LSF0108-Q1 [TI]
汽车类 8 通道双向多电压电平转换器;型号: | LSF0108-Q1 |
厂家: | TEXAS INSTRUMENTS |
描述: | 汽车类 8 通道双向多电压电平转换器 转换器 电平转换器 |
文件: | 总36页 (文件大小:2269K) |
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LSF0108-Q1
ZHCSF27G –MAY 2016 –REVISED JUNE 2023
LSF0108-Q1 汽车类8 通道多电压电平转换器
1 特性
2 应用
• 具有符合AEC-Q100 标准的下列特性:
• GPIO、MDIO、PMBus、SMBus、SDIO、
UART、I2C 和电信基础设施中的其他接口
• 信息娱乐系统与仪表组
• 车身电子装置和照明
• 混合动力、电动和动力总成系统
• 被动安全
– 器件HBM ESD 分类等级2000V
– 器件CDM ESD 分类等级1000V
• 采用具有可湿性侧面的VQFN (RKS) 封装
• 在无方向引脚的情况下提供双向电压转换
• 在不超过30pF 的容性负载条件下支持最高达
100MHz 的上行转换和超过100MHz 的下行转换,
在50pF 的容性负载条件下支持高达40MHz 的上
行/下行转换
• ADAS
3 说明
• 在不超过30pF 的容性负载条件下支持最高
100MHz 的上行转换和超过100MHz 的下行转换,
在50pF 的容性负载条件下支持最高40MHz 的上行
和下行转换:
• 支持热插入
• 可实现以下电压之间的双向电压电平转换
– 0.65 V ↔ 1.8V、2.5V、3.3V、5V
– 0.95V ↔ 1.8V、2.5V、3.3V、5V
– 1.2V ↔ 1.8V、2.5V、3.3V、5V
– 1.8V ↔ 2.5V、3.3V、5V
– 2.5V ↔ 3.3V、5V
– 3.3V ↔ 5V
• 低待机电流
– 允许LSF 系列支持更多的消费类或电信接口
(MDIO 或SDIO)
• 双向电压转换(不使用DIR 引脚):
– 更大限度地减少开发双向接口(PMBus、I2C 或
SMbus)电压转换的系统工作量
• IO 端口可耐受5V 电压且支持125°C 高温:
– LSF 系列可耐受5V 电压且支持125°C 高温,
能够灵活兼容工业和电信应用中的TTL 电平。
• 通道的特定转换:
• 支持TTL 的5V 耐受I/O 端口
• 低导通电阻,可减少信号失真
• 针对EN 为低电平的高阻抗I/O 引脚
• 采用直通引脚排列来简化PCB 布线
• 闩锁性能超过100 mA,符合JESD 17 规范
• –40°C 至+125°C 工作温度范围
– LSF 系列能够为每条通道设置不同电压转换电
平。
Vref_B
19
Vref_A
2
封装信息
封装(1)
封装尺寸(2)
器件型号
LSF0108-Q1
LSF0108-Q1
20
EN
PW(TSSOP,20) 6.5 mm × 6.4 mm
RKS(VQFN,20) 4.5 mm × 2.5 mm
3
4
18
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
B1
SW
SW
SW
SW
SW
SW
SW
SW
17
16
15
14
13
12
11
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
(2) 封装尺寸(长× 宽)为标称值,并包括引脚(如适用)。
5
6
7
8
9
10
1
GND
功能方框图
本文档旨在为方便起见,提供有关TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问
www.ti.com,其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 4
6 规格................................................................................... 5
6.1 绝对最大额定值...........................................................5
6.2 ESD 等级.................................................................... 5
6.3 建议运行条件.............................................................. 5
6.4 热性能信息(Q1)..........................................................6
6.5 电气特性......................................................................6
6.6 开关特性(下行转换)................................................7
6.7 开关特性(上行转换)................................................7
6.8 典型特性......................................................................8
7 参数测量信息.....................................................................9
8 详细说明.......................................................................... 10
8.1 概述...........................................................................10
8.2 功能方框图................................................................10
8.3 特性说明....................................................................11
8.4 器件功能模式............................................................ 12
9 应用和实施.......................................................................14
9.1 应用信息....................................................................14
9.2 典型应用....................................................................14
9.3 电源相关建议............................................................ 21
9.4 布局...........................................................................22
10 器件和文档支持............................................................. 23
10.1 接收文档更新通知................................................... 23
10.2 支持资源..................................................................23
10.3 商标.........................................................................23
10.4 静电放电警告.......................................................... 23
10.5 术语表..................................................................... 23
