OPA206 [TI]
具有超 ß 输入和 OVP 的低功耗 (240µA)、低噪声 (8nV/√Hz)、精密 e-trim™ 运算放大器;
| 型号： | OPA206 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 具有超 ß 输入和 OVP 的低功耗 (240µA)、低噪声 (8nV/√Hz)、精密 e-trim™ 运算放大器 放大器 运算放大器 |
| 文件： | 总39页 (文件大小：2923K) |
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OPA206, OPA2206
ZHCSLB2D –MARCH 2020 –REVISED MARCH 2023
OPAx206 具有输入过压保护功能的4µV、0.08µV/°C 低功耗
超β e-trim™ 运算放大器
1 特性
3 说明
• 集成了高达±40V（超过电源电压范围）的输入过压
保护
• e-trim™ 运算放大器性能
OPA206 和 OPA2206 (OPAx206) 是业界通用
OPAx277 系列的下一代器件，具有输入过压保护的附
加特性。这些具有超 β 输入的双极性、e-trim™ 精密
运算放大器采用 TI 专有微调技术来实现 ±4μV（典型
值）的输入失调电压和 ±0.08μV/°C（典型值）的输入
失调电压漂移。当输入信号超出电源电压范围时，将会
激活输入过压保护，并提供 40V 保护（超过任一电源
电压范围）。借助此特性，无需再使用外部电路即可防
止放大器损坏，从而减小了尺寸和成本。
– 低失调电压：25µV（最大值）
– 低失调电压漂移：±0.5µV/°C（最大值）
• 超β输入
– 输入偏置电流：500 pA（最大值）
– 输入电流噪声：110fA/√Hz
• 低噪声
– 0.1Hz 至10Hz：0.2µVPP
– 电压噪声：8nV/√Hz
• AOL、CMRR 和PSRR：> 124dB（在整个温度范
围内）
• 增益带宽积：3.6MHz
• 低静态电流：240µA（最大值）
• 压摆率：4V/µs
• 过载功率限制器
• 轨到轨输出
• EMI 和RFI 已滤除的输入
• 宽电源电压范围：4.5V 至36V
• 温度范围：-40°C 至+125°C
OPAx206 可针对仅 220μA（典型值）的电流提供
3.6MHz 的速度功率比。该器件还可在 1kHz 下实现仅
8nV/√Hz 的低电压噪声密度。得益于超 β 输入，
OPAx206 具有 100pA（典型值）的超低输入偏置电流
和110fA/√Hz 的电流噪声密度。
OPAx206 的高性能使这些器件成为了高精度和低功耗
系统的理想选择，例如可编程逻辑控制器中的高密度模
拟输入模块、现场和便携式仪表系统以及源测量单元。
OPA205 和 OPA2205 是使用相同的运算放大器内核、
无输入保护、具有低宽带噪声 (7.2nV/√Hz) 的相关器
件。
器件信息
2 应用
封装(1)
器件型号
OPA206
通道
• 模拟输入模块
D（SOIC，8）
单通道
双通道
• 混合模块（AI、AO、DI、DO）
• 实验室和现场仪表
• 源测量单元(SMU)
• 数字万用表(DMM)
• 火车控制和管理
D（SOIC，8）
OPA2206
DGK（VSSOP，8）
(1) 有关所有可用的封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。
80 k
20 k
±10 V
• 串式逆变器
• 数据采集(DAQ)
12 V
12 V
2.2 nF
100 nF
GND
7.5
5
100 nF
GND
–
+
3.74 k
11.8 k
2.2 nF
6.65 k
–
Output
OPA2206
+
2 V
OPA2206
330 pF
GND
2.5
0
100 nF
GND
100 nF
GND
12 V
12 V
GND
OPAx206 典型应用
-2.5
-5
TA = –40°C
TA = 25°C
TA = 85°C
TA = 125°C
-7.5
-60
-40
-20
0
20
40
60
Common-mode Voltage (V)
OPAx206 输入过压保护
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 4
6 规格................................................................................... 5
6.1 绝对最大额定值...........................................................5
6.2 ESD 等级.................................................................... 5
6.3 建议运行条件.............................................................. 5
6.4 热性能信息：OPA206.................................................6
6.5 热性能信息：OPA2206...............................................6
6.6 电气特性：VS = ±5V................................................... 7
6.7 电气特性：VS = ±15V................................................. 9
6.8 典型特性....................................................................11
7 参数测量信息...................................................................20
7.1 典型规格与分布.........................................................20
8 详细说明.......................................................................... 21
8.1 概述...........................................................................21
8.2 功能方框图................................................................21
8.3 特性说明....................................................................22
8.4 器件功能模式............................................................ 24
9 应用和实现.......................................................................25
9.1 应用信息....................................................................25
9.2 典型应用....................................................................25
9.3 电源相关建议............................................................ 28
9.4 布局...........................................................................28
10 器件和文档支持............................................................. 30
10.1 器件支持..................................................................30
10.2 文档支持..................................................................30
10.3 接收文档更新通知................................................... 30
