LM7332MMX/NOPB [TI]
Dual, 32-V, 19-MHz operational amplifier | DGK | 8 | -40 to 125;
| 型号： | LM7332MMX/NOPB |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | Dual, 32-V, 19-MHz operational amplifier | DGK | 8 | -40 to 125 放大器 光电二极管 |
| 文件： | 总37页 (文件大小：1734K) |
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LM7332
ZHCSI75B –APRIL 2008–REVISED JANUARY 2016
LM7332 双通道轨至轨输入和输出 30V、宽电压范围、高输出运算放大器
1 特性
3 说明
1
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
VS = ±15V，TA = 25°C（典型值，除非另有说明）
LM7332 器件是一款双通道轨至轨输入和输出放大器，
工作温度范围较宽（−40°C 至 +125°C），可满足汽
车、工业和电源 应用的需求。LM7332 的输出电流为
100mA，高于大多数单片运算放大器的输出电流。具
有高输出电流要求的电路设计通常需要分立式晶体管，
因为许多运算放大器的电流输出较低。LM7332 具有足
够大的电流输出，能够直接驱动许多负载，从而节省分
立式晶体管所需的成本和空间。
宽电源电压范围：2.5V 至 32V
宽输入共模电压越过电源轨 0.3V
输出短路电流大于 100mA
高输出电流（与电源轨相差 1V）：±70mA
GBWP：21MHz
压摆率：15.2V/µs
容性负载容差无限制
总电源电流：2mA
极宽的工作电源电压范围（2.5V 至 32V）减轻了在极
端条件下对于功能的任何担忧，并为多种 应用带来了
灵活性。该器件的大部分参数对电源电压变化不敏感；
这种在设计上的改进又进一步简化了使用。较大的轨至
轨输入共模电压范围使得该器件可在许多 应用（包括
高侧和低侧感应）中运行，而不会超出输入范围。
温度范围：−40°C 至 +125°C
在 −40°C、+125°C 和 +25°C 温度下
以 5V、±5V 和 ±15V 的电压经过测试
2 应用
•
•
•
•
•
•
•
•
MOSFET 和功率晶体管驱动器
LM7332 可驱动无限的容性负载而不会出现振荡。
LM7332 采用 8 引脚 VSSOP 和 SOIC 封装。
取代高电流输出电路中的分立式晶体管
仪表 4–20mA 电流环路
模拟数据传输
器件信息(1)
多个电压电源和电池充电器
高侧和低侧电流检测
器件型号
LM7332
封装
VSSOP (8)
SOIC (8)
封装尺寸（标称值）
3.00mm × 3.00mm
3.91mm x 4.90mm
电桥和传感器驱动
数模转换器输出
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
输出摆幅与拉电流间的关系
100
各种容性负载的大信号阶跃响应
V
S
= 30V
10 pF
10
1
V
= 10V, A = +1, R = 1 MW
S
V
L
2000 pF
125°C
85°C
10,000 pF
-40°C
0.1
25°C
0.01
20,000 pF
2 ms/DIV
0.1
1
10
100
1000
I
(mA)
SOURCE
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SNOSAV4
LM7332
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目录
7.3 特性 说明................................................................. 17
7.4 器件功能模式........................................................... 18
以下一些应用中...................................................... 20
8.1 应用信息.................................................................. 20
8.2 典型应用 ................................................................. 20
电源建议................................................................. 22
1
2
3
4
5
6
特性.......................................................................... 1
应用.......................................................................... 1
说明.......................................................................... 1
修订历史记录 ........................................................... 2
引脚配置和功能........................................................ 3
规格.......................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值 ........................................................ 4
6.2 ESD 额定值............................................................... 4
6.3 建议的工作状态......................................................... 4
6.4 热性能信息 ................................................................ 4
6.5 5V 电气特性 .............................................................. 5
6.6 ±5V 电气特性 ........................................................... 6
6.7 ±15V 电气特性 ......................................................... 7
6.8 典型特性.................................................................... 9
详细 说明................................................................ 17
7.1 概述......................................................................... 17
7.2 功能框图.................................................................. 17
8
9
10 布局 ....................................................................... 23
10.1 布局指南................................................................ 23
10.2 布局示例................................................................ 23
10.3 输出短路电流和功耗问题....................................... 23
11 器件和文档支持 ..................................................... 26
