LMV791MKX/NOPB [TI]
Single, 5-V, 17-MHz, low noise (5.8-nV/√Hz) operational amplifier with shutdown | DDC | 6 | -40 to 125;
| 型号： | LMV791MKX/NOPB |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | Single, 5-V, 17-MHz, low noise (5.8-nV/√Hz) operational amplifier with shutdown | DDC | 6 | -40 to 125 放大器 光电二极管 |
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LMV791, LMV792
ZHCSIB7G –SEPTEMBER 2005–REVISED OCTOBER 2015
具有关断功能的 LMV79x 17MHz 低噪声 CMOS 输入 1.8V 运算放大器
1 特性
3 说明
1
5V 的典型电源值（除非另有说明）
LMV791（单通道）和 LMV792（双通道）低噪声
CMOS 输入运算放大器可提供 5.8nV/√Hz 的低输入电
压噪声密度，且静态电流仅有 1.15mA (LMV791)。
LMV791 和 LMV792 是单位增益型稳定运算放大器，
具有 17MHz 的增益带宽。LMV79x 拥有 1.8V 至 5.5V
的电源电压范围，且可在单一电源下运行。LMV79x 均
具有轨至轨输出级，能够驱动 600Ω 负载且拉电流高
达 60mA。
•
•
•
•
输入基准电压噪声 5.8nV/√Hz
内部偏置电流 100fA
单位增益带宽 17MHz
每通道电源电流（启用模式下）
–
–
LMV791 1.15mA
LMV792 1.30mA
•
•
关断模式下的每通道电源电流为 0.02µA
轨至轨输出摆幅
LMV79x 系列可在低压和低噪声系统中提供出色的性
能。CMOS 输入级的典型输入偏置电流仅有数飞安，
且输入共模电压范围中包括接地，因此 LMV791 和
LMV792 非常适合低功耗传感器 应用。LMV79x 系列
具有内置的使能特性，可用于在低功耗 应用中优化功
耗。
–
–
在 10kΩ 负载条件下，距离电源轨 25mV
在 2kΩ 负载条件下，距离电源轨 45mV
•
•
•
2.5V 和 5V 下的性能可靠无虞
1kHz、600Ω 时的总谐波失真为 0.01%
温度范围 -40°C 至 125°C
LMV791x 使用 TI 先进的 VIP50 工艺制造而成，分别
采用了 6 引脚 SOT 和 10 引脚 VSSOP 封装。
2 应用
•
•
•
•
•
光电二极管放大器
器件信息(1)
有源滤波器和缓冲器
低噪声信号处理
医疗仪器
部件号
LMV791
LMV792
封装
封装尺寸（标称值）
2.90mm × 1.60mm
3.00mm × 3.00mm
SOT (6)
VSSOP (10)
传感器接口 应用
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品
附录。
光电二极管跨阻放大器
低噪声 CMOS 输入
C
F
100
+
R
F
V
= 5.5V
I
IN
C
V+ = 2.5V
-
CM
+
-
+
V
OUT
10
C
D
V
B
CIN = CD + CCM
VOUT
- R
=
F
IIN
1
1k
100
FREQUENCY (Hz)
1
10
10k
100k
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SNOSAG6
LMV791, LMV792
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目录
7.4 器件功能模式........................................................... 17
应用和实施............................................................. 19
8.1 应用信息.................................................................. 19
8.2 典型 应用 ................................................................ 19
电源建议................................................................. 24
1
2
3
4
5
6
特性.......................................................................... 1
应用.......................................................................... 1
说明.......................................................................... 1
修订历史记录 ........................................................... 2
引脚配置和功能........................................................ 3
规格.......................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值......................................................... 4
6.2 ESD 额定值............................................................... 4
6.3 建议运行条件............................................................. 4
6.4 热性能信息 ................................................................ 4
6.5 2.5V 电气特征 .......................................................... 5
6.6 5V 电气特征 ............................................................. 6
6.7 典型特征.................................................................... 8
详细 说明................................................................ 16
7.1 概述......................................................................... 16
7.2 功能方框图 .............................................................. 16
7.3 特性 说明................................................................. 16
8
9
10 布局 ....................................................................... 24
10.1 布局指南................................................................ 24
10.2 布局示例................................................................ 24
11 器件和文档支持 ..................................................... 25
11.1 器件支持 ............................................................... 25
11.2 文档支持 ............................................................... 25
11.3 相关链接................................................................ 25
11.4 社区资源................................................................ 25
11.5 商标....................................................................... 25
11.6 静电放电警告......................................................... 25
11.7 术语表 ................................................................... 26
