*OK)
TJ
结温
TSTG
–65
存储温度
(1) 超出绝对最大额定值下列出的压力可能会对器件造成永久损坏。这些仅是压力额定值，并不意味着器件在这些条件下以及在建议运行条
件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 所有电压值均是以本地接地端子（GND1 或GND2）为基准的峰值电压值。
(3) 最大电压不得超过4.25V。
6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001，所有引脚(1)
V(ESD)
±1500
V
静电放电
静电放电
充电器件模型(CDM)，符合JEDEC 规范
JESD22-C101，所有引脚(2)
V(ESD)
±500
V
(1) JEDEC 文档JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
6.3 建议工作条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
标称值
最大值
单位
VBUSx
V3P3Vx
VCCx
V1P8Vx
TA
4.25
5
5.5
3.6
V
V
BUS 输入电压（包括任何纹波）
3.0
2.4
3.3
3
V
V
3.3V 输入电源电压（包括任何纹波）
内部1.8V LDO 的输入电压（包括任何纹波）
1.8 输入电源电压（包括任何纹波）
自然通风工作温度
5.5
1.71
-40
1.8
1.94
125
150
V
°C
°C
TJ
-55
结温
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6.4 热性能信息
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DP (SSOP)
28 引脚
44.2
热指标(1)
单位
RΘJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RΘJC(top)
RΘJB
13.9
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
19.0
3.3
ψJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
18.4
ψJB
RΘJC(bot)
-
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
6.5 额定功率
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
ISOUSB211
VBUS1 = VBUS2 = VCC1 = VCC2 = 5.5V、TJ
= 150°C、RL = 50Ω（在DD- 和DD+ 至
GNDx 上均如此），在UD- 和UD+ 上输
入240MHz、50% 占空比、0mV 至
400mV 摆幅的差分信号
PD
1232
616
mW
最大功耗（两侧）
VBUS1 = VBUS2 = VCC1 = VCC2 = 5.5V、TJ
= 150°C、RL = 50Ω（在DD- 和DD+ 至
GNDx 上均如此），在UD- 和UD+ 上输
入240MHz、50% 占空比、0mV 至
400mV 摆幅的差分信号
PD1
mW
mW
最大功耗（侧1）
最大功耗（侧2）
VBUS1 = VBUS2 = VCC1 = VCC2 = 5.5V、TJ
= 150°C、RL = 50Ω（在DD- 和DD+ 至
GNDx 上均如此），在UD- 和UD+ 上输
入240MHz、50% 占空比、0mV 至
400mV 摆幅的差分信号
PD2
616
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6.6 绝缘规格
规格
参数
测试条件
单位
DP-28
IEC 60664-1
外部间隙(1)
1 侧到2 侧的空间距离
CLR
CPG
DTI
>8
>8
mm
mm
µm
V
外部爬电距离(1)
绝缘穿透距离
1 侧到2 侧的封装表面距离
>21
>600
I
最小内部间隙
CTI
IEC 60112；UL 746A
相对漏电起痕指数
材料组
符合IEC 60664-1
I-IV
I-III
额定市电电压≤600VRMS
额定市电电压≤1000VRMS
过压类别
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)(2)
VIORM
2121
1500
2121
8000
VPK
VRMS
VDC
交流电压（双极）
最大重复峰值隔离电压
交流电压（正弦波）；时间依赖型电介质击穿(TDDB) 测
试；
VIOWM
最大隔离工作电压
最大瞬态隔离电压
直流电压
VTEST = VIOTM，t = 60s（鉴定测试）；VTEST = 1.2 ×
VIOTM，t = 1s（100% 生产测试）
VIOTM
VPK
最大脉冲电压(3)
在空气中测试，1.2/50µs 方波，符合IEC 62368-1
VIMP
8000
VPK
VPK
最大浪涌隔离电压(3)
在油中测试（鉴定测试）1.2/50µs 方波，符合IEC 62368-1
VIOSM
12800
方法a，在输入/输出安全测试子组2/3 后，Vini = VIOTM，
tini = 60s；Vpd(m) = 1.2 × VIORM，tm = 10s
≤5
≤5
方法a，在环境测试子组1 后，Vini = VIOTM，tini = 60s；
Vpd(m) = 1.6 × VIORM，tm = 10s
视在电荷(4)
方法b：常规测试（100% 生产测试）和预调节（类型测
试），
qpd
pC
Vini = 1.2 x VIOTM，tini = 1s；
≤5
Vpd(m) = 1.875 x VIORM，tm = 1s（方法b1）或
Vpd(m) = Vini，tm = tini（方法b2）
势垒电容，输入至输出(5)
隔离电阻，输入至输出(5)
CIO
RIO
VIO = 0.4 × sin (2 pft)，f = 1MHz
VIO = 500V，TA = 25°C
1.2
pF
W
> 1012
> 1011
> 109
2
VIO = 500V，100°C ≤TA ≤125°C
VIO = 500V，TS = 150°C
污染等级
气候类别
40/125/21
UL 1577
VTEST = VISO，t = 60s（生产测试）；VTEST = 1.2 × VISO，t
= 1s（100% 生产测试）
VISO
5700
VRMS
可承受的隔离电压
(1) 电路板设计过程中必须谨慎小心，确保印刷电路板(PCB) 上隔离器的安装焊盘不会缩短爬电距离和间隙。插入坡口、肋或两者都有助于
增加PCB 上的爬电距离。
(2) ISOUSB211 仅适用于安全额定值范围内的安全电气绝缘。应借助合适的保护电路来确保符合安全额定值。
(3) 在空气或油中执行测试，以确定隔离栅的固有浪涌抗扰度。
(4) 视在电荷是局部放电(pd) 引起的电气放电。
(5) 将隔离层每一侧的所有引脚都连在一起，构成一个双引脚器件。
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6.7 安全相关认证
VDE
CSA
UL
CQC
TUV
根据IEC 61010-1、IEC
62368-1 和IEC 60601-1
进行了认证
根据DIN EN IEC
60747-17 (VDE 0884-17)
进行了认证
根据EN 61010-1 和EN
62368-1 进行了认证
在UL 1577 组件认证计划 根据GB 4943.1 进行了认
下进行了认证
证
符合CSA 62368-1 和IEC
62368-1
ISOUSB211 标准的增强型
绝缘：800VRMS
最大工作电压（污染等级
2，材料组I）；
ISOUSB211：2 MOPP
----------------
符合CSA 60601-1 和IEC
60601-1 的（患者保护措
施），250VRMS 最大工作
电压
增强型绝缘；最大瞬态隔
离电压，
符合EN 61010-1 标准的
5000VRMS 增强型绝缘，高
达600VRMS 的工作电压
----------------
符合EN 62368-1 标准的
5000VRMS 增强型绝缘，高
达800VRMS 的工作电压
ISOUSB211：8000VPK
最大重复峰值隔离电压，
增强型绝缘，海拔≤
5000m，热带气候，
700VRMS 最大工作电压
单一保护，
ISOUSB211：5700VRMS
2121VPK
；
最大浪涌隔离电压，
ISOUSB211：12800VPK
（增强型）
证书编号：40040142
主合同：220991
文件编号：E181974
证书：CQC15001121716 客户端ID：77311
6.8 安全限值
安全限制(1)旨在最大限度地减小在发生输入或输出电路故障时对隔离栅的潜在损害。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
DP-28 包装
R
θJA = 44.2°C/W，VI = 5.5V，TJ =
514
785
mA
mA
mA
150°C，TA = 25°C
R
θJA = 44.2°C/W，VI = 3.6V，TJ =
IS
安全输入、输出或电源电流
150°C，TA = 25°C
R
θJA = 44.2°C/W，VI = 1.94V，TJ =
1457
150°C，TA = 25°C
R
25°C
θJA = 44.2°C/W，TJ = 150°C，TA
=
PS
TS
2828
150
mW
°C
安全输入、输出或总功耗
最高安全温度
(1) 最高安全温度TS 具有与为器件指定的最大结温TJ 相同的值。IS 和PS 参数分别表示安全电流和安全功率。请勿超出IS 和PS 的最大限
值。这些限值随环境温度TA 的变化而变化。
表中的结至空气热阻RθJA 所属器件安装在引线式表面贴装封装对应的高K 测试板上。可使用以下公式计算各参数值：
TJ = TA + RθJA × P，其中，P 为器件所耗功率。
TJ(max) = TS = TA + RθJA × PS，其中，TJ(max) 为允许的最大结温。
PS = IS × VI，其中，VI 为最大输入电压。
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6.9 电气特性
在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。所有典型值都是TA = 25°C、VBUSx = 5V、V3P3Vx = 3.3V、V1P8Vx = 1.8V 条件下
的典型值。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值 单位
电源特性
接收侧HS 有效（240MHz 信号速
率）、EQxx = 00、RL = 45Ω接地（D+
和D- 上）
10.5
10.5
13.5 mA
13.5 mA
发送侧HS 有效（240MHz 信号速
率）、EQxx = 00、RL= 45Ω 接地（D+
和D- 上）
VBUS 或V3P3V 电流消耗- 高速(HS) 模