11.1 社区资源................................................................ 26
11.2 商标....................................................................... 26
11.3 静电放电警告......................................................... 26
11.4 术语表 ................................................................... 26
12 机械、封装和可订购信息....................................... 26
7
4 修订历史记录
注：之前版本的页码可能与当前版本有所不同。
Changes from Revision A (March 2013) to Revision B
Page
•
添加器件信息、ESD 额定值 和热性能信息 表、特性 说明 部分、器件功能模式、应用和实施 部分、电源相关建议 部
分、布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分。 ......................................................................... 1
Changes from Original (March 2013) to Revision A
Page
•
已更改 将美国国家半导体产品说明书的布局更改成了 TI 格式 ............................................................................................. 20
2
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5 引脚配置和功能
DGK 封装
8 引脚 VSSOP
俯视图
1
+
8
OUT A
V
A
2
3
4
7
6
5
OUT B
IN- B
IN- A
-
B
IN+ A
-
-
IN+ B
V
D 封装
8 引脚 SOIC
俯视图
1
8
+
OUT A
V
A
7
6
5
2
3
4
OUT B
IN- B
IN- A
-
B
IN+ A
-
-
IN+ B
V
引脚功能
引脚
I/O
说明
名称
编号
3
IN+ A
IN– A
IN+ B
IN– B
OUT A
OUT B
V+
I
I
放大器 A 的同相输入
放大器 A 的反相输入
放大器 B 的同相输入
放大器 AB 的反相输入
放大器 A 的输出
放大器 B 的输出
正电源
2
5
I
6
I
1
O
O
P
P
7
8
V–
4
负电源
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3
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
(1)(2)
请参阅
最小值
V+ + 0.3
−65
最大值
单位
VIN 差分电压
±10
V
(3)(4)
输出短路持续时间
电源电压 (VS = V+ – V−)
输入/输出引脚电压
结温(5)
请参阅
35
V− − 0.3
150
V
V
°C
°C
°C
°C
红外或对流（20 秒）
235
焊接信息
波焊（10 秒）
260
贮存温度，Tstg
150
(1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下器件的功能性操作
以及在超出建议的工作状态下的任何其它操作，在此并未说明。长时间运行在最大绝对额定条件下会影响器件可靠性。
(2) 如果需要军用/航天专用器件，请与 TI 销售办公室/分销商联系以了解供货情况和技术规格。
(3) 同时适用于单电源供电和双电源供电。在环境温度升高的情况下，持续短路运行可能会导致超过允许的最大结温 (150°C)。
(4) 短路测试是瞬时测试。在室温及低于室温的情况下，当 VS ≤ 6V 时，输出短路持续时间是无限的。VS > 6V 时，允许的短路持续时间为
1.5ms。
(5) 最大功耗是 TJ(MAX)、RθJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功耗为 PD = (TJ(MAX) – TA) / RθJA。所有数字均适用于直接焊接到 PC 板的
封装。
6.2 ESD 额定值
值
单位
人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1)(2)
机器模型 (MM)
±2000
±200
V(ESD)
静电放电
V
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) 人体放电模型，适用标准。MIL-STD-883，Method 3015.7。机器模型，适用标准。JESD22-A115-A（JEDEC 的ESD MM 标准）电场诱
导充电器件模型，适用标准。JESD22-C101-C（JEDEC 的 ESD FICDM 标准）。
6.3 建议的工作状态
最小值
2.5
最大值
32
单位
V
电源电压 (VS = V+ – V−)
温度范围(1)
−40
125
°C
(1) 最大功耗是 TJ(MAX)、RθJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功耗为 PD = (TJ(MAX) – TA) / RθJA。所有数字均适用于直接焊接到 PCB 的
封装。
6.4 热性能信息
LM7332
热指标(1)
DGK (VSSOP)
D (SOIC)
8 引脚
109.1
55.8
单位
8 引脚
161.1
55
(2)
RθJA
RθJC(top)
RθJB
ψJT
结至环境热阻
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
80.5
5.5
49.2
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
10.7
ψJB
79.2
48.7
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。
(2) 最大功耗是 TJ(MAX)、RθJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功耗为 PD = (TJ(MAX) – TA) / RθJA。所有数字均适用于直接焊接到 PCB 的
封装。
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6.5 5V 电气特性
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 5V，V− = 0V，VCM = 0.5V，VO = 2.5V，且 RL > 1MΩ（连接
至 2.5V）。(1)
(2)
(3)
(2)
参数
测试条件
VCM = 0.5V 以及 VCM = 4.5V
在极端温度下
最小值
典型值
最大值
单位
mV
−4
±1.6
4
5
VOS
输入失调电压
输入失调电压温漂
输入偏置电流
-5
(4)
TC VOS
IB
VCM = 0.5V 以及 VCM = 4.5V
±2
±1
µV/°C
µA
(5)
请参阅
−2
2
在极端温度下
−2.5
2.5
250
300
20
80
IOS
输入失调电流
共模抑制比
nA
dB
在极端温度下
0V ≤ VCM ≤ 3V
在极端温度下
0V ≤ VCM ≤ 5V
在极端温度下
5V ≤ V+ ≤ 30V
在极端温度下
67
65
62
60
78
74
CMRR
70
100
PSRR
CMVR
电源抑制比
dB
V
−0.3
−0.1
CMRR > 50dB
5.1
5
输入共模电压范围
5.3
0
在极端温度下
0.5V ≤ VO ≤ 4.5V
RL = 10kΩ（连接至 2.5V）
70
65
77
60
AVOL
大信号电压增益
dB
在极端温度下
RL = 10kΩ（连接至 2.5V）
VID = 100mV
150
200
300
350
150
200
300
350
在极端温度下
输出摆幅
高位
RL = 2kΩ（连接至 2.5V）
VID = 100mV
100
5
mV（相对
于任一电
源轨）
在极端温度下
VO
RL = 10kΩ（连接至 2.5V）
VID = −100mV
在极端温度下
输出摆幅
低位
RL = 2kΩ（连接至 2.5V）
VID = −100mV
20
在极端温度下
拉电流从 V+ 拉出，VID = 200mV(6)