12 机械、封装和可订购信息....................................... 26
7
4 修订历史记录
注：之前版本的页码可能与当前版本有所不同。
Changes from Revision F (March 2013) to Revision G
Page
•
添加了引脚配置和功能 部分、ESD 额定值 表、特性 说明 部分、器件功能模式、应用和实施 部分、电源建议 部分、
布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分 .................................................................................... 1
•
•
为了更加明确，更新了2.5V 电气特征 表中的使能及关断引脚电压范围的格式....................................................................... 5
为了更加明确，更新了5V 电气特征 表中的使能及关断引脚电压范围的格式.......................................................................... 7
Changes from Revision E (March 2013) to Revision F
Page
•
已更改 将美国国家半导体产品说明书的布局更改成了 TI 格式 ............................................................................................. 23
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LMV791, LMV792
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5 引脚配置和功能
LMV791 DDC 封装
6 引脚 SOT
顶视图
6
5
+
1
V
OUTPUT
EN
-
2
3
V
-
+
4
-IN
+IN
引脚功能 - LMV791
引脚
I/O
说明
名称
EN
+IN
–IN
Out
V+
编号
5
3
4
1
6
2
I
I
使能
同相输入
反相输入
输出
I
O
P
P
正（最高）电源电压
负（最低）电源电压
V–
LMV792 DGS 封装
10 引脚 VSSOP
顶视图
1
2
3
4
5
10
9
+
OUT A
V
IN A-
IN A+
OUT B
IN B-
+
8
+
7
-
IN B+
EN B
V
6
EN A
引脚功能 - LMV792
引脚
I/O
说明
名称
EN A
EN B
IN A+
IN A–
Out
编号
5
I
I
使能 A
使能 B
6
3、7
2、8
1
I
反相输入
I
同相输入
O
O
P
P
输出 B
Out B
V+
9
输出 B
10
4
正（最高）电源电压
负（最低）电源电压
V–
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3
LMV791, LMV792
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
(1)(2)
请参阅
最小值
最大值
±0.3
6
单位
V
VIN 差动电压
电源电压 (V+ – V−)
输入/输出引脚电压
结温(3)
V
V+ + 0.3
V− − 0.3
V
150
°C
°C
°C
°C
红外或对流（20 秒）
焊接信息
235
波焊铅温（10 秒）
260
贮存温度，Tstg
−65
150
(1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值，这并不表示器件在这些条件下以及在
建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 如果需要军用/航天专用器件，请与德州仪器 (TI) 销售办事处/分销商联系以了解供货情况和技术规格。
(3) 最大功耗是 TJ(MAX)、θJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功耗为 PD = (TJ(MAX) - TA)/ θJA。所有数字均适用于直接焊接到 PCB 的封
装。
6.2 ESD 额定值
值
单位
人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1)(2)
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(3)
机器放电模型(4)
±2000
±1000
±200
V(ESD)
静电放电
V
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) 人体放电模型为 1.5kΩ 与 100pF 串联。
(3) JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(4) 机器放电模型为 0Ω 与 200pF 串联
6.3 建议运行条件
最小值
−40
2
最大值
125
单位
°C
V
温度(1)
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
电源电压 (V+ – V−)
5.5
0°C ≤ TJ ≤ 125°C
1.8
5.5
V
(1) 最大功耗是 TJ(MAX)、θJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功耗为 PD = (TJ(MAX) - TA)/ θJA。所有数字均适用于直接焊接到 PCB 的封
装。
6.4 热性能信息
LMV791
DDC (SOT-23)
6 引脚
191.8
LMV792
DGS (VSSOP)
10 引脚
179.1
热指标(1)
单位
RθJA
RθJC(top)
RθJB
ψJT
结至环境热阻(2)
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
68.1
70.5
36.9
99.7
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
2.2
11.6
ψJB
36.5
98.2
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。
(2) 最大功耗是 TJ(MAX)、θJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功耗为 PD = (TJ(MAX) - TA)/ θJA。所有数字均适用于直接焊接到 PCB 的封
装。
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LMV791, LMV792
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6.5 2.5V 电气特征
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TJ = 25°C，V+ = 2.5V，V− = 0V，VCM = V+/2 = VO，VEN = V+。
参数
测试条件
最小值(1) 典型值(2)
最大值(1)
单位
TJ = 25°C
0.1
±1.35
VOS
输入失调电压
mV
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
LMV791(3)
±1.65
−1
−1.8
0.05
TC VOS
输入失调电压温漂
输入偏置电流
μV/°C
LMV792(3)
TJ = 25°C
1
25
(5)
IB
VCM = 1V(4)
−40°C ≤ TJ ≤ 85°C
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
pA
100
IOS
输入失调电流
共模抑制比
VCM = 1V(5)
10
fA
TJ = 25°C
80
75
80
75
94
CMRR
0V ≤ VCM ≤ 1.4V
dB
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
100
2.0V ≤ V+ ≤ 5.5V，VCM
0V
=
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
PSRR
CMVR
电源抑制比
dB
V
1.8V ≤ V+ ≤ 5.5V，VCM = 0V
CMRR ≥ 60dB
80
98
TJ = 25°C
−0.3
−0.3
85
1.5
1.5
共模电压范围
CMRR ≥ 55dB
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
98
92
LMV791
LMV792
VOUT = 0.15V 至 2.2V，
RLOAD = 2kΩ（连接至
V+/2）
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
80
82
AVOL
开环电压增益
dB
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
78
VOUT = 0.15V 至 2.2V，
RLOAD = 10kΩ（连接至
V+/2）
TJ = 25°C
88
110
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
84