式
I
VBUSx 或IV3P3Vx
HS 空闲状态、EQxx = 00、RL= 45Ω接
地（D+ 和D- 上）
10.5
12
13.5 mA
15.3 mA
13 mA
接收侧FS 有效（6MHz 信号速率），图
7-9，CL= 50pF
发送侧FS 有效（6MHz 信号速率），图
7-9，CL= 50pF
9.5
11
V
BUS 或V3P3V 电流消耗- 全速(FS) 和
接收侧LS 有效（750kHz 信号速率），
图7-10，CL= 450pF
I
VBUSx 或IV3P3Vx
13.5 mA
13 mA
低速(LS) 模式
发送侧LS 有效（750kHz 信号速率），
图7-10，CL= 450pF
9.5
7.4
7.5
11 mA
9.8 mA
9.5 mA
1.55 mA
7.5 mA
8.5 mA
8.9 mA
FS/LS 空闲状态（US 侧或DS 侧）
上行侧
下行侧
上行侧
下行侧
上行侧
下行侧
I
I
I
VBUSx 或IV3P3Vx
VBUSx 或IV3P3Vx
VBUSx 或IV3P3Vx
VBUS 或V3P3V 电流消耗- L1 睡眠模式
VBUS 或V3P3V 电流消耗- L2 暂停模式
VBUS 或V3P3V 电流消耗- 未连接
7.3
1.07
5.6
6.2
6.2
接收侧HS 有效（240MHz 信号速
率）、EQxx = 00、RL = 45Ω接地（D+
和D- 上）
80
85
96 mA
96 mA
发送侧HS 有效（240MHz 信号速
率）、EQxx = 00、RL = 45Ω 接地（D+
和D- 上）
IVCCx 或IV1P8Vx 电流消耗- 高速(HS) 模
式
I
VCCx 或IV1P8Vx
HS 空闲状态、EQxx = 00、RL = 45Ω
接地（D+ 和D- 上）。
77
0.4
0.4
0.4
0.4
90 mA
0.55 mA
0.55 mA
0.55 mA
0.55 mA
接收侧FS 有效（6MHz 信号速率），图
7-9，CL= 50pF
发送侧FS 有效（6MHz 信号速率），图
7-9，CL= 50pF
I
VCCx 或IV1P8Vx 电流消耗- 全速(FS) 和
接收侧LS 有效（750kHz 信号速率），
图7-10，CL = 450pF
I
VCCx 或IV1P8Vx
低速(LS) 模式
发送侧LS 有效（750kHz 信号速率），
图7-10，CL = 450pF
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.55 mA
0.55 mA
0.55 mA
0.55 mA
0.55 mA
0.55 mA
0.55 mA
FS/LS 空闲状态
上行侧
I
I
I
VCCx 或IV1P8Vx
VCCx 或IV1P8Vx
VCCx 或IV1P8Vx
I
I
I
VCCx 或IV1P8Vx 电流消耗- L1 睡眠模式
VCCx 或IV1P8Vx 电流消耗- L2 暂停模式
VCCx 或IV1P8Vx 电流消耗- 未连接
下行侧
上行侧
下行侧
上行侧
下行侧
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在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。所有典型值都是TA = 25°C、VBUSx = 5V、V3P3Vx = 3.3V、V1P8Vx = 1.8V 条件下
的典型值。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值 单位
(1)
UV+(VBUSx)
UV-(VBUSx)
4.0
V
V
电源电压升高时的欠压阈值，VBUS
电源电压下降时的欠压阈值，VBUS
(1)
3.6
UVHYS(VBUSx)
0.08
V
欠压阈值迟滞，VBUS
(1)
UV+(V3P3Vx)
UV-(V3P3Vx)
2.95
2.35
1.66
V
V
V
V
V
V
V
V
V
电源电压升高时的欠压阈值，V3P3V
电源电压下降时的欠压阈值，V3P3V
欠压阈值迟滞，V3P3V
1.95
2
UVHYS(V3P3Vx)
0.11
0.05
0.05
(2)
UV+(VCCx)
电源电压升高时的欠压阈值，VCC
电源电压下降时的欠压阈值，VCC
欠压阈值迟滞，VCC
(2)
UV-(VCCx)
(2)
UVHYS(VCCx)
UV+(V1P8Vx)
UV-(V1P8Vx)
UVHYS(V1P8Vx)
数字输入
电源电压升高时的欠压阈值，V1P8V
电源电压下降时的欠压阈值，V1P8V
欠压阈值迟滞，V1P8V
1.25
0.7 x
V3PV3x
VIH
VIL
V
V
高电平输入电压
低电平输入电压
0.3 x
V3PV3x
VIHYS
IIH
0.3
V
输入转换阈值迟滞
高电平输入电流
低电平输入电流
1
µA
IIL
10 µA
数字输出（V1OK、V2OK）
V3P3Vx
-
IO = -3mA（对于3.0V ≤V3P3Vx
3.6V）
≤
VOH
VOL
V
高电平输出电压
低电平输出电压
0.2
IO = 3mA（对于3.0V ≤V3P3Vx
3.6V）
≤
0.2
V
UDx、DDx、输入电容和端接
Vin=3.6V，V3P3Vx=3.0V，TJ < 125℃，
USB 2.0 规范第7.1.6 节
ZINP_xDx
300
接地阻抗，无上拉/下拉
kΩ
在240MHz 且驱动器为高阻态时使用
VNA 测得
CIO_xDx
10
pF
接地电容
RPUI
RPUR
RPD
0.9
1.5
1.1
2.2
19
1.575
3
上行端口上的总线上拉电阻（空闲）
上行端口上的总线上拉电阻（接收）
下行端口上的总线下拉电阻
USB 2.0 规范第7.1.5 节
USB 2.0 规范第7.1.5 节
USB 2.0 规范第7.1.5 节
kΩ
kΩ
kΩ
14.25
24.8
USB 2.0 规范第7.1.5 节，在断开外部负
载且上行端口上启用上拉电阻的情况下
在D+ 或D- 上测得。
VTERM
3
3.6
V
上行端口上拉电阻的端接电压(RPU)
USB 2.0 规范第7.1.6.2 节，高速空闲状
态下的输出电压
VHSTERM
ZHSTERM
-10
10 mV
高速端接电压
（VOH= 0mV 到600mV）USB 2.0 规
范第7.1.1.1 节和图7-5。
40.5
45
49.5
驱动器输出电阻（也用作高速端接）
Ω
UDX、DDx、输入电平LS/FS
USB 2.0 规范第7.1.4 节（在连接器处测
量）
VIH
2
V
V
高电平（驱动）
高电平（悬空）
USB 2.0 规范第7.1.4 节（主机下行端口
下拉电阻启用，器件被上拉到3.0V 至
3.6V）。
VIHZ
2.7
3.6
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在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。所有典型值都是TA = 25°C、VBUSx = 5V、V3P3Vx = 3.3V、V1P8Vx = 1.8V 条件下
的典型值。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值 单位
VIL
VDI
0.8
V
V
USB 2.0 规范第7.1.4 节
低
|(xD+)-(xD-)|；USB 2.0 规范图7-19；
（在连接器处测量）
0.2
0.8
差分输入灵敏度
共模范围
包括VDI 范围；USB 2.0 规范图7-19；
（在连接器处测量）
VCM
2.5
V
UDX、DDx、输出电平LS/FS
USB 2.0 规范第7.1.1 节，（在RL 为
0.9kΩ且连接到3.6V 的连接器处测
量。）
VOL
0
0.3
3.6
V
低
USB 2.0 规范第7.1.1 节（在RL 为
14.25kΩ且接地的连接器处测量。)
VOH
2.8
0.8
28
V
V
Ω
高电平（驱动）
VOSE1
ZFSTERM
SE1
USB 2.0 规范第7.1.1 节
USB 2.0 规范第7.1.1 节和图7-4，在
VOL 或VOH 期间测得
44
2
驱动器串联输出电阻
输出信号交叉电压
根据USB 2.0 规范第7.1.1 节的图7-8、
7-9 和7-10 测量；不包括从空闲状态的
第一次转换
VCRS
1.3
V
UDX、DDx、输入电平HS
USB 2.0 规范第7.1.7.2 节（规格是指峰
值差分信号振幅），在240MHz 且振幅
增大、VCM=-50mV 至500mV 的条件下
测得
VHSSQ
100
116
150 mV
625 mV
高速静噪/无静噪检测阈值
USB 2.0 规范第7.1.7.2 节（规格是指差
分信号振幅）。VCM = -50mV 至500mV
VHSDSC
525
70
575
215
高速断开检测阈值HSDC 典型值
线性调频脉冲检测阈值（以峰值差分信
号振幅衡量）。VCM = -50mV 至500mV
VCHIRP_TH
VHSRX
365 mV
100 mV
500 mV
线性调频脉冲检测阈值
240MHz 时的峰峰值
高速差分输入信号电平数据灵敏度
高速数据信号共模电压范围（接收器指
南）
USB 2.0 规范第7.1.4.2 节，接收器应该
能够在这个共模范围内进行接收
VHSCM
-50
200
400
UDx、DDx、输出电平HS
USB 2.0 规范第7.1.7.2 节，根据USB
2.0 测试测量规范测得的单端峰值电压，
EQxx = 00，测试负载是D+ 和D- 上的
理想45Ω接地电阻
VHSOH
360
440 mV
高速数据信号高电平
高速数据信号低电平
USB 2.0 规范第7.1.7.2 节，根据USB
2.0 测试测量规范测得的单端峰值电压，
EQxx = 00，测试负载是D+ 和D- 上的
理想45Ω接地电阻。
VHSOL
-10
-10
10 mV
10 mV
USB 2.0 规范第7.1.7.2 节，PE 禁用，
测试负载是D+ 和D- 上的理想45Ω接
地电阻。
高速数据信号空闲、驱动器关闭且端接
打开（测量的单端）
VHSOI
USB 2.0 规范第7.1.7.2 节，EQxx =
00，测试负载是D+ 和D- 上的理想
45Ω接地电阻，D+ 上存在2.2kΩ 上拉
电阻并连接到3.3V。
VCHIRPJ
700
850
1100 mV
线性调频脉冲J 电平（差分电压）
USB 2.0 规范第7.1.7.2 节，EQxx =
00，测试负载是D+ 和D- 上的理想
45Ω接地电阻，D+ 上存在2.2kΩ 上拉
电阻并连接到3.3V。
VCHIRPK
-900
-50
-750
200
mV
线性调频脉冲K 电平（差分电压）
高速TX 直流共模
–500
测试负载是D+ 和D- 上的理想45Ω接
地电阻。
U2_TXCM
500 mV
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在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。所有典型值都是TA = 25°C、VBUSx = 5V、V3P3Vx = 3.3V、V1P8Vx = 1.8V 条件下
