TAS2781 [TI]
具有集成式音频处理和扬声器保护的 25W、4.5V 至 23V 数字输入 D 类放大器;
| 型号： | TAS2781 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 具有集成式音频处理和扬声器保护的 25W、4.5V 至 23V 数字输入 D 类放大器 放大器 |
| 文件： | 总90页 (文件大小：2939K) |
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TAS2781
ZHCSQZ6A –JULY 2022 –REVISED NOVEMBER 2022
TAS2781 具有实时集成式扬声器保护和
音频处理功能的23V D 类放大器
• 热折返
• 后置滤波器反馈和压摆率控制
1 特性
关键特性
2 应用
• 用于音频处理的集成式DSP
• 适用于D 类输出级的23V 电源
• Y 桥多级电源架构
• Hybrid-Pro 外部升压控制算法
• 超声波输出支持高达40kHz 频率
• 笔记本电脑和台式机
• 智能扬声器
• 平板电脑和手持设备
• 无线扬声器
3 说明
输出功率：
TAS2781 是一款单声道、数字输入 D 类音频放大器，
专为将高峰值功率高效率驱动到扬声器进行了优化。D
类放大器在 18V 电源电压下可向 4Ω 负载提供 25W
的连续功率，且 THD+N 小于 1%。宽输入电压范围和
高输出功率使该放大器具有出色的通用性，能够与电池
或线路供电系统搭配使用。
• 25W，1% THD+N（4Ω，18V）
• 30W 最大输出功率，10% THD+N
效率(1% THDN) 和功耗
• 1W、4Ω、PVDDH = 12V、PVDDL = 3.8V 时为
82%
• 1W、8Ω、PVDDH = 18V、PVDDL = 5V 时为
片上 DSP 支持德州仪器 (TI) 的智能放大器扬声器保护
算法。集成式扬声器电压和电流检测可实时监控扬声
器。
83%
• 1W、4Ω、PVDDH = 18V、PVDDL = 5V 时为
84%
• 15W、4Ω、PVDDH = 18V、PVDDL = 5V 时为
Y 桥电源架构可通过在内部选择电源来实现理想余量，
从而提高放大器效率。具有可调整阈值的欠压预防方案
能够在电源出现压降时减少信号路径中的增益。
90%
• 15W、8Ω、PVDDH = 18V、PVDDL = 5V 时为
93%
• 硬件关断模式下电流低于0.5μA
Hybrid-Pro 算法允许用户通过控制外部电源来优化效
率并延长电池寿命。
电源和管理：
• AVDD：1.8V
• IOVDD：1.8V/3.3V
• PVDDL：2.7V 至5.5V
• PVDDH：4.5 V 至23 V
多达八个 TAS2781 器件可通过 I2S/TDM 和I2C/SPI 接
口共用一根公共总线。
TAS2781 器件采用 30 引脚 HR-QFN 封装，可实现紧
凑的PCB 尺寸。
器件信息(1)
接口和控制：
封装尺寸（标称值）
器件型号
封装
• 用于回声消除的SDOUT
• I2S/TDM：8 个通道（32 位），运行速率达
192KSPS
• 具有超快速模式的I2C 接口或SPI 接口
• 芯片间通信总线
TAS2781
HR QFN
4mm x 3.5mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
• 16 kHz 至192kHz 采样率
高级DSP 音频处理：
• 针对扬声器保护的实时IV 检测
• 动态范围压缩机
• 带功率限制器的欠压保护
• 多通道平衡通信
保护和EMI：
• 过功率和低电池电量保护
• PVDDH/PVDDL 电源跟踪限制器
• 热保护和过流保护
原理图
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SLOSE86
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值...........................................................4
6.2 ESD 等级.................................................................... 5
6.3 建议运行条件.............................................................. 5
6.4 热性能信息..................................................................5
6.5 电气特性......................................................................5
6.6 I2C 时序要求..............................................................11
6.7 TDM 端口时序要求....................................................12
6.8 SPI 时序要求.............................................................13
6.9 典型特性....................................................................14
7 参数测量信息...................................................................18
8 详细说明.......................................................................... 18
8.1 概述...........................................................................18
8.2 功能模块图................................................................19
8.3 特性说明....................................................................19
8.4 器件功能模式............................................................ 20
8.5 工作模式....................................................................30
8.6 TAS2781 中的故障和状态.........................................31
8.7 电源时序要求............................................................ 33
8.8 数字输入下拉............................................................ 33
8.9 寄存器映射................................................................33
8.10 SDOUT 公式........................................................... 67
9 应用和实现.......................................................................68
9.1 应用信息....................................................................68
9.2 典型应用....................................................................68
9.3 设计要求....................................................................70
9.4 详细设计过程............................................................ 70
9.5 应用曲线....................................................................71
10 初始化设置.....................................................................72
10.1 初始器件配置- 上电和软件复位..............................72
10.2 初始器件配置- PWR_MODE0................................72
10.3 初始器件配置- PWR_MODE1................................73
10.4 初始器件配置- PWR_MODE2................................73
10.5 初始器件配置- PWR_MODE3................................74
11 电源相关建议................................................................. 75
11.1 电源模式..................................................................75
12 布局............................................................................... 76
12.1 布局指南..................................................................76
