OPA2316QDGKRQ1 [TI]
Automotive-grade, dual, 5.5-V, 10-MHz, low noise (11-nV/√Hz), RRIO operational amplifier | DGK | 8 | -40 to 125;
| 型号： | OPA2316QDGKRQ1 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | Automotive-grade, dual, 5.5-V, 10-MHz, low noise (11-nV/√Hz), RRIO operational amplifier | DGK | 8 | -40 to 125 放大器 光电二极管 |
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OPA316-Q1, OPA2316-Q1, OPA4316-Q1
ZHCSFY0A –NOVEMBER 2016–REVISED JANUARY 2017
OPAx316-Q1 10MHz、轨到轨输入/输出、低电压、1.8V CMOS 运算放大
器
1 特性
3 说明
1
•
•
符合汽车类应用的 标准
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
OPAx316-Q1 系列单通道和双通道运算放大器是新一
代低功耗、通用运算放大器的典型代表。轨到轨输入和
输出摆幅、低静态电流（每通道的典型值为 400μA）
等特性与 10MHz 的较宽带宽和超低噪声
–
–
–
器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温
度范围
器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类
等级 3A
（1kHz 时为 11 nV/√Hz）相结合，因此适用于要求兼
具快速特性与良好功率比的电路。低输入偏置电流支持
的运算放大器适用于 源阻抗高达兆欧级 的应用。
OPAx316-Q1 的低输入偏置电流产生的电流噪声极
低，该器件因此备受高阻抗传感器接口的青睐。
器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级
•
•
•
•
•
•
•
•
•
单位增益带宽：10MHz
低 IQ：每通道 400µA
宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V
低噪声：1kHz 时为 11nV/√Hz
低输入偏置电流 ：±5pA
OPAx316-Q1 采用稳健耐用的设计，方便电路设计人
员使用。该器件具有单位增益稳定的集成 RFI 和 EMI
抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相，并且具有高
静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。
偏移电压：±0.5mV
单位增益稳定
此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V
(±2.75V) 的低电压状态下工作。这款低电压 CMOS 汽
车级运算放大器的最新成员，提供高带宽、低噪声和低
功耗系列器件，满足各种 应用的不同需求。
内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器
扩展温度范围：–40°C 至 +125°C
2 应用
•
汽车 标准:
中的 SC70 (5) (OPA316-Q1)、DFN (8)、MSOP (8)、SOIC (8)
(OPA2316-Q1) 和 SOIC (14) 封装 (OPA4316-Q1)
器件信息(1)
–
–
–
–
高级驾驶员辅助系统 (ADAS)
车身电子装置和照明
电流感测
器件编号
OPA316-Q1
封装
SOT-23 (5)
封装尺寸（标称值）
1.60mm x 2.90mm
3.00mm × 3.00mm
4.40mm × 5.00mm
电池管理系统
OPA2316-Q1
OPA4316-Q1
VSSOP (8)
TSSOP (14)
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品
附录。
单极低通滤波器
RG
10MHz 带宽下的低电源电流（400µA/通道）
RF
120
100
80
270
225
180
135
90
R1
VOUT
60
VIN
Phase
40
C1
1
2pR1C1
20
45
f
=
-3 dB
VS = ±2.75 V
0
0
Gain
VS =±0.9V
VOUT
VIN
RF
1 +
RG
1
1 + sR1C1
=
œ20
-45
(
((
(
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M 100M
Frequency (Hz)
C006
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SBOS841
OPA316-Q1, OPA2316-Q1, OPA4316-Q1
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目录
7.4 器件功能模式........................................................... 21
应用和实施............................................................. 22
8.1 应用信息.................................................................. 22
8.2 典型应用.................................................................. 22
电源建议................................................................. 26
1
2
3
4
5
6
特性.......................................................................... 1
应用.......................................................................... 1
说明.......................................................................... 1
修订历史记录 ........................................................... 2
引脚配置和功能........................................................ 3
规格.......................................................................... 6
6.1 绝对最大额定值......................................................... 6
6.2 ESD 额定值 .............................................................. 6
6.3 建议运行条件............................................................. 6
6.4 热性能信息：OPA316-Q1......................................... 7
6.5 热性能信息：OPA2316-Q1....................................... 8
6.6 热性能信息：OPA4316-Q1....................................... 9
6.7 电气特性.................................................................. 10
6.8 典型特性.................................................................. 13
详细 说明................................................................ 19
7.1 概述......................................................................... 19
7.2 功能框图.................................................................. 19
7.3 特性 说明................................................................. 19
8
9