的典型值。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值 单位
均衡和预加重
EQHS
-0.24
0.27
0.70
1.04
1.45
1.73
2.00
2.25
2.25
0.25
0.62
0.89
1.4
0.46
0.98
1.50
2.00
2.68
3.09
3.46
3.80
3.80
0.48
0.9
0.75 dB
1.5 dB
2.2 dB
2.81 dB
3.8 dB
4.4 dB
4.7 dB
5.1 dB
5.1 dB
0.75 dB
1.2 dB
1.5 dB
2.0 dB
2.5 dB
2.9 dB
3.7 dB
4.6 dB
4.6 dB
高速RX 均衡
高速RX 均衡
高速RX 均衡
高速RX 均衡
高速RX 均衡
高速RX 均衡
高速RX 均衡
高速RX 均衡
高速RX 均衡
高速TX 预加重
高速TX 预加重
高速TX 预加重
高速TX 预加重
高速TX 预加重
高速TX 预加重
高速TX 预加重
高速TX 预加重
高速TX 预加重
EQ1=低电平，EQ0=低电平，240MHz
EQ1=低电平，EQ0=悬空，240MHz
EQ1=低电平，EQ0=高电平，240MHz
EQ1=悬空，EQ0=低电平，240MHz
EQ1=悬空，EQ0=悬空，240MHz
EQ1=悬空，EQ0=高电平，240MHz
EQ1=高电平，EQ0=低电平，240MHz
EQ1=高电平，EQ0=悬空，240MHz
EQ1=高电平，EQ0=高电平，240MHz
EQ1=低电平，EQ0=低电平，240MHz
EQ1=低电平，EQ0=悬空，240MHz
EQ1=低电平，EQ0=高电平，240MHz
EQ1=悬空，EQ0=低电平，240MHz
EQ1=悬空，EQ0=悬空，240MHz
EQ1=悬空，EQ0=高电平，240MHz
EQ1=高电平，EQ0=低电平，240MHz
EQ1=高电平，EQ0=悬空，240MHz
EQ1=高电平，EQ0=高电平，240MHz
EQHS
EQHS
EQHS
EQHS
EQHS
EQHS
EQHS
EQHS
PEHS
PEHS
PEHS
1.36
1.7
PEHS
PEHS
1.7
2.1
PEHS
2.1
2.5
PEHS
2.7
3.2
PEHS
3.4
4.0
PEHS
3.4
4.0
CDP
VDM_SRC
IDP_SINK
VDAT_REF+
VDAT_REF-
VDAT_REF_HYS
0.5
25
0.7
V
VDM_SRC 电压
负载电流范围为0uA 至250uA
D+ 电压= 0V 至0.7V
IDP_SINK (D+)
175
μA
300
275
15
400 mV
385 mV
25 mV
VDAT_REF 比较器上升阈值
VDAT_REF 比较器下降阈值
VDAT_REF 比较器迟滞
20
热关断
TSD+
160
150
170
160
10
180
170
°C
°C
°C
热关断开启温度
热关断关闭温度
热关断迟滞
TSD-
TSDHYS
(1) 如果VBUSx 引脚在外部连接至相应的V3P3Vx 引脚，那么VBUSx 上的UVLO 阈值由UV+(V3P3Vx)、UV-(V3P3Vx) 和UVHYS(V3P3Vx) 控制
(2) 如果VCCX 引脚在外部连接到相应的V1P8Vx 引脚，则VCCX 上的UVLO 阈值由UV+(V1P8Vx)、UV-(V1P8Vx) 和UVHYS(V1P8Vx) 控制
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6.10 开关特性
在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。所有典型值都是TA = 25°C、VBUSx = 5V、V3P3Vx = 3.3V、V1P8Vx = 1.8V 条件下
的典型值。
典型
值
参数
测试条件
最小值
最大值 单位
上电时序
V
BUSx 、V3P3Vx 、VCCx 和V1P8Vx 外部电源
上允许的电源斜升时间
TSUPRAMP
0.005
100
8
ms
ms
1 侧和2 侧上提供有效电源后，器件上电并
识别USB 信号所需的时间。
TPWRUP
3.6
所有外部电源都在5µs 的上电时间内一起斜升。
UDx、DDx、HS 驱动器开关特性
USB 2.0 规范第7.1.2 节，D+ 和D- 上存在理想
的45Ω接地负载，EQxx = 00
THSR
310 370
310 370
510
510
ps
ps
上升时间(10% - 90%)
下降时间(10% - 90%)
USB 2.0 规范第7.1.2 节，D+ 和D- 上存在理想
的45Ω接地负载，EQxx = 00
THSF
UDx、DDx、FS 驱动器开关特性
TFR
TFF
4
4
20
20
ns
ns
上升时间(10% - 90%)
下降时间(10% - 90%)
USB 2.0 规范图7-8，图7-9，CL = 50pF
USB 2.0 规范图7-8，图7-9，CL = 50pF
USB 2.0 规范第7.1.2 节，不包括从空闲状态到
其他状态的第一次转换，图7-9，CL = 50pF
TFRFM
90
111.1
%
差分上升和下降时间匹配(TFR/TFM
)
UDx、DDx、LS 驱动器开关特性
USB 2.0 规范图7-8 和7-10，CL 范围为50pF
至600pF。
TLR
75
75
80
300
300
125
ns
ns
%
上升时间(10% - 90%)
下降时间(10% - 90%)
USB 2.0 规范图7-8 和7-10，CL 范围为50pF
至600pF。
TLF
USB 2.0 规范图7-8 和7-10，CL 范围为50pF
至600pF。
上升和下降时间匹配(TLR/TFM)，不包括从
空闲状态到其他状态的第一次转换。
TLRFM
中继器时序- 连接、断开、复位、L1、L2
TFILTCONN
TDDIS
TDETRST
45
2
70
80
7
µs
µs
FS 或LS 连接检测上的去抖滤波器
在LS/FS L0 模式下检测下行侧端口断开的
时间。
在LS/FS L0 模式下检测上行端口上复位所
需的时间
0
3
7
µs
当总线持续处于空闲状态时，上行侧检测到
暂停模式(L2) 且电流消耗小于2.5mA 所需
的时间。
T2SUSP
10
ms
检测到上行侧恢复和下行端口反映恢复/从睡
眠/L1 状态驱动恢复所需的最长时间。
tDRESUMEL1
tDRESUMEL2
tDWAKEL1
tDWAKEL2
tDRSMPROP
CMTI
1
130
5
µs
µs
检测到上行侧恢复和下行端口反映恢复/从暂
停/L2 状态驱动恢复所需的最长时间。
处于睡眠/L1 状态时检测和传播远程唤醒所
需的最长时间。
µs
处于暂停/L2 状态时确保可检测到远程唤醒
的远程唤醒最大脉冲宽度。
900
µs
处于暂停/L2 状态时检测到远程唤醒后，从
上行和下行驱动恢复的最短持续时间。
1
ms
峰峰值共模噪声，USB 数据传输期间VCMPKPK
1200V，请参阅图7-3
=
50 100
kV/µs
共模瞬态抗扰度
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在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。所有典型值都是TA = 25°C、VBUSx = 5V、V3P3Vx = 3.3V、V1P8Vx = 1.8V 条件下
的典型值。
典型
值
参数
测试条件
最小值
最大值 单位
中继器时序- LS、FS
TLSDD
358
25
5
ns
ns
ns
ns
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
低速差分数据传播延迟
TLSOP
TLSJP
TLSJN
-40
-5
SOP 后的LS 数据位宽失真
LS 中继器附加抖动- 成对转换
LS 中继器附加抖动- 下一个转换
-7.0
7.0
LS 差分转换期间SE0 间隔的最小宽度- 由
中继器滤除
TLST
210
ns
USB 2.0 规范第7.1.4 节。
TLEOPD
TLESK
TFSDD
TFSOP
TFSJP
TFSJN
0
200
100
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
相对于TLSDD 的中继器EOP 延迟
LS EOP 期间中继器导致的SE0 偏斜
全速差分数据传播延迟
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-53(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-53(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
-100
-10
-2
10
SOP 后的FS 数据位宽失真
2
FS 中继器附加抖动- 成对转换
FS 中继器附加抖动- 下一个转换
-6.0
6.0
FS 差分转换期间SE0 间隔的最小宽度- 由
中继器滤除
TFST
14
ns
USB 2.0 规范第7.1.4 节。
TFEOPD
TFESK
0
17
15
ns
ns
相对于TFSDD 的中继器EOP 延迟
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-53(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-53(C)。
-15
FS EOP 期间中继器导致的SE0 偏斜
中继器时序- HS
THSSOPT
6
7
3
8
8
4
UI
UI
ns
USB 2.0 规范第7.1.10 节。
USB 2.0 规范第7.1.13 节。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。
高速起始包截断
THSEOPD
THSPD
高速结束包Dribble
2
高速传播延迟
中继器的高速总附加抖动（输出抖动- 输入
抖动）（包括所有完整的SOP 位），RX
EQ 禁用，TX PE 禁用。
THSTJ
120
35
ps
ps
中继器的高速附加随机抖动（输出抖动- 输
入抖动）（包括所有完整的SOP 位），RX
EQ 禁用，TX PE 禁用。
THSRJ
中继器的高速附加确定性抖动（输出抖动-
输入抖动）（包括所有完整的SOP 位），
RX EQ 禁用，TX PE 禁用。
THSDJ
82
82
ps
ns
µs
连续无转换的时间窗口，在此期间必须对
HS 断开检测器输出进行采样
THSDIS
36
在复位握手期间，集线器或器件必须持续检
测（过滤）线性调频脉冲J 或线性调频脉冲 USB 2.0 规范第7.1.7.5 节。
K 的时间
TFILT
2.5
CDP 时序
TVDMSRC_E 在D+ 上检测到VDPSRC 连接后，在D- 上
0.1
0.1
0.1
ms
ms
ms
启用VDMSRC 所需的时间
N
TVDMSRC_DI 在D+ 上检测到VDPSRC 断开后，在D- 上
禁用VDMSRC 所需的时间
S
TCON_IDPSIN 检测到连接后在D+ 上禁用IDP_Sink 所需的
时间
K_DIS