12.2 布局示例..................................................................76
13 器件和文档支持............................................................. 78
13.1 接收文档更新通知................................................... 78
13.2 社区资源..................................................................78
13.3 商标.........................................................................78
14 机械、封装和可订购信息...............................................79
14.1 封装选项附录.......................................................... 80
14.2 卷带封装信息.......................................................... 81
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision * (July 2022) to Revision A (November 2022)
Page
• 将器件状态从“预告信息”更改为“量产数据”................................................................................................ 1
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5 引脚配置和功能
图5-1. 封装30 引脚HR-QFN 底视图
表5-1. 引脚功能
引脚
I/O
说明
名称
编号
地址检测引脚。此引脚处的电阻器值选择I2C 地址。请参阅节8.3.2。
模拟电源输入。连接至1.8 V 电源，并使用电容器去耦至GND。
D 类负自举。在BSTN 和OUTN 之间连接一个电容器。
D 类正自举。在BSTP 和OUTP 之间连接一个电容器。
ADDR
23
I
AVDD
BSTN
BSTP
24
30
4
P
P
P
器件基板接地。连接至PCB 接地平面。避免在这个引脚和GND 引脚之间使用任何公共路由
电感。
DGND
25
P
DREG
FSYNC
GND
10
14
7
P
I
数字内核稳压器输出。使用一个电容器旁路至GND。不要连接至外部负载。
帧同步时钟。
P
IO
P
模拟接地。连接至PCB 接地平面。
ICC
6
芯片间通信引脚用于传输增益调整。不使用时连接至GND。
数字IO 电源。连接至1.8 V 或3.3 V IO 电源，并使用电容器去耦至GND。
IOVDD
20
开漏、低电平有效、中断引脚。如果未使用可选内部上拉电阻，则使用电阻器上拉至
IOVDD。
IRQZ
21
O
MODE
NC
26
16
I
外部配置定义了运行模式。
-
连接至GND。
I2C 模式：NC = 连接至GND，
SPI 模式： 时钟引脚。
I2C 模式：NC = 连接至GND，
SPI 模式： 串行数据输出引脚。
NC_SCLK
NC_SDO
9
8
I
O
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表5-1. 引脚功能(continued)
引脚
I/O
说明
名称
编号
NC_V1P8V = 当不使用ICC 和不需要SPI 接口时，连接到GND，
NC_V1P8V = 当使用ICC 和需要SPI 接口时，连接至1.8V 电源，
NC_V1P8V
17
P
OUTN
29
3
O
O
P
P
P
O
I
D 类负输出。
OUTP
D 类正输出。
PGND
2
D 类接地。连接至PCB 接地平面。
D 类电源输入。使用电容器去耦。
单节电池电源输入。使用电容器去耦。
用于外部升压转换器的控制引脚。
TDM 串行位时钟。
PVDDH
PVDDL
PWM_CTRL
SBCLK
28
27
11
15
I2C 模式：时钟引脚；使用电阻器上拉至IOVDD。
SPI 模式：低电平有效芯片选择引脚。
I2C 模式：数据引脚；使用电阻器上拉至IOVDD。
SPI 模式：串行数据输入引脚。
SCL_nSCS
SDA_SDI
18
19
I
IO
SDIN
13
12
22
1
I
IO
I
TDM 串行数据输入。
SDOUT
SDZ
TDM 串行数据输出。
低电平有效硬件关断。
VSNSN
VSNSP
I
电压检测负输入。连接至D 类负输出或在铁氧体磁珠滤波器之后。
电压检测正输入。连接至D 类正输出或在铁氧体磁珠滤波器之后。
5
I
6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
最大值
单位
V
AVDD
2
5
电源电压
IOVDD
V
NC_V1P8V
PVDDH
2
V
26
6
V
PVDDL
V
PVDDH - PVDDL
内部电源电压
22
1.5
V
DREG
V
SBLK、FSYNK、SDIN、SDOUT、IRQZ、SDA_SDI、
SCL_nSCS、PWM_CTRL、SDZ
IO 电压(2)
IO 电压(2)
-0.3
5
V
-0.3
-40
-20
-40
-65
2
V
NC_SCLK、NC_SDO、ICC、ADDR
85
°C
°C
°C
°C
自然通风条件下的工作温度范围，TA；器件功能正常且可靠，某些性能特征可能会降级。
70
自然通风条件下的性能稳定温度范围，TP；可实现所有性能特征。
150
150
运行结温，TJ
贮存温度，Tstg
(1) 应力超出节6.1 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值，这并不表示器件在这些条件下以及在节6.3
以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 所有数字输入和IO 都具有失效防护功能。
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6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)
充电器件模型(CDM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准(2)
±2000
V(ESD）
V
静电放电
±500
(1) JEDEC 文档JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
6.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
1.65
3
标称值
1.8
最大值
1.95
3.6
单位
AVDD
V
电源电压
电源电压
3.3
IOVDD
V
V
V
1.65
1.8
1.95
NC_V1P8V
1.65
3(2)
4.5
2.7
3.5
3.2
5
1.8
1.95
23
ICC 引脚的电源电压
电源电压（功能）(1)
电源电压（性能）
电源电压（功能）(1)
电源电压（性能）
扬声器阻抗
PVDDH
PVDDL
23
5.5
5.5
V
RSPK
LSPK
Ω
µH
扬声器电感
(1) 器件将保持正常运行，但性能会下降。
(2) PVDDH>PVDDL-0.7V。
6.4 热性能信息
HR_QFN
热指标(1)
单位
30 引脚
44.2
22.4
12.3
0.6
RθJA
RθJC(top)
RθJB
ψJT
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
12.1
ψJB
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告，SPRA953。
6.5 电气特性
TA = 25°C，PVDDH = 18V，PVDDL= 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说明）。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
数字输入和输出
VIH
0.7xIOVDD
V
V
V
V
SBLK、FSYNC、SDIN、SCL_nSCS、SDA_SDI
高电平数字输入逻辑电压阈值
低电平数字输入逻辑电压阈值
高电平数字输入逻辑电压阈值
低电平数字输入逻辑电压阈值
0.3 x
IOVDD
VIL
SBLK、FSYNC、SDIN、SCL_nSCS、SDA_SDI
VIH(SDZ)
VIL(SDZ)
SDZ
SDZ
0.7xAVDD
0.3 x
AVDD
0.7xNC_V1P
8V
VIH(1P8V)
VIL(1P8V)
VOH
V
V
V
ICC、NC_SCLK
高电平数字输入逻辑电压阈值
低电平数字输入逻辑电压阈值
高电平数字输出电压
0.3 x
NC_V1P8
V
ICC、NC_SCLK
IOVDD–
0.2V
SDOUT；IOH = 100µA。
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TA = 25°C，PVDDH = 18V，PVDDL= 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说明）。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
VOL
0.2
V
SDOUT；IOH = 100µA。
SDA_SDI；IOL = -1mA。
低电平数字输出电压
0.2 x
IOVDD
2
VOL(I C)
VOH(1P8V)
VOL(1P8V)
IIH
V
V
低电平数字输出电压
高电平数字输出电压
低电平数字输出电压
0.8xNC_V1P
8V
NC_SDO
NC_SDO
0.2xNC_
V1P8V
V
数字输入的输入逻辑高电平泄
漏电流
-1
1
1
µA
µA
所有数字引脚；输入= 电源轨。
数字输入的输入逻辑低电平泄
漏电流
IIL
所有数字引脚；输入= GND。
–1
CIN
5
pF
数字输入的输入电容
所有数字引脚
RPD