10 布局 ....................................................................... 27
10.1 布局指南................................................................ 27
10.2 布局示例................................................................ 27
11 器件和文档支持 ..................................................... 28
11.1 文档支持................................................................ 28
11.2 相关链接................................................................ 28
11.3 接收文档更新通知 ................................................. 28
11.4 社区资源................................................................ 28
11.5 商标....................................................................... 28
11.6 静电放电警告......................................................... 28
11.7 术语表 ................................................................... 28
12 机械、封装和可订购信息....................................... 29
7
4 修订历史记录
Changes from Original (November 2016) to Revision A
Page
•
•
•
•
•
•
•
•
•
已更改 CDM ESD 分类等级由“C6”降至“C5”........................................................................................................................... 1
已删除 器件信息表中的 OPA2316S-Q1 封装和尺寸信息 ....................................................................................................... 1
已删除 器件信息表，热信息表和引脚分配图 .......................................................................................................................... 1
Deleted 引脚配置和功能 部分中的 OPA2316S-Q1 引脚布置图和“引脚功能”表...................................................................... 3
Deleted “引脚配置和功能”部分的 OPA4316-Q1 引脚布置图中的 D (SOIC) 封装 .................................................................. 5
Changed 将 CDM 额定值从 ±1500V 更改为 ±750V............................................................................................................... 6
Deleted 热性能信息 表中的 OPA2316S-Q1 器件热性能信息 ................................................................................................. 7
添加 OPA4316-Q1 器件的热性能信息 .................................................................................................................................... 9
已删除 文档支持部分 ............................................................................................................................................................ 28
2
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5 引脚配置和功能
OPA316-Q1 DBV 封装
5 引脚 SOT-23
俯视图
引脚功能：OPA316-Q1
引脚
I/O
说明
名称
–IN
+IN
V–
编号
4
3
2
5
1
I
反相输入
I
同相输入
—
—
O
负电源或接地（对于单电源供电）。
V+
正电源
输出
OUT
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OPA2316-Q1 DGK 封装
8 引脚 VSSOP
俯视图
引脚功能：OPA2316-Q1
引脚
I/O
说明
名称
编号
2
–IN A
+IN A
–IN B
+IN B
OUT A
OUT B
V–
I
I
反相输入，通道 A
3
同相输入，通道 A
反相输入，通道 B
同相输入，通道 B
输出，通道 A
6
I
5
I
1
O
O
—
—
7
输出，通道 B
4
负电源或接地（对于单电源供电）。
正电源
V+
8
4
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OPA4316-Q1 PW 封装
14 引脚 TSSOP
俯视图
引脚功能：OPA4316-Q1
引脚
I/O
说明
名称
编号
2
–IN A
+IN A
–IN B
+IN B
–IN C
+IN C
–IN D
+IN D
OUT A
OUT B
OUT C
OUT D
V–
I
I
反相输入，通道 A
3
同相输入，通道 A
反相输入，通道 B
同相输入，通道 B
反相输入，通道 C
同相输入，通道 C
反相输入，通道 D
同相输入，通道 D
输出，通道 A
6
I
5
I
9
I
10
13
12
1
I
I
I
O
O
O
O
—
—
7
输出，通道 B
8
输出，通道 C
14
11
4
输出，通道 D
负电源或接地（对于单电源供电）
正电源
V+
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风温度下测得（除非另有说明）(1)
最小值
(V–) – 0.5
-10
最大值
7
单位
V
电源电压
共模
(V+) + 0.5
V
电压(2)
信号输入引脚
差模
(V+) – (V–) + 0.2
V
电流(2)
10
持续
mA
输出短路(3)
TA
工作温度
结温
–55
150
°C
°C
°C
TJ
150
Tstg
贮存温度
-65
150
(1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值，这并不表示器件在这些条件下以及在
建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 输入引脚被二极管钳制至电源轨。对于摆幅能超过电源轨 0.5V 的输入信号，应将其电流限制在 10mA 或者更低。
(3) 对地短路，每个封装对应一个放大器。
6.2 ESD 额定值
值
单位
人体放电模型 (HBM)，符合 AEC Q100-002(1)
充电器件模型 (CDM)，符合 AEC Q100-011
±4000
±750
V(ESD)
静电放电
V
(1) AEC Q100-002 指示应当按照 ANSI/ESDA/JEDEC JS001 规范执行 HBM 应力测试。
6.3 建议运行条件
自然通风工作温度范围内（除非另有说明）
最小值
1.8
最大值
5.5
单位
VS
电源电压
V
额定温度范围
–40
125
°C
6
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6.4 热性能信息：OPA316-Q1
OPA316-Q1
热指标(1)
DBV (SOT-23)
5 引脚
221.7
单位
RθJA
结至环境热阻(2)
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻(3)
结至电路板热阻(4)
144.7
49.7
ψJT
管结至顶部的特征参数(5)
管结至电路板的特征参数(6)
结至外壳（底部）热阻(7)
26.1
ψJB
49
RθJC(bot)
不适用