TJ = 25°C
25
20
75
82
65
71
75
78
65
67
RLOAD = 2kΩ（连接至
V+/2）
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
输出电压摆幅高位
输出电压摆幅低位
输出电流
RLOAD = 10kΩ（连接至
V+/2）
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
mV（与任一
轨的差值）
VOUT
30
RLOAD = 2kΩ（连接至
V+/2)
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
15
RLOAD = 10kΩ（连接至
V+/2）
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
35
28
7
47
到 V− 的拉电流
VIN = 200mV(6)
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
IOUT
mA
mA
15
到 V+ 的灌电流
VIN = –200mV(6)
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
5
TJ = 25°C
0.95
1.1
0.02
1.3
1.65
1.50
1.85
1
LMV791
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
启用模式
VEN ≥ 2.1V
LMV792
（每通道）
IS
每个放大器的电源电流
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
关断模式，每通道 VEN
< 0.4
μA
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
5
AV = +1，上升（10% 至 90%）
AV = +1，下降（90% 至 10%）
8.5
10.5
14
SR
压摆率
V/μs
GBW
en
增益带宽
MHz
nV/√Hz
pA/√Hz
ns
输入基准电压噪声密度
输入基准电流噪声密度
开通时间
f = 1kHz
f = 1kHz
6.2
in
0.01
140
1000
2
ton
toff
关断时间
ns
启用模式
关断模式
2.1
VEN
使能引脚电压范围
V
0.5
0.4
(1) 限值均在 25°C 下经过 100% 生产检测。运行温度范围的限值则使用统计质量控制 (SQC) 方法通过相关性确定。
(2) 典型值表示评定特征时得到的参数标准。
(3) 失调电压平均漂移等于 VOS 变化值除以温度变化值。
(4) 正电流相当于流入器件的电流。
(5) 此参数根据设计和/或特征指定，而未经生产测试。
(6) 短路测试是瞬时测试，短路持续时间为 1.5ms。
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2.5V 电气特征 (接下页)
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TJ = 25°C，V+ = 2.5V，V− = 0V，VCM = V+/2 = VO，VEN = V+。
参数
测试条件
最小值(1) 典型值(2)
最大值(1)
单位
启用模式 VEN = 2.5V(4)
1.5
0.003
0.01%
3
IEN
使能引脚输入电流
总谐波失真 + 噪声
μA
关断模式 VEN = 0V(4)
0.1
THD+N
f = 1kHz，AV = 1，RLOAD = 600Ω
6.6 5V 电气特征
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TJ = 25°C，V+ = 5V，V− = 0V，VCM = V+/2 = VO，VEN = V+。
参数
测试条件
最小值(1)
典型值(2)
最大值(1)
±1.35
单位
TJ = 25°C
0.1
VOS
输入失调电压
mV
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
LMV791(3)
±1.65
−1
−1.8
0.1
TC VOS
输入失调电压温漂
输入偏置电流
μV/°C
LMV792(3)
TJ = 25°C
1
25
(5)
IB
VCM = 2V(4)
−40°C ≤ TJ ≤ 85°C
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
pA
100
IOS
输入失调电流
共模抑制比
VCM = 2V(5)
10
fA
TJ = 25°C
80
75
80
75
100
CMRR
0V ≤ VCM ≤ 3.7V
dB
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
100
98
2.0V ≤ V+ ≤ 5.5V，VCM
0V
=
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
PSRR
CMVR
电源抑制比
dB
V
1.8V ≤ V+ ≤ 5.5V，VCM = 0V
CMRR ≥ 60dB
80
TJ = 25°C
−0.3
−0.3
85
4
4
共模电压范围
CMRR ≥ 55dB
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
97
89
LMV791
VOUT = 0.3V 至 4.7V，
RLOAD = 2kΩ（连接至
V+/2）
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
80
82
LMV792
AVOL
开环电压增益
dB
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
78
VOUT = 0.3V 至 4.7V，
RLOAD = 10kΩ（连接至
V+/2）
TJ = 25°C
88
110
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
84
TJ = 25°C
35
25
75
82
65
71
75
78
80
83
65
67
RLOAD = 2kΩ（连接至
V+/2)
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
输出电压摆幅高位
输出电压摆幅低位
输出电流
RLOAD = 10kΩ（连接至
V+/2）
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
mV（与任
一轨的差
值）
TJ = 25°C
42
VOUT
LMV791
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
RLOAD = 2kΩ（连接至
V+/2)
45
LMV792
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
20
RLOAD = 10kΩ（连接至
V+/2）
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
45
37
10
6
60
到 V− 的拉电流
VIN = 200mV(6)
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
IOUT
mA
21
到 V+ 的灌电流
VIN = –200mV(6)
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
1.15
1.3
0.14
1.4
1.75
1.7
2.05
1
LMV791
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
使能模式
mA
VEN ≥ 4.6V
LMV792
（每通道）
IS
每个放大器的电源电流
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
TJ = 25°C
关断模式 (VEN ≤ 0.4V)
μA
−40°C ≤ TJ ≤ 125°C
5
(1) 限值均在 25°C 下经过 100% 生产检测。运行温度范围的限值则使用统计质量控制 (SQC) 方法通过相关性确定。
(2) 典型值表示评定特征时得到的参数标准。
(3) 失调电压平均漂移等于 VOS 变化值除以温度变化值。
(4) 正电流相当于流入器件的电流。
(5) 此参数根据设计和/或特征指定，而未经生产测试。
(6) 短路测试是瞬时测试，短路持续时间为 1.5ms。
6
版权 © 2005–2015, Texas Instruments Incorporated
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5V 电气特征 (接下页)
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TJ = 25°C，V+ = 5V，V− = 0V，VCM = V+/2 = VO，VEN = V+。
参数
测试条件
最小值(1)
典型值(2)
最大值(1)
单位
AV = +1，上升（10% 至 90%）
AV = +1，下降（90% 至 10%）
6
9.5
SR
压摆率
V/μs
7.5
11.5
17
GBW
en
增益带宽
MHz
nV/√Hz
pA/√Hz
ns
输入基准电压噪声密度
输入基准电流噪声密度
开通时间