ROS
18
10
置位时IO 引脚的下拉电阻
OUT 至VSNS 电阻器
kΩ，
kΩ，
负载已断开
IO
8
mA
在0.4V（低于电源电压）和0.4V（高于GND）时测得。
输出电流强度
放大器性能
THD+N = 10%，PWR_MODE0(1)，PWR_MODE1(2)
30
25
峰值输出功率
POUT
W
THD+N = 1%，PVDDL = 5V，PWR_MODE0，
PWR_MODE1
最大持续输出功率
POUT = 1W，PVDDL = 5V，PWR_MODE1
POUT = 1W，PVDDL = 5V，PWR_MODE0
84
79
POUT = 3W，PVDDL = 5V，PWR_MODE0 和
%
系统效率
85
88
PWR_MODE1
POUT = 8W，PVDDL = 5V，PWR_MODE0 和
PWR_MODE1
POUT = 1W，fin = 1 kHz
-84
-84
-83
42
THD+N
IMD
dB
dB
总谐波失真和噪声
互调失真
POUT = 1W，fin = 6.667kHz
ITU-R，19kHz/20kHz，1:1：12.5W
A 加权，20Hz - 20kHz，PWR_MODE0
A 加权，20Hz - 20kHz，PWR_MODE2(3)
A 加权，20Hz - 20kHz，PWR_MODE1
34
空闲声道噪声
32
VN
µV
带有超声波线性调频脉冲的空
闲声道噪声（100us 占空比，
25ms 周期）
A 加权，20Hz - 20kHz，PWR_MODE3(4)，1VPeak，寄存器
0x73 设为E0h
34
384
384
展频模式下的平均频率，CLASSD_SYNC=0
固定频率模式，CLASSD_SYNC=0
FPWM
kHz
D 类PWM 开关频率
固定频率模式，CLASSD_SYNC=1，fs = 44.1kHz 和
88.2kHz
352.8
384
±0.3
110
109
109
110
110
109
0.8
21
固定频率模式，CLASSD_SYNC=1，fs = 48kHz 和96kHz
空闲模式
VOS
-1.3
1.3
mV
dB
输出失调电压
动态范围
A 加权，-60dBFS
DNR
A 加权，-60dBFS，PWR_MODE2
A 加权，-60dBFS，PWR_MODE0
A 加权，以1% THD+N 输出电平为基准
A 加权，以1% THD+N 输出电平为基准，PWR_MODE2(1)
A 加权，以1% THD+N 输出电平为基准，PWR_MODE0
空闲模式，进入和退出关断模式，A 加权
fs ≤48kHz
SNR
KCP
dB
信噪比
mV
噗声与嘀哒声
dBV
满量程输出电压
最小可编程增益
最大可编程增益
可编程输出电平步长
11
fs ≤48kHz
dBV
dB
21
fs ≤48kHz
0.5
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TA = 25°C，PVDDH = 18V，PVDDL= 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说明）。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
108
dB
静音衰减
器件处于软件关断状态或在正常运行中静音
-1
1
µs
芯片间群延迟
PVDDH = 18V + 200mVpp，fripple = 217Hz
PVDDH = 18V + 200mVpp，fripple = 1kHz
PVDDH = 18V + 200mVpp，fripple = 20kHz
PVDDL = 5V + 200mVpp，fripple = 217Hz
PVDDL = 5V + 200mVpp，fripple = 1kHz
PVDDL = 5V + 200mVpp，fripple = 20kHz
AVDD= 1.8V + 200mVpp，fripple = 217Hz
AVDD = 1.8V + 200mVpp，fripple = 1kHz
AVDD = 1.8V + 200mVpp，fripple = 20kHz
PVDDH，217Hz，100mVpp，输入f = 1kHz @ 400mW
PVDDL，217Hz，100mVpp，输入f = 1kHz @ 400mW
AVDD，217Hz，100mVpp，输入f=1kHz @ 400mW
IOVDD 217Hz，100mVpp，输入f=1kHz @ 400mW
无音量斜坡
118
110
98
dB
dB
dB
PVDDH 交流电源抑制比
114
109
93
PVDDL 交流电源抑制比
AVDD 电源抑制比
105
103
88
-120
-120
-80
dB
电源互调
-117
1.13
6.73
0.56
6
从释放软件关断状态的开通时
间
ms
ms
音量斜坡
无音量斜坡
从开始软件关断到放大器高阻
态的关断时间
音量斜坡
退出硬件关断到首个I2C 命令
SDZ 超时
1
2
ms
ms
6
1
23.8
退出硬件关断
fs = 48ksps，DVC_RMP_RT[3:2] = 3h（禁用）。对于不同
采样率乘以48/fs。
ms
软件关断时的关断时间
fs = 48ksps，DVC_RMP_RT[3:2] = 0h（启用）。对于不同
采样率乘以48/fs。
12.5
内核温度
传感器
8
-40
150
1
分辨率
位
°C
°C
°C
°C
最小温度测量范围
最大温度测量范围
内核温度分辨率
内核温度精度
-5
5
电压
监测器
12
2
分辨率
位
最小电平
最大电平
V
PVDDH 测量范围
23
22.5
±60
2.3
6
mV
mV
PVDDH 分辨率
PVDDH 精度
2V ≤PVDDHV ≤23V
最小电平
V
PVDDL 测量范围
最大电平
20
mV
mV
PVDDL 分辨率
PVDDL 精度
±20
2.3V≤PVDDL ≤6V
TDM 串行音频端口
最小PCM 采样率和FSYNC
输入频率
14.7
192
kHz
最大PCM 采样率和FSYNC
输入频率
I2S/TDM 运行
I2S/TDM 运行
0.512
最小SBCLK 输入频率
最大SBCLK 输入频率
MHz
24.576
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TA = 25°C，PVDDH = 18V，PVDDL= 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说明）。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
0.5
RMS 抖动低于40kHz，能够耐受而不会降低性能
RMS 抖动高于40kHz，能够耐受而不会降低性能
ns
SBCLK 最大输入抖动
1
I2S 和TDM 模式下每个
FSYNC 的最小SBCLK 周期
数
其他值：24、32、48、64、96、125、128、192、250、
256、384、500
16
周期数
I2S 和TDM 模式下每个
FSYNC 的最大SBCLK 周期
数
其他值：24、32、48、64、96、125、128、192、250、
256、384、500
512
PCM 播放
特征fs ≤48kHz
14.7
48
最小采样率
fs
kHz
最大采样率
0.454
fs
通带频率满足纹波
通带纹波
-0.5
0.5
dB
20Hz 到LPF 截止频率
60
65
≥0.55 fs
dB
阻带衰减
≥1 fs
31
直流至0.454fs，禁用直流阻断器，禁用H 类
直流至0.454fs，禁用直流阻断器，启用H 类
1/fs
群延迟（包括噪声门）
221
PCM 播放
特征fs > 48kHz
88.2
192
最小采样率
fs
kHz
最大采样率
fs = 96kHz
0.437
0.459
fs
fs
通带波纹的频率
通带3db 频率
fs = 96kHz
-0.5
0.5
dB
DC 到LPF 截止频率
通带纹波
60
65
≥0.56 fs
dB
阻带衰减
≥1 fs
51
直流至0.375fs，禁用直流阻断器，禁用H 类
直流至0.375 fs，禁用直流阻断器，启用H 类
1/fs
群延迟（包括噪声门）
242
扬声器电流检测
分辨率
16
70
-61
5
位
dB
dB
A)
DNR
未加权，相对于0dBFS
动态范围
THD+N
Pout = 15W
总谐波失真和噪声
满量程输入电流
差分模式增益
频率响应
在-6dBFS 下测量。0dBFS 下重新调节。
Pout = 1W，使用40Hz - 40dBFS 导频音
20Hz - 20kHz
0.98
-0.1
1.02
0.1
dB
22
1/fs
组延迟
扬声器电压检测
分辨率
16
73
位
dB
DNR
未加权，相对于0dBFS
动态范围
THD+N
Pout = 15W
-68
16
dB
总谐波失真和噪声
满量程输入电压
差分模式增益
频率响应
VPK
0.98
-0.1
1.02
0.1
Pout = 1W，使用40Hz - 40dBFS 导频音
20Hz - 20kHz
dB
22
1/fs
组延迟
扬声器电压/电流检测之比
Pout ≥40mW 至0.1% THD+N，使用40Hz -40dBFS 导频
音，PWR_MODE0
-1
-1
1
1
%
%
增益线性度
Pout ≥80mW 至0.1% THD+N，使用40Hz -40dBFS 导频
音，PWR_MODE1
增益线性度
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TA = 25°C，PVDDH = 18V，PVDDL= 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说明）。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
±0.6
%
-20 °C 至70°C，Pout = 1W
不同温度下的增益误差
V 和I 之间的相位误差
300
ns
保护电路
BOP_SRC=1
400
145
1.5
µs
°C
s
首次启动的欠压保护延迟
热关断温度
OTE_RETRY=1
热关断重试
5.5
2
6.7
A)
A)
PVDDH 的输出过流限值
PVDDL 的输出过流限值
输出到输出、输出到GND 或输出到PVDDH 短路
输出到输出、输出到GND 或输出到PVDDL 短路