(1) 有关传统和最新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告。
(2) 在 JESD51-2a 描述的环境中，按照 JESD51-7 的规定，在一个 JEDEC 标准高 K 电路板上进行仿真，从而获得自然对流条件下的结至环
境热阻抗。
(3) 通过在封装顶部进行冷板测试仿真来获得结至外壳（顶部）热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述，但 可在 ANSI SEMI 标准 G30 -
88 中找到相应的说明。
(4) 结至板热阻，可按照 JESD51-8 中的说明在使用环形冷板夹具来控制 PCB 温度的环境中进行仿真来获得。
(5) 结点至顶部特性参数 ψJT 估算器件在实际系统中的结温，可通过 JESD51-2a（第 6 节和第 7 节）介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中获
取该温度。
(6) 结点至电路板特性参数 ψJB 估算器件在实际系统中的结温，可通过 JESD51-2a（第 6 节和第 7 节）介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中
获取该温度。
(7) 通过在外露（电源）焊盘上进行冷板测试仿真来获得结至外壳（底部）热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述，但 可在 ANSI SEMI 标
准 G30 - 88 中找到相应的说明。
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6.5 热性能信息：OPA2316-Q1
OPA2316-Q1
DGK (VSSOP)
8 引脚
热指标(1)
单位
RθJA
结至环境热阻(2)
186.6
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻(3)
结至电路板热阻(4)
78.8
107.9
ψJT
管结至顶部的特征参数(5)
管结至电路板的特征参数(6)
结至外壳（底部）热阻(7)
15.5
ψJB
106.3
RθJC(bot)
不适用
(1) 有关传统和最新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告。
(2) 在 JESD51-2a 描述的环境中，按照 JESD51-7 的规定，在一个 JEDEC 标准高 K 电路板上进行仿真，从而获得自然对流条件下的结至环
境热阻抗。
(3) 通过在封装顶部进行冷板测试仿真来获得结至外壳（顶部）热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述，但 可在 ANSI SEMI 标准 G30 -
88 中找到相应的说明。
(4) 结至板热阻，可按照 JESD51-8 中的说明在使用环形冷板夹具来控制 PCB 温度的环境中进行仿真来获得。
(5) 结点至顶部特性参数 ψJT 估算器件在实际系统中的结温，可通过 JESD51-2a（第 6 节和第 7 节）介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中获
取该温度。
(6) 结点至电路板特性参数 ψJB 估算器件在实际系统中的结温，可通过 JESD51-2a（第 6 节和第 7 节）介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中
获取该温度。
(7) 通过在外露（电源）焊盘上进行冷板测试仿真来获得结至外壳（底部）热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述，但 可在 ANSI SEMI 标
准 G30 - 88 中找到相应的说明。
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6.6 热性能信息：OPA4316-Q1
OPA4316-Q1
热指标(1)
PW (TSSOP)
14 引脚
117.2
单位
RθJA
结至环境热阻(2)
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻(3)
结至电路板热阻(4)
46.2
58.9
ψJT
管结至顶部的特征参数(5)
管结至电路板的特征参数(6)
结至外壳（底部）热阻(7)
4.9
ψJB
58.3
RθJC(bot)
不适用
(1) 有关传统和最新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告。
(2) 在 JESD51-2a 描述的环境中，按照 JESD51-7 的规定，在一个 JEDEC 标准高 K 电路板上进行仿真，从而获得自然对流条件下的结至环
境热阻抗。
(3) 通过在封装顶部进行冷板测试仿真来获得结至外壳（顶部）热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述，但 可在 ANSI SEMI 标准 G30 -
88 中找到相应的说明。
(4) 结至板热阻，可按照 JESD51-8 中的说明在使用环形冷板夹具来控制 PCB 温度的环境中进行仿真来获得。
(5) 结点至顶部特性参数 ψJT 估算器件在实际系统中的结温，可通过 JESD51-2a（第 6 节和第 7 节）介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中获
取该温度。
(6) 结点至电路板特性参数 ψJB 估算器件在实际系统中的结温，可通过 JESD51-2a（第 6 节和第 7 节）介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中
获取该温度。
(7) 通过在外露（电源）焊盘上进行冷板测试仿真来获得结至外壳（底部）热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述，但 可在 ANSI SEMI 标
准 G30 - 88 中找到相应的说明。
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6.7 电气特性
VS（总电源电压）= (V+) – (V–) = 1.8V 至 5.5V。
TA = 25°C，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
失调电压
VS = 5V
±0.5
±2.5
±3.5
±10
mV
mV
VOS
输入失调电压
VS = 5V，TA = –40°C 至 125°C
VS = 5V，TA = –40°C 至 125°C
VS = 1.8V – 5.5V，VCM = (V–)
dVOS/dT 漂移
±2
μV/°C
µV/V
电源抑制
±30
±150
比
(PSRR)
与电源间的关系
VS = 1.8V – 5.5V，VCM = (V–)，TA = –40°C 至 125°C
±250
µV/V
µV/V
通道分离，直流
输入电压范围
在直流
10
VS = 1.8V 至 2.5V
VS = 2.5V 至 5.5V
(V–) – 0.2
(V-)-0.2
(V+)
V
V
VCM
共模电压
(V+)+0.2
VS = 1.8V，(V–) – 0.2V < VCM < (V+) – 1.4V，
TA = –40°C 至 125°C
70
76
57
65
86
90
72
80
dB
dB
dB
dB
VS = 5.5V，(V–) – 0.2V < VCM < (V+) – 1.4V，
TA = –40°C 至 125°C
CMRR
共模抑制比
VS = 1.8V，VCM = –0.2V 至 1.8V，
TA = –40°C 至 125°C
VS = 5.5V，VCM = –0.2V 至 5.7V，
TA = –40°C 至 125°C
输入偏置电流
±5
±2
±15
±15
±15
±8
pA
nA
pA
nA
IB
输入偏置电流
TA = –40°C 至 125°C
TA = –40°C 至 125°C
IOS
输入失调电流
噪声
En
输入电压噪声（峰峰值）
输入电压噪声密度
VS = 5V，f = 0.1Hz 至 10Hz
VS = 5V，f = 1kHz
f = 1kHz
3
11
μVPP
en
nV/√Hz
fA/√Hz
in
输入电流噪声密度
1.3
输入阻抗
ZID
1016Ω || pF
1011Ω || pF
差分
共模
2 || 2
2 || 4
ZIC
开环增益
VS = 1.8V，(V–) + 0.04V < VO < (V+) – 0.04V，
RL = 10kΩ
94
104
90
100
110
96
dB
dB
dB
dB
dB
dB
VS = 5.5V，(V–) + 0.05V < VO < (V+) – 0.05V，
RL = 10kΩ
VS = 1.8V，(V–) + 0.1V < VO < (V+) – 0.1V，
RL = 2kΩ
AOL
开环电压增益
VS = 5.5V，(V–) + 0.15V < VO < (V+) – 0.15V，
RL = 2kΩ
100
86
106
VS = 5.5V，(V–) + 0.05V < VO < (V+) – 0.05V，
RL = 10kΩ，TA = –40°C 至 125°C