灌电流灌入 V−，VID = –200mV(6)
60
60
90
90
ISC
IOUT
IS
输出短路电流
输出电流
mA
mA
VID = ±200mV，VO = 1V（相对于电源
轨）
±55
1.5
空载，VCM = 0.5V
2.3
2.6
总电源电流
压摆率(7)
mA
在极端温度下
AV = +1，VI = 5V 阶跃，RL = 1MΩ，
CL = 10pF
SR
12
V/µs
fu
单位增益频率
增益带宽积
RL = 10MΩ，CL = 20pF
7.5
MHz
MHz
GBWP
f = 50kHz
19.3
(1) 电气特性 值仅适用于所示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件会使器件的自发热大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的内部自发热条
件下，某些参数性能规格（如电气表中所示）无法得到保证。
(2) 所有限值均根据测试或统计分析确定。
(3) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材
料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。
(4) 失调电压温漂等于极端温度下的 VOS 变化除以总温度变化值。
(5) 正电流相当于流入器件的电流。
(6) 短路测试是瞬时测试。在室温及低于室温的情况下，当 VS ≤ 6V 时，输出短路持续时间是无限的。VS > 6V 时，允许的短路持续时间为
1.5ms。
(7) 压摆率是上升压摆率和下降压摆率中的较慢者。作为电压跟随器连接。
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5V 电气特性 (接下页)
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 5V，V− = 0V，VCM = 0.5V，VO = 2.5V，且 RL > 1MΩ（连接
至 2.5V）。(1)
(2)
(3)
(2)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
en
in
输入基准电压噪声
输入基准电流噪声
f = 2kHz
f = 2kHz
14.8
1.35
nV/√HZ
pA/√HZ
AV = +2，RL = 100kΩ，f = 1kHz，
VO = 4VPP
THD+N
总谐波失真 + 噪声
−84
dB
dB
CT 抑制
串扰抑制
f = 3MHz，驱动器 RL = 10kΩ
68
6.6 ±5V 电气特性
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = +5V，V− = −5V，VCM = 0V，VO = 0V，且 RL > 1MΩ（连接
至 0V）。(1)
(2)
(3)
(2)
参数
测试条件
VCM = −4.5V 以及 VCM = 4.5V
在极端温度下
最小值
典型值
最大值
单位
mV
−4
−5
±1.6
4
5
VOS
输入失调电压
输入失调电压温漂
输入偏置电流
(4)
TC VOS
IB
VCM = −4.5V 以及 VCM = 4.5V
±2
±1
µV/°C
µA
(5)
请参阅
−2
2
在极端温度下
−2.5
2.5
250
300
20
88
IOS
输入失调电流
共模抑制比
nA
dB
在极端温度下
−5V ≤ VCM ≤ 3V
在极端温度下
74
75
70
65
78
74
5.1
5
CMRR
−5V ≤ VCM ≤ 5V
在极端温度下
74
5V ≤ V+ ≤ 30V，VCM = −4.5V
100
PSRR
CMVR
电源抑制比
dB
V
在极端温度下
CMRR > 50dB
在极端温度下
–5.3
5.3
–5.1
–5.1
输入共模电压范围
−4V ≤ VO ≤ 4V
RL = 10kΩ（连接至 0V）
72
70
80
AVOL
大信号电压增益
dB
在极端温度下
RL = 10kΩ（连接至 0V）
VID = 100mV
75
250
300
350
400
250
300
350
400
在极端温度下
输出摆幅
高位
RL = 2kΩ（连接至 0V）
VID = 100mV
125
10
mV（相对
于任一电
源轨）
在极端温度下
VO
RL = 10kΩ（连接至 0V）
VID = −100mV
在极端温度下
输出摆幅
低位
RL = 2kΩ（连接至 0V）
VID = −100mV
30
在极端温度下
(1) 电气特性 值仅适用于所示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件会使器件的自发热大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的内部自发热条
件下，某些参数性能规格（如电气表中所示）无法得到保证。
(2) 所有限值均根据测试或统计分析确定。
(3) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材
料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。
(4) 失调电压温漂等于极端温度下的 VOS 变化除以总温度变化值。
(5) 正电流相当于流入器件的电流。
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±5V 电气特性 (接下页)
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = +5V，V− = −5V，VCM = 0V，VO = 0V，且 RL > 1MΩ（连接
至 0V）。(1)
(2)
(3)
(2)
参数
测试条件
拉电流从 V+ 拉出，VID = 200mV
最小值
典型值
最大值
单位
(6)
90
90
120
100
ISC
IOUT
IS
输出短路电流
mA
灌电流灌入 V−，VID = −200mV
(6)
VID = ±200mV，VO = 1V（相对于电源
轨）
输出电流
总电源电流
压摆率(7)
±65
1.5
mA
mA
空载，VCM = −4.5V
2.4
2.6
在极端温度下
AV = +1，VI = 8V 阶跃，RL = 1MΩ，
CL = 10pF
SR
13.2
V/µs
ROUT
fu
闭环输出电阻
单位增益频率
增益带宽积
AV = +1，f = 100kHz
RL = 10MΩ，CL = 20pF
f = 50kHz
3
7.9
Ω
MHz
GBWP
en
19.9
14.7
1.3
MHz
输入基准电压噪声
输入基准电流噪声
f = 2kHz
nV/√HZ
pA/√HZ
in
f = 2kHz
AV = +2，RL = 100kΩ，f = 1kHz，
VO = 8VPP
THD+N
总谐波失真 + 噪声
−87
dB
dB
CT 抑制
串扰抑制
f = 3MHz，驱动器 RL = 10kΩ
68
(6) 短路测试是瞬时测试。在室温及低于室温的情况下，当 VS ≤ 6V 时，输出短路持续时间是无限的。VS > 6V 时，允许的短路持续时间为
1.5ms。
(7) 压摆率是上升压摆率和下降压摆率中的较慢者。作为电压跟随器连接。
6.7 ±15V 电气特性
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = +15V，V− = −15V，VCM = 0V，VO = 0V，且 RL > 1MΩ（连
接至 0V）。(1)
(2)
(3)
(2)
参数
测试条件
VCM = −14.5V 以及 VCM = 14.5V
在极端温度下
最小值
典型值
最大值
单位
−5
−6
±2
5
6
VOS
输入失调电压
mV
VCM = −14.5V 以及 VCM = 14.5V
TC VOS
IB
输入失调电压温漂
输入偏置电流
±2
±1
µV/°C
µA
(4)
(5)
请参阅
−2
2
在极端温度下
−2.5
2.5
250
300
20
88
80
IOS
输入失调电流
共模抑制比
nA
dB
在极端温度下
−15V ≤ VCM ≤ 12V
在极端温度下
74
74
72
72
78
74
CMRR
−15V ≤ VCM ≤ 15V
在极端温度下
−10V ≤ V+ ≤ 15V，VCM = −14.5V
100
PSRR
CMVR
电源抑制比
dB
V
在极端温度下
−15.3
−15.1
−15
CMRR > 50dB
15.1
15
输入共模电压范围
15.3
在极端温度下