UVLO 被置位
2.6
2
V
V
PVDDL 欠压锁定阈值
AVDD 欠压锁定阈值
IOVDD 欠压锁定阈值
2.16
1.45
1.51
1.13
1.25
UVLO 被取消置位
UVLO 被置位
UVLO 被取消置位
UVLO 被置位
V
V
UVLO 被取消置位
PVDDL 内部LDO 欠压锁定阈
值
4.1
UVLO 被置位
H 类控制器
4.8
ms
采样率48kHz 和96kHz
展望时间
蜂鸣器引脚发生器
fIN
25.6
1.6
192
12
kHz
kHz
SDZ 引脚
输入PWM 信号频率
输入PWM 信号频率
fIN
NC_SCLK 引脚
典型电流消耗
SDZ = 0，PVDDH
0.05
0.01
0.14
0.005
0.05
0.5
SDZ = 0，PVDDL
µA
µA
硬件关断
软件关断
噪声门模式
SDZ = 0，AVDD
SDZ = 0，IOVDD
所有时钟均已停止，PVDDH
所有时钟均已停止，PVDDL
所有时钟均已停止，AVDD
所有时钟均已停止，IOVDD
10
0.52
fs = 48kHz，PVDDH
0.012
0.13
8.2
fs = 48kHz，PVDDL
mA
fs = 48kHz，AVDD
fs = 48kHz，IOVDD
0.01
0.04
2.2
fs = 48kHz，PVDDH
fs = 48kHz，PVDDL
15.5
11.8
0.02
3
fs = 48kHz，AVDD，IV 检测= 启用
fs = 48kHz，AVDD，IV 检测= 禁用
fs = 48kHz，IOVDD
mA
mA
空闲模式- PWR_MODE1
空闲模式- PWR_MODE2
fs = 48kHz，PVDDH
15.5
11.8
0.02
fs = 48kHz，AVDD，IV 检测= 启用
fs = 48kHz，AVDD，IV 检测= 禁用
fs = 48kHz，IOVDD
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TA = 25°C，PVDDH = 18V，PVDDL= 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说明）。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
fs = 48kHz，PVDDH
fs = 48kHz，PVDDL
2.3
2.1
15.5
11.8
0.02
fs = 48kHz，AVDD，IV 检测= 启用
fs = 48kHz，AVDD，IV 检测= 禁用
fs = 48kHz，IOVDD
mA
空闲模式- PWR_MODE0
(1) PWR_MODE0：CDS_MODE=10，PVDDL_MODE=0
(2) PWR_MODE1：CDS_MODE=00，PVDDL_MODE=0
(3) PWR_MODE2：CDS_MODE=11，PVDDL_MODE=1
(4) PWR_MODE3：CDS_MODE=01，PVDDL_MODE=0
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6.6 I2C 时序要求
TA = 25°C，IOVDD = 1.8V（除非另有说明）
最小值
最大值
单位
标准模式
fSCL
0
4
100
kHz
SCL 时钟频率
tHD;STA
tLOW
tHIGH
tSU;STA
tHD;DAT
tSU;DAT
tr
（重复）START 条件后的保持时间。在此时间段之后，生成第一个时钟脉冲。
SCL 时钟的低电平周期
μs
μs
μs
μs
μs
ns
4.7
4
SCL 时钟的高电平周期
4.7
重复START 条件的建立时间
数据保持时间：对于I2C 总线器件
数据建立时间
3.45
250
1000
300
ns
SDA 和SCL 上升时间
tf
ns
SDA 和SCL 下降时间
tSU;STO
tBUF
4
STOP 条件的建立时间
μs
μs
pF
4.7
STOP 与START 状态之间的总线空闲时间
每个总线的容性负载
Cb
400
400
快速模式
fSCL
0
kHz
SCL 时钟频率
tHD;STA
tLOW
0.6
1.3
0.6
0.6
0
（重复）START 条件后的保持时间。在此时间段之后，生成第一个时钟脉冲。
SCL 时钟的低电平周期
μs
μs
μs
μs
μs
ns
tHIGH
SCL 时钟的高电平周期
tSU;STA
tHD;DAT
tSU;DAT
重复START 条件的建立时间
数据保持时间：对于I2C 总线器件
数据建立时间
0.9
100
20 + 0.1 ×
Cb[pF]
tr
tf
300
300
ns
ns
SDA 和SCL 上升时间
SDA 和SCL 下降时间
20 + 0.1 ×
Cb[pF]
tSU;STO
tBUF
0.6
1.3
STOP 条件的建立时间
μs
μs
pF
STOP 与START 状态之间的总线空闲时间
每个总线的容性负载（10pF 至400pF）
Cb
400
超快速模式
fSCL
1000
kHz
SCL 时钟频率
tHD;STA
tLOW
tHIGH
tSU;STA
tHD;DAT
tSU;DAT
tr
0.26
0.5
0.26
0.26
0
（重复）START 条件后的保持时间。在此时间段之后，生成第一个时钟脉冲。
SCL 时钟的低电平周期
μs
μs
μs
μs
μs
ns
SCL 时钟的高电平周期
重复START 条件的建立时间
数据保持时间：对于I2C 总线器件
数据建立时间
50
120
120
ns
SDA 和SCL 上升时间
tf
ns
SDA 和SCL 下降时间
tSU;STO
tBUF
0.26
0.5
STOP 条件的建立时间
μs
μs
pF
STOP 与START 状态之间的总线空闲时间
每个总线的容性负载
Cb
550
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SDA
tBUF
tLOW
th(STA)
tr
SCL
th(STA)
STA
th(DAT)
tHIGH
tsu(STA)
tsu(STO)
STO
tf
tsu(DAT)
STA
STO
图6-1. I2C 时序图
6.7 TDM 端口时序要求
TA = 25°C，IOVDD = NC_V1P8V = 1.8V，所有输出上20pF 负载（除非另有说明）
最小值
最大值
单位
tH(SBCLK)
20
20
8
ns
SBCLK 高电平周期
tL(SBCLK)
ns
ns
ns
ns
ns
SBCLK 低电平周期
tSU(FSYNC)
tHLD(FSYNC)
tSU(SDIN/ICC)
tHLD(SDIN/ICC)
FSYNC 设置时间
8
FSYNC 保持时间
8
SDIN/ICC 建立时间
8
SDIN/ICC 保持时间
SBCLK 到SDOUT/ICC SBCLK 的50% 至SDOUT/ICC 的
td(SBCLK_SDOUT/ICC)
30
ns
50%，IOVDD = 1.8V
延迟
tr(SBCLK)
tf(SBCLK)
8
8
ns
ns
SBCLK 上升时间
SBCLK 下降时间
10% - 90% 上升时间
90% - 10% 下降时间
图6-2. TDM 和ICC 时序图
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6.8 SPI 时序要求
TA = 25°C，NC_V1P8V = IOVDD = 1.8V
最小值
标称值
最大值
单位
tHI_nSCS
tSU_nSCS
tH_nSCS
tCLK
200
ns
低电平有效前的nSCS 最短高电平时间
nSCS 输入设置时间
nSCS 输入保持时间
SCLK 周期
60
60
60
30
30
10.5
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
tCLKH
SCL 脉冲宽度，高电平
SCLK 脉冲宽度，低电平
SDI 输入数据设置时间
SDI 输入数据保持时间
SDO 数据输出延迟
tCLKL
tSU_SDI
tH_SDI
tD_SDO
tDIS_nSCS
25
25
nSCS 禁用延迟
图6-3. SPI 时序图
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6.9 典型特性
测试条件为：TA = 250C，AVDD = 1.8V，IOVDD = 1.8V，fs = 48kHz，D 类开关频率 = 384kHz，输入信号 fIN
1kHz - 正弦，负载= 4Ω+ 15μH（除非另有说明）。
=
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
40
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
40
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图6-4. THD+N 与输出功率间的关系
图6-5. THD+N 与输出功率间的关系
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
40
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
40
fIN= 6.667kHz
PWR_MODE1
fIN= 6.667kHz
PWR_MODE0
图6-6. THD+N 与输出功率间的关系
图6-7. THD+N 与输出功率间的关系
-77
-65
PVDDL = 3.4 V, PVDDH = 4.5 V
PVDDL = 3.4 V, PVDDH = 4.5 V
-67
-69
-71
-73
-75
-77
-79
-81
-83
-85
-87
-89
-91
-93
-95
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 3.4 V, PVDDH = 21 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
PVDDL = 5.5 V, PVDDH = 23 V
-78
-79
-80
-81
-82
-83
10
100
1000
10K 20K
10
100
1000
10K 20K