11 机械、封装和可订购信息............................................... 23
4 修订历史记录
注:以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision F (April 2023) to Revision G (June 2023)
Page
• 向特性部分和整个数据表中涉及电压范围的地方添加了0.65V 电压能力.......................................................... 1
• 更新了封装信息 表以包含封装尺寸.................................................................................................................... 1
• 将引脚功能表中EN 引脚的描述行中的上拉电阻器更改为偏置电阻器.............................................................4
• 更新了“建议运行条件”表来反映5.5V 的最大值..............................................................................................5
• 更新了“热性能信息”表................................................................................................................................... 6
• 更新了规格为0.65V 的导通状态电阻..................................................................................................................6
• 更改了所有开关特性表测试条件......................................................................................................................... 7
• 更新了应用运行条件表.....................................................................................................................................15
Changes from Revision E (November 2022) to Revision F (April 2023)
Page
• 将RKS 封装状态从预发布 更改为正在供货 ...................................................................................................... 1
Changes from Revision D (April 2021) to Revision E (November 2022)
Page
• 添加了自动双向电压转换、输出使能、可湿性侧面、上行和下行转换、偏置电路、混合模式电压转换、单电源
转换 和Vref_B < Vref_A + 0.8V 的电压转换 部分..............................................................................................1
• 向数据表中添加了RKS 封装............................................................................................................................. 4
• 更新了概述部分................................................................................................................................................10
• 更新了器件功能模式部分................................................................................................................................. 12
• 更新了应用信息部分........................................................................................................................................ 14
• 更新了启用、禁用和基准电压指南部分............................................................................................................15
• 更新了确定上拉电阻器的大小部分...................................................................................................................16
Changes from Revision C (July 2018) to Revision D (April 2021)
Page
• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1
• 更新了双向转换部分,包含了范围广泛的术语.................................................................................................16
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Changes from Revision B (June 2016) to Revision C (July 2018)
Page
• 更改了热性能信息值.......................................................................................................................................... 5
Changes from Revision A (May 2016) to Revision B (June 2016) Page
• 删除了特性中的“ESD 性能测试符合 JESD 22 标准”.....................................................................................1
• 更新了特性 和应用 .............................................................................................................................................1
• 添加了接收文档更新通知 部分............................................................................................................................1
• 删除了绝对最大额定值表中的RθJA.................................................................................................................5