f = 1kHz
f = 1kHz
5.8
in
0.01
110
ton
toff
关断时间
800
ns
启用模式
4.6
4.5
VEN
使能引脚电压范围
V
关断模式
0.5
0.4
10
启用模式 VEN = 5V(4)
关断模式 VEN = 0V(4)
f = 1kHz，AV = 1，RLOAD = 600Ω
5.6
IEN
使能引脚输入电流
μA
0.005
0.01%
0.2
THD+N
总谐波失真 + 噪声
版权 © 2005–2015, Texas Instruments Incorporated
7
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6.7 典型特征
除非另有说明，否则 TA = 25°C，V– = 0，V+ = 电源电压 = 5V，VCM = V+/2，VEN = V+。
2
1.6
1.2
2
1.6
1.2
125°C
125°C
25°C
25°C
-40°C
0.8
0.4
0
0.8
0.4
0
-40°C
2.5
3.5
4.5
5.5 6.0
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6
1.5
+
+
V
(V)
图 1. 电源电流与电源电压间的关系 (LMV791)
1.8
V
(V)
图 2. 电源电流与电源电压间的关系 (LMV792)
0.5
+
V
= 1.8V
1.6
0.45
0.4
125°C
1.4
1.2
-40°C
0.35
0.3
1
25°C
0.8
0.25
0.6
0.4
0.2
0
25°C
0.2
125°C
0.15
0.1
-40°C
6.0
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
-0.3
0
0.3
0.6
(V)
0.9
1.2
+
V
V
(V)
CM
图 3. 关断模式下电源电流与电源电压间的关系
图 4. VOS 与 VCM 间的关系
0.6
+
0.5
0.45
0.4
+
V
= 2.5V
V
= 5V
0.55
0.5
125°C
-40°C
0.45
0.4
0.35
0.3
25°C
0.35
0.3
0.25
0.2
25°C
0.25
0.2
0.15
0.1
-40°C
125°C
0.15
0.1
0.05
0
-0.3
0.4
1.1
1.8
-0.3
0.6
1.5
V
2.4
(V)
3.3
4.2
V
CM
(V)
CM
图 5. VOS 与 VCM 间的关系
图 6. VOS 与 VCM 间的关系
8
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典型特征 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C，V– = 0，V+ = 电源电压 = 5V，VCM = V+/2，VEN = V+。
0.5
0.45
0.4
13
12
11
-40°C
0.35
0.3
FALLING
RISING
10
9
0.25
0.2
25°C
0.15
0.1
8
125°C
7
6
0.05
0
1.8 2.3 2.8 3.3 3.8 4.3 4.8 5.3 5.5
1.5
2.5
3.5
V
4.5
5.5 6.0
+
+
V
(V)
(V)
图 8. 压摆率与电源电压间的关系
图 7. VOS 与电源电压间的关系
2.4
1.9
1.5
+
+
125°C
V
= 5V
V
= 2.5V
125°C
1.3
1.1
0.9
25°C
25°C
1.4
0.9
-40°C
0.7
0.5
-40°C
-40°C
0.3
0.1
0.4
125°C
-0.1
-0.1
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
ENABLE PIN VOLTAGE (V)
ENABLE PIN VOLTAGE (V)
图 10. 电源电流与使能引脚电压间的关系 (LMV791)
图 9. 电源电流与使能引脚电压间的关系 (LMV791)
1.7
2.4
+
+
125°C
V
= 2.5V
V
= 5V
1.5
1.3
1.1
125°C
1.9
25°C
1.4
0.9
25°C
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
-0.1
-40°C
-40°C
-40°C
25°C
125°C
0.4
-0.1
0
1
ENABLE PIN VOLTAGE (V)
图 12. 电源电流与使能引脚电压间的关系 (LMV792)
2
3
4
5
0
0.5
ENABLE PIN VOLTAGE (V)
图 11. 电源电流与使能引脚电压间的关系 (LMV792)
1
1.5
2
2.5
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9
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典型特征 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C，V– = 0，V+ = 电源电压 = 5V，VCM = V+/2，VEN = V+。
1.5
50
40
30
+
+
V
= 5V
V
= 5V
1
-40°C
25°C
0.5
20
10
125°C
0
-0.5
0
-1
85°C
-10
-20
-1.5
-2
-30
-2.5
-3
-40
-50
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
V
CM
(V)
V
(V)
CM
图 13. 输入偏置电流与 VCM 间的关系
图 14. 输入偏置电流与 VCM 间的关系
80
70
60
35
30
125°C
125°C
25°C
25
20
15
10
-40°C
50
40
30
25°C
-40°C
20
5
0
10
0
1
2
3
4
5
6
1
2
3
4
5
6
+
V
(V)
+
V (V)
图 15. 拉电流与电源电压间的关系
图 16. 灌电流与电源电压间的关系
70
60
30
25
125°C
125°C
50
40
30
20
20
15
10
-40°C
25°C
25°C
-40°C
5
0
10
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
V
(V)
V
(V)
OUT
OUT
图 17. 拉电流与输出电压间的关系
图 18. 灌电流与输出电压间的关系
10
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典型特征 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C，V– = 0，V+ = 电源电压 = 5V，VCM = V+/2，VEN = V+。
40
35
30
25
20
15
10
25
R
= 10 kW
LOAD
-40°C
25°C
20
125°C
15
10
5
25°C
125°C
-40°C
5
0
R
= 10 kW
LOAD
0
1.8
2.5
3.2
4.6
5.3
6
1.8
2.5
3.2
3.9
4.6
5.3
6
3.9
+
+
V
(V)
V
(V)
图 19. 正输出摆幅与电源电压间的关系
图 20. 负输出摆幅与电源电压间的关系
50
45
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
-40°C
25°C
125°C
25°C
40
35
30
125°C
25
20
15
10
5
-40°C
R
= 2 kW
LOAD
R
= 2 kW
LOAD
0
1.8
0
1.8
2.5
3.2
3.9
+
4.6
5.3
6
2.5
3.2
3.9
+
4.6
5.3
6
V
(V)
V
(V)
图 22. 负输出摆幅与电源电压间的关系
图 21. 正输出摆幅与电源电压间的关系
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
120
100
80
60
40
20
0
R
= 600W
LOAD
125°C
R
= 600W
LOAD
25°C
125°C
-40°C
-40°C
25°C
1.8
2.5
3.2
3.9
4.6
5.3
6
1.8
2.5
3.2
3.9
+
4.6
5.3
6
+
V
(V)
V
(V)
图 23. 正输出摆幅与电源电压间的关系
图 24. 负输出摆幅与电源电压间的关系
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典型特征 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C，V– = 0，V+ = 电源电压 = 5V，VCM = V+/2，VEN = V+。
100
V
V
= ±2.5V
S
+
V
= 5.5V
= 0.0V
CM
V+ = 2.5V
10
1
1k
FREQUENCY (Hz)
1
10
100
10k
100k
1S/DIV
图 26. 时域电压噪声
= 1.2V
图 25. 输入基准电压噪声与频率间的关系
70
0
+
-
V
US%
V = -0.6V
60
50
-20
A
= +2
V
-40
-60
-80
OS%
40
30
20
R
= 600W
LOAD
-100
-120
10
0
R
= 100 kW
LOAD
0
20
40
80
100 120
60
0.2
OUTPUT AMPLITUDE (V)