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
POUT = 0.1W
PWR_MODE1
POUT = 1W
PWR_MODE1
图6-8. THD+N 与频率间的关系
图6-9. THD+N 与频率间的关系
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34
33.5
33
52
50
48
46
44
42
40
38
36
34
PVDDL = 3.8 V
PVDDH = 18 V
32.5
32
31.5
31
30.5
30
2.6
3
3.4
3.8
4.2
PVDDL (V)
4.6
5
5.4
5.8
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
PVDDH (V)
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图6-10. ICN 与PVDDL 间的关系
图6-11. ICN 与PVDDH 间的关系
6.08
6.06
6.04
6.02
6
6.05
6
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
5.95
5.9
5.98
5.96
5.94
5.85
5.8
5.92
20
5.75
100
1000
Frequency (Hz)
10K 20K
20
100
1000
Frequency (Hz)
10K 20K 40K
PWR_MODE3
POUT = 1W
PWR_MODE1
POUT = 1W
fs = 96kHz
图6-12. D 类振幅与频率间的关系
图6-13. D 类振幅与频率间的关系
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V, Fast Edge
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V, Slow Edge
0
0.02
0.1
1
10
25
0.02
0.1
1
10
25
POUT (W)
POUT (W)
PWR_MODE1
PWR_MODE1
图6-14. 效率与输出功率间的关系
图6-15. 效率与输出功率间的关系
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100
90
80
70
60
50
40
30
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
20
10
0
PVDDL = 3.8 V, PVDD = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDD = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDD = 21 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
0.02
0.1
1
10
25
0.02
0.1
1
10
25
POUT (W)
POUT (W)
PWR_MODE0
PWR_MODE1
负载= 8Ω
图6-16. 效率与输出功率间的关系
图6-17. 效率与输出功率间的关系
100
80
60
40
20
0
120
110
100
90
PDDL = 3.8 V, PDDH = 12 V
PDDL = 3.8 V, PDDH = 18 V
PDDL = 5 V, PDDH = 18 V
PDDL = 5 V, PDDH = 21 V
80
70
60
AVDD = 1.8 V, PVDDH = 18 V, PVDDL = 3.8 V
AVDD = 1.95 V, PVDDH = 21 V, PVDDL = 3.4 V
AVDD = 1.65 V, PVDDH = 23 V, PVDDL = 2.7 V
50
40
0.0002 0.001
0.01
0.1
1
10 20
20
100
1000
10K 20K
POUT (W)
Frequency (Hz)
PWR_MODE0
负载= 8Ω
PWR_MODE1
图6-18. 效率与输出功率间的关系
图6-19. AVDD PSRR 与频率间的关系
140
130
120
110
100
90
140
130
120
110
100
90
80
80
PVDDL = 3 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
70
70
60
60
20
100
1000
10K 20K
20
100
1000
10K 20K
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
PWR_MODE1
PWR_MODE1
图6-20. PVDDL PSRR 与频率间的关系
图6-21. PVDDH PSRR 与频率间的关系
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1.2
1
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
PVDDL = 3.4 V, PVDDH = 21 V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
-0.2
-0.4
-0.6
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
PVDDL = 3.4 V, PVDDH = 21 V
-0.8
0.02
0.1
1
10
35
0.02
0.1
1
10
25
POUT (W)
POUT (W)
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图6-22. V/I 增益线性度与输出功率间的关系
图6-23. V/I 增益线性度与输出功率间的关系
2
17
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
1.6
1.2
0.8
0.4
0
16.8
16.6
16.4
16.2
16
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
15.8
15.6
15.4
15.2
15
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
1.6
1.65
1.7
1.75
1.8
1.85
1.9
1.95
2
Temperature (C)
AVDD (V)
POUT = 1W
PWR_MODE1
PWR_MODE1
图6-24. V/I 增益线性度与温度间的关系
图6-25. AVDD 空闲电流与AVDD 间的关系
5
2.6
4.5
4
2.4
2.2
2
3.5
3
1.8
1.6
1.4
1.2
1
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0.8
2.7
3
3.3 3.6 3.9 4.2 4.5 4.8 5.1 5.4 5.7
PVDDL (V)
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
PVDDH (V)
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图6-26. PVDDL 空闲电流与PVDDL 间的关系
图6-27. PVDDH 空闲电流与PVDDH 间的关系
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7 参数测量信息
该器件的典型特性是使用工作台评估模块 (EVM) 和音频精密分析仪进行测量。使用 PSIA 接口以允许 I2S 接口直
接驱动至音频精密分析仪。
在某些测量（THD+N、ICN、DNR 等）中，D 级输出端子通过差分至单端(D2S) 滤波器连接至音频精密分析仪模
拟输入，如下所示。D2S 滤波器包含一个 120kHz 的二阶无源极和一个仪表放大器。D2S 滤波器确保 TAS2781
高性能 D 类放大器在处理之前对其输出进行滤波和缓冲。这可以防止由于 D 类输出上的 AUX-00XX 滤波器的负
载影响而出现测量误差。
图7-1. 差分到单端(D2S) 滤波器
8 详细说明
8.1 概述
TAS2781 是一个单声道数字输入D 类放大器，为注重高效电池供电和小解决方案尺寸的应用而优化。它将扬声器
IV（电流/电压）检测和电池跟踪限制与欠压保护功能整合在一起。该器件使用 TDM/I2S 和 I2C（或 SPI）接口运
行。
TAS2781 提供了Hybrid-Pro 算法，用于控制外部升压转换器以延长电池寿命。
表8-1. 满标度
输入/输出信号
满标度值
21dBV
23V
D 类输出
电压监测器
电流检测
5A
16Vpk
电压检测
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8.2 功能模块图
8.3 特性说明
8.3.1 模式选择
TAS2781 具有两种工作模式，可根据引脚26 (MODE) 的设置进行选择- 具体请参见下表。
表8-2. TAS2781 控制接口
放大器模式
智能放大器
智能放大器
控制接口
I2C
引脚26 (MODE)
连接到GND
SPI
470Ω至GND
8.3.2 器件地址选择
TAS2781 使用 TDM/I2S 接口工作。音频输入和输出通过 FSYNC、SBCLK、SDIN 和 SDOUT 引脚以 I2S、左对
齐和 TDM 等格式提供。使用 I2C 协议（MODE 引脚连接到 GND）或 SPI 协议（MODE 引脚通过 470 欧姆连接
到GND）提供配置和状态。
下表说明了如何配置器件的 I2C 地址。外设地址左移一位，R/W 位设置为 0（例如，{ADDR[6:0],1b0}）。必须使
用容差优于5% 的电阻器来设置地址配置。
表8-3. I2C 地址选择
I2C 地址
0x70
0x72
0x74
0x76
0x78
0x7A
0x7C
0x7E
ADDR 引脚
短接至
GND
470Ω至
GND
470Ω至
AVDD
2.2kΩ 至
GND
2.2kΩ 至
AVDD
10kΩ 至
GND
10kΩ 至
AVDD
短接至AVDD