• 将ESD 等级中的ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 更改为AEC-Q100 - 002 并将JEDEC 规范JESD22- V C101
更改为AEC-100-011...........................................................................................................................................5
• 更新了短布线布局图像.....................................................................................................................................22
Changes from Revision * (May 2016) to Revision A (May 2016)
Page
• 将“产品预发布”更改为“量产数据”.............................................................................................................. 1
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5 引脚配置和功能
所有封装均处于相同的相对标度
GND
Vref_A
A1
1
2
3
4
5
6
7
20
19
18
17
16
15
14
EN
Vref_B
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
2
3
4
5
6
7
8
9
19
18
17
16
15
14
13
12
Vref_A
A1
Vref_B
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A2
A3
Thermal
Pad
A4
A5
A6
A7
8
13
12
11
9
10
图5-2. RKS 封装,20 引脚VQFN(透明顶视图)
图5-1. PW 封装,20 引脚TSSOP(透明顶视图)
表5-1. 引脚功能
引脚
类型(1)
说明
名称
编号
3
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
EN
GND
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
数据端口
4
5
6
7
8
9
10
18
17
16
15
14
13
12
11
20
开关使能输入;连接到Vref_B 并通过偏置电阻器(200kΩ) 上拉。
接地
1
2
—
—
—
Vref_A
Vref_B
基准电源电压A。有关更多信息,请参阅应用和实施部分。
基准电源电压B。有关更多信息,请参阅应用和实施部分。
19
(1) I = 输入,O = 输出
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)(1)
最小值
最大值
单位
输入电压范围(2)
输入/输出电压范围(2)
连续通道电流
输入钳位电流(VI < 0)
结温
VI
-0.5
7
V
VI/O
-0.5
7
128
-50
V
mA
mA
°C
IIK
TJ(Max)
Tstg
150
150
°C
–65
贮存温度
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下
能够正常运行。如果超出建议运行条件、但在绝对最大额定值范围内使用,器件可能不会完全正常运行,这可能影响器件的可靠性、功
能和性能,并缩短器件寿命。
(2) 如果遵守输入和输出电流额定值,则可能会超过输入和输出负电压额定值。
6.2 ESD 等级
值
单位
V(ESD)
V(ESD)
±2000
V
人体放电模型(HBM),符合AEC Q100-002 标准
充电器件模型(CDM),符合AEC Q100-011
静电放电
静电放电
±1000
V
6.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)
最小值
最大值
单位
A1、A2 - An,B2 -
Bn
VI/O
0
5.5
5.5
V
输入/输出电压
Vref_A/B/EN
0
V
基准电压
(1)
EN 开关(2) 开关模式使能电压(开关模式使能电压)
1.5
5.5
64
V
IPASS
TA
mA
°C
导通开关电流
环境温度
-40
125
(1) 为了支持转换,VREF1 支持0.65V 至VREF2 - 0.6V 的电压范围。VREF2 必须介于VREF1 + 0.6V 至5.5V 之间。有关更多信息,请参阅
“典型应用”。
(2) 为了支持开关,无需连接VREF1 和VREF2。当要启用开关模式时,EN 引脚应使用不小于1.5V 的电压。此引脚上的使能电压应等于1.5V
或I/O 电源电压,以较高者为准。
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6.4 热性能信息(Q1)
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PW
WRKS
(VQFN)
热指标(1)
单位
(TSSOP)
20 个引脚
108.8
45.7
20 个引脚
74.3
RθJA
RθJC(top)
RθJB
ΨJT
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
76.6
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板热阻
61.8
46.6
10.4
13.9
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
61.1
46.5
ΨJB
(1) 有关新旧热指标的更多信息,请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
6.5 电气特性
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)
典型
值(1)
最小
值
最大
单位
值
参数
测试条件
VEN = 0V
VEN = 0V
VIK
IIH
II = -18mA
-1.2
0
3
V
输入钳位电压
输入漏电流
VI = 5V,VO
= 0V
.001
0.5
µA
Vref_B = VEN = 5.5V,Vref_A = 4.5V,IO
0,VI = VCC 或GND
=
ICC
.002 0.05
1.5 µA
pF
电源电流
输入电容
关断电容
CI(EN)
CIO(off)
40
4
VI = 3V 或0V
VO = 3V 或
VEN = 0V
0V
6
pF
VO = 3V 或
VEN = 3 V
0V
CIO(on)
10.5 12.5 pF
导通电容
Vref_A = 1V
5
4
3
3
Vref_A = 1.8V
Vref_A = 2.5V
Vref_A = 3.3V
IO = 64 mA
IO=20 mA
IO = 32 mA
VI = 0V,
Vref_A
0.65V
=
15
Vref_B = 5V(3)
Vref_A = 1V
5
4
3
Vref_A = 1.8V
Vref_A = 2.5V
Vref_A = 3.3V
3
(2)
RON
导通状态电阻
Ω
VI = 1.8V,
IO = 15 mA
IO = 10 mA
Vref_A = 3.3V
Vref_A = 1.8V
4
7
Vref_B = 5V(3)
VI = 1V,
Vref_B
=
3.3V(3)
Vref_A
0.65V
=
VI = 0V,
15
5
Vref_B
=
IO = 10 mA
IO = 10 mA
3.3V(3)
Vref_A = 1V
Vref_A
0.65V
=
VI = 0V,
15
6
Vref_B
=
1.8V(3)
Vref_A = 1V
(1) 所有典型值均在TA=25°C 下测得。
(2) 在通过开关的指示电流下,由A 和B 引脚之间的电压降测量。最小导通状态电阻由两个引脚(A 或B)的最低电压决定。
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(3) 仅在连接了拉电流配置的应用中测量。参阅节7