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6.11 绝缘特性曲线
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
3000
2500
2000
1500
1000
500
VI = 1.94 V
VI = 3.6 V
VI = 5.5 V
Power
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
Ambient Temperature (C)
Ambient Temperature (C)
图6-1. DP-28 封装根据VDE 标准限制电流的热降额曲 图6-2. DP-28 封装根据VDE 标准限制功率的热降额曲
线
线
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6.12 典型特性
图6-3. 通过ISOUSB211 实现的典型高速(480Mbps)
眼图
图6-4. 通过ISOUSB211 实现的典型全速(12Mbps) 眼
图
图6-5. 通过ISOUSB211 实现的典型低速(1.5Mbps) 眼图
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7 参数测量信息
7.1 测试电路
15.8
15.8
UD+
UD–
50- Coax
DD+
DD–
USB 2.0
Golden Host / Peripheral
ISOUSB211
Oscilloscope
50- Coax
Test Fixture
Per USB 2.0 standard
图7-1. HS 的上行和下行数据包参数和眼图测量
Oscilloscope
UD+
UD–
DD+
DD–
USB 2.0
Host
USB 2.0
Peripheral
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图7-2. LS、FS 的上行和下行数据包参数和眼图测量
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UD+
UD-
DD+
DD-
DC bias /
Oscilloscope
Oscilloscope /
DC bias
GND1
GND2
Pass / Fail Criterion:
Output remains stable
VCM
VCMPKPK/2
VCM
–VCMPKPK/2
图7-3. 共模瞬态抗扰度测试电路
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8 详细说明
8.1 概述
ISOUSB211 是一款兼容 USB2.0 的电气隔离式中继器，支持低速 (1.5Mbps)、全速 (12Mbps) 和高速 (480Mbps)
信号传输速率。该器件支持自动速度和连接检测、上拉/下拉反射以及链路电源管理，因而能够实现插入式 USB
集线器、主机、外设和电缆隔离。大多数微控制器都集成了 USB PHY，因此只提供 D+ 和 D- 总线作为外部引
脚。ISOUSB211 可以将这些引脚与 USB 总线隔离，无需微控制器的任何其他干预。该器件还支持自动角色交
换。如果连接断开后在上行端口上检测到新的连接，上行和下行端口定义将会调换。ISOUSB211 内置可编程的均
衡功能，能够消除板迹线导致的信号损失，从而帮助满足USB2.0 高速TX 和RX 眼图模板的要求。该器件还会根
据USB2.0 标准的要求，自动检测是否已进入高速(HS) 测试模式，以支持HS 合规性测试。
ISOUSB211 提供增强型隔离选项，隔离耐受电压分别为 5000VRMS，浪涌测试电压为 12.8kVPK。该器件可以完
全采用 4.25V 至 5.5V 电源（USB VBUS 电源）或者采用 1 侧和 2 侧上的本地 3.3V 和 1.8V 电源（如果有）工
作。这种电源电压灵活性允许根据系统中可用的电源轨来优化热性能。
8.2 功能方框图
图8-1 展示了ISOUSB211 的简化功能方框图。该器件包含以下部分：
1. 发送和接收电路以及上拉和下拉电阻器，符合USB 标准。
2. 数字逻辑，用于处理双向通信和各种状态转换。
3. 内部LDO，用于分别从VBUSx 和VCCx 电源生成V3P3Vx 和V1P8Vx
4. 电隔离。
。
VBUS1
VBUS2
LDO
LDO
LDO
V3P3V1
V3P3V2
VCC1
VCC2
LDO
V1P8V1
V1P8V2
HSRX
HSRX
HSTX
HSTX
SERXD-
SERXD+
SERXD-
SERXD+
FSM
FSM
LSFSRX
LSFSTX
LSFSRX
LSFSTX
UD+
UD-
DD+
DD-
PU/PD
PU/PD
图8-1. ISOUSB211 简化功能方框图
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8.3 特性说明
8.3.1 电源选项
ISOUSB211 可以通过在 VBUSx 引脚上连接一个 4.25V 至5.5V 电源来供电，这时内部 LDO 会生成V3P3Vx 电压。
此选项适用于 USB 连接器一侧，该侧提供5V VBUS 电源。或者，VBUSx 和V3P3Vx 引脚可以短接在一起，并且可
以在这两个引脚上连接一个外部3.3V 电源。这个第二个选项适用于微控制器一侧，该侧可能没有5V 电源。
ISOUSB211 还需要1.8V 电源才能运行。VCCx 引脚上可以连接 2.4V 至5.5V 电源，这时内部LDO 会生成V1P8Vx
电源。在更简单的实现中，VCCX 可以连接到连接器一侧的 USB VBUS，以及微控制器一侧的 3.3V 本地电源。在
该实现中，ISOUSB 的内部LDO 上存在功率损耗，这限制了ISOUSB211 支持的最高环境温度。
要降低ISOUSB211 的内部功率损耗，可将1.8V 外部电源连接到短接在一起的VCCX 和V1P8Vx 引脚上，这时会绕
过ISOUSB211 的内部1.8V LDO。在该实现中，部分功率损耗会转移到外部1.8V 电源上，ISOUSB211 实现了整
体更高的环境温度运行。如果 1.8V 外部电源是 LDO，则会降低 ISOUSB211 的内部功率损耗，但总体而言，不
会降低系统的电流消耗或功率损耗。或者，如果 1.8V 外部电源是直流/直流（降压）转换器，则可以降低系统功
耗和ISOUSB211 功率损耗。
第三种选项是在 VCCx 引脚与 VBUS 和 3.3V 本地电源之间连接外部电阻器。由于 VCCx 引脚可以在低至 2.4V 的
电压下工作，因此可以包含这些电阻器。这些电阻器会降低电压并耗散功率，并且可用作与外部 1.8V LDO 类似
的用途，即降低ISOUSB211 的内部功率损耗并支持更高的环境温度工作。
有关如何根据系统所需的最高环境温度优化 ISOUSB211 内部功率损耗的更多详细信息，以及有关外部电阻器、
LDO 和降压转换器的建议，请参阅散热注意事项部分。
8.3.2 上电
在 ISOUSB211 两侧上的所有电源都超过各自的 UVLO 阈值之前，该器件会忽略上行和下行两侧总线上的所有活
动。在电源超过 UVLO 阈值后，该器件就已准备好响应总线上的活动。当 1 侧的电源上电时，2 侧上会通过
V1OK 变为高电平来指示此情况。同样，V2OK 为高电平表示2 侧已完全上电。
8.3.3 对称操作、双角色端口和角色交换
ISOUSB211 支持对称操作。通常，UD+ 和 UD- 是上行端口并连接到主机或集线器。DD+ 和 DD- 是下行端口并
连接到外设。但是，也可以将 UD+ 和 UD- 连接到外设，将 DD+ 和 DD- 连接到主机或集线器。只要先检测到连
接，任何一侧（D+ 或 D- 上拉至 3.3V）都将成为下行侧。此功能支持实现双角色端口（例如，Type-C 双角色端
口）和角色反转（例如，OTG 主机协商协议 - HNP）。有关详细信息，请参阅如何实现隔离式 USB 2.0 高速
Type-C® DRP 应用手册。本文档的其余部分中将 DD+/DD- 视为下行端口并将 UD+/UD- 视为上行端口，但如果
此分配角色调换，所述的各种操作和功能同样适用。
8.3.4 连接和速度检测
当没有外设连接到 ISOUSB211 的下行侧时，DD+ 和DD- 引脚上的内部15kΩ下拉电阻会将总线拉至零，从而形
成SE0 状态。当DD+ 或DD- 线路被拉高至VIH 阈值以上时，在大于TFILTCONN 的时间段内，ISOUSB211 器件会
将此视为连接。ISOUSB211 器件会配置上行侧的内部上拉电阻，以便与在下行侧检测到的上拉电阻相匹配。检测
到连接后，ISOUSB211 器件会等待上行侧的主机/集线器置位复位。根据复位开始时是DD+ 还是DD- 被拉高，会
设置ISOUSB211 中继器的速度。设置后，中继器的速度只能在断电或断开事件后更改。
连接到 ISOUSB211 器件的高速 (HS) 器件将继续根据 USB2.0 标准中规定使用线性调频脉冲信号来执行高速握
手。随后是来自主机的线性调频脉冲信号。ISOUSB211 器件会跨越隔离栅反射这些线性调频脉冲信号，包括将
HS 空闲 (SE0) 状态从下行侧反射到上行侧，反之亦然。成功完成 HS 握手后，ISOUSB211 速度便会设置为高
速。设置为高速后，中继器的速度只能在以下情况中更改：断电或 HS 断开事件后，或者外设或主机/集线器在复
位后不执行HS 握手时。
8.3.5 断开检测
在全速 (FS) 和低速 (LS) 模式下，当主机/集线器未在驱动上行侧的任何信号时，并且下行总线处于 SE0 状态
（DD+ 和 DD- 都低于 VIL 阈值）的时间周期超过 TDDIS 时，则指示外设断开。在 FS 和 LS 模式下检测到断开
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时，ISOUSB211 器件会从上行侧移除上拉电阻，从而使上行 UD+ 和 UD- 线路放电至零。然后，ISOUSB211 会
等待下一个连接事件发生。
当处于高速 (HS) 模式时，如果 ISOUSB211 检测到持续时间为 THSDIS) 的无转换周期，则器件会使用 HS 断开检
测器对 DD+ 和 DD- 线路进行采样。如果 THSDIS 期间 VHSDSC 上存在输入差分电压，则中继器会从下行和上行端
子移除HS 端接并转换到断开状态。然后，ISOUSB211 会等待下一个连接事件发生。
8.3.6 复位
ISOUSB211 器件会在上行侧检测复位置位（持续时间较长的 SE0 状态）并将其发送到下行侧。在 HS 状态下，
延长的 HS 空闲状态可以是复位的开始或进入 L2 电源管理状态。ISOUSB211 能够区分两者，因此要么继续在下
行侧驱动HS 空闲（与复位相同），要么转换到L2 暂停状态。
8.3.7 LS/FS 消息流量
ISOUSB211 器件会监控上行侧和下行侧的总线状态。通信方向由哪一侧先从 LS/FS 空闲状态转换到其他状态（J
到 K 转换）来设置。之后，数据跨越隔离层以数字方式传输，并在另一侧进行重构。数据传输会继续，直到出现
结束包 (EOP) 或长时间空闲。此时， ISOUSB211 器件会将其 LS/FS 发送器置于三态，并等待从 LS/FS 空闲状