TAS2781 具有全局7 位I2C 地址0x80。无论ADDR 引脚设置如何，当节8.9.8 中寄存器的 I2C_GLB_EN 位设为
高电平时，器件将响应此地址的I2C 命令。这可以在使用多个 TAS2781 器件并在所有器件上对类似设置进行编程
时，用于加快器件配置。由于在多器件写入期间，多个器件均响应 I2C 命令，因此无法使用 I2C ACK/NACK。应
使用 I2C CRC 功能确保每个器件正确接收 I2C 命令。使用全局地址完成对多个器件的写入后，应根据本地地址检
查每个器件上 I2C_CKSUM 寄存器的 CRC 值是否正确。 全局 I2C 地址可以使用 I2C_GBL_EN 寄存器位来禁
用。当释放 SDZ 引脚时，通过自动采样 ADDR 引脚来检测 I2C 地址。此外，上电后可以通过将I2C_AD_DET 寄
存器位设置为高电平来重新检测地址，并且将对ADDR 引脚重新采样。
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8.3.3 SPI 接口
当引脚26 (MODE) 通过470Ω电阻器连接到GND 时，TAS2781 具有1.8 V SPI 接口。
该器件的引脚17 (NC_V1P8) 需要连接到1.8V 电源。
主机控制器应使用 CPHA=1 和CPOL=0 的模式。TAS2781 SPI 逻辑块在 SPI 时钟的下降沿对SPI 输入数据进行
采样，并在SPI 时钟的上升沿传输SPI 输出数据。
8.3.4 寄存器组织
使用页和簿方案存储器件配置和系数。每页包含 128 个字节，每个簿包含 256 页。所有器件配置寄存器都存储在
簿0 中，这是上电时和软件复位后的默认设置。簿和页可以通过节8.9.70 中寄存器的 BOOK[7:0] 位和节8.9.1 中
寄存器的PAGE[7:0] 位进行设置。
备注
从簿 0x00 页 0x04、0x05、0x06、0x08 和 0x0A 对寄存器位编程需要以四个寄存器为一组（32 位格
式）进行，每个字节对应一个8 位寄存器，最低有效字节对应于最高寄存器地址。例如，当在节8.9.88
的寄存器中对限制器最大阈值编程时，MSB 将在寄存器0x10 中，而LSB 在寄存器0x13 中。
8.4 器件功能模式
8.4.1 TDM 串行音频端口
TAS2781 提供灵活的 TDM 串行音频端口。该端口可配置为支持多种格式，包括立体声 I2S、左对齐和 TDM。通
过 SDIN 引脚提供单音频播放。SDOUT 引脚用于传输样本流，包括 PVDDL 电压、PVDDH 电压、内核温度、状
态以及用于回声消除的音频。
默认情况下，TAS2781 会自动检测 PCM 播放采样率 (AUTO_RATE= 0)。此功能可以通过将节 8.9.9 中寄存器的
AUTO_RATE 位设为高电平来禁用和手动配置。
TDM 串行音频端口有效的SBCLK 与FSYNC 之比显示在节8.9.55 的寄存器中。器件会自动检测时隙数，无需编
程。
当
AUTO_RATE 寄存器位为高电平时（ 禁用 TDM 采样率自动检测） ， SAMP_RATE[2:0] 和
SBLK_FS_RATIO[5:0] 寄存器位用于配置 PCM 音频采样率。TAS2781 采用强大的时钟故障检测引擎，如果
FSYNC 与配置的采样率不匹配（如果 AUTO_RATE = 1）或 SBCLK 与 FSYNC 之比不受支持，该引擎将自动降
低播放路径的音量（尽可能地减少可闻失真）。一旦检测到时钟在频率和比率上均有效，器件会自动将播放路径
的音量缓慢上升回配置的音量并恢复播放。
使用自动速率检测时，在 TDM 总线上检测到的采样率和 SBCLK 与 FSYNC 之比会报告给节 8.9.59 和节 8.9.61
中寄存器的只读位FS_RATIO[5:0] 和FS_RATE[2:0]。
帧以 FSYNC 从高电平转换到低电平或从低电平转换到高电平（由 FRAME_START 寄存器位设置）开始。
FSYNC 和 SDIN 由 SBCLK 使用上升沿或下降沿（由 RX_EDGE 寄存器位设置）进行采样。RX_OFF[4:0] 寄存
器位定义从 FSYNC 转换到时隙 0 开始的 SBCLK 周期数。这通常设置为值 0（对于左对齐）和 1（对于 I2S 格
式）。
RX_SLEN[1:0] 寄存器位将 RX 时隙的长度设置为 16、24 或 32（默认）位。时隙内音频样本字的长度由
RX_WLEN[1:0] 寄存器位配置。默认情况下，RX 端口将使时隙内的音频样本左对齐，但这可以通过 RX_JSTF 寄
存器位更改为右对齐。TAS2781 支持单声道和立体声下混音播放([L+R]/2)。默认情况下，器件将从等于 I2C 基地
址偏移量（由 ADDR 引脚设置）的时隙播放单声道。RX_SCFG[1:0] 寄存器位可用于将播放源覆盖到左时隙、右
时隙或由RX_SLOT_R[3:0] 和RX_SLOT_L[3:0] 寄存器位设置的立体声下混频。
如果时隙选择将接收部分或全部置于帧边界之外，则接收器将返回一个空样本，相当于一个数字静音样本。
TDM 端口可以在 SDOUT 引脚上传输多个样本流：扬声器电压检测、扬声器电流检测、中断和状态、PVDDH 电
压和内核温度。
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SBCLK 的上升沿或下降沿均可用于在 SDOUT 引脚上传输数据。这可以通过设置 TX_EDGE 寄存器位来配置。
TX_OFF[2:0] 寄存器位定义从帧开始到时隙0 开始的SBCLK 周期数。这通常编程为值 0（对于左对齐）和1（对
于 I2S 格式）。TDM TX 可以发送逻辑 0 或高阻态，具体取决于 TX_FILL 寄存器位的设置。当所有器件都驱动高
阻态时，可选的总线保持器将弱保持 SDOUT 引脚的状态。由于 SDOUT 上只需要一个总线保持器，因此可以通
过 TX_KEEPEN 寄存器位禁用此功能。使用 TX_KEEPLN 寄存器位可以将总线保持器配置为仅将总线保持 1 个
LSB 或始终保持（永久）。此外，可以使用 TX_KEEPCY 寄存器位将保持器 LSB 驱动一个完整周期或半个周
期。
TX_FILL 用于 I2S 总线上只有一个放大器的单声道系统。当 TX_FILL 设置为低电平时，放大器未使用的所有时隙
都将用零填充。提及的TX 位在节8.9.13 的寄存器中。
当多个器件位于同一 I2S 总线上时，页 0x01 的 SDOUT_HIZ 寄存器会非常有用。每个器件都不知道总线上其他
器件的时隙配置。需要在系统级别对 SDOUT_HIZ 寄存器进行适当的编程，以确保正确完成设置并且不会在内部
和外部产生任何争用。
默认情况下，电流和电压值以完整的16 位测量值进行传输。节8.9.11 中寄存器的 IVMON_EN[1:0] 位可用于在一
个时隙中仅传输 8 个 MSB 位或跨多个时隙传输 12 个 MSB 位值。当主机处理器只能处理 24 位 I2S/TDM 数据
时，使用特殊的 12 位模式。该器件应配置为将电压检测时隙和电流检测时隙关闭 1 个时隙，并将消耗 3 个连续
的 8 位时隙。在这种模式下，器件将发送前 12 个 MSB 位，然后发送由前一个时隙指定的接下来的 12 个 MSB
位。
如果时隙选择将传输置于帧边界之外，则发送器将在帧边界截断传输。
SAR 测量的时隙（PVDDL、PVDDH 和温度）使用 SAR_DATA_SLOT[5:0] 寄存器位设置。若要启用样本流，寄
存器位SAR_DATA_TX 必须设为高电平。时隙长度由节8.9.16 中寄存器的位SAR_DATA_SL 进行选择。
对于 TDM 最终处理的音频时隙，使能和长度设置使用 AUDIO_SLOT[5:0]、AUDIO_TX 和 AUDIO_SLEN 寄存器
位。
有关时隙状态的信息可以在STATUS_SLOT[5:0] 寄存器位中找到。将STATUS_TX 寄存器位设置为高电平会启用
状态发送。
8.4.2 播放信号路径
8.4.2.1 数字信号处理器
片上低延迟DSP 支持德州仪器(TI) 的智能放大器扬声器保护算法，能够在维持扬声器处于安全状态的同时，尽可
能提高扬声器的音量。
DSP 还具有频段均衡器、立体声平衡、超声波，以及用于H 类放大器操作的外部升压控制器。
8.4.2.2 高通滤波器
音频播放信号中直流和低频成分过多会损坏扬声器。TAS2781 采用高通滤波器 (HPF) 来防止 PCM 播放路径发生
这种情况。HPF_FREQ_PB[2:0] 寄存器位会设置 HPF 的转折频率。通过将寄存器位设置为 3'b000，为该滤波器
设置旁路。
8.4.2.3 放大器反转
TAS2781 将向 OUT_P 和 OUT_N 引脚输出非反相信号。通过将 AMP_INV 寄存器位设置为高电平，可以生成与
数字输入值反相的输出。
8.4.2.4 数字音量控制和放大器输出电平
通过设置放大器输出电平和数字音量控制(DVC) 来控制从音频输入到扬声器端子的增益。
使用AMP_LVL[4:0] 寄存器位可对放大器输出电平设置进行编程。放大器电平显示在节8.9.4 的寄存器中。数字音
量控制 (DVC) 默认设置为 0dB。应该注意的是，由于放大器中存在模拟削波，这些电平可能无法实现，因此它们
只能用于传达增益。
公式(1) 用于计算放大器输出电压：
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VAMP= INPUT+ADVC+AAMP
(1)
其中
• VAMP 是以dBV 为单位的放大器输出电压
• INPUT 是相对于0dBFS 的数字输入振幅，以dB 为单位
• ADVC 是数字音量控制设置值，以dB 为单位
• AAMP 是放大器输出电平设置值，以dBV 为单位
通过设置 DVC_LVL[7:0] 寄存器位，DVC 可配置为 0dB 到 -100dB，步长为 0.5dB。大于 C8h 的设置值视作静
音。当数字音量控制发生变化时，器件会根据节 8.9.87 中 DVC_SLEW[31:0] 寄存器位的状态将音量斜升到新的
设置。节8.9.8 中寄存器的DVC_RMP_RT[1:0] 位可启用或禁用音量斜坡控制
D 类放大器采用闭环架构。公式(2) 给出了输出信号削波的近似阈值。
(2)
其中：
• VPK 是最大峰值未削波输出电压（单位为V）
• VSUP 是D 类输出级的电源
• RL 是扬声器负载（单位为Ω）
• RP 是PCB（路由、滤波器）上的寄生电阻（单位为Ω）