10.4 支持资源..................................................................30
10.5 商标.........................................................................30
10.6 静电放电警告.......................................................... 30
10.7 术语表..................................................................... 30
11 机械、封装和可订购信息............................................... 30
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision C (July 2022) to Revision D (January 2023)
Page
• 将采用D (SOIC) 封装的OPA206 从预告信息（预发布）更改为量产数据（正在供货）...................................1
• 添加了采用 D (SOIC) 封装的OPA2206 和相关内容作为量产数据（正在供货）............................................... 1
• 更改了标题以与更新后的规格保持一致.............................................................................................................. 1
• 将特性 中的失调电压从 50μV 更改为 25μV.....................................................................................................1
• 在说明 中将失调电压从 ±8μV 更改为 ±4μV.....................................................................................................1
• 将电气特性中的输入失调电压最大值从±50µV 更改为±25µV...........................................................................7
• 将电气特性中的输入失调电压典型值从±8µV 更改为±4µV...............................................................................7
• 将电气特性中温度范围内的输入失调电压从±80µV 更改为±55µV....................................................................7
• 将电气特性中的输入失调电压最大值从±50µV 更改为±25µV...........................................................................9
• 将电气特性中的输入失调电压典型值从±8µV 更改为±4µV...............................................................................9
• 将电气特性中温度范围内的输入失调电压从±80µV 更改为±55µV....................................................................9
• 更改了图6-1、6-2、6-3 和6-5 以更准确地显示器件性能分布......................................................................... 11
• 更改了输入失调电压修整中的输入温漂修整说明文本......................................................................................23
• 更改了图8-5 以显示正确的输入温漂分布.........................................................................................................23
• 更改了详细设计说明中的失调电压、温漂以与标准级器件规格保持一致......................................................... 25
• 更改了图9-7 以显示正确的VS+ 连接...............................................................................................................29
Changes from Revision B (August 2021) to Revision C (July 2022)
Page
• 添加了采用 D (SOIC) 封装的OPA206，作为预告信息（预发布）.................................................................... 1
Changes from Revision A (March 2021) to Revision B (August 2021)
Page
• 删除了 OPA2206 高级版本和相关内容...............................................................................................................1
• 将静态电流特性要点从220µA 更改为 240µA.....................................................................................................1
• 更改了图6-27 电流噪声与频率间的关系，以便更准确地显示器件性能............................................................ 11
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Changes from Revision * (April 2020) to Revision A (March 2021)
Page
• 将OPA2206 从“预告信息（预发布）”更改为“量产数据（正在供货）”..................................................... 1
• 更改了两个电气特性表，以显示OPA2206（高级）和OPA2206A（标准级）之间的差异化性能.....................7
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5 引脚配置和功能
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V+
œIN
œ
+IN
OUT
NC
+
Vœ
Not to scale
图5-1. OPA206：D 封装，8 引脚SOIC（顶视图）
表5-1. 引脚功能：OPA206
引脚
类型
说明
名称
编号
+IN
3
输入
输入
—
同相输入
2
–IN
NC
反相输入
1、5、8
未进行内部电路连接（可以悬空）
输出
OUT
V+
6
7
4
输出
电源
Power
正电源（最高）
负电源（最低）
V–
OUT A
œIN A
+IN A
Vœ
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
OUT B
œIN B
+IN B
Not to scale
图5-2. OPA2206：D 封装，8 引脚SOIC 和DGK 封装，8 引脚VSSOP（顶视图）
表5-2. 引脚功能：OPA2206
引脚
说明
名称
编号
类型
输入
输入
输入
输入
输出
输出
电源
Power
+IN A
3
同相输入，通道A
反相输入，通道A
同相输入，通道B
反相输入，通道B
输出，通道A
2
5
6
1
7
8
4
–IN A
+IN B