2
0.02
C
(pF)
LOAD
图 27. 过冲和下冲与 CLOAD 间的关系
图 28. THD+N 与峰间输出电压 (VOUT) 间的关系
0.006
0
+
V
= 2.75V
-
V = -2.75V
-20
-40
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
R
= 600W
L
A
= +2
V
-60
R
= 600W
LOAD
R
L
= 100 kW
-80
+
-
V
= 1.2V
-100
V = 0.6V
V
A
= 0.9 V
-120
-140
O
V
PP
R
= 100 kW
LOAD
= +2
0.02
0.2
OUTPUT AMPLITUDE (V)
2
4
10
100
FREQUENCY (Hz)
图 30. THD+N 与频率间的关系
1k
10k
100k
图 29. THD+N 与峰间输出电压 (VOUT) 间的关系
12
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典型特征 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C，V– = 0，V+ = 电源电压 = 5V，VCM = V+/2，VEN = V+。
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
120
100
80
120
100
PHASE
R
= 600W
L
C
= 20 pF
L
80
60
C
L
= 50 pF
60
GAIN
C
L
= 100 pF
40
20
0
40
20
0
+
-
V
= 2.5V
V = 2.5V
V
A
= 4 V
O
V
PP
C
= 20 pF
= 50 pF
L
= +2
-20
-40
-20
-40
-60
C
L
C
= 100 pF
L
R
= 100 kW
L
-60
1k
10k
100k
1M
10M
100M
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
图 32. 开环增益和相位随容性负载的变化
FREQUENCY (Hz)
图 31. THD+N 与频率间的关系
100
10
1
120
120
PHASE
100
100
80
80
60
60
40
20
0
40
20
0
GAIN
0.1
-20
-40
-60
-20
-40
R
= 600W, 10 kW, 10 MW
LOAD
0.01
-60
10k
100M
10 100 1k 10k 100k 1M 10M
100k
FREQUENCY (Hz)
图 33. 开环增益和相位随阻性负载的变化
1M
10M
100M
FREQUENCY (Hz)
图 34. 闭环输出阻抗与频率间的关系
160
140
120
100
80
60
40
20
0
INPUT = 20 mV
PP
f = 1 MHz
+
V
= 2.5V
1M
1k
10k
100k
10M
100M
200 ns/DIV
FREQUENCY (Hz)
AV = +1
图 36. 小信号瞬态响应
图 35. 串扰抑制
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典型特征 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C，V– = 0，V+ = 电源电压 = 5V，VCM = V+/2，VEN = V+。
INPUT = 20 mV
PP
INPUT = 1 V
PP
f = 1 MHz
f = 200 kHz
+
+
V
= 5V
V
= 2.5V
800 ns/DIV
图 37. 大信号瞬态响应
200 ns/DIV
AV = +1
AV = +1
图 38. 小信号瞬态响应
50
40
R
LOAD
= 600W
R
LOAD
= 10 kW
30
20
10
0
R
= 10 MW
LOAD
INPUT = 1 V
PP
+
f = 200 kHz
V
= 2.5V
+
V
= 5V
-10
10
100
1000
800 ns/DIV
图 39. 大信号瞬态响应
= 600W
C
(pF)
LOAD
AV = +1
图 40. 相位裕度与容性负载（稳定性）间的关系
0
50
40
R
LOAD
-20
-40
-60
R
= 10 kW
LOAD
30
20
10
0
R
= 10 MW
LOAD
1.8V
-80
+
V
= 5V
5.5V
-100
-10
10
100
(pF)
1000
10k
FREQUENCY (Hz)
图 42. 正 PSRR 与频率间的关系
1M
10
1k
100k
10M
100
C
LOAD
图 41. 相位裕度与容性负载（稳定性）间的关系
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典型特征 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C，V– = 0，V+ = 电源电压 = 5V，VCM = V+/2，VEN = V+。
-20
120
100
-40
+
V
= 2.5V
80
60
-60
+
+
V
= 5V
V
= 1.8V
-80
40
20
-100
-120
+
V
= 5.5V
1k
0
10
100
10k 100k 1M
10M
10k
FREQUENCY (Hz)
图 44. CMRR 与频率间的关系
100k
10
100
1k
1M
FREQUENCY (Hz)
图 43. 负 PSRR 与频率间的关系
25
+
V
= 5V
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
V
CM
(V)
图 45. 输入共模电容与 VCM 间的关系
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LMV791, LMV792
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7 详细 说明
7.1 概述
LMV79x 系列可在低压和低噪声系统中提供出色的性能。低噪声 CMOS 输入级的典型输入偏置电流仅有数飞安，
且输入共模电压范围中包括接地，因此 LMV791 和 LMV792 非常适合低功耗传感器 应用
7.2 功能方框图
7.3 特性 说明
7.3.1 低电源电流下的宽带宽
LMV791 和 LMV792 是高性能运算放大器，可提供 17MHz 的增益带宽，而所耗电源电流仅有 1.15mA。因此，它
们非常适合用于在便携式 应用中提供宽带放大功能。关断功能也可用于设计具有更高功效的系统，从而提供宽带宽
和高性能，同时减少平均功耗。
7.3.2 低输入基准噪声和低输入偏置电流
LMV79x 具有非常低的输入基准电压噪声密度（1kHz 情况下为 5.8nV/√Hz）。CMOS 输入级可确保低输入偏置电
流 (100fA) 和低输入基准电流噪声 (0.01pA/√Hz)。这对于维持信号保真度非常有用，而且使得 LMV791 和
LMV792 非常适合音频和基于传感器的 应用。
7.3.3 低电源电压
LMV791 和 LMV792 在 2.5V 和 5V 电源下具有可靠的性能。在 −40°C 至 125°C 的环境温度下，LMV791 系列可
确保在 2V 至 5.5V 范围内的任何电源电压下正常工作，从而完全利用电池的整个寿命周期。在 0°C 至 125°C 温度
范围内，LMV791 和 LMV792 还可以确保在 1.8V 电源电压下正常工作。因此，LMV791 系列非常适合用于低电压
商业 应用。
7.3.4 轨至轨输出和接地感应
轨至轨输出摆幅可提供尽可能大的输出动态范围。在低电源电压下运行时，这一点尤为重要。它们还使用了一种创
新的正反馈方案，来提高输出级的电流驱动能力。因此，LMV791 和 LMV792 可在 1.8V 电源电压下实现超过
40mA 的拉电流。这一方案还会限制 LMV791 系列在用作比较器时的性能，因此建议不要在开环配置中使用
LMV791 和 LMV792。共模范围包括负电源轨，因此在单电源供电时可直接进行地电位感应。
7.3.5 关断功能
LMV791 系列非常适合电池供电的系统。LMV791 和 LMV792 通常具有 1.15mA 的低电源电流和 140nA 的关断电
流，因此设计人员能够最大限度地提高电池寿命。LMV791 和 LMV792 运算放大器可通过自身的使能引脚实现关闭
操作，将电源电流减小到低于 1µA。要为运算放大器加电，使能引脚应高于 V+ – 0.5V，其中 V+ 为正电源。要停用
运算放大器，使能引脚应低于 V− + 0.5V，其中 V− 为负电源。
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特性 说明 (接下页)
7.3.6 小型尺寸
LMV791 和 LMV792 封装小巧紧凑，可以节省印刷电路板空间，以便设计出尺寸更小的电子产品，例如手机、平板
电脑或其他便携式系统。信号源和运算放大器之间的较长迹线使得信号路径易受噪声的影响。通过使用物理尺寸更
小的 LMV791 和 LMV792 封装，可将相应的运算放大器放置在更靠近信号源的位置，从而降低噪声拾取并提高信
号完整性。
7.4 器件功能模式
7.4.1 容性负载容差
在单位增益配置下，LMV791 和 LMV792 可直接驱动高达 120pF 的负载，而不会出现振荡。单位增益跟随器是对
容性负载最敏感的配置。直接容性负载可减小放大器的相位裕度。运算放大器的输出阻抗和电容负载的组合会引起