VS = 5.5V，(V–) + 0.15V < VO < (V+) – 0.15V，
RL = 2kΩ，TA = –40°C 至 125°C
84
频率响应
GBP
φm
增益带宽积
相位裕度
压摆率
VS = 5V，G = 1
VS = 5V，G = 1
VS = 5V，G = 1
10
60
6
MHz
度
SR
V/μs
精度达到 0.1%，VS = 5V，2V 阶跃，G = 1，CL
100pF
=
1
μs
tS
建立时间
精度达到 0.01%，VS = 5V，2V 阶跃，G = 1，CL
=
1.66
0.3
μs
μs
100pF
tOR
过载恢复时间
VS = 5V，VIN × 增益 = VS
10
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电气特性 (continued)
VS（总电源电压）= (V+) – (V–) = 1.8V 至 5.5V。
TA = 25°C，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
VS = 5V，VO = 0.5VRMS，G = 1
f = 1kHz
THD + N 总谐波失真 + 噪声(1)
0.0008%
(1) 三阶滤波器；-3dB 时的带宽 = 80kHz。
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电气特性 (continued)
VS（总电源电压）= (V+) – (V–) = 1.8V 至 5.5V。
TA = 25°C，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
输出
VS = 1.8V，RL = 10kΩ，TA = –40°C 至 125°C
VS = 5.5V，RL = 10kΩ，TA = –40°C 至 125°C
VS = 1.8V，RL = 2kΩ，TA = –40°C 至 125°C
VS = 5.5V，RL = 2kΩ，TA = –40°C 至 125°C
VS = 5V
15
30
mV
mV
mV
mV
mA
Ω
VO
相对于电源轨的电压输出摆幅
60
120
ISC
ZO
短路电流
±50
250
开环输出阻抗
VS = 5V，f = 10MHz
电源
VS
额定电压
1.8
5.5
V
IQ
每个放大器的静态电流
加电时间
VS = 5V，IO = 0mA，TA = –40°C 至 125°C
VS = 0V 至 5.5V
400
200
500
µA
µs
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6.8 典型特性
TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）。
25
20
15
10
5
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
Offset Voltage (mV)
Offset Voltage Drift (µV/°C)
C013
C013
根据 12551 个放大器得出的分布图
TA = –40°C 至 +125°C，根据 70 个放大器得出的分布图
图 1. 失调电压产生分布图
图 2. 失调电压漂移分布图
2500
2000
1500
1000
500
2500
2000
VCM = 2.95 V
1500
VCM = -2.95 V
1000
500
0
0
œ500
œ1000
œ1500
œ2000
œ2500
œ500
œ1000
N-
Channel
P-
Channel
œ1500
œ2000
Transition
œ2500
0
25
50
75
100 125 150
0
1
2
3
œ75 œ50 œ25
œ3
œ2
œ1
Temperature (°C)
VCM (V)
C001
C001
显示 9 个典型单元
V+ = 2.75V，V– = –2.75V，显示 9 个典型单元
图 4. 失调电压与共模电压间的关系
图 3. 失调电压与温度间的关系
2500
120
100
80
270
2000
1500
1000
500
225
180
135
90
VS = ±2.75 V
VS = ±0.9 V
60
0
Phase
40
œ500
œ1000
œ1500
œ2000
œ2500
20
45
VS = ±2.75 V
0
0
Gain
VS =±0.9V
œ20
-45
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M 100M
VSUPPLY (V)
Frequency (Hz)
C001
C006
V+ = 0.9V 至 2.75V，V– = –0.9V 至 –2.75V，
显示 9 个典型单元
VCM < (V+) – 1.4V
图 5. 失调电压与电源间的关系
图 6. 开环增益和相位与频率间的关系
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典型特性 (接下页)
TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）。
100
75
50
25
0
100
75
50
25
0
VS = 1.8 V
VS = 1.8 V
VS = 5.5 V
VS = 5.5 V
-25
-50
-25
-50
0
25
50
75
100 125 150
œ75 œ50 œ25
0
25
50
75
100 125 150
œ75 œ50 œ25
Temperature (°C)
Temperature (°C)
C001
C001
RL = 10kΩ
RL = 2kΩ
图 7. 开环增益与温度间的关系
图 8. 开环增益与温度间的关系
100000
10000
1000
100
10
25
IB+
IB -
Ios
20
15
10
5
0
-5
G = +1
G = +10
G = -1
-10
-15
-20
1
0
0
25
50
75
100 125 150
œ75 œ50 œ25
10k
100k
1M
10M
100M
C007
Frequency (Hz)
Temperature (°C)
C001
图 9. 闭环增益与频率间的关系
图 10. 输入偏置和失调电流与温度间的关系
3
2
1
0
120
25°C
-40°C
100
80
60
40
20
0
85°C
125°C
125°C
85°C
-1
PSRR
CMRR
-2
-3
-40°C
25°C
0
10
20
30
40
50
60
1
10
100
1k
10k
100k
1M
C011
Iout (mA)
Frequency (Hz)
C001
V+ = 2.75V，V– = –2.75V
图 12. CMRR 和 PSRR 与频率间的关系
图 11. 输出电压摆幅与输出电流间的关系
（以输入为参考）
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典型特性 (接下页)
TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）。
200
150
100
50
1000
750
VS = 1.8 V, (V-) - 0.2 V ≤ VCM ≤ (V+) - 1.4 V
500
VS = 1.8 V, (V-) - 0.2 V ≤ VCM ≤ (V+)
250
0
0
VS = 5.5 V, (V-) - 0.2 V ≤ VCM ≤ (V+) - 1.4 V
VS = 5.5 V, (V-) - 0.2 V ≤ VCM ≤ (V+) + 0.2 V
œ50
œ100
œ150
œ200
œ250
œ500
œ750
œ1000
0
25
50
75
100 125 150
0
25
50
75
100 125 150
œ75 œ50 œ25
œ75 œ50 œ25
Temperature (°C)
Temperature (°C)
C001
C001
图 13. CMRR 与温度间的关系（窄范围）
图 14. CMRR 与温度间的关系（宽范围）
100
80
60
40
20
0
Peak-to-Peak Noise = VRMS × 6.6 = 3 ꢀVpp
-20
Time (1 s/div)
0
25
50
75
100 125 150
œ75 œ50 œ25
C014
Temperature (°C)
C001
图 16. 0.1Hz 至 10Hz 输入电压噪声
图 15. PSRR 与温度间的关系
1000
100
10
16
15
14
13
12
11
10
9
1
8
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
C015
Frequency (Hz)
Common-Mode Voltage (V)
C039
ƒ = 1kHz
图 17. 输入电压噪声频谱密度与频率间的关系
图 18. 输入电压噪声与共模电压间的关系
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典型特性 (接下页)
TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）。
0.1
-60
1.