6.6 开关特性(下行转换)
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)(1)
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
CL = 15pF
CL = 30pF
CL = 50pF
CL = 15pF
CL = 30pF
CL = 50pF
CL = 15pF
CL = 30pF
CL = 50pF
CL = 15pF
CL = 30pF
CL = 50pF
0.75
TPLH
TPHL
TPLH
TPHL
1.4
1.9
0.85
1.5
2
ns
ns
ns
ns
低电平到高电平传播延迟
高电平到低电平传播延迟
低电平到高电平传播延迟
高电平到低电平传播延迟
VCCB = 3.3V,VCCB = VIH = Vref_ A
+
(2)
1,VIL = 0,VM = 0.5Vref_A
0.8
1.45
2
VCCB = 2.5V,VCCB = VIH = Vref_ A
+
(2)
1,VIL = 0,VM = 0.5Vref_A
0.9
1.55
2.1
(1) 取决于模拟,未经生产环境测试
(2) 下行转换:高压侧向低压侧驱动
6.7 开关特性(上行转换)
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)(1)
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
CL = 15pF
CL = 30pF
CL = 50pF
CL = 15pF
CL = 30pF
CL = 50pF
CL = 15pF
CL = 30pF
CL = 50pF
CL = 15pF
CL = 30pF
CL = 50pF
0.9
TPLH
TPHL
TPLH
TPHL
1.55
2.1
1
ns
ns
ns
ns
低电平到高电平传播延迟
高电平到低电平传播延迟
低电平到高电平传播延迟
高电平到低电平传播延迟
VCCB = 3.3V,VCCB = VT = Vref_ A
+
1,Vref_A = VIH,VIL = 0,VM
=
0.5Vref_A,RL = 300Ω(2)
1.65
2.2
0.8
1.35
1.8
0.9
1.45
1.9
VCCB = 2.5V,VCCB = VT = Vref A
+
1,Vref_A = VIH,VIL = 0,VM
=
0.5Vref_A 且RL = 300Ω(2)
(1) 取决于模拟,未经生产环境测试
(2) 上行转换:低压侧向高压侧驱动
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6.8 典型特性
图6-1. 信号完整性(50MHz 时的1.8V 至3.3V 上行转换)
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7 参数测量信息
图7-1. 输出负载电路
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8 详细说明
8.1 概述
LSF0108-Q1 可在电平转换应用中用于连接在不同电源电压下运行的器件或系统。LSF0108-Q1 非常适合将开漏
驱动器连接至数据 I/O 的应用。 LSF0108-Q1 可通过适当的上拉电阻器和布局实现 100MHz 频率。LSF0108-Q1
也可用于将推挽驱动器连接到数据 I/O 的应用。有关器件设置和运行的概述,请参阅 Logic Minute 系列培训:了
解LSF 系列双向多电压电平转换器。
8.2 功能方框图
Vref_B
19
Vref_A
2
LSF0108-Q1
20
EN
18
3
4
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
B1
SW
SW
SW
SW
SW
SW
SW
SW
17
16
15
14
13
12
11
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
5
6
7
8
9
10
1
GND
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8.3 特性说明
8.3.1 自动双向电压转换
LSF 系列中的所有器件均为自动双向电压电平转换器,可在0.65V 至5.5V 的Vref_A 电源电压范围和1.8V 至5.5V
的 Vref_B 电源电压范围内工作。支持在 0.65 V 至 5.5V 之间进行双向电压转换,在开漏或推挽应用中无需方向引
脚。对于采用 30pF 电容和 250Ω 上拉电阻器的开漏系统,LSF 系列支持传输速度大于 100Mbps 的电平转换应
用。控制器的输出驱动器和外设输出都可以是推挽或开漏(可能需要上拉电阻器)。在器件运行期间,B 侧通常
被称为高侧,而A 侧被称为低侧。
8.3.2 输出使能
要启用I/O 引脚,运行期间EN 输入应直接连接到Vref_B,且两个引脚必须通过偏置电阻器(通常为200kΩ)上拉
至高侧 (VCCB)。要在上电、断电或运行期间处于高阻抗状态,EN 引脚必须为低电平。EN 引脚应始终直接连接至
V
ref_B 引脚,建议由开漏驱动器禁用,不使用上拉电阻器。这样Vref_B 就能够调节EN 输入并对通道进行偏置,以
进行适当转换。建议在Vref_B 上使用滤波电容器,为器件提供稳定电源。
3.3 V
VCCB
1.8 V
200 k
Vref_B
EN
Vref_A
0.1 ꢀF
B1
A1
图8-1. EN 引脚直接连接至Vref_B,并通过上拉电阻器连接至VCCB
开漏 I/O 器件的电源电压可能与 LSF 使用的电源完全不同,对运行没有影响。有关如何使用使能引脚的更多详细
信息,请参阅针对LSF 系列使用使能引脚视频。
表8-1. EN 引脚功能表
输入EN(1) 引脚
直接连接Vref_B
L
数据端口状态
An = Bn
高阻态
(1) EN 由Vref_B 逻辑电平控制。
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8.3.3 可润湿侧翼
该器件采用至少一种具有可润湿侧翼的封装。请参阅数据表首页上的特性部分,了解哪些封装包含此特性。
可润湿侧翼有助于改善焊接后的侧翼润湿性,从而使 QFN 封装可通过自动光学检测(AOI) 轻松检测。如图所示,
可润湿侧翼可做出凹陷或进行阶梯切割,为焊接粘附提供额外的表面积,有助于可靠创建侧面填角。有关更多详
细信息,请参阅机械制图。
图8-2. 焊接后具有可润湿侧翼的QFN 封装和标准QFN 封装的简化剖面图
Package
Package
Solder
Standard Lead
We able Flank Lead
Pad
PCB
8.4 器件功能模式
对于每个通道 (n),当 An 或 Bn 端口为低电平时,开关在 An 和 Bn 端口之间提供一个低阻抗路径;相应的 Bn 或
A 端口将被拉至低电平。开关的低RON 可实现具有超小传播延迟和信号失真的连接。
表8-1 汇总了器件运行相关信息。有关LSF 系列器件正常运行的更多详细信息,请参阅使用LSF 系列进行下行转
换和使用LSF 系列进行上行转换视频。
表8-2. 器件功能
信号方向(1)
输入状态
开关状态
功能
导通
(低阻抗)
A 侧电压通过开关被拉低至B 侧电压
B = 低电平
B 至A(下行转换)
(2)
关闭
(高阻抗)
A 侧电压被钳制于Vref_A
B = 高电平
A = 低电平
A = 高电平
导通
(低阻抗)
B 侧电压通过开关被拉低至A 侧电压
A 至B(上行转换)
关闭
(高阻抗)
B 侧电压被钳制在Vref_A,然后上拉至VPU 电源电压
(1) 下游通道不应通过低阻抗驱动器主动驱动,否则可能会发生总线争用。
(2) A 侧可以上拉至Vref_A,实现额外的电流驱动能力,或者也可使用一个上拉电阻器上拉至Vref_A 之上。应始终遵循建议运行条件部分的
规定。
8.4.1 上行和下行转换
上行转换:当信号从A 驱动到B,并且An 端口为高电平时,开关将关闭,然后Bn 端口将由连接到上拉电源电压
的上拉电阻器驱动到高于 Vref_A 的电压。利用此功能,可在无需方向控制的情况下实现用户选择的较高和较低电
压间的无缝转换。高侧始终需要上拉电阻器,如果低侧器件输出为开漏,或其输入的漏电流大于 1µA,低侧才需
要上拉电阻器。
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3.3 V