–IN B
OUT A
OUT B
V+
输出，通道B
正电源（最高）
负电源（最低）
V–
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
最大值
40
单位
单电源
VS
V
电源电压，VS = (V+) –(V–)
±20
双通道电源
(V+) + 40
V
(V–) –40
信号输入引脚电压
输出短路(2)
工作温度
持续
TA
-40
150
150
150
°C
°C
°C
TJ
结温
TSTG
-65
存储温度，Tstg
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条
件下能够正常运行。如果超出建议工作条件但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、
功能和性能，并缩短器件寿命。
(2) 接地短路，每个封装对应一个放大器。
6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)
充电器件模型(CDM)，符合JANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准((2))
±2000
V(ESD)
V
静电放电
±1000
(1) JEDEC 文档JEP155 指出：500V HBM 能够在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
6.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
4.5
标称值
最大值
单位
V
36
±18
125
单电源
VS
TA
电源电压，VS = (V+) –(V–)
±2.25
-40
双通道电源
°C
工作温度
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6.4 热性能信息：OPA206
OPA206
D (SOIC)
8 引脚
129.6
69.9
热指标(1)
单位
RθJA
℃/W
℃/W
℃/W
℃/W
℃/W
℃/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
73.0
21.2
ψJT
结至顶部的特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
72.2
ψJB
RθJC(bot)
不适用
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
6.5 热性能信息：OPA2206
OPA2206
热指标(1)
D (SOIC)
8 引脚
124.8
64.9
DGK (VSSOP)
8 引脚
175.6
63.1
单位
RθJA
℃/W
℃/W
℃/W
℃/W
℃/W
℃/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
68.`
97.2
17.1
7.8
ψJT
结至顶部特征参数
67.4
95.5
ψJB
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
RθJC(bot)
不适用
不适用
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
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6.6 电气特性：VS = ±5V
在TA = 25°C，VCM = VOUT = 1/2 Vs，且RL = 10kΩ、连接至VS/2 的条件下（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
失调电压
±4
±25
±55
±0.5
±0.5
±1
VOS
μV
输入失调电压
输入失调电压漂移
电源抑制比
TA = –40°C 至+125°C
TA = –40°C 至+125°C
dVOS/dT
PSRR
±0.08
±0.05
μV/°C
μV/V
VS = ±2.25V 至±18V
TA = –40°C 至+125°C
130
110
f = 直流
dB
通道隔离
f = 100kHz
输入偏置电流
±0.1
±0.1
±0.5
±0.75
±1
IB
TA = 0°C 至85°C
nA
nA
输入偏置电流
输入失调电流
TA = –40°C 至+125°C
±0.4
±0.5
±0.6
IOS
TA = 0°C 至85°C
TA = –40°C 至+125°C
噪声
0.2
8.4
8.1
8
f = 0.1Hz 至10Hz
f = 10Hz
μVPP
nV/√Hz
fA/√Hz
输入电压噪声
en
f = 100Hz
f = 1kHz
输入电压噪声密度
输入电流噪声
in
f = 1kHz
110
输入电压
VCM
V
(V–) + 1
(V+) –1.4
共模电压
(V–) + 1V < VCM < (V+) –1.4V，
TA = -40°C 至+125°C
CMRR
124
140
dB
共模抑制比
输入过压
(V+) + 40
10
V
TA = -40℃至+125℃
(V–) –40
输入过压保护
VS = 0V，
(V–) –40V < VCM < (V+)
+ 40V
4.8
mA
过压保护模式下的输入电流
TA = –40℃至+125℃
请参阅典型特性
输入阻抗
ZID
9 || 4.4
MΩ|| pF
GΩ|| pF
差分
共模
ZICM
300 || 4.4
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6.6 电气特性：VS = ±5V (continued)
在TA = 25°C，VCM = VOUT = 1/2 Vs，且RL = 10kΩ、连接至VS/2 的条件下（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
开环增益
126
126
132
130
TA = -40°C 至+125°C，
(V–) + 200mV < VO < (V+)
–200mV
RL = 10kΩ
RL = 2kΩ
AOL
dB
开环电压增益
频率响应
GBW
3.6
3.2
67
MHz
V/μs
度
增益带宽积
压摆率
SR
4V 阶跃，增益= -1
RL= 10kΩ，CL= 25pF
相位裕度
2.2
精度达到0.024%（12
位），
4V 阶跃，增益= 1，
CL = 30pF
下降
上升
tS
μs
建立时间
2.8
0.3
增益= -10
μs
过载恢复时间
THD+N
0.0004
%
总谐波失真+ 噪声
VO = 5VPP，增益= +1，f = 1kHz，RL = 2kΩ
输出
RL = 10kΩ
(V–) + 0.2
(V–) + 0.2
(V–) + 0.2
(V+) –0.2
(V+) –0.2
(V+) –0.2
AOL > 126dB
相对于电源轨的电压输出摆
幅
V
RL = 2kΩ
TA = -40°C 至125°C，RL = 10kΩ
ISC
±25
请参阅典型特性
请参阅典型特性
mA
短路电流
CLOAD
RO
容性负载驱动
开环输出阻抗
电源
220
240
310
IQ
IO=0mA
μA
每个放大器的静态电流
TA = –40°C 至+125°C
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6.7 电气特性：VS = ±15V
在TA = 25°C，VCM = VOUT = 1/2 Vs，且RL = 10kΩ、连接至VS/2 的条件下（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
失调电压
±4
±25
±55
±0.5
±0.5
±1
VOS
μV
输入失调电压
输入失调电压漂移
电源抑制比
TA = –40°C 至+125°C
TA = –40°C 至+125°C
dVOS/dT
PSRR
±0.08
±0.05
μV/°C
μV/V
VS = ±2.25V 至±18V
TA = –40°C 至+125°C
130
110
f = 直流
dB
通道隔离
f = 100kHz
输入偏置电流
±0.1
±0.1
±0.5
±1
IB
TA = 0°C 至85°C
nA
nA
输入偏置电流
输入失调电流
±1.2
±0.4
±0.8
±0.9
TA = –40°C 至+125°C
IOS
TA = 0°C 至85°C
TA = –40°C 至+125°C
噪声
0.2
8.4
8.1
8
f = 0.1Hz 至10Hz
f = 10Hz
μVPP
nV/√Hz
fA/√Hz
输入电压噪声