态到其他状态的下一次转换。
8.3.8 HS 消息流量
ISOUSB211 器件会监控上行侧和下行侧的总线状态。通信方向由哪一侧先从 HS 空闲状态转换为其他状态来设
置。HS 静噪检测器检测从HS 空闲状态到有效 HS 数据的转换。之后，数据跨越隔离层以数字方式传输，并在另
一侧进行重构。数据传输会持续进行，直到总线返回到 HS 空闲状态，这也由 HS 静噪检测器指示。此时，
ISOUSB211 器件会将HS 发送器置于三态，并等待从HS 空闲状态到其他状态的下次转换。
8.3.9 均衡和预加重
ISOUSB211 内置可编程的接收均衡和发送预加重功能，能够消除电路板布线导致的信号损失，从而帮助满足
USB2.0 高速 TX 和 RX 眼图模板的要求。这些设置由 1 侧上的 EQ11 和 EQ10 以及 2 侧上的 EQ21 和 EQ20 控
制。EQxx 引脚可以接地、连接到 3.3V 电源或保持悬空，从而一起产生 9 种不同的均衡电平。EQ11 和 EQ10 可
根据 D+/D- 电路板布线长度以及 1 侧的相应通道损耗估算进行选择；类似地，EQ21 和 EQ20 则根据 2 侧进行选
择。对于 480Mbps 信号，FR4 中的典型 45Ω 迹线约为 0.15dB/英寸。通过观察连接器上的发射眼图，可以进一
步调整EQ 设置。如果布线长度非常短，则可能无需均衡，并且EQxx 引脚可以接地。
ISOUSB211 仅在加电时对EQxx 引脚进行采样，因此不建议在加电后动态更改EQxx 设置。
8.3.10 L2 电源管理状态（暂停）和恢复
ISOUSB211 器件支持低功耗暂停状态，在 USB 2.0 链路电源管理工程变更通知 (ECN) 中也称为 L2 状态。如果
总线保持在 LS/FS/HS 空闲状态超过 3ms，则会检测到暂停模式。当检测到从 LS 和 FS 空闲状态进入暂停状态
时，ISOUSB211 会继续处于 LS 或 FS 空闲状态，同时降低内部功耗。如果检测到从 HS 空闲状态进入暂停状
态，ISOSUB211 会检测到 DS 端口转换至 FS 空闲状态 (FS J)，并会将此反射到上行侧，同时禁用所有高速电路
以降低功耗。转换至L2 低功耗模式的操作会在10ms 内完成。
当从ISOUSB211 上行侧的主机收到恢复信号时，或者先从ISOUSB211 下行侧的外设收到远程唤醒信号，再从上
行侧的主机/集线器收到恢复信号时，便会从 L2 退出。恢复或唤醒的开始分别由主机或器件通过“K”状态发出信
号。恢复的结束由主机通过驱动 SE0 的两个低速位时间后跟一个“J”状态来发出信号。如果端口在进入低功耗
状态之前以高速运行，则由主机通过转换到高速空闲状态来发出恢复结束信号。 ISOUSB211 能够适当地复制上
行和下行的恢复和唤醒信号。在收到恢复/唤醒信号后，器件会返回到 LS、FS 或 HS 空闲状态，具体取决于进入
L2 状态前所处的状态。
8.3.11 L1 电源管理状态（睡眠）和恢复
ISOUSB211 器件支持 USB 2.0 链路电源管理 ECN 中定义的额外 L1 或睡眠低功耗状态。当检测到从 LS 和 FS
空闲状态进入 L1 时，ISOUSB211 会继续处于 LS 或 FS 空闲状态，同时降低内部功耗。如果检测到从 HS 空闲
状态进入L1，ISOSUB211 会禁用所有高速电路以降低功耗。转换至L1 低功耗模式的操作会在50μs 内完成。
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当从ISOUSB211 上行侧的主机收到恢复信号时，或者先从ISOUSB211 下行侧的外设收到远程唤醒信号，再从上
行侧的主机/集线器收到恢复信号时，便会从 L1 退出。恢复或唤醒的开始分别由主机或器件通过“K”状态发出信
号。恢复的结束由主机通过驱动 SE0 的两个低速位时间后跟一个“J”状态来发出信号。如果端口在进入低功耗
状态之前以高速运行，则由主机通过转换到高速空闲状态来发出恢复结束信号。 ISOUSB211 能够适当地复制上
行和下行的 K 信号。在收到恢复/唤醒信号后，器件会返回到 LS、FS 或 HS 空闲状态，具体取决于进入 L1 状态
前所处的状态。
8.3.12 HS 测试模式支持
USB2.0 标准需要测试模式支持，其中主机/集线器或外设应根据收到的命令进入高速测试模式。ISOUSB211 能够
自动检测测试模式进入以启用HS 合规性测试。
8.3.13 CDP 广播
ISOUSB211 器件支持根据电池充电器标准 BC 1.2 在下行和上行侧进行 CDP 广播。CDP 广播在隔离主机或集线
器时很有用，可用于向连接的外设指示该端口能够在 VBUS 上提供 1.5A 的电流。CDP 广播可通过将下行侧
CDPENZx 引脚接地（低电平有效）来启用。
8.4 器件功能模式
功能表列出了ISOUSB211 器件的功能模式。
表8-1. 功能表
1 侧电源
BUS1、V3P3V1
2 侧电源
BUS2、V3P3V2
CC2、V1P8V2
总线1
（UD+、
UD-）
总线2
（DD+、DD-）
V
V
V
V
注释
CC1、V1P8V1
(1)
当两侧都通电时，总线的状态会正确地从上行反映到下行，反之亦
然。
供电
激活
供电
激活
15kΩPD
15kΩPD
Z
供电
供电
供电
未供电
供电
上行和下行均呈现断开状态
15kΩPD
Z
Z
如果一侧未通电，该侧的总线处于高阻抗状态。
15kΩPD
不确定
未供电
未供电
未供电
(1) 供电=( (VBUSx ≥UV+(VBUSx)) || (VBUSx = V3P3Vx ≥UV+(V3P3Vx)) ) & ( (VCCx ≥UV+(VCCx)) || (VCCx = V1P8Vx ≥UV+(V1P8Vx)) )；未供电=
( (VBUSx < UV-(VBUSx)) & (V3P3Vx < UV-(V3P3Vx)) ) || ( (VCCx < UV-(VCCx)) & (V1P8Vx < UV-(V1P8Vx)) )；X = 不相关；H = 高电平；L = 低电
平；Z = 高阻抗
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9 电源相关建议
建议在非常靠近 V3P3Vx 引脚的地方放置 0.1µF 电容器并连接到 GNDx。建议在非常靠近 VBUSx 引脚的地方放置
1µF 电容器并连接到 GNDx。建议分别在 V1P8Vx 与GNDx 之间、引脚4 和3 之间、引脚25 和26 之间、引脚11
和12 之间，以及引脚25 和26 之间放置2µF、0.1µF 和10nF 电容器，并尽可能靠近器件。值越小的电容器越要
靠近 IC 放置。如果 VCCx 引脚按照示例配置 3 中所示通过电阻器连接，则建议在 VCCx（引脚 5、24）与 GNDx
（引脚3、26）之间尽可能靠近器件放置1µF 电容器，并且V1P8Vx 引脚上的电容器具有更高的优先级。
这些去耦电容器建议与3.3V 和1.8V 电源是从外部提供还是使用内部LDO 生成无关。
有关去耦电容器的建议放置方式，请参阅节 11.1.1 部分。建议使用小尺寸电容器 (0402/0201)，以便可以将它们
放置在非常靠近电源引脚和顶层上相应接地引脚的位置，而不使用过孔。当考虑放置在靠近 IC 的位置时，V1P8Vx
电源上的电容器具有更高的优先级。
在隔离主机/集线器或总线供电的外设时，需要使用隔离式电源，并可借助 TI 的SN6505B 等变压器驱动器生成隔
离式电源。适用于隔离式电源的 SN6505A 低噪声 1A 变压器驱动器 数据表中提供了此类设计、详细的电源设计
以及变压器选择建议。如果在隔离主机/集线器时启用了 CDP 功能，则隔离式电源必须能够在VBUS 上提供 1.5A
电流。
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10 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于 TI 元件规范，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定各元件
是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实现，以确认系统功能。
10.1 典型应用
10.1.1 隔离式主机或集线器
图 10-1 展示了一个使用 ISOUSB211 隔离主机或集线器的应用。在此示例中，在微控制器侧，V3P3V1 和 VBUS1
一起连接到一个外部 3.3V 电源。V1P8V1 电源是使用内部 1.8V LDO 通过为 VCC1 提供 3.3V 电源来生成的。在连
接器侧，来自 USB 连接器的 VBUS 连接至 VBUS2，而 V3P3V2 电源由内部 3.3V LDO 生成。VCC2 和 V1P8V2 一起
连接到源自 VBUS 的 1.8V 外部电源。 请参阅散热注意事项，以了解有关根据需要优化 ISOUSB211 内部功耗的
选项。
去耦电容器根据节 9 部分中提供的建议放置在 ISOUSB211 旁边。隔离式直流/直流转换器（例如 SN6505）使用
3.3V 本地电源为 VBUS 供电。请注意，对于主机或集线器，USB 标准要求在 VBUS 上放置一个 120μF 的电容
器，以便在连接下游外设时能够提供浪涌电流。此外，建议在 VBUS 引脚附近使用 100nF 电容器来处理瞬态电
流。
可以在 D+ 和 D- 线路上放置具有低电容和低动态电阻的 ESD 二极管，例如 PESD5V0C1USF。可以选择在连接
器的 VBUS 引脚与 ISOUSB211 的 VBUS 引脚之间放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠（如图中所
示），来抑制ESD 等瞬变。
如果使用的隔离式电源能够在VBUS 上提供大于 1.5A 的电流，则可以根据电池充电器规范BC 1.2 将该端口配置
为 CDP 端口。为此，ISOUSB211 的 CDPENZ2 引脚必须按图中所示接地。在这种情况下，ISOUSB211 会对来
自所连外设的BC 1.2 信号做出响应，向外设表明该端口能够在VBUS 上提供1.5A 的电流。
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GND
EN
D2
IN
OUT
LDO
GND
3.3 VLV
VCC
3.3 µF
ISO
DC-DC
1 µF
D1
CLK
1 µF
VBUS (5.0 V)
3.3 VLV (local supply)
VCC
28
1
VBUS2
VBUS1
27 3.3 V 1 µF
Ferrite
Bead
V3P3V2
2
0.1 µF
V3P3V1
LDO/
DC-DC
3
0.1 µF
26
25
100 nF
GND1
GND2
10 nF
1.8 V
VBUS
D-
120 µF
2 µF
ISOUSB211
10 nF 0.1 µF
4
5
V1P8V2
V1P8V1
VCC1
2 µF
0.1 µF
24
23
3.3 VLV
VCC2
Host/Hub
MCU
6
7
D+
V1OK
V2OK
UD-
22
21
GND
DD-
DM
DP
8
DD+
UD+
Downstream
Port
Connector