(1) 电气特性 值仅适用于所示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件会使器件的自发热大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的内部自发热条
件下，某些参数性能规格（如电气表中所示）无法得到保证。
(2) 所有限值均根据测试或统计分析确定。
(3) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材
料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。
(4) 失调电压温漂等于极端温度下的 VOS 变化除以总温度变化值。
(5) 正电流相当于流入器件的电流。
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±15V 电气特性 (接下页)
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = +15V，V− = −15V，VCM = 0V，VO = 0V，且 RL > 1MΩ（连
接至 0V）。(1)
(2)
(3)
(2)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
−14V ≤ VO ≤ 14V
RL = 10kΩ（连接至 0V）
72
70
80
AVOL
大信号电压增益
dB
在极端温度下
RL = 10kΩ（连接至 0V）
VID = 100mV
100
200
20
350
400
550
600
450
500
550
600
在极端温度下
输出摆幅
高位
RL = 2kΩ（连接至 0V）
VID = 100mV
mV（相对
于任一电
源轨）
在极端温度下
VO
RL = 10kΩ（连接至 0V）
VID = −100mV
在极端温度下
输出摆幅
低位
RL = 2kΩ（连接至 0V）
VID = −100mV
25
在极端温度下
拉电流从 V+ 拉出，VID = 200mV(6)
灌电流灌入 V−，VID = −200mV
140
140
ISC
IOUT
IS
输出短路电流
输出电流
mA
mA
(6)
VID = ±200mV，VO = 1V（相对于电源
轨）
±70
2
空载，VCM = −14.5V
2.5
3
总电源电流
压摆率(7)
mA
在极端温度下
AV = +1，VI = 20V 阶跃，RL = 1MΩ，
CL = 10pF
SR
15.2
V/µs
fu
单位增益频率
RL = 10MΩ，CL = 20pF
f = 50kHz
9
21
MHz
MHz
GBWP
增益带宽积
en
in
输入基准电压噪声
输入基准电流噪声
f = 2kHz
15.5
1
nV/√HZ
pA/√HZ
f = 2kHz
AV = +2，RL = 100kΩ，f = 1kHz，
VO = 25VPP
THD+N
总谐波失真与噪声
串扰抑制
−93
dB
dB
CT 抑制
f = 3MHz，驱动器 RL = 10kΩ
68
(6) 短路测试是瞬时测试。在室温及低于室温的情况下，当 VS ≤ 6V 时，输出短路持续时间是无限的。VS > 6V 时，允许的短路持续时间为
1.5ms。
(7) 压摆率是上升压摆率和下降压摆率中的较慢者。作为电压跟随器连接。
8
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6.8 典型特性
除非另有说明，否则 TA = 25°C。
12
10
8
0.2
0.15
0.1
85°C
25°C
V
S
= 10V
0.05
0
125°C
-40°C
6
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
-0.25
-0.3
4
2
V
= 5V
S
0
-1
0
1
2
3
4
5
6
-3
-2
-1
0
1
2
3
V
CM
(V)
V
(mV)
OS
图 1. VOS 分布
图 2. VOS 与 VCM 间的关系（单位 1）
-1
2.5
2
125°C
85°C
125°C
25°C
-1.5
-2
1.5
1
-2.5
-3
-40°C
25°C
-40°C
85°C
0.5
0
-3.5
-4
125°C
V
= 5V
0
S
V
= 5V
0
S
-1
1
2
3
4
5
6
6
-1
1
2
3
4
5
V
(V)
CM
V
(V)
CM
图 3. VOS 与 VCM 间的关系（单位 2）
图 4. VOS 与 VCM 间的关系（单位 3）
0
0
-0.5
-1
85°C
-0.1
-0.2
125°C
25°C
125°C
-40°C
-1.5
-40°C
-0.3
-0.4
-0.5
-2
-2.5
-3
85°C
25°C
-3.5
-4
-0.6
-0.7
V
= 30V
V
= 30V
S
S
-4.5
10
35
-5
0
5
15 20 25 30
(V)
-5
0
5
10
20 25 30 35
15
(V)
V
CM
V
CM
图 5. VOS 与 VCM 间的关系（单位 1）
图 6. VOS 与 VCM 间的关系（单位 2）
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9
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典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C。
2
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
125°C
-40°C
85°C
1.5
25°C
-40°C
125°C
1
0.5
0
-1.1
-1.1
-1.2
-1.3
-1.4
-1.5
25°C
85°C
V
= 30V
S
-0.5
0
5
10 15 20
25 30
35
-5
0
10
20
(V)
30
40
V
(V)
CM
V
S
图 7. VOS 与 VCM 间的关系（单位 3）
图 8. VOS 与 VS 间的关系（单位 1）
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
125°C
25°C
85°C
85°C
25°C
-40°C
125°C
-40°C
0
10
20
(V)
30
40
0
10
20
(V)
30
40
V
V
S
S
图 9. VOS 与 VS 间的关系（单位 2）
图 10. VOS 与 VS 间的关系（单位 3）
1300
1200
1100
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
-40°C
25°C
-
V
= V + 0.5V
CM
-40°C
125°C
85°C
125°C
25°C
1000
900
85°C
-200
-400
-600
V
= 5V
1
S
800
0
5
10 15 20 25 30 35 40
(V)
0
2
3
4
5
V
S
V
CM
(V)
图 12. IBIAS 与电源电压间的关系
图 11. IBIAS 与 VCM 间的关系
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典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C。
3.5
3.5
3
V
= 5V
V
= 12V
125°C
S
S
3
2.5
2
2.5
2
125°C
85°C
25°C
85°C
1.5
1
1.5
1
25°C
-40°C
0.5
0
0.5
0
-40°C
-1
0
1
2
3
4
5
6
-1
3
5
7
9
11
13
1
V
(V)
V
(V)
CM
CM
图 13. IS 与 VCM 间的关系
图 14. IS 与 VCM 间的关系
4
3.5
3
3.6
3.4
3.2
3
V
= 30V
125°C
S
125°C
85°C
2.8
2.6
2.4
2.2
2
2.5
2
25°C
85°C
1.5
1
25°C
-40°C
-40°C
1.8
1.6
1.4
0.5
0
-
V
CM
= V + 0.5V
0
10
20
(V)
30
10
-5
0
5
10 15 20 25 30 35
(V)
V
S
V
CM
图 15. IS 与 VCM 间的关系
图 16. IS 与电源电压间的关系
2.4
10
V
= 5V
S
2.2
2
125°C
1
85°C
125°C
85°C
1.8
1.6
1.4
1.2
1
25°C
0.1
25°C
0.01
-40°C
-40°C
-
V
CM
= V + 0.5V
0.001
0
10
20
(V)
30
40
0.1