-40
G = +1 V/V, RL = 10 kꢀ
G = +1 V/V, RL = 2 kꢀ
0.1
-60
G=-1 V/V,R=10kꢀ
L
0.01
-80
G = -1 V/V, R = 2 kꢀ
L
0.01
-80
0.001
0.0001
0.00001
-100
-120
0.001
0.0001
-100
-120
G = +1 V/V, RL = 10 kꢀ
G = +1 V/V, RL = 2 kꢀ
G = -1 V/V, RL = 10 kꢀ
G=-1V/V,R=2kꢀ
L
-140
10
10
100
1k
10k
100k
0.001
0.01
0.1
1
Frequency (Hz)
Output Amplitude (VRMS)
C017
C018
带宽 = 80kHz，VOUT = 0.5VRMS
图 19. THD + N 与频率间的关系
ƒ = 1kHz，带宽 = 80kHz
图 20. THD + N 与幅度间的关系
450
425
400
375
350
325
300
275
250
450
425
400
375
350
VS = 5.5 V
VS = 1.8 V
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
25
50
75
100 125 150
œ75 œ50 œ25
Supply Voltage (V)
Temperature (°C)
C001
C001
图 21. 静态电流与电源电压间的关系
图 22. 静态电流与温度间的关系
10k
1k
50
40
30
20
10
0
RI = 1 kohm
RF = 1 kohm
+ 2.75 V
100
10
œ
+
Device
VIN = 100 mVpp
+
CL
œ
œ 2.75 V
1
10
100
1k
10k 100k 1M 10M 100M 1000M
0p
100p
200p
300p
Frequency (Hz)
Capacitive Load (F)
C024
C025
V+ = 2.75V
V– = –2.75V
G = –1V/V
图 23. 开环输出阻抗与频率间的关系
图 24. 小信号过冲与负载电容间的关系
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典型特性 (接下页)
TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）。
80
VIN
70
60
50
VOUT
+ 2.75 V
40
+ 2.75 V
œ
30
Device
VOUT
œ
Device
+
+
+
+
20
10
0
œ 2.75 V
VIN = 100 mVpp
RL
CL
œ 2.75 V
6.1 VPP
Sine Wave
œ
œ
Time (100 ꢀs/div)
0p
100p
200p
300p
C027
Capacitive Load (F)
G = +1V/V
C026
V+ = 2.75V
V– = –2.75V
V+ = 2.75V
RL = 1kΩ
V– = –2.75V
图 26. 无相位反转
图 25. 小信号过冲与负载电容间的关系
1 V
0 V
VOUT
5.5 V
RI
=
1
kohm
RF = 10 kohm
+
2.75
V
V
œ
+
Device
VOUT
VIN
VIN
= 1 Vpp
+
œ
œ
2.75
Saturated
Recovering
Slewing
RI
=
1
kohm
RF = 10 kohm
Saturated
Slewing
Recovering
VIN
+
2.75
V
œ
+
Device
VOUT
VIN
= 1 Vpp
+
œ
œ
2.75
V
0 V
-5.5 V
VOUT
-1 V
Time (100 ns/div)
Time (100 ns/div)
C028
C029
V+ = 2.75V
V– = –2.75V
G = –10V/V
V+ = 2.75V
V– = –2.75V
G = –10V/V
图 27. 正过载恢复
图 28. 负过载恢复
+ 2.75
V
CL = 10 pF
œ
Device
CL = 100 pF
+
+
VIN = 1 Vpp
RL
CL
œ
2.75
V
œ
VOUT
+ 2.75 V
œ
Device
+
+
VIN = 100 mVpp
RL
CL
œ 2.75 V
œ
VIN
Time (100 ns/div)
Time (200 ns/div)
C030
C031
V+ = 2.75V
V– = –2.75V
G = +1V/V
V+ = 2.75V
CL = 100pF
V– = –2.75V
G = +1V/V
图 29. 小信号阶跃响应
图 30. 大信号阶跃响应
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典型特性 (接下页)
TA = 25°C，VS = 5.5V，RL = 10kΩ（连接至 VS / 2），VCM = VS / 2，且 VOUT = VS / 2（除非另有说明）。
100
80
60
40
20
0
40
20
0
0.1% Settling = ±2 mV
-20
-40
-60
-80
0.1% Settling = ±2 mV
-20
-40
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
Time (ꢀs)
Time (ꢀs)
C032
C033
CL = 100pF
G = +1V/V
CL = 100pF
G = +1V/V
图 31. 正大信号趋稳时间
图 32. 负大信号趋稳时间
70
60
50
40
30
7
6
5
4
3
2
1
0
VS = 5.5 V
VS = 5 V
ISC, Source
Maximum output voltage without
slew-rate induced distortion.
VS = 1.8 V
ISC, Sink
0
25
50
75
100 125 150
100k
1M
10M
œ75 œ50 œ25
Temperature (°C)
Frequency (Hz)
C001
C035
图 33. 短路电流与温度间的关系
图 34. 最大输出电压与
频率和电源电压间的关系
100
80
60
40
20
0
œ20
œ40
œ60
œ80
œ100
œ120
0
10M
100M
Frequency (Hz)
1G
10G
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
C036
Frequency (Hz)
C001
PRF = –10dBm
V+ = 2.75V，V– = –2.75V
图 35. 以同相输入为参考的
电磁干扰抑制比 (EMIRR IN+) 与频率间的关系
图 36. 通道分离与频率间的关系
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7 详细 说明
7.1 概述
OPAx316-Q1 是一系列具有低功耗、轨至轨输入和输出的运算放大器。这些器件的工作电压范围为 1.8V 至 5.5V，
具有单位增益稳定特性，并且适用于各种通用 应用。的理想之选。AB 类输出级能够驱动连接至 V+ 和接地端之间
任一点且小于或等于 10kΩ 的负载。输入共模电压范围包括两个电源轨，并支持将 OPAx316-Q1 系列器件用于几
乎任何单电源应用。轨至轨输入和输出摆幅可大幅扩大动态范围（尤其在低电源 应用中），因此这些器件非常适合
驱动采样模数转换器 (ADC)。
OPAx316-Q1 系列 具有 10MHz 带宽和 6V/μs 压摆率，且每个通道仅有 400μA 的电源电流，从而在功耗极低的情
况下提供良好的交流性能。在直流 应用 中也具有良好性能，其输入噪声电压极低（在 1kHz 时为 11nV/√Hz），输