VCCB
LSF0108-Q1
1.8 V
VCCA
200 k
Vref_B
EN
Vref_A
0.1 μF
RB1
B1
A1
3.3 V
Device
1.8 V
Device
B2
.
A2
.
.
.
.
.
GND
B8
A8
图8-3. 采用推挽和开漏配置的上行转换示例原理图
使用 LSF 进行上行转换需要关注两个重要因素:最大数据速率和灌电流。最大数据速率与输出信号的上升沿直接
相关。灌电流取决于电源值和所选的上拉电阻值。方程式 1 是计算最大数据速率的公式,方程式 2 是计算最大灌
电流的公式,这两个公式均为估算值。要达到高速度,需要低 RC 值,也需要强大的驱动器。有关基于电路元件
估算数据速率和灌电流的信息,请参阅使用LSF 系列进行上行转换视频。
1
1
bits
second
=
(1)
(2)
3 × 2R
C
6R
C
B1 B1
B1 B1
V
V
CCB
CCA
I
≅
+
A
OL
R
R
A1
B1
下行转换:当信号从 Bn 端口到 An 端口被驱动为高电平时,开关将关闭,将 An 端口上的电压钳制于 Vref_A 设置
的电压。可以在器件任一侧添加一个上拉电阻器。在特殊情况下,可以移除一个或两个上拉电阻器。如果信号始
终从推挽式发送器下行转换,则可以移除 B 侧的电阻器。如果流入 A 侧接收器的漏电流小于1µA,也可以移除 A
侧的电阻器。如果从推挽输出向下转换到低泄漏输入,可以使用这种没有外部上拉电阻器的设置。对于开漏发送
器,B 侧的上拉电阻器是必需的,因为开漏输出本身不能驱动高电平。表 9-2 汇总了器件运行相关信息。有关
LSF 系列器件正常运行的更多详细信息,请参阅使用 LSF 系列进行上行转换 和使用 LSF 系列进行下行转换 视
频。
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9 应用和实施
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围,TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计,以确保系统功能。
9.1 应用信息
LSF0108-Q1 器件可对开漏或推挽接口执行电压转换。表 9-1 列出了 LSF0108-Q1 支持的一些不同通道数所需的
消费类或电信接口。
表9-1. 适用于消费类或电信接口的电压转换器
器件名称
通道数量
接口
GPIO、MDIO、SDIO、SVID、UART、SMBus、PMBus、I2C 和SPI
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8
有关LSF 系列器件的一些重要提示如下:
• LSF 器件基于开关,而不是基于缓冲器(有关基于缓冲器的器件的信息,请参阅TXB 系列)
• 不能使用1/Tpd 计算具体的数据速率
• VCCB/VCCA 与Vref_B 或Vref_A 不同:VCCB 是指提供给LSF 器件的B 侧电源电压,而Vref_B 是指200kΩ 电阻
器另一侧的Vref_B 引脚(图9-1 的引脚7)处的电压
9.2 典型应用
9.2.1 I2C PMBus、SMBus、GPIO
Vpu = 5.0 V
Vref(A) = 1.8 V
200 k
Vref_B
Vref_A
LSF0108-Q1
EN
B1
B2
B3
B4
Rpu
1.8 V
Vcc
Vcc
A1
A2
A3
A4
GPIO
GPIO
GPIO
SW
SW
SW
SW
Vpu = 3.3 V
Vcc
GPIO
GPIO
GPIO
GPIO
GPIO
SCL
Rpu Rpu
A5
A6
B5
B6
SW
SW
SW
SW
SCL
SDA
SDA
Rpu Rpu
MDIO
MDIO
MDC
MDC
图9-1. 双向转换至多个电压电平
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9.2.1.1 设计要求
9.2.1.1.1 启用、禁用和基准电压指南
如图 9-1 所示,Vref_B 通过 200kΩ 电阻器连接到 5V 的 VPU 电源,Vref_A 连接到 1.8V 电源。A1 和 A2 通道的最
大输出电压等于Vref_A,B1 和B2 通道的最大输出电压等于VPU。
LSF0108-Q1 具有EN 输入。通过将EN 设为低电平可禁用器件,从而将所有I/O 置于高阻态。LSF0108-Q1 是开
关型电压转换器,因此功耗非常低。建议始终为双向应用(I2C、SMBus、PMBus 或 MDIO)启用 LSF0108-
Q1。
表9-2. 应用运行条件
参数
最小值
典型值
最大值
单位
(1)
Vref_A
Vref_B
VI(EN)
Vpu
0.65
5.5
V
基准电压(A)
基准电压(B)
Vref_A + 0.8
Vref_A + 0.8
0
5.5
5.5
V
V
V
EN 引脚上的输入电压
Vref_B
上拉电源电压
(1)
Vref_A 必须为所有输入和输出中的最低电压电平。
备注
需要使用200kΩ 偏置电阻器,以便Vref_B 调节EN 输入。
建议在Vref_B 上使用滤波电容器。此外,建议Vref_B 和VI(EN) 比Vref_A 高1.0V,以便实现出色的信号完整性。
9.2.1.1.2 偏置电路
为确保正常运行,VCCA 必须始终至少比 VCCB 低0.8V (VCCA + 0.8 ≦VCCB)。需要使用200kΩ 的偏置电阻,以便
V
ref_B 调节 EN 输入并适当地偏置器件,从而进行转换。建议使用 0.1µF 的电容器来提供从 Vref_B 到接地端的路
径,从而消除高频噪声。为了实现出色的信号完整性、建议Vref_B 和VI(EN) 要比Vref_A 高1.0V。
尝试使用推挽输出器件直接驱动 EN 引脚,是使用 LSF0108-Q1 系列器件时非常常见的设计错误。还需要注意的
是,在正常运行期间,电流确实会流入 A 侧电压电源。并非所有电压源都能灌入电流,因此请确保相应的设计能
够处理该电流。更多设计细节,请参阅了解LSF 系列的偏置电路视频。
3.3 V
VCCB
1.8 V
200 kΩ
Vref_B
EN
Vref_A
0.1 µF
B1
A1
图9-2. LSF010x 器件内部的偏置电路
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9.2.1.2 详细设计过程
9.2.1.2.1 双向转换
对于双向钳位配置(较高电压至较低电压或较低电压至较高电压),EN 输入必须连接到 Vref_B,且两个引脚均通过
偏置电阻器(通常为 200kΩ)拉至高侧 VCCB。这使得 Vref_B 能够调节 EN 输入。建议在 Vref_B 上使用滤波电容
器。控制器输出驱动器可以是推挽式或开漏式(可能需要上拉电阻器),外设输出可以是推挽式或开漏式(需要
上拉电阻器将Bn 输出拉至VPU)。
备注
如果任一输出为推挽式,则数据必须是单向的,或者输出必须为三态并由某种方向控制机制进行控制,
以防止在任一方向上出现高电平到低电平争用。如果两个输出均为开漏式,则无需方向控制。
图9-1 显示了基准电源电压 Vref_A 如何连接到 1.8V 处理器内核电源,Vref_B 如何通过200kΩ 电阻器连接到 5V 电
源。A3 和B4 的输出电压最大值为Vref_A,双向接口(Ch5/6、MDIO、MDC)的输出电压最大值为Vpu。
9.2.1.2.2 确定上拉电阻器的大小
上拉电阻值需要将传输晶体管处于导通状态时流经它的电流限制在大约 15mA。这样可使压降为 260mV 至
350mV,从而在下游通道上提供有效的低电平信号。如果流经传输晶体管的电流高于 15mA,导通状态下的压降
也会更高。要将流经每个传输晶体管的电流设置为15mA,请使用以下公式计算上拉电阻值:
Vpu − 0.35 V
Rpu =
(3)
0.015 A
表 9-3 列出了电流为 8mA、5mA 和 3mA 时的电阻值和基准电压。应使用 +10% 列中显示的电阻值(或更大的
值),以便晶体管上的压降为350mV 或更小。外部驱动器必须能够以0.175V 的电压从LSF 系列器件两侧的电阻
器中吸收总电流,尽管 15mA 电流仅适用于流经 LSF 系列器件的电流。在 0.175V 时驱动低电平状态的器件必须
从一个或多个上拉电阻器吸引电流,并保持VOL。电阻的减小将增大电流,从而增大VOL。
表9-3. 上拉电阻器值
8mA
5mA
3mA
(1) (2)
VPU
标称值(Ω)