1
10
(mA)
100
1000
V
I
S
SINK
图 18. 输出摆幅与灌电流间的关系
图 17. IS 与电源电压间的关系
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典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C。
100
10
V
S
= 5V
V
= 30V
S
10
1
1
125°C
85°C
125°C
25°C
85°C
0.1
0.01
-40°C
25°C
0.1
-40°C
0.001
0.01
0.01
0.1
1
10
(mA)
100
1000
1000
35
10
1
100
1000
0.1
I
SINK
I
(mA)
SOURCE
图 19. 输出摆幅与灌电流间的关系
图 20. 输出摆幅与拉电流间的关系
100
300
V
S
= 30V
R
= 2 kW
L
250
200
150
100
50
125°C
10
1
85°C
25°C
125°C
85°C
-40°C
-40°C
0.1
25°C
0.01
0
0.1
1
10
100
35
0
5
10
15
20
(V)
25
30
I
(mA)
V
S
SOURCE
图 21. 输出摆幅与拉电流间的关系
图 22. 正输出摆幅与电源电压间的关系
160
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
R
= 2 kW
L
R
L
= 10 kW
125°C
140
120
125°C
85°C
85°C
25°C
25°C
100
80
-40°C
-40°C
60
40
20
0
0
5
10
15
20
(V)
25 30
0
5
10
15
20
(V)
25 30
35
V
V
S
S
图 23. 正输出摆幅与电源电压间的关系
图 24. 负输出摆幅与电源电压间的关系
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典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C。
25
140
120
100
80
158
V
R
= 5V
= 10 MW
S
R
L
= 10 kW
L
135
113
90
85°C
20
15
10
5
125°C
PHASE
20 pF
GAIN
60
50 pF 68
25°C
40
45
23
0
-40°C
20
200 pF
100 pF
0
-20
-23
100M
0
1k
10k
100k
1M
10M
35
0
3
10
15
V
20
25
30
(V)
FREQUENCY (Hz)
S
图 25. 负输出摆幅与电源电压间的关系
图 26. 各种容性负载下的
开环频率响应
140
120
100
80
140
120
100
80
158
158
135
113
90
V
R
= 10V
= 10 MW
S
V
R
= 30V
= 10 MW
S
L
135
113
90
L
PHASE
PHASE
20 pF
20 pF
50 pF
60
60
68
GAIN
50 pF
GAIN
68
40
40
45
45
20
20
23
0
23
200 pF
200 pF
100 pF
0
0
0
100 pF
1M
-23
100M
-20
-23
100M
-20
1k
10k
100k
1M
10M
1k
10k
100k
10M
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
图 27. 各种容性负载下的
开环频率响应
图 28. 各种容性负载下的
开环频率响应
140
158
135
113
90
R
C
= 1 MW
= 20 pF
L
140
120
100
80
158
135
113
90
V
C
= 30V
= 20 pF
120
100
80
60
40
20
0
S
L
PHASE
L
100 kW
PHASE
V
= 30V
S
10 kW
V
= 10V
S
68
GAIN
60
68
10 kW
45
1 MW
GAIN
40
45
10 MW
23
20
23
100 kW, 1 MW, 10 MW
0
0
0
V
= 5V
S
-20
-23
100M
-20
-23
100M
1k
10k
100k
1M
10M
1k
10k
100k
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
图 30. 开环频率响应与
各种电源电压间的关系
图 29. 开环频率响应与
各种阻性负载间的关系
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典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C。
70
60
50
40
140
158
135
113
90
V
R
C
= 30V
= 1 MW
= 20 pF
R
= 600W
S
L
120
100
80
60
40
20
0
L
L
R
L
= 2 kW
PHASE
R
L
= 10 kW
-40èC
125èC
68
GAIN
R
= 100 kW, 10 MW
L
30
20
10
0
45
125èC
23
-40èC
125èC
0
V
= 5V
S
-20
-23
100M
1k
10k
100k
1M
10M
100
CAPACITIVE LOAD (pF)
图 32. 相位裕度与容性负载间的关系
1000
20
FREQUENCY (Hz)
图 31. 不同温度下的开环频率响应
70
60
50
40
90
R
= 600W
V
= 10V
L
S
80
70
R
= 2 kW
L
60
50
40
30
20
10
0
R
L
= 10 kW
RL = 100 kW, 10 MW
30
20
10
0
V
= 30V
S
10k
FREQUENCY (Hz)
图 34. CMRR 与频率间的关系
1M
10
1k
100k
100
100
CAPACITIVE LOAD (pF)
图 33. 相位裕度与容性负载间的关系
1000
20
100
90
100
90
V
S
= 10V
V = 10V
S
80
70
60
50
40
30
20
10
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
1k
FREQUENCY (Hz)
图 35. +PSRR 与频率间的关系
10k
100k
1M
10
1k
FREQUENCY (Hz)
图 36. −PSRR 与频率间的关系
10k
100k
1M
100
100
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典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C。
100 mV
100 mV
PP
PP
V
S
= 10V, A = +1, C = 10 pF, R = 1 MW
V
S
= 10V, A = +1, C = 500 pF, R = 1 MW
V
L
L
V
L
L
1 V
1 V
PP
PP
2 V
PP
2 V
PP
5 V
PP
5 V
PP
500 ns/DIV
图 38. 各种幅度的阶跃响应
200 ns/DIV
图 37. 各种幅度的阶跃响应
100
10
1
1000
100
10
V
S
= 5V
10 pF
V
= 10V, A = +1, R = 1 MW
S
V
L
CURRENT
2000 pF
VOLTAGE
10,000 pF
0.1
100k
1
20,000 pF
1
10
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
2 ms/DIV
图 39. 各种容性负载的大信号阶跃响应
图 40. 输入基准电压噪声密度与频率间的关系
100
10
1
100
1000
100
10
1000
V
= 10V
V = 30V
S
S
10
1
100
10
1
CURRENT
CURRENT
VOLTAGE
VOLTAGE
0.1
0.1
1
1
10
100
FREQUENCY (Hz)
图 41. 输入基准电压噪声密度与频率间的关系
1k
10k
100k
1
10
100
FREQUENCY (Hz)
图 42. 输入基准电压噪声密度与频率间的关系
1k
10k
100k
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典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C。