en
f = 100Hz
f = 1kHz
输入电压噪声密度
输入电流噪声
in
f = 1kHz
110
输入电压
VCM
V
(V–) + 1
126
(V+) –1.4
共模电压
140
140
(V–) + 1V < VCM < (V+) –
1.4V
CMRR
dB
共模抑制比
124
TA = –40°C 至+125°C
TA = –40°C 至+125°C
输入过压
(V+) + 40
10
V
TA = -40℃至+125℃
(V–) –40
输入过压保护
VS = 0V，
(V–) –40V < VCM < (V+)
+ 40V
4.8
mA
过压保护模式下的输入电流
请参阅典型特性
输入阻抗
ZID
9 || 4.4
MΩ|| pF
GΩ|| pF
差分
共模
ZICM
300 || 4.3
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6.7 电气特性：VS = ±15V (continued)
在TA = 25°C，VCM = VOUT = 1/2 Vs，且RL = 10kΩ、连接至VS/2 的条件下（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
开环增益
RL = 10kΩ，
(V–) + 200mV < VO < (V+) –200mV，
TA = -40°C 至+125°C
126
126
132
130
AOL
dB
开环电压增益
RL = 2kΩ，
(V–) + 350mV < VO < (V+) –350mV，
TA = -40°C 至+125°C
频率响应
GBW
CL = 30pF
3.6
4
MHz
V/μs
度
增益带宽积
压摆率
SR
10V 阶跃，增益= -1
RL= 10kΩ，CL= 25pF
67
2.8
相位裕度
精度达0.024%（12 位）， 下降
10V 阶跃，增益= 1，
CL = 30pF
tS
μs
建立时间
4.5
上升
0.2
增益：-10
μs
过载恢复时间
THD+N
0.0004
%
总谐波失真+ 噪声
VO = 5VPP，增益= +1，f = 1kHz，RL = 2kΩ
输出
(V+) + 0.2
(V+) + 0.35
(V+) + 0.2
RL = 10kΩ
(V–) + 0.2
(V–) + 0.35
(V–) + 0.2
AOL > 126dB
相对于电源轨的电压输出摆
幅
V
RL = 2kΩ
TA = -40°C 至125°C，RL = 10kΩ
ISC
±25
请参阅典型特性
请参阅典型特性
mA
短路电流
CLOAD
RO
容性负载驱动
开环输出阻抗
电源
220
240
310
IQ
IO=0mA
μA
每个放大器的静态电流
TA = –40°C 至+125°C
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6.8 典型特性
TA = 25°C，VS = ±15V，VCM = VOUT = 1/2 Vs，RL = 10kΩ（除非另有说明）
表6-1. 图形表
说明
25°C 下失调电压产生分布
图表
图6-1
125°C 下失调电压分布
图6-2
-40°C 下失调电压分布
图6-3
图6-4
失调电压与温度间的关系
图6-5
失调电压温漂产生分布
图6-6
失调电压与输出电压间的关系
失调电压与电源电压间的关系
电源抑制比与温度间的关系
电源和共模抑制比与频率间的关系
共模抑制比与温度间的关系
失调电压与共模电压间的关系
在低电源电压下失调电压与Vcm 间的关系
在高电源电压下失调电压与Vcm 间的关系
开环增益和相位与频率间的关系
开环增益与电源距离间的关系
开环增益与温度间的关系
图6-7
图6-8
图6-9
图6-10
图6-11
图6-12
图6-13
图6-14
图6-15
图6-16
图6-17
图6-18
图6-19
图6-20
图6-21
图6-22
图6-23
图6-24
图6-25
图6-26
图6-27
图6-28
图6-29
图6-30
图6-31
图6-32
图6-34
图6-34
图6-35
图6-36
图6-37
图6-38
图6-39
图6-40
图6-41
图6-42
图6-43
图6-44
闭环增益与频率间的关系
输入偏置产生分布
输入偏置与共模电压间的关系
输入偏置和输入失调电流与温度间的关系
输入偏置与过压保护共模范围间的关系
输入失调电流产生分布
电压噪声密度与频率间的关系
0.1Hz 至10Hz 噪声
总谐波失真+ 信噪比与频率间的关系
总谐波失真+ 信噪比与输出振幅间的关系
电流噪声与频率间的关系
最大输出电压与频率间的关系
输出电压摆幅与输出拉电流间的关系
输出电压摆幅与输出灌电流间的关系
开环输出阻抗与频率间的关系
无相位反转
小信号过冲与容性负载间的关系，增益= +1
小信号过冲与电容负载间的关系，增益= -1
相位裕度与容性负载间的关系
正过载恢复，增益= –1
负过载恢复，增益= –1
建立时间
小信号阶跃响应，增益= +1
小信号阶跃响应，增益= -1
大信号阶跃响应，增益= +1
大信号阶跃响应，增益= -1
短路电流与温度间的关系
电磁干扰抑制(EMIRR)
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6.8 典型特性
TA = 25°C，VS = ±15V，VCM = VOUT = 1/2 Vs，RL = 10kΩ（除非另有说明）
表6-1. 图形表(continued)
说明
图表
图6-45
图6-46
静态电流与电源电压间的关系
静态电流与温度间的关系
21
18
15
12
9
6
3
0
-55 -44 -33 -22 -11
0
11
22
33
44
55
Input Offset Voltage (ꢀV)
图6-1. 25°C 下失调电压产生分布
图6-2. 125°C 下失调电压分布
20
10
0
+3 Sigma
–3 Sigma
-10
-20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C)
图6-4. 失调电压与温度间的关系
图6-3. -40°C 下失调电压分布
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6.8 典型特性(continued)
TA = 25°C，VS = ±15V，VCM = VOUT = 1/2 Vs，RL = 10kΩ（除非另有说明）
16
12
8
10
5
0
4
-5
TA = –40°C
TA = 25°C
TA = 85°C
TA = 125°C
-10
0
-15
-10
-5
0
5
10
15
-0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Output Voltage (V)
Offset Voltage Drift (ꢀV/ꢁC)
图6-6. 失调电压与输出电压间的关系
图6-5. 失调电压温漂产生分布
200
0.0001
10
5
190
180
170
160
150
140
0.001
0.01
0.1
0
-5
-10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
10
20
30
40
Temperature (°C)
Supply Voltage (V)
图6-7. 失调电压与电源电压间的关系
图6-8. 电源抑制比与温度间的关系
160
150
140
130
120
0.01
0.1
1
160
140
120
100
80
CMRR
–PSRR
+PSRR
60
40
20
0
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Frequency (Hz)
Temperature (°C)
图6-9. 电源和共模抑制比与频率间的关系
图6-10. 共模抑制比与温度间的关系
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6.8 典型特性(continued)
TA = 25°C，VS = ±15V，VCM = VOUT = 1/2 Vs，RL = 10kΩ（除非另有说明）
10
15
10
5
5
0
0
-5
-5
-10
-10
-14.5
-14
-13.5
-13
-15
-10
-5
0
5
10
14
Common-mode Voltage (V)
Common-mode Voltage (V)
图6-11. 失调电压与共模电压间的关系
图6-12. 在低电源电压下失调电压与Vcm 间的关系
15
10
5
160
140
120
100
80
240
Gain
Phase 200
160
120
80
60
40