581
+10%(3) (Ω)
639
标称值(Ω)
930
+10%(3) (Ω)
1023
649
标称值(Ω)
1550
983
+10%(3) (Ω)
1705
1082
788
5V
3.3V
2.5V
1.8V
1.5V
1.2V
369
406
590
269
296
430
473
717
181
199
290
319
483
532
144
158
230
253
383
422
106
117
170
187
283
312
(1) VOL = 0.35V 时计算得出
(2) 假设规定电流下输出驱动器VOL = 0.175V
(3) +10% 来补偿VDD 范围和电阻器容差
9.2.1.2.3 LSF0108-Q1 带宽
LSF0108-Q1 的最大频率取决于应用。在给定正确条件下,器件可在大于 100MHz 的频率下运行。最大频率取决
于应用的负载。LSF0108-Q1 的行为类似于标准开关,器件带宽由器件的导通电阻和导通电容决定。
图9-3 显示了使用双端口网络分析器测量的LSF0108-Q1 的带宽。
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图9-3. 3dB 带宽
LSF0108-Q1 的 3dB 点为 ≅ 600MHz;但此测量为模拟测量类型。对于数字应用,信号不应降级至数字信号的五
次谐波。频率带宽应至少是最大数字时钟速率的五倍。信号的这个分量对于确定数字信号的整体形状非常重要。
对于LSF0108-Q1,可以实现大于100MHz 的数字时钟频率。
LSF0108-Q1 不提供任何驱动能力。因此频率更高的应用需要从主机侧获得更高的驱动强度。如果 LSF0108-Q1
由标准CMOS 图腾柱输出驱动器驱动,则主机侧(3.3V) 无需上拉电阻器。理想情况下,最好尽可能缩短灌电流侧
(1.8V) 的LSF0108-Q1 布线长度,以便最大程度地减少信号衰减。
所有快速边缘都有频率分量的无限频谱;但快速边缘的频谱中存在转折(或拐点),其中高于 ƒknee 的频率分量在
确定信号形状时无关紧要。
要计算最大实际频率分量或拐点频率(fknee),请使用方程式4 和方程式5:
0.5
f
f
=
=
(4)
(5)
knee
RT 10 − 80% )
0.4
knee
RT 20 − 80%
对于上升时间特性基于 10% 至 90% 阈值的信号,fknee 等于 0.5 除以信号的上升时间。对于上升时间特性基于
20% 至80% 阈值的信号(这在如今的许多器件规格中很常见),ƒknee 等于0.4 除以信号的上升时间。
有助于更大限度提高器件性能的一些指导原则包括:
• 通过将LSF0108-Q1 放置在靠近处理器的I2C 输出的位置,尽可能缩短布线长度。
• 布线长度应小于飞行时间的一半,以便减少开关区域中的振铃和线路反射或非单调性行为。
• 为减少过冲,可在1.8V 侧添加一个上拉电阻器;请注意,预计下降时间会变慢。
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9.2.1.3 应用曲线
Input (3.3V)
Output (1.0V)
。
图9-4. 从上述I2C 设置中捕获的波形(2.5MHz 时为
1.8V 至3.3V)
。
图9-5. 从上述MDIO 设置中捕获的波形
9.2.2 混合模式电压转换
每个通道的电源电压 (VPU) 可由一个上拉电阻器单独设置。图 9-6 展示了这种混合模式多电压转换的示例。有关
多电压转换的更多详细信息,请参阅使用LSF 系列进行多电压转换视频。
在 Vref_B 上拉至 5V,Vref_A 连接至 1.8V 的情况下,所有通道将被钳制于 1.8V,此时可使用一个上拉电阻定义给
定通道的高电平电压。
• 推挽式下行转换(5V 至1.8V):通道1 展示了此设置的一个示例。B1 为5V 时,A1 被钳制于1.8V,B1 为
低电平时,A1 通过开关驱动为低电平。
• 推挽式上行转换(1.8V 至5V):通道2 展示了此设置的一个示例。A2 为1.8V 时,开关为高阻抗,B2 通道
上拉至5V。A2 为低电平时,B2 通过开关驱动为低电平。
• 推挽式下行转换(3.3V 至1.8V):通道3 和4 是此设置的示例。B3 或B4 驱动至3.3V 时,A3 或A4 被钳制
于1.8V,当B3 或B4 为低电平时,A3 或A4 通过开关驱动为低电平。
• 开漏双向转换(3.3V ↔ 1.8V):通道5 至8 是此设置的示例。这些通道适用于I2C 和MDIO 的双向运行,可通
过开漏驱动器在1.8V 和3.3V 之间进行转换。
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Vpu = 5.0 V
Vref(A) = 1.8 V
200 k
Vref_B
Vref_A
LSF010x-Q1
EN
Rpu
1.8 V
Vcc
Vcc
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
B4
B5
B6
GPIO
GPIO
GPIO
SW
SW
SW
SW
Vpu
=
3.3 V
GPIO
GPIO
GPIO
Vcc
GPIO
GPIO
Rpu
Rpu
A5
A6
SW
SW
SW
SW
SCL
SDA
SCL
SDA
Rpu
Rpu
MDIO
MDIO
MDC
MDC
图9-6. 使用LSF010x-Q1 进行多电压转换
9.2.2.1 单电源转换
有时,外部器件的电压未知,可能高于或低于所需转换电压,阻止LSF 的正常连接。在这种情况下,可在A 侧添
加电阻器,来代替第二个电源 - 这是 LSF 单电源运行的示例,如图 9-5 所示。在下图中,使用单个 3.3V 电源在
3.3V 器件和可在 1.8V 和 5.0V 之间变化的器件之间进行转换。添加了 R1 和 R2 来代替第二个电源。请注意,由
于Vref_A 引脚会流出一些电流,不能将其视为简单的分压器。
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3.3 V
VCCB
LSF010x-Q1
200 k
R1
Vref_B
EN
Vref_A
R2
1.8 V – 5 V
0.1 mF
RB1
RB2
RA1
RA2
B1
B2
A1
A2
5
1.8 V – V
Device
3.3 V
Device
GND
图9-7. 3.3V 电源的单电源转换
为R1 和R2 选择电阻值的步骤如下:
1. 为R1 选择一个值。通常会选择使用1MΩ 的值来降低电流消耗。
2. 将您的系统的值代入以下公式。请注意,Vref_A 是系统中的最低电压。VCCB 是主电源,R1 是从第1 步中选择
的值。
3
200 10
x R x V
1
REFA
− 0.85 x R
1
R
=
(6)
2
3
200 10 + R
V
− V
1
CCB
REFA
所用的单电源必须至少比所需的最低转换电压大 0.8V。Vref_A 的电压必须选为系统中使用的最低电压。LSF 评估
模块 (LSF-EVM) 包含未组装的焊盘,用于放置 R1 和 R2 以进行单电源运行测试。有关单电源转换原理图和详细
信息的示例,请参阅使用LSF 系列进行单电源转换视频。
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9.2.2.2 Vref_B < Vref_A + 0.8V 时的电压转换
如启用、禁用和基准电压指南部分所述,通常建议Vref_B > Vref_A + 0.8V;但只要在设计时关注额外的注意事项,
该器件仍可在Vref_B < Vref_A + 0.8V 的条件下运行。
典型运行 (Vref_B > Vref_A + 0.8V):在这种情况下,A 侧不需要上拉电阻器来实现正确的下行转换,如图 9-6 的通
道 1 和 2 所示。在该器件的典型工作模式下,在从 B 到 A 下行转换时,A 侧 I/O 端口将钳制于 Vref_A,以便提供
适当的电压转换。有关器件运行的更多说明,请参阅使用LSF 系列进行下行转换视频。
Vref_B < Vref_A + 0.8V 的运行要求:在这种情况下,Vref_A 和Vref_B 之间没有足够大的电压差来确保A 侧I/O 端口
被钳制于 Vref_A,其电压大约等于 Vref_B – 0.8V。例如,如果 Vref_B = 1.8V 且 Vref_A = 1.2V,则 A 侧 I/O 将钳制
于大约1.0V 的电压。因此,要在此条件下运行,必须遵循以下附加设计注意事项:
• 运行期间Vref_B 必须大于VRef_A (Vref_B > Vref_A
)
• 应在A 侧I/O 端口上安装上拉电阻器,以便将线路完全上拉至所需电压。
图9-8 显示了此设置的示例,使用 LSF0108-Q1 实现了 1.2V ↔ 1.8V 转换。只要遵循了建议运行条件 表,此类设
置也适用于其他电压节点,例如1.8V ↔ 2.5V,1.05V ↔ 1.5V 等。
1.8 V
1.2 V
200 kΩ
Vref_B
Vref_A
EN
RPU(A2)
RPU(A1)
RPU(B1)
RPU(B2)
0.1 μF
A1
A2
B1
B2
SW
SW
1.2 V Device
1.8 V Device
图9-8. 使用LSF010x-Q1 进行1.2V 至1.8V 电平转换
9.3 电源相关建议
LSF0108-Q1 没有电源序列要求。有关启用和基准电压指南,请参阅节9.2.1.1.1。
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9.4 布局
9.4.1 布局指南
由于LSF0108-Q1 是开关型电平转换器,因此信号完整性与上拉电阻器和PCB 电容条件密切相关。
• 尽可能缩短信号布线,可减小电容并更大限度地减少上拉电阻器的残桩。
• 将LSF 放置在靠近高压侧的位置。
• 选择适用于发送器电平转换和驱动能力的上拉电阻器。
9.4.2 布局示例
LSF0108-Q1
Short Signal Trace as possible
GND
Vref_A
A1
1
2
3
4
20
19
18
17
EN
Vref_B
B1
A2
B2
A8
10
11
B8
Minimize Stub as possible
图9-9. 短布线布局
TP1
SDIO Connnector
(3.3 V IO)
LSF0108-Q1
SDIO level translator
SD Controller
(1.8 V IO)
Device PCB
TP2
图9-10. 器件放置
3.5
3
3.5
Input
Output
Input
Output
3
2.5
2
2.5
2
1.5
1
1.5
1
0.5
0
0.5
0
-0.5
-0.5
0
2.5
5
7.5 10 12.5 15 17.5 20 22.5 25
Time (ns)
0
3
6
9
12
15
Time (ns)
18
21
24
27
30
D011
D010
图9-11. TP1 的波形
图9-12. TP2 的波形
(上拉电阻器:160Ω和50pF 电容,100MHz 时3.3V (上拉电阻器:160Ω和50pF 电容,100MHz 时1.8V
至1.8V)
至3.3V)
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English Data Sheet: SDLS967
22
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Product Folder Links: LSF0108-Q1
LSF0108-Q1
ZHCSF27G –MAY 2016 –REVISED JUNE 2023
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10 器件和文档支持
10.1 接收文档更新通知
要接收文档更新通知,请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册,即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息,请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
10.2 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料,可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范,并且不一定反映 TI 的观点;请参阅
TI 的《使用条款》。
10.3 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
10.4 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序,可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级,大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏,这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
10.5 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
11 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是适用于指定器件的最新数据。这些数据会在无通知且不对本文
档进行修订的情况下发生改变。要获得这份数据表的浏览器版本,请查阅左侧的导航窗格。
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23
Product Folder Links: LSF0108-Q1
English Data Sheet: SDLS967
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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30-Jun-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
LSF0108QPWRQ1
LSF0108QWRKSRQ1
PLSF0108QWRKSRQ1
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
TSSOP
VQFN
VQFN
PW
RKS
RKS
20
20
20
2000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
SN
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Call TI
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
LSF0108Q
LSF0108
Samples
Samples
Samples
NIPDAU
Call TI
3000
TBD
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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30-Jun-2023
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF LSF0108-Q1 :
Catalog : LSF0108
•
NOTE: Qualified Version Definitions:
Catalog - TI's standard catalog product
•
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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30-Jun-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
LSF0108QPWRQ1
TSSOP
VQFN
PW
20
20
2000
3000
330.0
180.0
16.4
12.4
6.95
2.8
7.1
4.8
1.6
1.2
8.0
4.0
16.0
12.0
Q1
Q1
LSF0108QWRKSRQ1
RKS
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
30-Jun-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
LSF0108QPWRQ1
TSSOP
VQFN
PW
20
20
2000
3000
364.0
210.0
364.0
185.0