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
V
= 5V
S
V = 10V
S
f = 1 kHz
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
f = 1 kHz
A
= +2
V
A
= +2
V
R
= 100 kW
L
R
= 100 kW
L
0.02
0.1
1
6
0.02
0.1
1
10 20
OUTPUT AMPLITUDE (V
)
PP
OUTPUT AMPLITUDE (V
)
PP
图 43. THD+N 与输出幅度 (VPP) 间的关系
图 44. THD+N 与输出幅度 (VPP) 间的关系
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
130
120
110
100
90
V
= 30V
V
= 5V
S
S
f = 1 kHz
R
= 10 kW
L
A
= +2
V
R
= 100 kW
L
80
70
60
50
40
30
20
1M
FREQUENCY (Hz)
图 46. 串扰与频率间的关系
10M
1k
10k
100k
100M
0.02
0.1
1
10
40
OUTPUT AMPLITUDE (V
)
PP
图 45. THD+N 与输出幅度 (VPP) 间的关系
16
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7 详细 说明
7.1 概述
LM7332 器件是具有宽工作电压范围和高输出电流的轨至轨输入和输出放大器。LM7322 非常高效，能实现
15.2V/μs 的压摆率和 21MHz 的单位增益带宽，同时所需的总电源电流仅为 2mA。LM7332 器件的性能在 5V、±
5V 和 ±15V 的条件下完全符合运行规格。
LM7332 器件设计用于驱动无限容性负载而不产生振荡。LM7332 在 −40°C、125°C 和 25°C 的条件下以现代化的
自动测试设备经过全面测试。−40°C 至 +125°C 范围内的高性能、详细的规格和广泛的测试使这些器件适用于工
业、汽车和通信 应用。
大多数器件参数对电源电压不敏感，因此这些器件更便于用在电源电压可能出现变化的场合，例如汽车电气系统和
电池供电型设备。LM7332 具有真正的轨至轨输出，能够以超越任一电源轨的最小余量电压 (1V) 提供可观的电流
量 (±70mA)。
7.2 功能框图
1
8
+
OUT A
V
A
2
3
4
7
6
5
OUT B
IN- B
IN- A
-
B
IN+ A
-
-
IN+ B
V
7.3 特性 说明
7.3.1 估算输出电压摆幅
请务必注意，稳态输出电流将小于输入过驱时提供的电流。在稳态条件下，可使用图 47 和图 48 中的曲线图来预
测输出摆幅。这些曲线图还显示了与输出端和接地端之间连接的负载相对应的多条负载线。在每种情况下，器件在
相应温度下的曲线与负载线的交汇点将是该负载可能的典型输出摆幅。例如，一个 600Ω 的负载可让输出摆幅处于
V− 的 100mV 范围内以及 V+ 的 250mV 范围内 (VS = ±5V)，对应于典型值为 9.65VPP 的未削波摆幅。
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LM7332
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特性 说明 (接下页)
10
10
1
20W
50W
2 kW
1 kW
2 kW
1 kW
1
600W
600W
200W
100m
100m
100W
10m
1m
100W 50W
200W
V
V
= 10V
V
V
= 10V
S
S
= 20 mV
= -20 mV
ID
ID
20W
100m
10m
10µ
1m
10m
(A)
100µ
10µ
100µ
1m
I
10m
(A)
100m
I
OUT
OUT
图 48. 稳态输出灌电流特性以及负载线
图 47. 稳态输出拉电流特性以及负载线
7.4 器件功能模式
7.4.1 驱动容性负载
LM7332 专门设计用于驱动无限容性负载而不产生振荡，如图 49 所示。
100
10
1
100µ
SETTLING TIME
100 mV STEP
V
A
= 10V
= +1
S
PP
V
10µ
1µ
SLEW RATE
0.1
10µ
100n
10n
(pF)
1µ
10p
1n
100n
100p
C
L
图 49. 建立时间和压摆率与容性负载间的关系
此外，该器件具有优秀的输出电流处理能力，因此即使在较大的容性负载条件下也能提供良好的压摆率特性，如图
49 所示。这些 特性 相结合使得此器件非常适合 TFT 平板缓冲器、模数转换器输入放大器和功率晶体管驱动器等
应用 。
但是，与大多数运算放大器一样，在此运算放大器和容性负载之间增加一个串联隔离电阻器可提高趋稳和过冲性
能。
输出电流驱动是驱动容性负载时的重要参数。该参数将决定输出电压的变化速度。参考图 49，可以发现两个不同
的区域。负载低于大约 10,000pF 时，输出压摆率仅由运算放大器的补偿电容值和流入该电容器的电流决定。负载
超出 10nF 时，压摆率取决于运算放大器提供的输出电流。负载大于 100nF 的情况下，可通过将短路电流值除以电
容值来估算正负压摆率。
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器件功能模式 (接下页)
7.4.2 输出电压摆幅接近 V−
LM7332 的输出级设计可确保电压摆幅在任意电源轨的几毫伏范围内，从而实现最大的灵活性并扩大可用范围。得
益于这种设计架构，当输出接近任一电源轨时，输出晶体管集电极-基极结反向偏置将减小。当输出低于与任一电源
轨的差值 Vbe 时，相应的输出晶体管将接近饱和状态。在这种工作模式下，晶体管表现出更高的结电容和更低的
ft，而这会降低相位裕度。当噪声增益（NG = 1 + RF/RG，其中的 RF 和 RG 是外部增益设置电阻）为 2 或更大值
时，相位裕度足够大，因此这种相位裕度降低问题无关紧要。但是，在噪声增益较小 (<2) 且提供给电源轨的电压
小于 150mV 时，如果输出负载较轻，则相位裕度降低可能会导致不必要的振荡。
在使用 LM7332 的情况下，由于其固有的架构细节，仅当输出摆幅在 V− 的 150mV 范围内时，才会在 V− 处发生与
输出晶体管相关的振荡。但是，如果该输出晶体管的集电极电流大于其几微安的空闲值，则相位裕量损失会变得不
明显。在这种情况下，输出晶体管需要 300μA 的集电极电流来纠正这种情况。所以，当所有上述临界条件同时出
现时（NG < 2、VOUT < 150mV（相对于电源轨）且输出负载较轻），为了确保稳定性，可在输出端增加负载电阻
器，从而为输出晶体管提供必要的最小集电极电流 (300μA)。
例如，工作电压为 12V（或 ±6V）时，在输出端到 V+ 之间添加一个 39kΩ 的电阻器，即可产生 300μA 的输出灌电
流并确保稳定性。这样一来，相当于总静态功耗增加约 15%。
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8 以下一些应用中
注
的应用和实现 信息 部分的信息不属于 TI 规格范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客
户应负责确定组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计是否能够实现，以确保系统
功能。
8.1 应用信息
LM7332 是一款 GBW 略大于 20MHz 的轨至轨输入和输出运算放大器。此器件具有 40mA 拉电流和 65mA 灌电流
能力，可驱动无限容性负载。LM7332 采用 VSSOP 和 SOIC 封装。
8.1.1 类似的高电流输出器件
LM6172 具有 100MHz 的更高 GBW 和超过 80mA 的电流输出。此外还有一个单通道版本：LM6171。LM7372 具
有 120MHz 的 GBW 和超过 150mA 的电流输出。LM7372 采用 8 引脚 SO PowerPAD™封装和 16 引脚 SOIC 封
装（具有更高功耗）。
LME49600 缓冲器具有 250mA 的电流输出和 110MHz 的带宽。LME49600 采用 DDPAK/TO-263 封装以实现更高
的功耗。
有关这些器件的详细信息，请访问 www.ti.com.cn。
8.2 典型应用
SAR ADC
Rflt
-
RON
Ro
Input Signal
+
CSH
Cflt
图 50. SAR ADC 驱动放大器原理图