40
0
0
20
-40
-80
-120
0
-5
12.5
-20
100m
13
13.5
14
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Common-mode Voltage (V)
Frequency (Hz)
图6-13. 在高电源电压下失调电压与Vcm 间的关系
图6-14. 开环增益和相位与频率间的关系
180
160
140
120
100
80
0.001
0.01
0.1
180
170
160
150
140
130
120
0.001
RL = 2 kohm
RL = 10 kohm
0.01
0.1
1
1
10
100
1000
60
0.09
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
Temperature (°C)
Distance from the Supply (V)
图6-16. 开环增益与温度间的关系
图6-15. 开环增益与电源距离间的关系
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6.8 典型特性(continued)
TA = 25°C，VS = ±15V，VCM = VOUT = 1/2 Vs，RL = 10kΩ（除非另有说明）
50
40
30
20
10
0
40
35
30
25
20
15
10
5
Gain = +1
Gain = –1
Gain = +10
Gain = +100
-10
-20
-30
0
100
1k
10k
100k
1M
10M
-500 -400 -300 -200 -100
0
100 200 300 400 500
Frequency (Hz)
Input Bias Current (pA)
图6-17. 闭环增益与频率间的关系
图6-18. 输入偏置产生分布
2.5
0.75
0.6
0.45
0.3
0.15
0
TA = –40°C
TA = 25°C
TA = 85°C
TA = 125°C
IB–
IB+
IOS
2
1.5
1
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-15 -12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Common-Mode Voltage (V)
Temperature (°C)
图6-19. 输入偏置与共模电压间的关系
图6-20. 输入偏置和输入失调电流与温度间的关系
7.5
5
50
40
30
20
10
0
2.5
0
-2.5
-5
TA = –40°C
TA = 25°C
TA = 85°C
TA = 125°C
-7.5
-60
-40
-20
0
20
40
60
-450
-300
-150
0
150
300
450
Common-mode Voltage (V)
Input-referenced Offset Current (pA)
图6-21. 输入偏置与过压保护共模范围间的关系
图6-22. 输入失调电流产生分布
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6.8 典型特性(continued)
TA = 25°C，VS = ±15V，VCM = VOUT = 1/2 Vs，RL = 10kΩ（除非另有说明）
100
10
1
100m
1
10
100
1k
10k
100k
Time (1 s/div)
Frequency (Hz)
图6-24. 0.1Hz 至10Hz 噪声
图6-23. 电压噪声密度与频率间的关系
-70
-80
-90
-60
-66
G = –1, 10 kohm Load
G = –1, 2 kohm Load
G = +1, 10 kohm Load
G = +1, 2 kohm Load
G = +1, 2 kohm Load
G = –1, 2 kohm Load
G = +1, 10 kohm Load
G = –1, 10 kohm Load
-72
-78
-84
-90
-100
-96
-102
-108
-114
-120
-110
-120
100
1k
10k
10m
100m
1
10
Frequency (Hz)
Amplitude (VRMS
)
图6-25. 总谐波失真+ 信噪比与频率间的关系
图6-26. 总谐波失真+ 信噪比与输出振幅间的关系
1000
100
10
40
35
30
25
20
15
10
5
Vs = ±18 V
Vs = ±2.25 V
0
100m
1
10
100
1k
10k
100k
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
图6-27. 电流噪声与频率间的关系
图6-28. 最大输出电压与频率间的关系
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6.8 典型特性(continued)
TA = 25°C，VS = ±15V，VCM = VOUT = 1/2 Vs，RL = 10kΩ（除非另有说明）
15
12.5
10
0
-2.5
-5
TA = –40°C
TA = 25°C
TA = 85°C
TA = 125°C
7.5
5
-7.5
-10
TA = –40°C
TA = 25°C
TA = 85°C
TA = 125°C
2.5
0
-12.5
-15
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
Output Current (mA)
Output Current (mA)
图6-29. 输出电压摆幅与输出拉电流间的关系
图6-30. 输出电压摆幅与输出灌电流间的关系
1000
100
10
Input (V)
Output (V)
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Time (100 µs/div)
Frequency (Hz)
图6-32. 无相位反转
图6-31. 开环输出阻抗与频率间的关系
60
100
RISO = 0 ohm
RISO = 25 ohm
RISO = 50 ohm
RISO = 0 ohm
RISO = 25 ohm
RISO = 50 ohm
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
50
40
30
20
10
0
30
100
1000
30
100
Capactiance (pF)
1000
Capactiance (pF)
增益= 1
增益= -1
图6-34. 小信号过冲与容性负载间的关系
图6-33. 小信号过冲与容性负载间的关系
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6.8 典型特性(continued)
TA = 25°C，VS = ±15V，VCM = VOUT = 1/2 Vs，RL = 10kΩ（除非另有说明）
80
70
60
50
40
30
20
10
VOUT
VIN
20
100
1000
Time (500 ns/div)
Capacitance (pF)
增益= -1
图6-36. 正过载恢复
图6-35. 相位裕度与容性负载间的关系
3
2
Falling (mV)
Rising (mV)
1
0
-1
-2
-3
VOUT
VIN
2
3
4
5
6
Time (500 ns/div)
增益= -1
Time (uS)
图6-37. 负过载恢复
图6-38. 建立时间
VOUT (V)
VIN (V)
VOUT (V)
VIN (V)
Time (1 µS/Div)
增益= 1
Time (1 µS/Div)
增益= -1
图6-40. 小信号阶跃响应
图6-39. 小信号阶跃响应
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6.8 典型特性(continued)
TA = 25°C，VS = ±15V，VCM = VOUT = 1/2 Vs，RL = 10kΩ（除非另有说明）
VIN (V)
VOUT (V)
VOUT (V)
VIN (V)
Time (2 µS/Div)
Time (2 µS/Div)
增益= 1
图6-41. 大信号阶跃响应
增益= -1
图6-42. 大信号阶跃响应
28
25
22
19
16
13
10
140
130
120
110
100
90
80
70
60
Positive Output Voltage
Negative Output Voltage
50