• RFET 是功率级总电阻（HS FET、LS FET、检测电阻、键合、封装），单位为Ω
当PVDDL 提供D 类输出级时，RFET 的典型值为0.5Ω。采用PVDDH 电源时，RFET 的典型值为0.25Ω。
8.4.2.5 PVDDL 电源
TAS2781 可在（也可以不在）PVDDL 电源下工作。在没有 PVDDL 电源的情况下进行配置时，PVDDH 电压将与
内部 LDO 一同使用来生成该电源电压。去耦电容仍应按照表9-1 中的建议进行安装。在本例中，从软件关闭模式
转换之前，PVDDL_MODE 位应设置为高电平。有关PVDDL 电源工作模式的更多详细信息，请参见节11.1。
8.4.2.6 Y - 桥
TAS2781 D 类输出使用 Y 桥配置来提高播放期间的效率。LVS (节 8.4.2.7) 在内部用于在 PVDDH 和 PVDDL 电
源之间进行选择。当 PVDDH 和 PVDDL 都提供给器件时，通过将 CDS_MODE[1:0] 位设置为 2'b00 来启用此功
能。如果未配置为 Y 桥模式，即使发生削波，该器件也将仅使用选定的 D 类输出电源。该器件可以仅使用
PVDDH 来提供 D 类输出。在此配置中，PVDDL 可以由外部电源提供（寄存器位 PVDDL_MODE=0）或由内部
LDO 生成（寄存器位 PVDDL_MODE[7]=1）。在这种情况下，CDS_MODE[7:6] 位应设置为 2'b10。在 PVDDL
上具有低功耗的 TAS2781 Y 桥仅可用于在接近空闲时以非常低的功率切换到 PVDDL 电源轨。这将减少接近空闲
时的D 类输出摆幅，并限制PVDDL 电源的电流要求。对于此模式，将CDS_MODE[7:6] 寄存器设置为2'b11。
有关对电源工作模式进行编程的详细信息，请参阅节11.1。
由节 8.4.2.7 确定的 D 类电源的变化（PVDDL 到 PVDDH）相对于输入信号交叉阈值有延迟，可以使用节 8.9.60
中寄存器的CDS_DLY[1:0] 位对其进行编程。
在 Y 桥模式下，如果 PVDDH 降至低于 (PVDDL + 2.5V) 电平，那么 Y 桥将停止在电源之间切换，并保持在
PVDDH 电源上。
8.4.2.7 低压信号传输(LVS)
TAS2781 是一种与 D 类输出级的 Y 桥配置相关的机制，用于监控音频流的绝对值和选择合适的电源（PVDDH 或
PVDDL）。
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当信号最初高于编程的 LVS 阈值时，D 类由 PVDDH 电源轨供电。如果信号电平降至低于该阈值的时间超过由
LVS_HYS[3:0] 寄存器位定义的迟滞时间，则D 类电源将切换到PVDDL。如果信号恢复到初始电平，D 类电源将
切换回PVDDH。
默认情况下，LVS 阈值配置为与 PVDDL 电压相关的值 (LVS_DET = 1)。使用 LVS_RTH[3:0] 寄存器位来设置阈
值（默认= 0.7V）。
如果将LVS_DET 位设置为低电平，则会将LVS 阈值强制为由LVS_FTH[4:0] 寄存器位定义的固定值。
LVS 阈值是根据输出信号电平设置的，以dBFS 为单位进行测量。
在 CDS_MODE[1:0]=11（PWR_MODE2 来自节 11.1）的用例下，可以使用寄存器位 LVS_TH_LOW[1:0] 来设置
LVS 固定阈值。
8.4.2.8 噪声门模式
TAS2781 具有一个噪声门功能，可以监测输入信号，并在信号低于由 NG_TH[1:0] 位设置的阈值长于由节 8.9.28
中寄存器的 NG_HYST_TIMER[2:0] 位设置的时间时，关闭 D 类音频放大器的电源。当信号上升至高于阈值时，
D 类音频放大器会使七个采样通道重新通电，然后施加到音频输入接口的采样信号会到达D 类音频放大器输出。
可通过将 NG_EN 位设置为高电平来启用噪声门功能。启用之后，不需要额外的外部控制，即可在器件处理延时
范围内使通道上电和断电。通过将NG_DVC_RP 位设置为低电平，也可以在噪声门运行期间使用音量斜坡。
噪声门可以配置为更高的分辨率，代价是要增加 I2C 写入。使用 NGFR_EN 位来启用此模式，并使用寄存器位
NGFR_LVL[23:0]（来自节 8.9.62）来设置高分辨率。使用 NGFR_HYST[18:3] 寄存器位（来自节 8.9.63 和节
8.9.64）可设置高分辨率迟滞。
8.4.2.9 电源跟踪限制器
TAS2781 会监控 PVDDH 电源电压和音频信号，以便在音频信号峰值超过可编程阈值时自动降低增益。这有助于
防止削波并在电池充电结束的情况下延长播放时间。限制器阈值可配置为以可编程斜率跟踪低于可编程拐点的
PVDDH。最小阈值会限制PVDDH 跟踪造成的阈值降低。
通过将LIM_EN 位寄存器设置为高电平来启用限制器。
提供可配置的启动速率、保持时间和释放速率来控制限制器的动态响应（节 8.9.22 和节 8.9.23 中寄存器的
LIM_ATK[3:0]、LIM_HLD[2:0] 和LIM_RLS[3:0] 位）。
限制器应用的最大衰减水平可通过节 8.9.20 中寄存器的 LIM_MAX_AT[3:0] 位进行配置。如果限制器正在启动并
且达到最大衰减，将不会进一步降低增益。
当输出信号电平大于限制器阈值时，限制器开始降低增益。限制器可配置为以最小阈值跟踪低于可编程拐点的
PVDDH。图8-1 显示了将限制器配置为限制到一个恒定电平，而不管 PVDDH 电平如何。若要实现此行为，请通
过 LIM_MAX_TH[31:0] 寄存器位将限制器最大阈值设置为所需水平。将限制器拐点（寄存器位 LIM_INF[31:0]）
设置为低于允许的最小 PVDDH 设置值。由寄存器位 LIM_MIN_TH[31:0] 设置的限制器最小阈值不会影响此用例
中的限制器行为。
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图8-1. 具有固定阈值的限制器
图8-2. 具有拐点的限制器
图8-3. 具有动态阈值的限制器
图8-4. 具有拐点和最小阈值的限制器
图 8-2 显示了如何配置限制器以跟踪低于阈值的 PVDDH，而无需设置最小阈值。将 LIM_MAX_TH[31:0] 寄存器
位设置为所需的阈值，并将 LIM_INF[31:0] 寄存器位设置为限制器将开始降低 PVDDH 阈值的所需拐点。
LIM_SLP[31:0] 寄存器位可用于通过 PVDDH 更改限制器跟踪的斜率。PVDDH 电源每下降 1V，默认值 1V/V 就
会将阈值降低 1V。如果需要，可以对更激进的跟踪斜率进行编程。将 LIM_MIN_TH[31:0] 位编程到低于最小
PVDDH 可防止限制器在跟踪PVDDH 电源时遇到最小阈值降低的情况。
可以使用其他方式配置具有电源跟踪斜率的限制器。通过将节 8.9.22 中寄存器的 LIM_DYHDR 寄存器位设置为
1'b1，可以通过设置 LIM_HDR[4:0] 寄存器位，使用 1V/V 斜率将余量指定为电源电压的百分比。例如，如果指定
-10% 的余量，则峰值输出电压将设置为比 PVDDH 高 10%。在图 8-3 所示的这个用例中，从高于电源电压的信
号开始限制，并将产生固定削波。如果指定 +10% 的正余量，则峰值输出电压将动态设置为比当前 PVDDH 低
10%。在这个用例中，将从低于电源电压的信号电平开始限制，并会防止发生削波。
若要实现仅跟踪 PVDDH 达到最小阈值的限制器，请按照前面的示例配置限制器 LIM_MAX_TH[31:0] 和
LIM_SLP[31:0] 寄存器位。然后，还要将 LIM_MIN_TH[31:0] 寄存器位设置为所需的最小阈值。低于此最小阈值
的电源电压将不会继续降低信号输出电压。图8-4 展示了这种情况。
通过将寄存器位 LIM_DYHDR 设置为低电平，限制器机制取决于最大和最小阈值、拐点和斜率的设置。默认情况
下，该位为高电平，并启用限制器动态余量。
8.4.2.10 欠压保护
欠压保护 (BOP) 功能可为限制器提供优先输入，以对充电结束时会导致系统级欠压的电源电压瞬态骤降产生快速
响应。当电源电压降至 BOP 阈值以下时，限制器开始以可配置的启动速率降低增益。当电源电压升至 BOP 阈值
以上时，限制器将在已编程保持时间后开始释放。BOP 功能可以通过将 BOP_EN[0] 寄存器位设置为高电平来启
用。可以使用BOP_SRC 寄存器位将欠压电源设置为PVDDH 或PVDDL，具体视应用而定。
默认情况下，BOP 电源设置为 PVDDL 输入，而 SAR 转换器将对 PVDDH 和 PVDDL 电压和温度进行数字化处
理。在这种情况下，PVDDH 欠压检测功能将禁用。
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当 BOP 电源设置为 PVDDH 输入时，SAR ADC 转换器将对 PVDDH 和 PVDDL 电压和温度进行数字化处理。在
这种情况下，将启用 PVDDH 欠压检测。为了减少 BOP 引擎第一次启动的延迟，可以通过将寄存器位
CNV_PVDDL 设置为低电平来绕过PVDDL 转换。
当BOP 电源设为PVDDL 输入时，SAR 转换器将对PVDDH 和PVDDL 电压和温度进行数字化处理。在这种情况
下，PVDDH 欠压检测功能将禁用。
当正在进行BOP 时，电源跟踪限制器将暂停。
BOP 阈值由节 8.9.92 中寄存器的 BOP_TH[31:0] 位设置。BOP_MUTE 位的设置会确定一旦电源低于阈值，器件
是静音并关闭，还是只是衰减音频信号但并不静音。
在发生BOP 事件时，TAS2781 也可以通过达到节8.9.93 中寄存器的BOPSD_TH[31:0] 位设置的阈值立即静音，
然后关断器件（如果 BOPSD_EN 寄存器位设置为高电平）。当 BOP_MUTE 设置为高电平时，此关断功能在内
部自动禁用。
BOP 具有可编程的启动速率寄存器位 BOP_ATK[2:0]、启动步长寄存器位 BOP_ATK_ST[1:0] 和保持时间寄存器
位BOP_HLD[2:0]。
系统不使用BOP 功能时，将释放电源跟踪限制器。如果限制器被禁用，增益将根据限制器释放设置进行释放。
保持时间还可以设置为不受限，方法是将 BOP_INF_HLD 寄存器位编程为高电平。器件需要在静音或软件/硬件关
断状态之间切换，或者寄存器位BOP_HLD_CLR 可以设置为高电平（这会导致器件退出保持状态并开始释放）。