3.3VLV
9
20
19
EQ10
EQ11
V1P8V1
EQ20
EQ21
DGND
10
0 V
ISO
Ground
2 µF 0.1 µF 10 nF
10 nF 0.1 µF 2 µF
18
17
16
11
12
13
V1P8V2
GND2
Digital
Ground
GND1
3.3 VLV
CDPENZ2
CDPENZ1
15
14
NC
NC
Galvanic
Isolation Barrier
图10-1. 采用ISOUSB211 的隔离式主机或集线器
10.1.2 隔离式外设- 自供电
图10-2 展示了一个采用ISOUSB211 隔离自供电外设的应用。在此示例中，在微控制器侧，V3P3V2 和Vbus2 一起
连接到一个外部3.3V 电源。The V1P8V2 电源是使用内部1.8V LDO 通过为VCC1 提供3.3V 电源来生成的。在连
接器侧，来自USB 连接器的VBUS 连接至VBUS1，而V3P3V1 电源由内部3.3V LDO 生成。VCC1 和V1P8V1 一起
连接到源自VBUS 的1.8V 外部电源。请参阅散热注意事项，以了解有关根据需要优化ISOUSB211 内部功耗的
选项。
去耦电容器根据节 9 部分中提供的建议放置在 ISOUSB211 旁边。请注意，USB 标准要求，对于外设，VBUS 上
的总电容值必须小于 10μF。但是，建议在 VBUS 上总共使用至少 5µF 的电容。建议在 VBUS 引脚附近使用
100nF 电容器来处理瞬态电流。
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可以在 D+ 和 D- 线路上放置具有低电容和低动态电阻的 ESD 二极管，例如 PESD5V0C1USF。可以选择在连接
器的 VBUS 引脚与 ISOUSB211 的 VBUS 引脚之间放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠（如图中所
示），来抑制ESD 等瞬变。
VBUS (5.0 V)
3.3 VLV (local supply)
28
27
1
2
VBUS2
VBUS1
1 µF
5 µF
3.3 V
Ferrite
Bead
0.1 µF
V3P3V2
V3P3V1
VCC
LDO/
DC-DC
3
0.1 µF
26
GND1
GND2
VBUS
D-
ISOUSB211
2 µF 0.1 µF 10 nF
100 nF
4
5
1.8 V
25
24
V1P8V1
VCC1
1.8 VLV
V1P8V2
VCC2
Peripheral
MCU
10 nF 0.1 µF 2 µF
3.3 VLV
23
6
7
D+
V2OK
UD-
V1OK
GND
22
21
DM
DP
DD-
8
DD+
UD+
Upstream
9
Port
Connector
3.3 VLV
20
19
EQ10
EQ11
V1P8V1
GND1
EQ20
EQ21
V1P8V2
DGND
10
0 V
ISO
Ground
2 µF 0.1 µF 10 nF
10 nF 0.1 µF 2 µF
3.3 VLV
18
17
16
11
12
13
Digital
Ground
GND2
3.3 V
CDPENZ1
NC
CDPENZ2
15
14
NC
Galvanic
Isolation Barrier
图10-2. 采用ISOUSB211 的隔离式自供电外设
10.1.3 隔离式外设- 总线供电
图10-3 展示了一个采用ISOUSB211 隔离自供电外设的应用。在此示例中，隔离式直流/直流转换器（例如
SN6505）用于产生一个3.3V 本地电源，同时从USB VBUS 获取电源。在微控制器侧，V3P3V2 和VBUS2 一起连
接到一个外部3.3V 电源。V1P8V2 电源是使用内部1.8V LDO 通过将3.3V 本地电源连接到VCC1 来生成的。在连
接器侧，来自USB 连接器的VBUS 连接至VBUS1，而V3P3V1 电源由内部3.3V LDO 生成。VCC1 和V1P8V1 一起
连接到源自VBUS 的1.8V 外部电源。请参阅散热注意事项，以了解有关根据需要优化ISOUSB211 内部功耗的
选项。
去耦电容器根据节 9 部分中提供的建议放置在 ISOUSB211 旁边。请注意，USB 标准要求，对于外设，VBUS 上
的总电容值（包括通过隔离式直流/直流转换器从次级侧反射的任何去耦电容）必须小于 10μF。但是，建议在
VBUS 上总共使用至少5µF 的电容。建议在VBUS 连接器附近使用100nF 电容器来处理瞬态电流。
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可以在 D+ 和 D- 线路上放置具有低电容和低动态电阻的 ESD 二极管，例如 PESD5V0C1USF。可以选择在连接
器的 VBUS 引脚与 ISOUSB211 的 VBUS 引脚之间放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠（如图中所
示），来抑制ESD 等瞬变。
GND
EN
D2
IN
OUT
TPS76350
EN
3.3 µF
VCC
SN6505
1 µF
GND
NC
D1
CLK
3.3 VLV
1 µF
28
27
1
VBUS1
VBUS2
V3P3V2
GND2
VBUS (5.0 V)
5 µF
3.3 V
0.1 µF
2
Ferrite
Bead
V3P3V1
0.1 µF
VCC
LDO/
DC-DC
3
26
GND1
VBUS
D-
ISOUSB211
2 µF 0.1 µF 10 nF
100 nF
4
25
24
1.8 V
V1P8V2
VCC2
V1P8V1
10 nF 0.1 µF 2 µF
3.3 VLV
5
6
7
VCC1
Peripheral
MCU
23
22
D+
V2OK
V1OK
GND
UD-
DD-
DM
DP
8
21
20
19
DD+
UD+
Upstream
Port
Connector
9
3.3 VLV
EQ10
EQ11
V1P8V1
GND1
EQ20
EQ21
V1P8V2
DGND
10
0 V
ISO
Ground
2 µF 0.1 µF 10 nF
10 nF 0.1 µF 2 µF
3.3 VLV
18
17
16
11
12
13
GND
Digital
Ground
GND2
3.3 V
CDPENZ1
NC
CDPENZ2
15
14
NC
Galvanic
Isolation Barrier
图10-3. 采用ISOUSB211 的隔离式总线供电外设
10.1.4 应用曲线
10.1.4.1 绝缘寿命
绝缘寿命预测数据是使用业界通用的时间依赖性电介质击穿 (TDDB) 测试方法收集的。在该测试中，隔离栅两侧
的所有引脚都连在一起，构成了一个双端子器件并在两侧之间施加高电压；对于 TDDB 测试设置，请参阅图
10-4。绝缘击穿数据是在开关频率为 60 Hz 以及各种高电压条件下在整个温度范围内收集的。对于增强型绝缘，
VDE 标准要求使用故障率小于 1 ppm 的 TDDB 预测线。尽管额定工作隔离电压条件下的预期最短绝缘寿命为 20
年，但是VDE 增强认证要求工作电压具有额外 20% 的安全裕度，寿命具有额外50% 的安全裕度，也就是说在工
作电压高于额定值20% 的条件下，所需的最短绝缘寿命为30 年。
图10-5 展示了隔离栅在整个寿命期内承受高压应力的固有能力。根据TDDB 数据，固有绝缘能力为 1500VRMS
，
寿命为 169 年。其他因素，比如封装尺寸、污染等级、材料组等，可能会进一步限制元件的工作电压。DP-28 封
装的工作电压上限值可达1500V VRMS。较低工作电压所对应的绝缘寿命远远超过169 年。
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A
Vcc 1
Vcc 2
Time Counter
> 1 mA
DUT
GND 1
GND 2
V
S
Oven at 150 °C
图10-4. 绝缘寿命测量的测试设置
图10-5. 绝缘寿命预测数据
10.2 符合USB2.0 HS 眼图规范
USB2.0 标准规定了连接器上必须满足的TX 和 RX 眼图模板。在连接器上实现的眼图水平张开是由微控制器的性
能、ISOUSB211 的附加抖动以及D+/D- 电路板布线插入损耗引起的符号间干扰相结合而成。为了获得理想性能，
建议尽量缩短从 MCU 到 ISOUSB211 以及从 ISOUSB211 到连接器的 D+/D- 电路板布线长度。必须避免 D+/D-
线路上的过孔和残桩。
ISOUSB211 内置可编程的接收均衡和发送预加重功能，能够消除电路板布线导致的信号损失，从而帮助满足
USB2.0 高速TX 和RX 眼图的要求。EQ11 和EQ10 可根据D+/D- 电路板布线长度以及 1 侧的相应通道损耗估算
进行选择；类似地，EQ21 和 EQ20 则根据 2 侧进行选择。EQxx 引脚可以接地、连接到 3.3V 电源或保持悬空，
从而一起产生9 种不同的均衡电平。
对于 480Mbps 信号，FR4 中的典型 45Ω布线的插入损耗约为 0.15dB/英寸。该数字可用于估算所需的均衡/预加
重以及相应的 EQ 设置。通过观察连接器上的发射眼图并选择可提供最佳眼图张开度的设置，可以进一步调整
EQxx 设置。选择正确的发送路径设置也会使接收路径实现理想性能。有关详细信息，请参阅使用高速 USB 隔离
器上的均衡器设置补偿通道损耗应用手册。如果布线长度非常短，则可能无需均衡，并且EQxx 引脚可以接地。
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10.3 散热注意事项
ISOUSB211 提供了包括内部 LDO 在内的多种不同电源输入选项，可用于优化 HS 模式下的热性能。如果使用外
部稳压器提供 3.3V 和 1.8V 电源，ISOUSB 芯片内部的功耗会更低。采用“热性能信息”表格中定义的结至空气
热阻时，内部功率损耗可用于确定给定环境温度条件下的结温。结温不得超过 150°C。该部分介绍了 ISOUSB211
的多种不同电源配置，并说明了如何在每种情况下计算ISOUSB211 的内部功耗以及内部温升。
为了获得最佳的热性能，请将小型接地平面连接到 GNDx 引脚，并通过多个过孔将这些平面连接到接地层，如布
局示例所示。
10.3.1 VBUS/V3P3V 电源
如果VBUS 连接到5.0V 外部电源，并且V3P3V 通过内部LDO 生成，则功耗为VBUSx × IVBUSx
。
如果VBUSx 和V3P3Vx 短接在一起并连接到一个外部3.3 V 电源，则该电源产生的功耗为V3P3Vx × I3P3Vx
10.3.2 VCCx/V1P8Vx 电源
。
如果VCCx 连接到外部2.4V 至5.0V 电源，并且V1P8Vx 通过内部1.8V LDO 生成，则功耗为VCCx × IVCCx
。
如果VCCX 和V1P8Vx 短接在一起并连接到外部1.8V 电源，则该电源产生的功耗为V1P8Vx × I1P8Vx
10.3.3 示例配置1
。
在图 10-6 所示的应用示例中，ISOUSB211 由连接器侧的 USB VBUS 和微控制器侧的本地 3.3V 数字电源供电。