40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
100
1000
6000
Temperature (°C)
Frequency (MHz)
图6-43. 短路电流与温度间的关系
图6-44. 电磁干扰抑制(EMIRR)
250
200
150
100
50
360
320
280
240
200
160
120
Vs = 4.5 V
0
0
8
16
24
32
40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Supply Voltage (V)
Temperature (°C)
图6-45. 静态电流与电源电压间的关系
图6-46. 静态电流与温度间的关系
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7 参数测量信息
7.1 典型规格与分布
设计人员经常会对放大器的典型规格提出质疑，以便设计出更稳健的电路。由于工艺技术和制造过程的自然差
异，放大器的每个规格都与理想值有一定程度的偏差，例如放大器的输入偏置电流。这些偏差通常遵循高斯（钟
形曲线）或正态 分布。即使当电气特性 中没有最小规格或最大规格时，电路设计人员也可以利用此信息来保护他
们的系统。
0.00312% 0.13185%
0.13185% 0.00312%
0.00002%
0.00002%
2.145% 13.59% 34.13% 34.13% 13.59% 2.145%
1
1 1 1 1 1 1 1 1
1
1
1
ꢀ-61 ꢀ-51 ꢀ-41 ꢀ-31 ꢀ-21 ꢀ-1
ꢀ+1 ꢀ+21 ꢀ+31 ꢀ+41 ꢀ+51 ꢀ+61
ꢀ
图7-1. 理想的高斯分布
图7-1 显示了一个示例分布，其中µ 是分布的平均值，σ或sigma 是系统的标准偏差。对于表现出这种分布的规
格，可以预期所有器件中大约三分之二 (68.26%) 器件的值落在平均值的标准差或 sigma 内（从 µ – σ 到
µ + σ）。
鉴于规格不同，电气特性 的典型值 列中列出的值以不同的方式表示。一般来说，如果一个规格的平均值本身不为
零（例如，增益带宽），那么典型值等于平均值 (µ)。但是，如果一个规格的平均值本身接近零（例如，输入偏置
电流），则典型值等于平均值加一个标准差(µ + σ)，从而更加准确地表示典型值。
使用此图表来计算某器件中某一规格的近似概率。例如，OPAx206 典型的输入偏置电流为 ±0.1nA；因此，预计
所有器件中有 68.2% 的器件的输入偏置电流为 ±0.1nA 。在 4σ 下，99.9937% 的分布具有小于 ±0.28nA 的输入
偏置电流，这意味着0.0063% 的器件超出这些限制，相当于15,873 个器件中有1 个器件。
从生产材料中移除超过任何测试的最小或最大规格的装置。例如，在 25°C 下，OPAx206 的最大输入偏置为
±0.4nA。虽然该值对应于大约 6σ（大概5 亿个器件中有 1 个），但TI 还是从生产材料中去除了任何输入偏置较
大的装置。
对于在最小值或最大值列中没有值的规格，请考虑选择可为您的应用提供足够保护带的 sigma 值，并使用此值进
行最坏情况下的设计。仅使用此信息来估算器件的性能。
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8 详细说明
8.1 概述
OPAx206 是首批 36V、双极性、e-trim 运算放大器。这些器件使用封装级微调技术，以最大限度地降低制造过程
中引入的失调电压和失调电压漂移。在器件组装后执行此类微调，可消除在整个制造过程中引入的任何失调电压
误差，之后禁用微调通信。这些器件具有超β输入，可降低输入偏置电流和输入电流噪声。这些器件还具有输入
过压保护功能，可在输入电压比任一电源导轨高出多达±40V 时保护器件。
8.2 功能方框图
V+
e-trimTM
Pre-Driver
OUT
Super Beta
Input Devices
+IN
IN
Overvoltage
Protection
Overload
Power
Limiter
V
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8.3 特性说明
8.3.1 输入过压保护
在超出任一电源高达 ±40V 的电压下，OPAx206 的输入会受到单独保护。例如，使用 ±15V 电源供电时，–55V
和 +55V 之间的共模电压都不会造成损坏。每个输入端的内部电路在正常信号条件下提供低串联阻抗，从而在正
常工作条件下保持高性能。如果输入过载，则保护电路将输入电流限制为大约4.8mA 的值。
在输入过压条件下，电流通过输入保护二极管流入电源，如图 8-1 所示。如果电源无法灌入电流，则必须在电源
上设置齐纳二极管钳位（ZD1 和 ZD2），从而提供接地的电流路径。图 8-2 显示了在过压情况下，输入的输入偏
置电流会增加。
+V
ZD1
+VS
IN
Overvoltage
Protection
Input Voltage
Source
+
Input Transistor
œ
-VS
ZD2
-V
图8-1. OPAx206 输入过压电流路径
图8-2 显示了当OPAx206 由±15V 电源供电时，输入电压范围为–55V 至+55V 的输入电流。
7.5
5
2.5
0
-2.5
TA = –40°C
TA = 25°C
TA = 85°C
TA = 125°C
-5
-7.5
-60
-40
-20
0
20
40
60
Common-mode Voltage (V)
VS = ±15V
图8-2. OPAx206 输入电流与输入电压(VS = ±15V)间的关系
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8.3.2 输入失调微调
OPAx206 是业内率先推出的基于双极工艺的e-trim 运算放大器。放大器的输入失调电压是由输入晶体管之间的固
有失配来确定。在制造过程中，当器件仍处于裸露硅片形式时，使用激光微调可以更大限度地减少失调电压。但
是，当硅片封装后，封装工艺会由于机械应力而引入额外的失调电压。TI 全新的微调工艺用于在封装工艺完成后
微调失调电压，从而更大限度地减少固有和封装引起的失调电压。微调后，禁用通信以确保放大器在最终系统中
正常工作。
在图8-3 和图8-4 中可以看到业界常见的激光微调OPA2277 放大器和OPAx206 专有微调产生的失调电压值对比
情况。
20
18
16
14
12
10
8
16
14
12
10
8
Typical distribution
of packaged units.
Single, dual, and
quad included.
6
6
4
4
2
2
0
0
–50–45–40–35–30–25–20–15–10–5
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
-50 -40 -30 -20 -10
0
10
20
30
40
50
Offset Voltage (µV)
Input-referenced Offset Voltage (µV)
图8-3. OPA2277 激光微调运算放大器失调电压
图8-4. OPAx206 e-trim™ 运算放大器失调电压
OPAx206 还具有出色的输入失调电压温漂。图8-5 显示了温漂的最终性能。
16
12
8
4
0
-0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Offset Voltage Drift (ꢀV/ꢁC)
图8-5. OPAx206 e-trim™ 运算放大器漂移
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8.3.3 使用超β输入降低输入偏置
OPAx206 具有超 β 输入晶体管架构。在晶体管中，β 值是流入基极的电流与从集电极流向发射极的电流之间的
比率。超 β 晶体管是 β 值从几百增加到数千不等的晶体管。在双极性放大器中，输入偏置电流是流入输入晶体
管对的基极的电流，以及流经 ESD 二极管的最低漏电流。超 β 输入减小了放大器的输入偏置电流。此外，超 β
输入降低了与器件的输入偏置电流直接相关的输入电流噪声。如需比较 OPA2277 的输入偏置电流与OPAx206 的
超β输入偏置电流，可参阅图8-6 和图8-7。
5
4
6
5
IBN
IBP
4
3
3
2
2
1
1
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
-1
-2
-3
-4
-5
Curves represent typical
production units.