相位滞后。这会导致欠阻尼的脉冲响应或振荡。要驱动电容更大的负载，可使用图 46 中所示的电路。
在图 46 中，隔离电阻器 RISO 和负载电容器 CL 会形成一个极点，通过增大整个系统的相位裕度来提高稳定性。所
需的性能取决于 RISO 值。RISO 电阻值越大，VOUT 越稳定。但是，RISO 值增大会导致输出摆幅减小和短路电流。
图 46. 通过 CL 隔离提高稳定性
7.4.2 输入电容和反馈电路元素
LMV791 系列具有非常低的输入偏置电流 (100fA) 和低 1/f 噪声转角频率 (400Hz)，非常适合传感器 应用。但是，
为了实现该性能，该运算放大器使用了较大的 CMOS 输入级，这会增加该器件的输入电容 CIN。这不会影响直流和
低频性能，但是当频率较高时，该输入电容会与输入和反馈阻抗进行交互，形成一个极点，这会降低相位裕度并造
成增益峰化。这种情况可通过选择合适的电阻器以及使用反馈电容 CF 来进行控制。例如，在图 47 所示的反相放
大器中，如果忽略 CIN 和 CF 且将运算放大器的开环增益视为无穷大，那么该电路的增益为 −R2/R1。但是，运算放
大器通常具有主极点，这会导致其增益随频率递减。因此，该增益仅在直流和低频情况下有效。为了理解与运算放
大器的非理想增益耦合的输入电容的影响，需要使用拉普拉斯变换在频域中对电路进行分析。
C
F
R
2
R
1
-
+
C
IN
V
+
-
IN
+
V
OUT
-
R2
R1
VOUT
VIN
-
AV
=
-
=
图 47. 反相放大器
为了简单起见，我们将该运算放大器模型化为一个具有 A0 单位增益频率的理想积分器。因此，它在频域中的传递
函数（或增益）为 A0/s。求解频域中的电路方程式，暂时忽略 CF，可得到公式 1 中所示的增益表达式。
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器件功能模式 (接下页)
VOUT
VIN
-R2/R1
(s) =
s2
s
«
«
∆
1 +
+
A0 R1
A0
∆
≈
≈
∆
«
≈
≈
∆
«
R1 + R2
CIN R2
(1)
从传递函数的分母可以看出，它具有两个极点，我们可以通过求分母的根得到该表达式（如公式 2 中所示）。
2
«
∆
4 A0CIN
R2
≈
1
1
-1
1
1
-
≈
P1,2
=
+
ê
+
∆
«
R1
R2
R
R2
2CIN
1
(2)
公式 2 表明，当 R1 和 R2 的值增大时，极点会减小，放大器的带宽也会进而减小。我们通过在图 46 所示的电路中
使用不同的 R1 和 R2 值并比较它们的频率响应，对该理论进行了验证。图 48 中展示了针对三个不同 R1 和 R2 值
的频率响应。当 R1 和 R2 的值都是 1kΩ 时，响应是最平、最宽的；当它们的值都变成 10kΩ 或 30kΩ 时，响应会
显著变窄、变高。因此最好使用较低的 R1 和 R2 值，以便获得较宽、较平的响应。低电阻还有助于实现高灵敏度
电路，因为它们增加的噪声较少。
一种减少增益峰化的方式是添加一个与 R2 并联的反馈电容 CF。这会在系统中引入另一个极点，并可防止导致增益
达到峰值的成对复杂共轭极点的形成。图 49 展示了 CF 对电路的频率响应的影响。添加 2pF 的电容可去除峰
值，5pF 的电容则会产生一个低得多的极点，并过度减少带宽。
15
10
5
20
R , R = 30 kW
A
= -1
1
2
V
C
F
= 0 pF
A
= -1
V
10
0
0
C
= 5 pF
F
-5
-10
-20
-30
-40
R
R
= 30 kW
C = 2 pF
F
1,
2
-10
-15
-20
-25
R
R
= 10 kW
2
1,
R
R
= 1 kW
2
1,
10k
100k
1M
10M
100M
10k
100k
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
图 48. 较大 R1 和 R2 引起的增益峰化
图 49. 通过 CF 消除增益峰化
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8 应用和实施
注
以下应用部分中的 信息 不属于 TI 组件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客
户应负责确定组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实施，以确认系统功能正
常。
8.1 应用信息
LMV791 和 LMV792 系列放大器的额定运行电压为 1.8V 至 5.5V。典型特征 部分提供的参数可能会随运行电压或
温度的不同而出现显著变化。
8.2 典型 应用
以下应用示例重点介绍了可以使用 LMV791 和 LMV792 的部分电路。
8.2.1 跨阻放大器
CMOS 输入运算放大器常用于跨阻 应用 中，因为它们具有极高的输入阻抗。跨阻放大器会将小输入电流转换为电
压。该电流通常由光电二极管生成。跨阻增益（通过输出电压与输入电流比率的形式测得）将会较大且为宽带。由
于该电路处理的电流只有几纳安，因此必须具备低噪声性能。LMV79x 是可提供宽带宽和低噪声性能的 CMOS 输
入运算放大器，因此非常适合跨阻 应用。
C
F
R
F
I
IN
C
-
CM
+
-
+
V
OUT
C
D
V
B
CIN = CD + CCM
VOUT
- R
=
F
IIN
图 50. 光电二极管跨阻放大器
8.2.1.1 设计要求
通常，跨阻抗放大器会以驱动输入端的电流源为设计基础。光电二极管是一种非常常见的容性电流源，它需要通过
跨阻增益将其微小电流转换成易于检测的电压。在选择光电二极管和放大器的增益时，需考虑电路所需的速度和精
度。速度较快的电路将需要电容较小的光电二极管和速度较快的放大器。较敏感的电路将需要敏感的光电二极管和
高增益。图 50 中显示了典型的跨阻放大器。运算放大器的输出电压计算公式为 VOUT = −IINRF。由于放大器的输出
摆幅是有限的，因此所选 RF 应确保能够检测到 IIN 的所有可能值。
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典型 应用 (接下页)
8.2.1.2 详细设计流程
LMV79x 具有较大的增益带宽积 (17MHz)，因此可在宽带宽情况下实现高增益。5.5V 电源下的轨至轨输出摆幅有
助于在宽输入电流范围内实现检测和放大功能。CMOS 输入级具有可忽略不计的输入电流噪声和低输入电压噪声，
因此 LMV79x 可针对宽带宽提供高保真放大。由于具有上述属性，因此 LMV79x 是需要宽带跨阻放大器的应用的
理想之选。
正如前面所提到的，以下参数将用于设计跨阻放大器：放大器增益带宽积 A0、放大器输入电容 CCM、光电二极管
电容 CD、所需的跨阻增益 RF 以及放大器输出摆幅。在根据放大器输出摆幅选择可行的 RF 后，这些数字可用于设
计具有期望的跨阻增益和最为平坦的频率响应的放大器。
要获得最为平坦的响应，一个必不可少的组件是反馈电容器 CF。放大器输入端的电容 CIN 和反馈电容器 RF 会生成
相位滞后，这会导致增益峰化，并且可以使电路不稳定。CIN 通常只是 CD 和 CCM 的总和。反馈电容器 CF 会在电
路的噪声增益中造成一个极点 fP，这将会中和由 RF 和 CIN 共同形成的噪声增益中的零点 fZ。如果放置得当，CF 造
成的噪声增益极点可确保增益的斜率在放大器达到单位增益频率之前保持在每十倍频程 20dB，从而确保稳定性。
如图 51 中所示，fP 的位置应与噪声增益和运算放大器开环增益的交点重合。在本例中，fP 还是跨阻放大器的总
3dB 频率。公式 3 给出了实现这一目标所需的 CF 值。CF 值过大会导致带宽过渡减小，过小则无法防止增益峰化
和不稳定。
1 + 1 + 4pRFCINA0
CF =
R A
2p
F
0
(3)
OP AMP
OPEN LOOP
GAIN
NOISE GAIN WITH NO C
F
1
f
=
=
Z
2p
R C
F
NOISE GAIN WITH C
IN
F
A
0
f
P
2p R (C +C )
IN
F
F
f
A
0
f
P
Z
FREQUENCY
图 51. 可确保稳定性的 CF 选择
在使用公式 3 计算 CF 时，有时会得到低得离谱的值 (<1pF)，尤其是在高速 应用中。在这种情况下，为了能够获
得更加合理的值，图 52 中所示的电路往往更加实用。在该电路中，电容 CF′ 为 (1+ RB/RA) 乘以有效反馈电容
CF。这样便可以在该电路中使用一个容量较大的电容器来获得较小的有效电容。
例如，如果需要 0.5pF 的 CF，但又只有 5pF 的电容器，那么便可以选择适当的 RB 和 RA，使 RB/RA = 9。这样便
将 5pF 的 CF′转换成了 0.5pF 的 CF。只要 RA < RF，这一关系便会一直有效。
20
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典型 应用 (接下页)
R
A
R
B
C
F
Å
R
F
-
+
IF RA < < RF
«
∆
≈
RB
RA
≈
«
1 +
C Å =
F
CF
∆
图 52. 通过较大的 CF′ 获得较小的 CF
8.2.2 应用曲线
LMV791 已被用于设计具有不同跨阻增益和源电容的多种放大器。表 1 对这些电路的增益、带宽和反馈电容进行了
总结。图 53 和 图 54 展示了它们的频率响应情况。这里的反馈电容与公式 3 中的公式略有不同，因为必须考虑电
路板和反馈电阻器 RF 的寄生电容。
表 1. 频率响应结果
跨阻 ATI
470000
470000
470000
47000
CIN
CF