入偏置电流低 (5pA)，且典型的输入失调电压为 0.5mV。
7.2 功能框图
V+
Reference
Current
VIN+
VIN–
VBIAS1
Class AB
Control
Circuitry
VO
VBIAS2
V–
(Ground)
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7.3 特性 说明
7.3.1 工作电压
OPAx316-Q1 运算放大器在 1.8V 至 5.5V 的电压范围内可保证运行。此外，许多规格在 –40°C 至 +125°C 温度下
适用。典型特性 图表中说明了随工作电压或温度变化而显著变化的参数。
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特性 说明 (接下页)
7.3.2 轨至轨输入
OPAx316-Q1 系列的输入共模电压范围在电源轨基础上向外扩展了 200mV，从而支持高于 2.5V 的电源电压。此性
能由一个互补输入级实现：一个 N 沟道输入差分对和一个 P 沟道差分对并联，如功能框图 所示。当输入电压靠近
正轨（通常在 (V+) – 1.4V 到高于正电源电压 200mV 之间）时，N 沟道对有效；而当输入在低于负电源电压
200mV 到大约 (V+) – 1.4V 之间时，P 沟道对有效。在一个通常介于 (V+) – 1.2V 到 (V+) – 1V 之间的小转换区域
内，两个通道对都会打开。此 200mV 转换区域可能会随工艺不同而发生变化，最高可达 200mV。因此，此转换区
域（两个级都打开）在低端上的范围介于 (V+) – 1.4V 至 (V+) – 1.2V 之间，在高端上的范围高达 (V+) – 1V 至
(V+) – 0.8V 之间。在此转换区域内，与器件在该区域外运行相比，PSRR、CMRR、失调电压、失调漂移和 THD
等性能可能会下降。
7.3.3 输入和 ESD 保护
OPAx316-Q1 在所有引脚上均整合了内部 ESD 保护电路。就输入和输出引脚而言，这种保护主要包括输入引脚和
电源引脚之间连接的导流二极管。只要电流如绝对最大额定值 表中所述不超过 10mA，这些 ESD 保护二极管就能
提供电路内输入过驱保护。图 37 显示了如何通过将串联输入电阻器添加到被驱动的输入端来限制输入电流。添加
的电阻器会增加放大器输入端的热噪声；在对噪声敏感的应用中，该值必须保持在最低 值中，该值应保持在最低
值。
V+
IOVERLOAD
10-mA max
VOUT
Device
VIN
5 kW
图 37. 输入电流保护
7.3.4 共模抑制比 (CMRR)
OPAx316-Q1 的 CMRR 是以多种方式指定的，因此对于给定的应用，用户可以使用最佳匹配项；请参阅电气特性
表。首先，产品说明书给出了该器件在低于转换区域 [VCM < (V+) – 1.4V] 的共模范围内的 CMRR。当应用需要使
用其中一个差分输入对时，此规格最能说明器件的能力。其次，整个共模范围的 CMRR 是在 VCM = –0.2V 至 5.7V
条件下（对于 VS = 5.5V）指定的。最后这个值包含整个转换区域内的变化，如图 4 所示。
7.3.5 EMI 易感性和输入滤波
各种运算放大器对于电磁干扰 (EMI) 的易感性会有所不同。如果传导 EMI 进入运算放大器，放大器输出中观察到
的直流失调值在有 EMI 时可能偏离标称值。这个偏离是内部半导体结相关的信号整流引起的。虽然 EMI 可能影响
所有的运算放大器引脚功能，但是信号输入引脚可能是最易受影响的。OPA316-Q1 运算放大器系列整合了内部输
入低通滤波器，该滤波器可减少放大器对 EMI 的响应。此滤波器提供共模和差分模式滤波。此滤波器针对大约
80MHz (–3dB) 的截止频率而设计，具有每十倍频 20dB 的下降率。
TI 已经开发出在 10MHz 至 6GHz 的宽频谱范围内精确测量和量化运算放大器抗扰度的功能。EMI 抑制比 (EMIRR)
指标允许按 EMI 抗扰度直接比较运算放大器。图 35 显示了 OPAx316-Q1 的测试结果。有关更多信息，请参阅
《运算放大器的 EMI 抑制比》。
7.3.6 轨至轨输出
OPAx316-Q1 器件是一种低功耗、低噪声运算放大器，可提供强大的输出驱动能力。一个具有共源晶体管的 AB 类
输出级可实现完全的轨至轨输出摆幅功能。对于 10kΩ 的阻性负载，无论施加的电源电压是多少，输出摆幅通常在
两个电源轨的 30mV 以内。不同的负载情况会改变放大器在靠近电源轨范围内摆动的能力；请参阅图 11。
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特性 说明 (接下页)
7.3.7 容性负载和稳定性
OPAx316-Q1 专用于 需要驱动 容性负载的应用。与所有运算放大器一样，可能存在会使 OPAx316-Q1 变得不稳定
的特定情况。在确定放大器的运行是否稳定时，需要考虑特定的运算放大器电路配置、布局、增益和输出负载等因
素。与增益更高的放大器相比，
在单位增益 (1V/V) 缓冲器配置下驱动电容负载的运算放大器更容易出现不稳定的情况。电容负载与运算放大器输
出电阻相结合后，在反馈环路内产生一个使相补角降级的极点。相位裕量的减小随着容性负载的增加而增加。保守
而言，最佳做法是设计 25% 的过冲（40° 相位裕量），这样可在流程变化期间提供更高的稳定性。某些较大的电
容器（CL 的值大于 1μF）的等效串联电阻 (ESR) 足以改变反馈环路内的相位特性，从而使放大器保持稳定。增加
放大器闭环增益使得放大器能够驱动更大的电容。当在更高电压增益上观察放大器的过冲响应时，这个增加的驱动
能力会十分明显。请参阅图 24 (G = –1V/V) 和图 25 (G = 1V/V)。
插入一个小电阻器（通常为 10Ω 至 20Ω）可以增加采用单位增益配置的放大器的容性负载能力（如图 38 所示）。
这个电阻器大大减少了与大电容负载相关的过冲和振铃。然而，这个技巧的一个可能问题是这个增加的串联电阻和
任一与负载电容并联的连接电阻会生成一个分压器。此分压器在输出上引入一个减少输出摆幅的增益误差。
V+
RS
VOUT
Device
VIN
10 W to
20 W
RL
CL
图 38. 增强容性负载驱动能力
7.3.8 过载恢复
过载恢复定义为运算放大器输出从饱和状态恢复到线性状态所需的时间。当输出电压由于高输入电压或高增益而超
过额定工作电压时，运算放大器的输出器件进入饱和区。器件进入饱和区后，输出器件中的电荷载体需要时间返回
到线性状态。当电荷载体返回到线性状态时，器件开始以指定的压摆率进行转换。因此，过载时的传播延迟等于过
载恢复时间与转换时间的总和。OPAx316-Q1 的过载恢复时间大约为 300ns。
7.4 器件功能模式
OPAx316-Q1 器件会在连接电源时通电。这些器件可根据应用情况作为单电源运算放大器或双电源放大器使用。
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8 应用和实施
注
以下应用部分中的 信息 不属于 TI 组件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客
户应负责确定组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实施，以确认系统功能正
常。
8.1 应用信息
8.1.1 一般配置
当接收到低电平信号时，该器件通常需要限制传入到系统中的信号的带宽。建立这个受限带宽的最简单方法是在放
大器的同相引脚上放置一个 RC 滤波器，如图 39 中所示。
RG
RF
R1
VOUT
VIN
C1
1
2pR1C1
f
=
-3 dB
VOUT
VIN
RF
1
1 + sR1C1
=
1 +
(
(
RG
图 39. 单极点低通滤波器