不使用任何其他外部稳压器和电源。
在这种情况下，ISOUSB211 内部两侧的总功耗合计为：
VBUS1 × IVBUS1 + VBUS1 × IVCC1 + V3P3V2
× I3P3V2 + V3P3V2 × IVCC2
假设VBUS 的最大值是5.25V，并且3.3V 本地电源的最大值是3.5V，则内部功耗计算如下：
5.25V×13.5mA + 5.25V×96mA + 3.5V×13.5mA+3.5V×96mA = 960mW。
由于结至空气热阻为44.2°C/W，此功率损耗会导致42.5°C 的内部温升。此配置可支持高达107°C 的环境温度。
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此配置提供了最简单的实现，但支持的环境温度低于其他配置。
VBUS (5.0 V)
3.3 VLV (local supply)
1 µF
28
27
1
VBUS2
VBUS1
5 µF
Ferrite
Bead
3.3 V
2
3
0.1 µF
V3P3V2
V3P3V1
GND1
VCC
0.1 µF
26
GND2
VBUS
D-
ISOUSB211
2 µF 0.1 µF 10 nF
100 nF
4
5
1.8 V
25
24
V1P8V1
VCC1
V1P8V2
10 nF 0.1 µF 2 µF
3.3 VLV
VCC2
Peripheral
MCU
23
22
6
7
D+
V2OK
UD-
V1OK
DD-
GND
DM
DP
8
21
20
UD+
DD+
EQ20
EQ21
Upstream
9
Port
3.3 VLV
EQ10
EQ11
V1P8V1
Connector
DGND
10
19
0 V
ISO
Ground
2 µF 0.1 µF 10 nF
10 nF 0.1 µF 2 µF
18
17
16
11
12
13
V1P8V2
Digital
Ground
GND1
GND2
3.3 V
3.3 VLV
CDPENZ1
CDPENZ2
15
14
NC
NC
Galvanic
Isolation Barrier
图10-6. 在不使用外部1.8V 稳压器的情况下使用ISOUSB211
10.3.4 示例配置2
在图 10-7 所示的应用示例中，ISOUSB211 由连接器侧的 USB VBUS 和微控制器侧的本地 3.3V 数字电源供电来
生成V3P3Vx。外部LDO 或直流/直流降压转换器用于在两侧生成V1P8Vx
。
在这种情况下，两侧的总功耗合计为：
VBUS1 × IVBUS1 + V1P8V1 × I1P8V1 + V3P3V2 × I3P3V2 + V1P8V2 × I1P8V2
假设VBUS 的最大值是5.25V，并且外部1.8V 电源的最大值是1.89V，则内部功耗计算如下：
5.25V×13.5mA + 1.89V×96mA + 3.5V×13.5mA+1.89V×96mA = 481mW。
由于结至空气热阻为44.2°C/W，此功率损耗会导致22°C 的内部温升。此配置可支持高达128°C 的环境温度。
TLV741P 和 TLV62568 分别是此应用中可使用的低成本 LDO 和降压转换器示例。这两个选项都可降低
ISOUSB211 中的功率损耗。但是，降压转换器还降低了系统级的功耗，以及从 VBUS 和本地 3.3V 电源汲取的电
流。
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此配置使用外部稳压器，可实现最低功耗和最高环境温度运行。
VBUS (5.0 V)
3.3 VLV (local supply)
28
1
VBUS1
VBUS2
5 µF
1 µF
27
3.3 V
2
3
Ferrite
Bead
V3P3V2
V3P3V1
VCC
0.1 µF
LDO/
LDO/
DC-DC
26
0.1 µF
DC-DC
GND1
GND2
VBUS
D-
ISOUSB211
100 nF
2 µF 0.1 µF 10 nF
10 nF 0.1 µF
25
2 µF
1.8 VLV
4
1.8 V
V1P8V1
V1P8V2
Peripheral
MCU
5
6
7
24
23
VCC1
VCC2
D+
V2OK
UD-
V1OK
GND
22
21
20
19
DM
DD-
8
DD+
UD+
DP
Upstream
9
Port
3.3 VLV
EQ10
EQ11
V1P8V1
GND1
EQ20
EQ21
V1P8V2
Connector
DGND
10
0 V
ISO
Ground
2 µF 0.1 µF 10 nF
10 nF 0.1 µF 2 µF
3.3 VLV
18
17
16
11
12
13
Digital
Ground
GND2
3.3 V
CDPENZ1
NC
CDPENZ2
15
14
NC
Galvanic
Isolation Barrier
图10-7. 将ISOUSB211 与外部稳压器提供的1.8V 电源搭配使用
10.3.5 示例配置3
在图 10-8 所示的应用示例中，ISOUSB211 由连接器侧的 USB VBUS 和微控制器侧的本地 3.3V 数字电源供电来
生成 V3P3Vx。内部 LDO 用于在两侧生成 V1P8Vx，就和示例配置 1 中一样。不过，VCC1 和 VCC2 并不像示例配置
1 中那样直接连接到 VBUS 和3.3V VLV，而是分别通过电阻 R1（20Ω，250mW）和R2（5Ω，50mW）进行连
接。
外部电阻器会降低电压并耗散功率，有助于降低 ISOUSB211 内的功率损耗以及相应的温升。在决定这些电阻值
时均牢记VCCx 电压可能低至2.4V。VCCx 引脚上需要额外的1μF 电容。
在这种情况下，IC 内部两侧的总功耗合计为：
VBUS1 × IVBUS1 + VBUS1 × IVCC1 - 20 Ω× IVCC1× IVCC1+ V3P3V2 × I3P3V2 + V3P3V2 × IVCC2- 5 Ω× IVCC2× IVCC2
假设VBUS 的最大值是5.25V，并且3.3V 本地电源的最大值是3.5V，则内部功耗计算如下：
5.25V×13.5mA + 5.25V×96mA - 20Ω×96mA×96mA + 3.5V×13.5mA+3.5V×96mA - 5Ω×96mA×96mA =
728mW。
由于结至空气热阻为44.2°C/W，此功率损耗会导致33°C 的内部温升。此配置可支持高达117°C 的环境温度。
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此配置在示例配置 1 和示例配置 2 之间提供了一个中间途径，能够实现更低的温升和更高的环境温度运行，同时
只需增加两个电阻器和两个电容器。
VBUS (5.0 V)
3.3 VLV (local supply)
1 µF
28
1
2
VBUS2
VBUS1
5 µF
3.3 V
27 0.1 µF
V3P3V2
V3P3V1
VCC
3
0.1 µF
26
25
GND1
GND2
VBUS
D-
1 µF
ISOUSB211
2 µF 0.1 µF 10 nF
100 nF
4
5
1.8 V
V1P8V1
VCC1
V1P8V2
R2=5
10 nF 0.1 µF 2 µF
R1=20
24
VCC2
50 mW
Peripheral
MCU
250 mW
1 µF
23
6
7
D+
V2OK
UD-
V1OK
DD-
3.3 VLV
GND
22
DM
DP
8
21
20
UD+
DD+
EQ20
EQ21
Upstream
9
Port
3.3 VLV
EQ10
EQ11
V1P8V1
Connector
DGND
10
19
0 V
ISO
Ground
2 µF 0.1 µF 10 nF
10 nF 0.1 µF 2 µF
18
17
16
Digital
Ground
11
12
13
V1P8V2
GND1
GND2
3.3 V
3.3 VLV
CDPENZ1
CDPENZ2
15
14
NC
NC
Galvanic
Isolation Barrier
图10-8. 将ISOUSB211 与电阻器串联VCCx 引脚搭配使用
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11 布局
11.1 布局指南
三层就足以实现低 EMI PCB 设计。层堆叠应符合以下顺序（从上到下）：高速信号层、接地层、可选电源层和低
频信号层。
• 在顶层布置高速迹线可避免使用过孔（以及引入其电感），并且可实现隔离器与数据链路的发送器和接收器电
路之间的可靠互连。
• 为了获得理想性能，建议尽量缩短从MCU 到ISOUSB211，以及从ISOUSB211 到连接器的D+/D- 电路板布
线长度。必须避免D+/D- 线路上的过孔和残桩。这对于高速操作尤其重要。
• 通过在高速信号层正下方放置一个实心接地层，可以为传输线互连建立受控阻抗，并为返回电流提供出色的低
电感路径。D+ 和D- 布线必须设计为90Ω差分阻抗并尽可能靠近45Ω单端阻抗。
• 在接地平面旁边放置电源平面后，会额外产生大约100 pF/in2 的高频旁路电容。
• 去耦电容器必须放置在顶层，并且电容器与相应电源引脚和接地引脚之间的布线必须在顶层本身完成。去耦电
容器与相应电源和接地引脚之间的布线路径上不应有任何过孔。
• ESD 结构必须放置在顶层，靠近连接器，并且就在D+/D- 布线上，而没有过孔。如果可能，必须在顶层进行
ESD 结构的接地布线，否则必须通过多个过孔与接地层建立牢固连接。
• 在底层路由速度较慢的控制信号可实现更高的灵活性，因为这些信号链路通常具有裕量来承受过孔等导致的不
连续性。
• 可将一个小平面（例如2mm x 2mm）连接到顶层的GND 引脚以提高热性能。通过多个过孔将此层连接到第
二层的接地层。详细信息，请参阅布局示例。
11.1.1 布局示例
本部分中的布局示例显示了去耦电容器和ESD 保护二极管的建议放置方式。建议在D+/D- 信号布线下方使用连续
的接地层。建议使用小尺寸电容器(0402/0201)，以便可以将它们放置在非常靠近电源引脚和相应接地引脚的位置
并使用顶层进行连接。去耦电容器与相应电源和接地引脚之间的布线路径上不应有任何过孔。当考虑放置在靠近
IC 的位置时，V1P8Vx 电源上的电容器具有更高的优先级。ESD 保护二极管应靠近连接器放置，并与接地层牢固连
接。V1P8V1 的引脚4 和11 与V1P8V2 的引脚18 和25 连接在一起，但这个链接是在去耦电容器之后。如果PCB
中有2 层以上，则这个连接应在内层或底层（例如，第3 层或第4 层）实现，以免中断D+/D- 布线下的接地层。
所示的示例适用于隔离式主机或集线器，但类似的注意事项也适用于隔离式外设。VBUS 上的120μF 电容器仅适
用于主机或集线器，而不应用于外设。可以选择在VBUS 线路上的100nF（和120μF）电容器之后放置一个直
流电阻小于100mΩ的铁氧体磁珠，以防止ESD 等瞬变影响电路的其余部分。
为了获得理想性能，建议尽量缩短从 MCU 到ISOUSB211，以及从 ISOUSB211 到连接器的 D+/D- 电路板布线长
度。必须避免D+/D- 线路上的过孔和残桩。这对于高速操作尤其重要。