8.2.1 设计要求
假设一种便携式应用需要使用采集时间 (tAQ) 为 1μs 且采样保持电容 (CSH) 为 80pF 的 12 位 SAR ADC。
此 ADC 采用 5V 单电源供电，且满标量程输入为 2.5VPP。为了维持信号保真度，必须使总谐波失真加噪声
(THD+N) 小于 –80dB。确定 LM7332 是否是合适的驱动放大器，并找出 Rflt 和 Cflt 的值。
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典型应用 (接下页)
8.2.2 详细设计流程
LM7332 可用作 SAR ADC 的驱动放大器（如图 50 所示）。
Rflt 和 Cflt 的值取决于 ADC 规格以及放大器增益带宽积 (GBWP) 和输出电阻 (RO)。此外也很常见的情况是，只有
一个以地为参考的电源电压以及最高可达到电源电压一半的采样信号（低失真）。
为了确定 LM7332 是否适合该应用，必须将放大器的建立时间与 ADC 的采集时间进行比较，参考公式 1：
GBWPmin ≥ 4 × (N+1) × ln(2) / (2π × tAQ
)
其中
•
•
•
GBWPmin：驱动放大器所需的最小增益带宽积
N：ADC 的位数
AQ：ADC 的采集时间
t
(1)
当 N 的值为 12 位而 tAQ 的值为 1µs 时，GBWPmin 必须大于 5.7MHz。LM7332 的 GBWP 为 21MHz，因此它确
实是适合该应用的驱动器。
接下来，确定 Cflt 的值，参考公式 2：
20 × CSH ≤ Cflt ≤ 60 × CSH
其中
•
•
C
SH：ADC 采样保持电容
Cflt：外部滤波器电容
(2)
当 CSH 的值为 80pF 时，Cflt 的值必须介于 1600pF 和 4800pF 之间。根据图 39，LM7332 能够以 5VPP 驱动
2000pF 的容性负载，并在 1μs 内趋稳，所以选择 1800pF 作为该范围内最接近的公共电容值。
接下来，确定 Rflt 的值，参考公式 3：
Rflt = 40 / (2π × Cflt ×GBWPmin) – RO
其中
•
•
•
•
Rflt：外部滤波器电阻
Cflt：上文确定的外部滤波器电容
GBWPmin：上文确定的驱动放大器所需的最小增益带宽积
RO：通常在电气特性表中指定的驱动放大器的闭环输出阻抗
(3)
当 Cflt 的值为 1800pF、GBWPmin 的值为 5.7MHz 而 RO 的值为 3Ω 时，算出 Rflt 的值为 617.5Ω。使用最接近的值
620Ω 可得出 142kHz 的滤波器频率 (fflt)，参考公式 4：
fflt=1 / (2π × (RO + Rflt) × Cflt)
(4)
最后一项要求是采用单个 5V 电源驱动 2.5VPP 的输入信号并使 THD+N 小于 –80dB。
图 51 显示了 LM7332 在 5V 单电源电压下的 THD+N 响应。LM7332 在输出电平高达 4VPP 的情况下，可使
THD+N 维持在低至 –83dB 的水平。所以，最终的这项要求得到了满足，由此可见，LM7332 是适合该设计示例中
的 12 位 SAR ADC 的驱动放大器。
此外，在驱动 SAR ADC 的两个独立通道时可能需要确保通道之间的串扰最小。图 52 显示了不同频率下的串扰抑
制。LM7332 可在高达 20kHz 频率下实现 105dB 的串扰抑制，而在高达 1MHz 频率下实现超过 75dB 的串扰抑
制，表明该器件适合测量非常大的输入信号，同时不干扰邻近通道。
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典型应用 (接下页)
8.2.3 应用曲线
0
130
120
110
100
90
V
= 5V
V
= 5V
S
S
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
f = 1 kHz
R
= 10 kW
L
A
= +2
V
R
= 100 kW
L
80
70
60
50
40
30
20
0.02
0.1
1
6
1M
FREQUENCY (Hz)
图 52. 串扰抑制与频率间的关系
10M
1k
10k
100k
100M
OUTPUT AMPLITUDE (V
)
PP
图 51. THD+N 与输出幅度间的关系
9 电源建议
在大多数 应用中强制要求使用电源去耦。与大多数相对高速或高输出电流的运算放大器一样，用两个电容器对每条
电源线去耦可以获得最佳效果：一个电容值很小的陶瓷电容器（大约 0.01µF）放置在非常靠近电源引线的位置，
还有一个大电容值的钽或铝电容器 (> 4.7µF)。必要时，大电容器可由多个器件共享。小型陶瓷电容器在高频时保
持低电源阻抗，而大电容器充当运算放大器输出端产生的快速负载电流尖峰的电荷桶。这两个电容器的结合使用可
提供电源去耦功能，并有助于保持运算放大器在任何负载下均无振荡。
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10 布局
10.1 布局指南
请注意，应最大限度减小由电源引脚和接地端之间的旁路电容器连接形成的环路区域。建议在器件下方使用接地平
面；任何接地的旁路组件必须具有靠近接地平面的通孔。旁路电容器位置应尽可能靠近相应的电源引脚。在旁路电
容器和相应的电源引脚之间使用较粗的迹线可降低电源电感并提供更稳定的电源。
必须将反馈组件放置在尽可能靠近器件的位置，以最大程度地降低杂散寄生效应。
10.2 布局示例
2
1
2
1
OUTA
GND
IN–A
IN–A
2
1
IN+A
OUTA
IN–A
OUT+A
OUT+B
IN+B
1
1
1
2
2
2
GND
IN–B
+3.3V
OUTB
IN–B
GND
2
1
OUTB
IN–B
图 53. LM7332 布局示例
10.3 输出短路电流和功耗问题
LM7332 输出级根据设计可提供最大输出电流能力。即使瞬时输出对地短路并且在所有工作电压下都能容忍任意电
源，但持续时间较长的短路状态可能会导致结温上升到超过器件的绝对最大额定值，特别是在电源电压较高的条件
下。低于 6V 的电源电压时，可以无限期容忍输出短路状态。
运算放大器与负载连接时，该器件的功耗包括由于电源电流流入器件而产生的静态功耗以及由负载电流引起的功
耗。负载功耗本身可包括一个平均值（由直流负载电流引起）和一个交流分量。如果存在输出电压偏移或输出交流
平均电流不为零，或如果运算放大器工作在单电源应用中，而此情况下的输出保持在线性工作范围内的某处，那么
直流负载电流将会流动起来。
因此，
PTOTAL = PQ + PDC + PAC
(5)
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输出短路电流和功耗问题 (接下页)
运算放大器静态功耗根据公式 6 算出：
PQ = IS × VS
其中
•
•
IS：电源电流
VS：总电源电压 (V+ − V−)
(6)
(7)
直流负载功耗根据公式 7 算出：
PDC = IO × (Vr – Vo)
其中
•
•
VO：平均输出电压
Vr：拉电流对应的是 V+，而灌电流对应的是 V−
交流负载功耗的计算方式为 PAC = 表 1 所示的值。
表 1 显示了运算放大器在标准正弦波、三角波和方波波形条件下的负载功耗的最大交流分量：
表 1. 标准波形条件下输出级中的标准化交流功耗
PAC (W.Ω/V2)
正弦波
50.7 x 10−3
三角波
46.9 x 10−3
方波
62.5 x 10−3
2
2
表格条目标准化为 VS /RL。要计算功耗的交流负载电流分量，只需将对应于输出波形的表格条目乘以系数 VS /RL
即可。例如，在 ±12V 电源、600Ω 负载和三角波波形的条件下，输出级中的功耗计算如下：
PAC = (46.9 × 10−3) × [242/600] = 45.0mW
(8)
特定温度下允许的最大功耗是允许的最高管芯结温 (TJ(MAX))、环境温度 TA 和结至环境的封装热阻 RθJA 的函数。
TJ(MAX) - TA
PD(MAX)
=
Rq
JA
(9)
对于 LM7332，允许的最高结温为 150°C，在此温度下不允许有功耗。同样，25°C 下的功率容量由公式 10 和公式
11 算出。
对于 VSSOP 封装：
150°C œ 25°C
= 0.78W
PD(MAX)
=
161.1°C/W
(10)
(11)
对于 SOIC 封装：
150°C œ 25°C
= 1.15W
PD(MAX)
=
109.1°C/W
同样，125℃ 下的功率容量由公式 12 和 公式 13 算出。
对于 VSSOP 封装：
150°C œ 125°C
= 0.16W
PD(MAX)