3dB 频率
350kHz
250kHz
150kHz
1.5MHz
1MHz
50pF
1.5pF
2.0pF
3.0pF
4.5pF
6.0pF
9.0pF
100pF
200pF
50pF
47000
100pF
200pF
47000
700kHz
130
120
110
100
90
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
C
= 50 pF, C = 4.5 pF
F
IN
C
= 50 pF, C = 1.5 pF
F
IN
C
= 100 pF, C = 6 pF
F
IN
C
= 200 pF, C = 9 pF
F
IN
C
= 100 pF, C = 2 pF
F
IN
80
C
= 200 pF, C = 3 pF
F
IN
70
60
50
10k
100k
1M
10M
10k
100k
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
图 54. ATI = 47000 时的频率响应
图 53. ATI = 470000 时的频率响应
8.2.3 使用 LMV792 的高增益、宽带跨阻放大器
LMV792 双通道、低噪声、宽带宽 CMOS 输入运算放大器 IC 可在紧凑且可靠的集成式解决方案中用于感应和放大
从敏感光电二极管获得的宽带信号。在提供的两个运算放大器中，其中一个可用于获取跨阻增益，另一个则可用于
放大输出电压，从而进一步增强跨阻增益。这两个运算放大器的宽带宽 (17MHz) 可确保它们能够在宽频率范围内
提供高增益。低输入基准噪声 (5.8nV/√Hz) 则使得该放大器能够提供具有高 SNR（信噪比）的输出。小巧的
VSSOP-10 封装可以节省印刷电路板空间，便于设计便携式产品。
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在图 55 所示的电路中，第一个运算放大器被用作增益为 47000 的跨阻放大器，第二及则可提供 10 倍的电压增
益。该电路针对 50pF 的总输入电容提供了 470000 的跨阻增益和 1.5MHz 的 −3dB 带宽。该电路的频率响应如图
56 所示。
4.5 pF
47 kW
10 kW
I
IN
1 kW
-
C
IN
= 50 pF
792A
-
792B
0.1 mF
+
V
-
OUT
VOUT
ATI
=
= 470,000
IIN
图 55. 1.5MHz 跨阻放大器 (ATI = 470000)
120
110
100
90
80
70
C
C
= 50 pF
IN
= 4.5 pF
F
60
10k
100k
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
图 56. 1.5MHz 跨阻放大器频率响应
8.2.4 具有带通滤波功能的音频前置放大器
凭借低输入基准电压噪声、低电源电压和电流以及低谐波失真，LMV791 系列成为了音频 应用的理想之选。由于具
备宽单位增益带宽，因此该器件可在广泛频率范围内提供较大增益，而且可以驱动阻值低至 600Ω 的负载，而失真
率低于 0.01%。图 57 和图 58 展示了两个放大器电路。图 57 是反相放大器，具有 10kΩ 的反馈电阻器 R2 和 1kΩ
的输入电阻器 R1，因此可提供 −10 的增益。图 58 是同相放大器，使用了相同的 R1 和 R2 值，可提供 11 的增
益。在这两个电路中，耦合电容器 CC1 决定开始提供增益的较低频率，而反馈电容器 CF 则决定增益开始下降的频
率。图 59 展示了具有不同 CF 值的反相放大器的频率响应。
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+
C
F
V
R
1 kW
R
10 kW
1
2
R
R
C
B1
B2
C1
C
C2
+
-
+
+
IN
C
V
C2
IN
-
+
-
V
-
V
OUT
R
-
2
+
+
-
10 kW
R
B1
V
OUT
+
V
R
C
F
B2
R
1
1 kW
R2
R1
R2
R1
C
C1
-
=
= -10
AV
= 11
AV = 1 +
图 57. 反相音频前置放大器
图 58. 同相音频前置放大器
25
20
15
C
= 10 pF
F
C
F
= 1 nF
10
5
C
F
= 100 pF
0
-5
-10
-15
-20
1
1k
FREQUENCY (Hz)
100k
10
100
10k
1M
图 59. 反相音频前置放大器的频率响应
8.2.5 传感器接口
LMV791 和 LMV792 具有低输入偏置电流和低输入基准噪声，是传感器接口应用的理想之选。这些电路需要感应几
微伏级别的电压和总计小于 1nA 的电流，因此运算放大器需要具有低电压噪声和低输入偏置电流。典型 应用 包括
红外测温、热电偶放大器和 pH 电极缓冲器。图 60 是一个用于测量红外辐射强度的典型电路，通常用于远程估测
物体的温度。红外传感器会产生一个与 I（落在物体上的红外辐射的强度）成比例的电压。如图 60 中所示，K 是红
外传感器上的电压 (VIN) 与辐射强度 I 的比例常数。所选的 RA 和 RB 电阻可提供一个高增益来放大该电压，而添加
的 CF 则可以滤除高频噪声。
IR SENSOR
+
+
-
+
V
= KI
IN
R
B
V
OUT
-
-
IR RADIATION
INTENSITY, I
R
A
C
F
VOUT RA
I =
K(RA + RB)
图 60. 红外辐射传感器
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9 电源建议
为了正确运行，必须适当地对电源进行去耦。为了对电源线进行去耦，TI 建议将 10nF 电容器尽可能靠近运算放大
器电源引脚放置。对于单电源，应在 V+ 和 V– 电源引线之间放置一个电容器。对于双电源，应在 V+ 和接地端之间
放置一个电容器，并在 V– 和接地端之间放置一个电容器。
10 布局
10.1 布局指南
在每个电源引脚和接地端之间连接低 ESR 0.1µF 陶瓷旁路电容器，放置位置尽量靠近器件。从 V+ 到接地端的单个
旁路电容器适用于单通道电源 应用。
噪声可通过全部电路电源引脚以及运算放大器自身传入模拟电路。旁路电容器为局部模拟电路提供低阻抗电源，用
于降低耦合噪声。
将电路的模拟和数字部分单独接地是最简单且最有效的噪声抑制方法之一。多层 PCB 中通常将一层或多层专门作
为接地层。接地平面有助于散热和降低 EMI 噪声拾取。确保对数字接地和模拟接地进行物理隔离，同时应注意接地
电流。
应将接地引脚连接至 PCB 接地平面的器件引脚。
应将反馈组件放置在尽可能靠近器件的位置，以最大限度减少杂散。
10.2 布局示例
图 61. 典型 SOT 布局
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11 器件和文档支持
11.1 器件支持
11.1.1 开发支持
相关开发支持，请参阅以下内容：
•
•
•
•
•
•
LMV791 PSPICE 模型，SNOM056
LMV792 PSPICE 模型，SNOM057
TINA-TI 基于 SPICE 的模拟仿真程序，http://www.ti.com.cn/tool/cn/tina-ti
DIP 适配器评估模块，http://www.ti.com.cn/tool/cn/dip-adapter-evm
TI 通用运算放大器评估模块，http://www.ti.com.cn/tool/cn/opampevm
TI Filterpro 软件，http://www.ti.com.cn/tool/cn/filterpro
11.2 文档支持
11.2.1 相关文档
如需相关文档，请参阅：
•
•
•
•
•
•
《AN-31 运算放大器电路集合》，SNLA140
《反馈曲线图定义运算放大器交流性能》，SBOA015 (AB-028)
《电路板布局技巧》，SLOA089
《面向大众的运算放大器》，SLOD006。
《采用隔离电阻器的容性负载驱动解决方案》，TIPD128
《运算放大器应用 手册》, SBOA092
11.3 相关链接
下表列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持和社区资源、工具和软件以及申请样片或购买产品的快速访问
链接。
表 2. 相关链接
部件
产品文件夹
单击此处
单击此处
样片与购买
单击此处
单击此处
技术文档
单击此处
单击此处
工具和软件
单击此处
单击此处
支持和社区
单击此处
单击此处
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11.4 社区资源
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，
并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在
e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
设计支持
TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。
11.5 商标
E2E is a trademark of Texas Instruments.
All other trademarks are the property of their respective owners.
11.6 静电放电警告
这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损
伤。