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C)
Temperature (°C)
图8-6. OPA2277 输入偏置电流
图8-7. OPAx206 超β输入偏置电流
8.3.4 过载功率限制器
在许多双极性放大器中，如果输出电压被削波（意味着输出电压受到负或正电源电压的限制），放大器的输出级
会产生相当大（几毫安）的静态电流。这种情况会导致系统进入高功耗状态，并可能导致电源和信号链之间出现
振荡。OPAx206 具有先进的输出级设计，消除了此问题。输出电压达到任一电源电压（V+ 或 V–）时，标称静
态电流几乎没有额外的电流消耗。当信号链被较大的外部瞬变电压破坏时，该特性有助于消除任何潜在的系统问
题。
8.3.5 EMI 抑制
OPAx206 使用集成电磁干扰 (EMI) 滤波来减少干扰源（如无线通信以及混合使用模拟信号链和数字元件的高密度
电路板）产生的EMI 效应。通过提高系统性能的电路设计技术，可以提高抗电磁干扰能力。在运算放大器 EMI 抑
制比应用报告中可以找到更多信息。
8.4 器件功能模式
OPAx206 有两种功能模式。器件在4.5V (±2.25V) 至36V (±18V) 之间的任何电源下进行正常工作，并且输入电压
节6 中所示的输入共模电压范围。
如果输入电压超过器件规格，则器件进入过压保护模式。在此模式下，输入过压保护子电路通过在输入引脚和放
大器内核之间增加额外的阻抗来限制放大器内核所看到的电压和电流。此输入阻抗上的电压降产生的额外电流经
过OPAx206 的ESD 结构，如图8-1 所示。
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9 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
9.1 应用信息
OPAx206 是单位增益稳定的运算放大器，具有超低的失调电压、失调电压漂移、电压噪声、电流噪声和功耗。内
置的过压保护允许该器件能够防止超出预期范围的信号、反向连接或在输入短接至系统电源的情况下进行保护。
这些特性使这些器件无需钳位二极管等分立式保护，从而成为各种空间受限和功率受限系统的理想选择。
9.2 典型应用
9.2.1 电压衰减器
80 k
20 k
12 V
±10 V
12 V
2.2 nF
100 nF
GND
100 nF
GND
–
+
3.74 k
11.8 k
2.2 nF
6.65 k
–
Output
OPA2206
+
2 V
OPA2206
330 pF
GND
100 nF
GND
100 nF
GND
12 V
12 V
GND
图9-1. 配置为电压衰减器的OPA2206
9.2.1.1 设计要求
此系统的设计要求如下：
• 输入信号范围：±10V
• 输入信号频率：高达10kHz
• 三阶巴特沃斯滤波器-3dB 频率：20kHz
• 输出电压：0V 至5V
• 输入保护：高达±52V
9.2.1.2 详细设计过程
在此设计中，±10V、10kHz 带宽、双极性信号会衰减并转换为单端信号，并由三阶巴特沃斯滤波器进行滤波，以
便驱动单端模数转换器 (ADC)。通过使用 OPA2206，信号链的输入受到保护，使其免受超过任一电源电压高达
40V 的过压的影响。此信号链设计常用于可编程逻辑控制器 (PLC)、低功耗数据采集系统 (DAQ) 和需要高精度、
低功耗和信号故障保护的现场仪表。
之所以选择 OPA2206 用于此应用，是因为其具有宽电源电压范围、高直流精度（4µV 失调电压和 0.08µV/°C 失
调电压漂移）和低功耗（220µA 静态电流），可将散热要求降至最低。由于采用内部OVP 拓扑结构，与无源外部
保护相比，该器件在正常工作条件下可提供更好的直流和交流精度，从而可以开发出更小的系统解决方案。务必
在每个电源与接地之间连接一个齐纳二极管，以便为故障状况下产生的电流提供返回路径。
信号链的第一级是衰减器和电平转换器。这一级的输入信号是双极性 ±10V，衰减到 ±2.5V，然后通过电平转换输
出单端、0V 至5V 信号。反馈电阻和增益电阻分别选为20kΩ和80kΩ。因此，组合阻抗为100kΩ，这降低了信
号链的输入电流，并将更高输出阻抗传感器产生的误差降至最小。
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信号链的第二级使用 OPA2206 的第二个通道来创建 -3dB 响应 为 20kHz 的三阶巴特沃斯滤波器。更多有关滤波
器设计的信息，请参阅德州仪器(TI) 的滤波器设计工具。
此信号链的输出如图9-2 所示，滤波器响如图9-3 所示。
9.2.1.3 应用曲线
10
8
0
-20
Input
Output
6
4
-40
2
0
-60
-2
-4
-6
-8
-10
-80
-100
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.24
0.28
0.32
0.36
0.4
Frequency (kHz)
Time (ms)
图9-3. 衰减器+ 滤波器响应
图9-2. 输入和输出信号
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9.2.2 分立式双运放仪表放大器
图9-4 显示了配置为分立式双运放仪表放大器的OPA2206。这种配置允许差分信号测量（例如来自测压元件的信
号），与大多数单片仪表放大器相比，信号链的输入阻抗更高。此外，OPA2206 的输入过压保护功能用于保护信
号链，使其免受在输入信号超过放大器电源电压的故障状况下损坏。
V+
V1
+
–
V
OUT = (V1 – V2)(1 + R2/R1)
OPA2206
R2
V
V+
R1
V2
+
–
OPA2206
V
R2
R1
GND
图9-4. 配置为分立式双运放仪表放大器的OPA2206
9.2.3 ADC 驱动器的输入缓冲器和保护
节 9.2.1.1 显示使用 THP210 将 OPA2206 配置为 ADC 驱动器的输入缓冲器。OPA2206 具有高直流精度和低噪
声，使其成为精密信号链调理的最佳选择。放大器的低输入偏置使输出阻抗较高的传感器产生的直流误差最小。
集成的输入过压保护防止由于输入故障条件（信号超出了OPA2206 的电源电压范围）或输入短接至更高的电源轨
而损坏信号链。更多有关设计精密ADC 驱动器的信息，请参阅THP210。
909
V+
470 pF
V+
2.1 k
2.74 k
100
–
+
OPA2206
1 nF
V
THP210
–
+
+
–
Input
Signal
VCM
ADS8912B
1.1 nF
2.1 k
V+
1 nF
GND
V
–
+
2.74 k
100
OPA2206
470 pF
V
909
图9-5. 配置为输入信号链缓冲器的OPA2206
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9.3 电源相关建议
OPAx206 在4.5V (±2.25V) 至36V (±18V) 之间的电源电压下工作。节6.8 中展示了随工作电压的变化而显著变化
的参数。
9.4 布局
9.4.1 布局指南
为了使器件具有最佳运行性能，请使用良好的印刷电路板(PCB) 布局实践，包括：
• 在每个电源引脚和接地端之间接入低ESR、0.1µF 陶瓷旁路电容，放置位置尽量靠近器件。从V+ 到接地端之
间的单个旁路电容适用于单电源应用。噪声可以通过整个电路的电源引脚传播到模拟电路中，也可以通过单个
运算放大器传播到模拟电路中。旁路电容器通过在模拟电路局部提供低阻抗电源来减少耦合噪声。
• 确保对数字接地和模拟接地进行物理隔离，同时应注意接地电流。将电路中模拟和数字部分单独接地是最简单
和最有效的噪声抑制方法之一。多层PCB 上的一层或多层通常专门用于作为接地平面。接地层有助于散热和
减少电磁干扰(EMI) 噪声拾取。
• 为了减少寄生耦合，请让输入走线尽可能远离电源或输出走线。如果这些走线不能保持分离，则将敏感走线与
噪声走线垂直相交要比平行相交好得多。
• 外部元件尽可能靠近器件放置。如图9-6 所示，使RF 和RG 靠近反相输入以最大限度地减小寄生电容。
• 尽可能缩短输入走线的长度。切记：输入走线是电路中最敏感的部分。
• 考虑在关键走线周围设定驱动型低阻抗保护环。保护环可显著减少附近走线在不同电势下产生的漏电流。
• 在组装PCB 板之后对其进行清洁，以获得最佳性能。
• 任何精密集成电路都可能因湿气渗入塑料封装中而出现性能变化。在执行任何PCB 水清洁流程之后，将PCB
组件烘干，以去除清洁时渗入器件封装中的水分。大多数情形下，清洗后在85°C 下低温烘干30 分钟即可。
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9.4.2 布局示例
VIN
+
VOUT
RG
RF
图9-6. 原理图表示
Place components