=
161.1°C/W
(12)
(13)
对于 SOIC 封装：
150°C œ 125°C
= 0.23W
PD(MAX)
=
109.1°C/W
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图 54 显示了采用 VSSOP 和 SOIC 封装时的功率容量与温度间的关系。最大热性能线下面的区域是器件的工作区
域。当器件在 PTOTAL 小于 PD(MAX) 的工作区域内工作时，器件结温将保持在 150°C 以下。如果环境温度与封装功
率的交汇点高于最大热性能线，则结温将超过 150°C，必须严格禁止这种情况。
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
Operating area
0
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TEMPERATURE (°C)
图 54. 功率容量与温度间的关系
当需要高功率而又不能降低环境温度时，提供气流是降低热阻进而提高功率容量的有效方法。
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11 器件和文档支持
11.1 社区资源
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，
并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在
e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
设计支持
TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。
11.2 商标
PowerPAD, E2E are trademarks of Texas Instruments.
All other trademarks are the property of their respective owners.
11.3 静电放电警告
这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损
伤。
11.4 术语表
SLYZ022 — TI 术语表。
这份术语表列出并解释术语、缩写和定义。
12 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请参阅左侧的导航栏。
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
LM7332MA/NOPB
LM7332MAX/NOPB
LIFEBUY
SOIC
SOIC
D
D
8
8
95
RoHS & Green
SN
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
-40 to 125
LM733
2MA
ACTIVE
2500 RoHS & Green
SN
LM733
2MA
Samples
Samples
LM7332MM/NOPB
LM7332MME/NOPB
LM7332MMX/NOPB
LIFEBUY
LIFEBUY
ACTIVE
VSSOP
VSSOP
VSSOP
DGK
DGK
DGK
8
8
8
1000 RoHS & Green
SN
SN
SN
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
AA5A
AA5A
AA5A
250
RoHS & Green
3500 RoHS & Green
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
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*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
LM7332MAX/NOPB
LM7332MM/NOPB
LM7332MME/NOPB
LM7332MMX/NOPB
SOIC
D
8
8
8
8
2500
1000
250
330.0
178.0
178.0
330.0
12.4
12.4
12.4
12.4
6.5
5.3
5.3
5.3
5.4
3.4
3.4
3.4
2.0
1.4
1.4
1.4
8.0
8.0
8.0
8.0
12.0
12.0
12.0
12.0
Q1
Q1
Q1
Q1
VSSOP
VSSOP
VSSOP
DGK
DGK
DGK
3500
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
5-Jan-2022
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
LM7332MAX/NOPB
LM7332MM/NOPB
LM7332MME/NOPB
LM7332MMX/NOPB
SOIC
D
8
8
8
8
2500
1000
250
367.0
208.0
208.0
367.0
367.0
191.0
191.0
367.0
35.0
35.0
35.0
35.0
VSSOP
VSSOP
VSSOP
DGK
DGK
DGK
3500
Pack Materials-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
5-Jan-2022
TUBE
*All dimensions are nominal
Device
Package Name Package Type
SOIC
Pins
SPQ
L (mm)
W (mm)
T (µm)
B (mm)
LM7332MA/NOPB
D
8
95
495
8
4064
3.05
Pack Materials-Page 3
PACKAGE OUTLINE
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SCALE 2.800
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
C
SEATING PLANE
.228-.244 TYP
[5.80-6.19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ID AREA
6X .050
[1.27]
8
1
2X
.189-.197
[4.81-5.00]
NOTE 3
.150
[3.81]
4X (0 -15 )
4
5
8X .012-.020
[0.31-0.51]
B
.150-.157
[3.81-3.98]
NOTE 4
.069 MAX
[1.75]
.010 [0.25]
C A B
.005-.010 TYP
[0.13-0.25]
4X (0 -15 )
SEE DETAIL A
.010
[0.25]
.004-.010
[0.11-0.25]
0 - 8
.016-.050
[0.41-1.27]
DETAIL A
TYPICAL
(.041)
[1.04]
4214825/C 02/2019
NOTES:
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed .006 [0.15] per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
SEE
DETAILS
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:8X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
.0028 MAX
[0.07]
.0028 MIN
[0.07]
ALL AROUND
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL
SCALE:8X
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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相关型号：
LM733H/883
IC 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, MBCY10, METAL CAN, TO-96, 10 PIN, Audio/Video Amplifier
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