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可将一个小平面（例如 2mm x 2mm）连接到顶层的 GND 引脚以提高热性能。通过多个过孔将此层连接到第二层
的接地层。
Ferrite
Bead
1 µF
1 µF
VBUS2
VBUS1
0.1 µ
F
0.1 µ F
10 nF
V3P3V2
V3P3V1
10 nF
GND1
V1P8V1
VCC1
GND2
V1P8V2
120 µF
1 nF
0.1 µF 2 µF
2 µF 0.1 µF
VCC2
V2OK
UD-
V1OK
DD-
VBUS
D-
D
ESD
ESD
MCU
D+
UD+
DD+
EQ20
EQ21
V1P8V2
D
GND
EQ10
EQ11
V1P8V1
GND1
2 µF
10 nF
2 µF
10 nF
GND2
CDPENZ2
NC
0.1 µF
0.1 µF
CDPENZ1
NC
GND1 Plane
GND2 Plane
图11-1. ISOUSB211 布局示例
11.1.2 PCB 材料
对于运行速度低于 500 Mbps（或上升和下降时间大于 1 ns）且迹线长度达 10 英寸的数字电路板，请使用标准
FR-4 UL94V-0 印刷电路板。该 PCB 在高频下具有较低的电介质损耗、较低的吸湿性、较高的强度和刚度以及自
熄性可燃性特征，因而优于成本更低的替代产品。
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12 器件和文档支持
12.1 文档支持
12.1.1 相关文档
请参阅以下相关文档：
• 德州仪器(TI)，《数字隔离器设计指南》
• 德州仪器(TI)，隔离相关术语
12.2 接收文档更新通知
若要接收文档更新通知，请导航至 ti.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的提醒我进行注册，即可每周接收
产品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
12.3 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
12.4 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
12.5 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
12.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
13 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，
且不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OUTLINE
DP0028A
SSOP - 2.65 mm max height
S
C
A
L
E
1
.
5
0
0
SHRINK SMALL-OUTLINE PACKAGE
C
10.63
TYP
9.97
SEATING PLANE
PIN 1 ID
AREA
0.1 C
A
26X 0.65
28
1
2X
10.5
10.1
NOTE 3
8.45
14
15
0.35
28X
0.29
7.6
7.4
B
2.65 MAX
0.25
C A B
NOTE 4
0.304
TYP
0.204
SEE DETAIL A
0.25
GAGE PLANE
0.3
0.1
0 - 8
1.27
0.40
DETAIL A
TYPICAL
(1.4)
4225976/C 06/2021
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm, per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm, per side.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
DP0028A
SSOP - 2.65 mm max height
SHRINK SMALL-OUTLINE PACKAGE
28X (2)
SYMM
SEE
DETAILS
1
28
28X (0.45)
SYMM
26X (0.65)
(R0.05) TYP
15
14
(9.3)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:7X
SOLDER MASK
OPENING
METAL
METAL
SOLDER MASK
OPENING
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MAX
ALL AROUND
0.07 MIN
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4225976/C 06/2021
NOTES: (continued)
5. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
6. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
DP0028A
SSOP - 2.65 mm max height
SHRINK SMALL-OUTLINE PACKAGE
28X (2)
SYMM
1
28
28X (0.45)
SYMM
26X (0.65)
(R0.05) TYP
14
15
(9.3)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:7X
4225976/C 06/2021
NOTES: (continued)
7. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
8. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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13.1 卷带封装信息
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
卷带
宽度W1
（mm）
A0
（mm）
B0
（mm）
K0
（mm）
P1
（mm）
W
Pin1
象限
卷带
直径（mm）
封装
类型
SPQ
器件
封装图
引脚
（mm）
ISOUSB111DWR
ISOUSB111DWXR
SOIC
DW
16
16
2000
1000
330.0
330.0
16.4
16.4
10.75
12.05
10.7
6.15
2.7
3.3
12.0
16.0
16.0
16.0
Q1
Q1
SSOP
DWX
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TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
SPQ
2000
1000
长度（mm） 宽度（mm）
高度（mm）
43.0
器件
封装类型
封装图
DW
引脚
16
ISOUSB111DWR
ISOUSB111DWXR
SOIC
350.0
350.0
350.0
350.0
SSOP
DWX
16
43.0
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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24-Jan-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
ISOUSB211DPR
ACTIVE
SSOP
DP
28
2000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-3-260C-168 HR
-40 to 125
ISOUSB211
Samples
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
重要声明和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
保。
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证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。
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TI 反对并拒绝您可能提出的任何其他或不同的条款。IMPORTANT NOTICE
邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
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相关型号：
ISOW1044
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1044B
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1044BDFMR
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1044DFMR
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1044_V01
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1044_V02
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1412
ISOW14x2 Isolated RS-485/RS-422 Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1412B
ISOW14x2 Isolated RS-485/RS-422 Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1412BDFMR
ISOW14x2 Isolated RS-485/RS-422 Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1412DFM
ISOW1412 Reinforced 5-kVRMS Isolated RS-485/RS-422 Transceiver with Integrated low-emissions DC-DC Converter
TI
ISOW1412DFMR
ISOW14x2 Isolated RS-485/RS-422 Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
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