如果需要更多衰减，该器件需要多极点滤波器。Sallen-Key 滤波器可用于完成此项任务，如图 40 所示。为了获得
最佳结果，放大器的带宽必须是滤波器频率带宽的 8 到 10 倍。不遵守这一准则可能导致放大器出现相移。
C1
R1 = R2 = R
C1 = C2 = C
R1
R2
Q = Peaking factor
(Butterworth Q = 0.707)
VIN
VOUT
C2
1
2pRC
f
=
-3 dB
RF
RF
RG
=
1
2 -
RG
(
(
Q
图 40. 两极低通 Sallen-Key 滤波器
8.2 典型应用
有些 应用 需要差分信号。 图 41 显示，简单电路可利用一个 2.7V 的电源将 0.1V 至 2.4V 的单端输入转换为
±2.3V 的差分输出。本示例特意限制输出范围以最大限度提高线性度。此电路由两个放大器构成。一个放大器充当
缓冲器并产生电压 (VOUT+)。另一个放大器反转输入并添加参考电压以生成 VOUT–。VOUT+ 和 VOUT– 范围为 0.1V 至
2.4V。差分电压 (VDIFF) 是指 VOUT+ 和 VOUT– 之间的差异，形成一个 2.3V 的差分输出电压范围。
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典型应用 (接下页)
R
2
2.7 V
R
1
œ
V
+
OUTœ
R
3
+
V
REF
2.5 V
R
4
V
V
DIFF
+
2.7 V
œ
V
+
OUT+
+
V
IN
图 41. 单端输入到差分输出的转换原理图
8.2.1 设计要求
表 1 列出了设计要求：
表 1. 设计参数
设计参数
值
2.7V
电源电压
基准电压
2.5V
输入电压
0.1V 至 2.4V
±2.3V
输出差分电压
输出共模电压
小信号带宽
1.25V
5MHz
8.2.2 详细设计流程
在 图 41 中，电路接受单端输入信号 (VIN)，并产生两个输出信号（VOUT+ 和 VOUT–），其中使用两个放大器和基准
电压 (VREF)。VOUT+ 是第一个放大器的输出，并且是输入信号 (VIN) 的缓冲版本（如公式 1 所示）。VOUT– 是第二
个放大器的输出，该放大器使用 VREF 将失调电压添加至 VIN 和反馈以添加反相增益。VOUT– 的传递函数如公式 2
所示。
VOUT+ = V
IN
(1)
≈
∆
«
’ ≈
ì 1+
’
÷
R4
R2
R2
R1
VOUT- = VREF
ì
- V ì
IN
÷ ∆
R3 +R4 ◊ « R1 ◊
(2)
差分输出信号 (VDIFF) 是两个单端输出信号（VOUT+ 和 VOUT–）之间的差异。公式 3 显示了 VDIFF 的传递函数。使用
公式 4 和公式 5 中的条件并应用 R1 = R2 和 R3 = R4 两种条件，传递函数简化为公式 6。使用此配置，最大输入信
号等于基准电压，每个放大器的最大输出等于 VREF。差分输出范围为 2 × VREF。此外，共模电压是 VREF 的一半，
如公式 7 所示。
≈
’
÷
≈
∆
«
’ ≈
ì 1+
’
÷
R2
R4
R2
VDIFF = VOUT+ - VOUT- = VINì 1+
- V
ì
∆
÷ ∆
REF
R1 ◊
R3 +R4 ◊ « R1 ◊
«
(3)
(4)
(5)
(6)
VOUT+ = V
IN
VOUT- = VREF - V
IN
VDIFF = 2ì VIN - VREF
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V
+ VOUT-
2
1
2
≈
’
OUT+
VCM
=
=
VREF
∆
«
÷
◊
(7)
8.2.2.1 放大器选择
输入范围的线性是实现良好直流精度的关键。共模输入范围和输出摆幅限制决定了线性度。通常情况下，需要采用
具有轨至轨输入和输出摆幅的放大器。宽带是此设计的主要考虑因素，因此选择了 OPAx316-Q1，因为它的宽带高
于 5MHz 的目标带宽。带宽和功耗比可使该器件实现低功耗，且低失调和低漂移可确保精度适中的 应用实现良好
精度。
8.2.2.2 无源组件选择
由于 VOUT– 的传递函数高度依赖于电阻器（R1、R2、R3 和 R4），因此应使用低容差的电阻器来最大限度提高性能
并最大限度减小误差。此设计使用电阻值为 49.9kΩ 且容差为 0.1% 的电阻器。但是，如果系统噪声是关键参数，
可以选择较低电阻值（6kΩ 或更低）以使整个系统保持低噪声。这样可以确保电阻器噪声低于放大器噪声。
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8.2.3 应用曲线
图 42、图 43 和图 44 中测得的传递函数是通过扫描 0.1V 至 2.4V 输入电压而生成的。整个输入范围实际上是 0V
至 2.5V，但被限制为不超过 0.1V 以维持最佳线性度。有关此设计和可用于代替 OPAx316-Q1 的其他备选器件的
更多详细信息，请参阅《单端输入至差分输出转换电路参考设计》。
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
Input voltage (V)
Input voltage (V)
C027
C027
图 42. VOUT+ 与输入电压间的关系
图 43. VOUT– 与输入电压间的关系
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
-0.50
-1.00
-1.50
-2.00
-2.50
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
Input voltage (V)
C027
图 44. VDIFF 与输入电压间的关系
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9 电源建议
OPAx316-Q1 系列的额定工作电压范围是 1.8V 至 5.5V（±0.9V 至 ±2.75V）；许多规格在 –40°C 至 +125°C 的温
度下适用。典型特性 部分提供的参数可能随工作电压或温度的变化而出现显著变化。
CAUTION
电源电压大于 7V 可能对器件造成永久损坏；请参阅绝对最大额定值 表。
将 0.1μF 旁路电容放置于电源引脚附近，旁路电容可以提供低阻抗回路来降低电源的耦合噪声。有关旁路电容器位
置的更多信息，请参阅布局指南 部分。
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10 布局
10.1 布局指南
为了实现器件的最佳运行性能，应使用良好的 PCB 布局规范，包括：
•
噪声可通过全部电路电源引脚以及运算放大器传入模拟电路。旁路电容器通过提供模拟电路的本地低阻抗电
源来减少耦合噪声。
–
在每个电源引脚和接地端之间连接低 ESR 0.1µF 陶瓷旁路电容器，放置位置尽量靠近器件。从 V+ 到接
地端的单个旁路电容器适用于单通道电源 应用。
•
将电路的模拟和数字部分单独接地是最简单和最有效的噪声抑制方法之一。多层 PCB 中通常将一层或多层
专门作为接地层。接地层有助于散热和降低电磁干扰 (EMI) 噪声。请小心地对数字接地和模拟接地进行物理
隔离，同时应注意接地电流。
•
•
为了减少寄生耦合，请让输入走线尽可能远离电源或输出走线。如果这些走线不能保持分离状态，让敏感走
线与有噪声的走线垂直相交比平行相交好得多。
外部组件的位置应尽量靠近器件。使 RF 和 RG 接近反相输入可最大限度地减小寄生电容（如图 45 所
示）。
•
•
尽可能缩短输入走线。切记，输入走线是电路中最敏感的部分。
考虑在关键走线周围设定驱动型低阻抗保护环。这样可显著减少附近走线在不同电势下产生的泄漏电流。
10.2 布局示例
Run the input traces
as far away from
the supply lines
as possible.