close to device and to
each other to reduce
parasitic errors
Run the input traces
as far away from
the supply lines
as possible
RF
VS+
NC
NC
RG
Use a low-ESR,
V+
GND
VIN
–IN
+IN
V–
ceramic bypass
capacitor
OUTPUT
NC
GND
GND
VS–
VOUT
Ground (GND) plane on another layer
Use low-ESR,
ceramic bypass
capacitor
图9-7. 同相配置的运算放大器电路板布局
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10 器件和文档支持
10.1 器件支持
10.1.1 开发支持
可提供以下评估模块：
• DIP-ADAPTER-EVM
• DIYAMP-EVM
10.1.1.1 PSpice® for TI
PSpice® for TI 是可帮助评估模拟电路性能的设计和仿真环境。在进行布局和制造之前创建子系统设计和原型解决
方案，可降低开发成本并缩短上市时间。
10.2 文档支持
10.2.1 相关文档
请参阅以下相关文档：
• 德州仪器(TI)，DIP-ADAPTER-EVM 用户指南
• 德州仪器(TI)，DIYAMP-SOIC-EVM 用户指南
10.3 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
10.4 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
10.5 商标
e-trim™ and TI E2E™ are trademarks of Texas Instruments.
PSpice® is a registered trademark of Cadence Design Systems, Inc.
所有商标均为其各自所有者的财产。
10.6 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
10.7 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
11 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，
且不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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19-Apr-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
OPA206ADR
OPA206ADT
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SOIC
SOIC
D
D
8
8
8
8
8
8
8
8
3000 RoHS & Green
250 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
250 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Call TI
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
OP206A
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
Call TI
OP206A
22A6
OPA2206ADGKR
OPA2206ADGKT
OPA2206ADR
OPA2206ADT
XOPA206ADR
XOPA2206DGKR
VSSOP
VSSOP
SOIC
DGK
DGK
D
22A6
2206A
2206A
SOIC
D
250
3000
2500
RoHS & Green
TBD
SOIC
D
VSSOP
DGK
TBD
Call TI
Call TI
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
19-Apr-2023
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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20-Apr-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
OPA206ADR
OPA206ADT
SOIC
SOIC
D
D
8
8
8
8
8
8
3000
250
330.0
180.0
330.0
180.0
330.0
180.0
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
6.4
6.4
5.3
5.3
6.4
6.4
5.2
5.2
3.4
3.4
5.2
5.2
2.1
2.1
1.4
1.4
2.1
2.1
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
OPA2206ADGKR
OPA2206ADGKT
OPA2206ADR
OPA2206ADT
VSSOP
VSSOP
SOIC
DGK
DGK
D
2500
250
3000
250
SOIC
D
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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20-Apr-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
OPA206ADR
OPA206ADT
SOIC
SOIC
D
D
8
8
8
8
8
8
3000
250
356.0
210.0
356.0
210.0
356.0
210.0
356.0
185.0
356.0
185.0
356.0
185.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
OPA2206ADGKR
OPA2206ADGKT
OPA2206ADR
OPA2206ADT
VSSOP
VSSOP
SOIC
DGK
DGK
D
2500
250
3000
250
SOIC
D
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SCALE 2.800
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
C
SEATING PLANE
.228-.244 TYP
[5.80-6.19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ID AREA
6X .050
[1.27]
8
1
2X
.189-.197
[4.81-5.00]
NOTE 3
.150
[3.81]
4X (0 -15 )
4
5
8X .012-.020
[0.31-0.51]
B
.150-.157
[3.81-3.98]
NOTE 4
.069 MAX
[1.75]
.010 [0.25]
C A B
.005-.010 TYP
[0.13-0.25]
4X (0 -15 )
SEE DETAIL A
.010
[0.25]
.004-.010
[0.11-0.25]
0 - 8
.016-.050
[0.41-1.27]
DETAIL A
TYPICAL
(.041)
[1.04]
4214825/C 02/2019
NOTES:
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed .006 [0.15] per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
SEE
DETAILS
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:8X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
.0028 MAX
[0.07]
.0028 MIN
[0.07]
ALL AROUND
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL
SCALE:8X
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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