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11.7 术语表
SLYZ022 — TI 术语表。
这份术语表列出并解释术语、缩写和定义。
12 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。如需获取此产品说明书的浏览器版本，请查看左侧的导航栏。
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
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Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
LMV791MK/NOPB
LMV791MKX/NOPB
LMV792MM/NOPB
LMV792MMX/NOPB
ACTIVE SOT-23-THIN
ACTIVE SOT-23-THIN
DDC
DDC
DGS
DGS
6
6
1000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
3500 RoHS & Green
SN
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
AS1A
AS1A
AX2A
AX2A
SN
SN
SN
ACTIVE
ACTIVE
VSSOP
VSSOP
10
10
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
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Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
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B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
LMV791MK/NOPB
LMV791MKX/NOPB
SOT-
23-THIN
DDC
DDC
6
6
1000
3000
178.0
8.4
3.2
3.2
1.4
4.0
8.0
Q3
SOT-
178.0
8.4
3.2
3.2
1.4
4.0
8.0
Q3
23-THIN
LMV792MM/NOPB
LMV792MMX/NOPB
VSSOP
VSSOP
DGS
DGS
10
10
1000
3500
178.0
330.0
12.4
12.4
5.3
5.3
3.4
3.4
1.4
1.4
8.0
8.0
12.0
12.0
Q1
Q1
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
5-Nov-2021
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
LMV791MK/NOPB
LMV791MKX/NOPB
LMV792MM/NOPB
LMV792MMX/NOPB
SOT-23-THIN
SOT-23-THIN
VSSOP
DDC
DDC
DGS
DGS
6
6
1000
3000
1000
3500
208.0
208.0
208.0
367.0
191.0
191.0
191.0
367.0
35.0
35.0
35.0
35.0
10
10
VSSOP
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
DGS0010A
VSSOP - 1.1 mm max height
S
C
A
L
E
3
.
2
0
0
SMALL OUTLINE PACKAGE
C
SEATING PLANE
0.1 C
5.05
4.75
TYP
PIN 1 ID
AREA
A
8X 0.5
10
1
3.1
2.9
NOTE 3
2X
2
5
6
0.27
0.17
10X
3.1
2.9
1.1 MAX
0.1
C A
B
B
NOTE 4
0.23
0.13
TYP
SEE DETAIL A
0.25
GAGE PLANE
0.15
0.05
0.7
0.4
0 - 8
DETAIL A
TYPICAL
4221984/A 05/2015
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm per side.
5. Reference JEDEC registration MO-187, variation BA.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DGS0010A
VSSOP - 1.1 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
10X (1.45)
(R0.05)
TYP
SYMM
10X (0.3)
1
5
10
SYMM
6
8X (0.5)
(4.4)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:10X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
NOT TO SCALE
4221984/A 05/2015
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DGS0010A
VSSOP - 1.1 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
10X (1.45)
SYMM
(R0.05) TYP
10X (0.3)
8X (0.5)
1
5
10
SYMM
6
(4.4)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:10X
4221984/A 05/2015
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
DDC0006A
SOT-23 - 1.1 max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
3.05
2.55
1.1
0.7
1.75
1.45
0.1 C
B
A
PIN 1
INDEX AREA
1
6
4X 0.95
1.9
3.05
2.75
4
3
0.5
0.3
0.1
6X
TYP
0.0
0.2
C A B
C
0 -8 TYP
0.25
GAGE PLANE
SEATING PLANE
0.20
0.12
TYP
0.6
0.3
TYP
4214841/C 04/2022
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Reference JEDEC MO-193.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DDC0006A
SOT-23 - 1.1 max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
SYMM
6X (1.1)
1
6
6X (0.6)
SYMM
4X (0.95)
4
3
(R0.05) TYP
(2.7)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPLOSED METAL SHOWN
SCALE:15X
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
SOLDERMASK DETAILS
4214841/C 04/2022
NOTES: (continued)
4. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
5. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DDC0006A
SOT-23 - 1.1 max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
SYMM
6X (1.1)
1
6
6X (0.6)
SYMM
4X(0.95)
4
3
(R0.05) TYP
(2.7)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 THICK STENCIL
SCALE:15X
4214841/C 04/2022
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
7. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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相关型号：
LMV792MM/NOPB
Dual, 5-V, 17-MHz, low noise (5.8-nV/√Hz) operational amplifier with shutdown | DGS | 10 | -40 to 125
TI
LMV792MMX/NOPB
Dual, 5-V, 17-MHz, low noise (5.8-nV/√Hz) operational amplifier with shutdown | DGS | 10
TI
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