27.0
35.0
LSF0108QWRKSRQ1
RKS
Pack Materials-Page 2
GENERIC PACKAGE VIEW
RKS 20
2.5 x 4.5, 0.5 mm pitch
VQFN - 1 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
This image is a representation of the package family, actual package may vary.
Refer to the product data sheet for package details.
4226872/A
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
RKS0020B
VQFN - 1 mm max height
S
C
A
L
E
3
.
3
0
0
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
2.6
2.4
B
A
PIN 1 INDEX AREA
4.6
4.4
(0.1) MIN
(0.13)
SECTION A-A
TYPICAL
1.0
0.8
C
SEATING PLANE
0.08 C
0.05
0.00
1.05
0.95
2X 0.5
(0.2) TYP
EXPOSED
THERMAL PAD
10
11
14X 0.5
9
12
A
A
2X
3.05
2.95
3.5
2
19
0.3
20X
1
20
0.2
PIN 1 ID
(OPTIONAL)
0.1
C A B
0.45
0.35
20X
0.05
4226762/B 06/2022
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
RKS0020B
VQFN - 1 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
(1)
2X (0.5)
1
20
20X (0.6)
2
19
20X (0.25)
(1.25)
(3)
SYMM
2X (3.5)
(4.3)
16X (0.5)
(R0.05) TYP
9
12
(
0.2) VIA
TYP
10
11
SYMM
(2.3)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:20X
0.07 MAX
ALL AROUND
0.07 MIN
ALL AROUND
SOLDER MASK
OPENING
METAL
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4226762/B 06/2022
NOTES: (continued)
4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
5. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If some or all are implemented, recommended via locations are shown.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
RKS0020B
VQFN - 1 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
2X (0.95)
2X (0.5)
1
20
20X (0.6)
2
19
20X (0.25)
2X (1.31)
16X (0.5)
SYMM
2X (3.5) (4.3)
(0.76)
METAL
TYP
9
12
(R0.05) TYP
10
11
SYMM
(2.3)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
EXPOSED PAD
83% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA
SCALE:25X
4226762/B 06/2022
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
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PACKAGE OUTLINE
PW0020A
TSSOP - 1.2 mm max height
S
C
A
L
E
2
.
5
0
0
SMALL OUTLINE PACKAGE
SEATING
PLANE
C
6.6
6.2
TYP
A
0.1 C
PIN 1 INDEX AREA
18X 0.65
20
1
2X
5.85
6.6
6.4
NOTE 3
10
B
11
0.30
20X
4.5
4.3
NOTE 4
0.19
1.2 MAX
0.1
C A B
(0.15) TYP
SEE DETAIL A
0.25
GAGE PLANE
0.15
0.05
0.75
0.50
A
20
0 -8
DETAIL A
TYPICAL
4220206/A 02/2017
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm per side.
5. Reference JEDEC registration MO-153.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
PW0020A
TSSOP - 1.2 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
SYMM
20X (1.5)
(R0.05) TYP
20
1
20X (0.45)
SYMM
18X (0.65)
11
10
(5.8)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 10X
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
NON-SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
15.000
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4220206/A 02/2017
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
PW0020A
TSSOP - 1.2 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
20X (1.5)
SYMM
(R0.05) TYP
20
1
20X (0.45)
SYMM
18X (0.65)
10
11
(5.8)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE: 10X
4220206/A 02/2017
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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相关型号:
LSF0108BQ
8-bit bidirectional multi-voltage level translator; open-drain; push-pullProduction
NEXPERIA
LSF0108BQ-Q100
8-bit bidirectional multi-voltage level translator; open-drain; push-pullProduction
NEXPERIA
LSF0108PW
8-bit bidirectional multi-voltage level translator; open-drain; push-pullProduction
NEXPERIA
LSF0108PW-Q100
8-bit bidirectional multi-voltage level translator; open-drain; push-pullProduction
NEXPERIA
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