VS+
VIN
VSœ
+IN
V+
GND
Use a low-ESR,
ceramic bypass
capacitor.
Vœ
Use a low-ESR,
ceramic bypass
capacitor.
RG
OUT
œIN
VOUT
GND
RF
Place components
close to the device
and to each other to
reduce parasitic
errors.
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图 45. 同相配置的运算放大器电路板布局
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11 器件和文档支持
11.1 文档支持
中 TI 参考文档格式的固定文献编号
11.1.1 相关文档
请参阅如下相关文档：
•
•
《运算放大器的电磁干扰 (EMI) 抑制比》
单端输入至差动输出转换电路参考设计
11.2 相关链接
表 2 列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持和社区资源、工具和软件以及申请样片或购买产品的快速访问
链接。
表 2. 相关链接
部件
产品文件夹
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请单击此处
样片与购买
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请单击此处
请单击此处
技术文档
请单击此处
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工具和软件
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支持和社区
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11.3 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 TI.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的通知我 进行注册，即可每周接收产
品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
11.4 社区资源
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，
并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在
e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
设计支持
TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。
11.5 商标
E2E is a trademark of Texas Instruments.
11.6 静电放电警告
这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损
伤。
11.7 术语表
SLYZ022 — TI 术语表。
这份术语表列出并解释术语、缩写和定义。
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12 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。如需获取此产品说明书的浏览器版本，请参阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
OPA2316QDGKQ1
OPA2316QDGKRQ1
OPA316QDBVRQ1
OPA316QDBVTQ1
OPA4316QPWRQ1
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
VSSOP
VSSOP
SOT-23
SOT-23
TSSOP
DGK
DGK
DBV
DBV
PW
8
8
80
RoHS & Green
NIPDAUAG
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
15E6
15E6
15AD
15AD
2500 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
NIPDAUAG
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
5
5
250
RoHS & Green
14
2000 RoHS & Green
4316Q1
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
OPA2316QDGKRQ1
OPA316QDBVRQ1
OPA316QDBVTQ1
OPA4316QPWRQ1
VSSOP
SOT-23
SOT-23
TSSOP
DGK
DBV
DBV
PW
8
5
2500
3000
250
330.0
178.0
178.0
330.0
12.4
9.0
5.3
3.3
3.4
3.2
1.4
1.4
8.0
4.0
4.0
8.0
12.0
8.0
Q1
Q3
Q3
Q1
5
9.0
3.23
6.9
3.17
5.6
1.37
1.6
8.0
14
2000
12.4
12.0
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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3-Jun-2022
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
OPA2316QDGKRQ1
OPA316QDBVRQ1
OPA316QDBVTQ1
OPA4316QPWRQ1
VSSOP
SOT-23
SOT-23
TSSOP
DGK
DBV
DBV
PW
8
5
2500
3000
250
366.0
180.0
180.0
356.0
364.0
180.0
180.0
356.0
50.0
18.0
18.0
35.0
5
14
2000
Pack Materials-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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TUBE
T - Tube
height
L - Tube length
W - Tube
width
B - Alignment groove width
*All dimensions are nominal
Device
Package Name Package Type
DGK VSSOP
Pins
SPQ
L (mm)
W (mm)
T (µm)
B (mm)
OPA2316QDGKQ1
8
80
330
6.55
500
2.88
Pack Materials-Page 3
PACKAGE OUTLINE
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
3.0
2.6
0.1 C
1.75
1.45
1.45
0.90
B
A
PIN 1
INDEX AREA
1
2
5
(0.1)
2X 0.95
1.9
3.05
2.75
1.9
(0.15)
4
3
0.5
5X
0.3
0.15
0.00
(1.1)
TYP
0.2
C A B
NOTE 5
0.25
GAGE PLANE
0.22
0.08
TYP
8
0
TYP
0.6
0.3
TYP
SEATING PLANE
4214839/G 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Refernce JEDEC MO-178.
4. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.25 mm per side.
5. Support pin may differ or may not be present.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X (0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X(0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:15X
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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相关型号：
OPA2316SIDGSR
Dual, 5.5-V, 10-MHz, low noise (11-nV/√Hz), RRIO operational amplifier | DGS | 10 | -40 to 125
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Dual, 5.5-V, 10-MHz, low noise (11-nV/√Hz), RRIO operational amplifier | RUG | 10 | -40 to 125
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Dual, 5.5-V, 10-MHz, low noise (11-nV/√Hz), RRIO operational amplifier | RUG | 10 | -40 to 125
TI
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