当BOP_INF_HLD 位设置为低电平时，器件将根据BOP_HLD[2:0] 位的编程来保持。
8.4.2.11 ICC 引脚和芯片间通信
TAS2781 在立体声应用中支持双增益平衡。一个器件仅可与系统中的一个其他器件配对。
ICC 引脚将通过总线保持器连接至 ICC 总线。为 ICC 缓冲区供电的引脚 17 (NC_V1P8V) 需要连接到 1.8V 电
源。
SDOUT 引脚无法用于增益调整。
节8.9.18 中寄存器的ICC_CFG[2:0] 位用于配置ICC 引脚的功能。
利用节8.9.24 中寄存器的各个位，可以启用ICC 功能并设置器件配对和增益传输时隙。
此操作模式不支持16kHz 和24kHz（以及等效的44.1kHz）的采样率。
8.4.2.12 D 类设置
8.4.2.12.1 输出压摆率控制
输出压摆率可使用节8.9.73 中寄存器的EDGE_CTRL[1:0] 位进行编程。
默认情况下，如果 PVDDH 电源电压低于 20V，则输出压摆率将为快速，具体取决于电源和负载。如果 PVDDH
高于20V，则压摆率会自动变为较慢的速率。
或者，若要提高 EMI 性能，用户可以通过将 EDGE_CTRL[1:0] 位设置为 2'b11，在整个 PVDDH 电源范围内将压
摆率设置为较低的速率。
8.4.2.12.2 同步
TAS2781 D 类放大器支持展频 PWM 调制，可通过将 AMP_SS 寄存器位设置为高电平来启用。这有助于降低系
统中的EMI。
默认情况下，D 类放大器的开关频率基于器件中经过修整的内部振荡器。若要同步切换到音频采样率，请将
CLASSD_SYNC 寄存器位设置为高电平。当 D 类与音频采样率同步时，必须根据基于 44.1kHz 或 48kHz（默
认）频率的音频采样率设置RAMP_RATE 寄存器位。
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8.4.3 SAR ADC
SAR ADC 会监控 PVDDH 电压、PVDDL 电压和内核温度。 这些转换的结果可通过寄存器读回功能
（PVDDH_CNV[11:0]、PVDDL_CNV[11:0] 和 TMP_CNV[7:0] 寄存器位）获得。PVDDH 和 PVDDL 电压转换也
被限制器和欠压保护模块使用。
默认情况下，当BOP 源为PVDDL (BOP_SRC = 0) 或者BOP 源为(BOP_SRC = 1) 时，PVDDL 转换与PVDDH
和温度一同启用。
ADC 以固定的192kHz 采样率运行，转换时间为5.2µs。
每18 次SAR 转换对温度进行一次采样。温度的采样率近似为10K 样本/秒。
用户可以使用节8.9.48、节8.9.50 和节8.9.52 中寄存器的公式来估算PVDDH 和PVDDL 电压以及内核温度。
寄存器位内容应始终从MSB 读取到LSB。
主机也可以通过 SDOUT 引脚获得 SAR ADC 的电压和温度读数。使用节 8.9.16 中寄存器的各个位启用此功能并
配置时隙。
8.4.4 电流和电压(IV) 检测
TAS2781 提供扬声器电压和电流检测测量值，用于实时监控扬声器行为。VSNSP 和 VSNSN 引脚应连接在任何
铁氧体磁珠滤波器之后（如果未使用 EMI 滤波器，则应直接连接到 OUTP 和 OUTN 接线）。V 检测连接消除了
封装、PCB 互连或铁氧体磁珠滤波器电阻引起的压降误差。需要注意的是，在VSNS 端子之后的任何互连电阻都
不会被校正，因此建议将检测接线连接到尽可能靠近负载的位置。
电压和电流检测内部 ADC 具有直流阻断滤波器。可以调整此滤波器截止频率， 也可以使用
HPF_FREQ_REC[2:0] 寄存器位绕过滤波器。
I 检测和V 检测模块可以通过将ISNS_PD 和VSNS_PD 寄存器位设为低电平来上电。
8.4.5 后置滤波器反馈(PFFB)
该器件通过关闭外部滤波器之后的放大器反馈环路来支持后置滤波器反馈。使用器件的 VSNSN 和 VSNSP 端子
来应用反馈。可以通过 PFFB_EN 寄存器位来禁用此功能（如果实现了违反放大器环路稳定性的外部滤波器）。
禁用PFFB 时，反馈将从器件的OUTN 和OUTP 引脚实现内部路由。
在 PFFB 运行模式下，必须满足以下条件：f0 > 10MHz 且 f0/Q > 2.5MHz（f0 和 Q 是外部滤波器的截止频率和品
质因数）。
8.4.6 热折返
TAS2781 会监控内核温度，并在内核温度达到设定阈值时自动限制音频信号。建议使用热折返寄存器来配置此保
护机制，因为内部DSP 将对每个寄存器执行必要的计算。
可以使用 TFB_EN 位禁用热折返。如果内核温度达到由节 8.9.97 中寄存器的 TF_TMP_TH[31:0] 位设置的值，此
功能将开始衰减音频信号，以防止器件因过热而关断。它将通过在TF_SLP[31:0] 寄存器位中设置的值来衰减音频
信号（在由 TF_TMP_TH[31:0] 寄存器位设置的温度范围内）。使用 TF_ATK[31:0] 寄存器位设置热折返启动。可
以使用寄存器位 TF_MAX_ATN[31:0] 来指定最大衰减。但是，如果器件继续升温，最终将触发器件过温。在衰减
开始释放之前，针对由寄存器位TF_HLD[31:0] 设置的多个样本，衰减将保持。
8.4.7 过功率保护
TAS2781 会监测内部功率 FET 的温度。如果最大持续功率很高且功率 FET 的温度高于阈值，则内部保护电路会
触发热折返，并且如果温度仍在升高，则器件会关闭。
该保护机制基于两个阈值 TH1 和 TH2。TH1 阈值设置为比内部带隙测量的温度高 116°C 但不低于 250°C 的温
度。TH1 阈值会触发热折返。
TH2 阈值比TH1 高40°C，并会触发热关断。
通过将位TG_TH2 和TG_TH1 设置为低电平，可以禁用这两个检测机制。
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8.4.8 低电池电量保护
对于低于 3.4V 的 PVDDL 电源，功率 FET 可以在更高的负载电流下进入饱和状态，因此，连接到 PVDDH 的
FET 进入热失控状态会导致器件损坏。
为了防止损坏，需要内部 SAR ADC 测得的 PVDDL 电平来调整 OCP 限制。下表显示了会自动调整 OCP 的
PVDDL 阈值。较低的PVDDL 电平对应于较低的OC 限制设置。
表8-4. PVDDL 范围和阈值
PVDDL 范围
PVDDL ≥3.4V
3.1 V ≤PVDDL < 3.4V
2.9 V ≤PVDDL < 3.1V
2.7V ≤PVDDL < 2.9V
在 PVDDL 由外部供电的电源模式下，会对 OC 限制进行控制，同时输出打开 PVDDH（PWR_MODE0，
PWR_MODE1）。
8.4.9 电池功率限制器
TAS2781 集成了一种算法，可通过根据电池电压读数来调节电流，以控制音频功率。
该算法基于两级电池电压提供三级电流。
图8-5. 电流限制与电池电压间的关系
功率限制器可应用于 PVDDL（单节电池）或 PVDDH（多节电池）。默认情况下，它在 PVDDL 上设置，可以通
过使用位PWR_LIM_SRC 更改为PVDDH。
8.4.10 时钟
该器件时钟源自 SBCLK 输入时钟。下面的各表显示了每个采样率和 SBCLK 与 FSYNC 之比的有效 SBCLK 时钟
频率。
如果通过 SAMP_RATE[2:0] 寄存器位正确配置了采样率，则只要 SBCLK 与 FSYNC 之比有效，就无需额外配
置。该器件将检测不正确的 SBCLK 频率、SBCLK 与 FSYNC 之比以及播放路径上的音量降低，以便最大限度地
减少可闻失真。检测到时钟错误后，如果 DIS_CLK_HALT 位为低电平，器件将在由 CLK_HALT_TIMER[2:0] 寄
存器位设置的时间后进入低功耗停机模式。此外，如果CLK_PWRUD 寄存器位设置为高电平，器件可以在有效时
钟信号上自动进行上电和断电。启用此功能时不应更改器件采样率。在此模式下，DIS_CLK_HALT 位寄存器应设
置为低电平，以使此功能正常运行。
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表8-5. 基于48kHz 的采样率支持的SBCLK 频率[MHz]
SBCLK 与FSYNC 之比
采样率(kHz)
16
24
32
48
0.768
64
96
125
2
16
24
0.512
0.768
1.024
1.536
3.072
6.144
1.024
1.536
2.048
3.072
6.144
12.288
1.526
2.304
3.072
4.608
9.216
18.432
不适用
不适用
0.512
0.768
1.536
3.072
不适用
0.576
0.768
1.152
2.304
4.608
1.152
3
32
1.536
4
48
2.304
6
96
4.608
12
24
192
9.216
SBCLK 与FSYNC 之比
256
采样率(kHz)
128
192
250
384
500
8
512
16
24
2.048
3.072
4.096
6.144
12.288
24.576
3.072
4.608
6.144
9.216
18.432
不适用
4
6
4.096
6.144
8.192
6.144
9.216
12
12.288
16384
24.576
不适用
不适用
32
8
8.192
12.288
18.432
不适用
不适用
16
48
12
12.288
24.576
不适用
24
96
24
不适用
不适用
192
不适用
表8-6. 基于44.1kHz 的采样率支持的SBCLK 频率[MHz]
SBCLK 与FSYNC 之比
采样率(kHz)
16
24
32
48
64
96
14.7
22.05
29.4
0.7056
1.0584
1.4112
2.1168
4.2336
8.4672
0.9408
1.4112
1.8816
2.8224
5.6448
11.2896
1.4112
2.1168
2.8224
4.2336
8.4672
16.9344
不适用
不适用
不适用
0.7056
1.4112
2.8224
不适用
不适用
0.7056
1.0584
2.1168
4.2336
不适用
0.7056
0.9408
1.4112
2.8224
5.6448
44.1
88.2
176.4
SBCLK 与FSYNC 之比
采样率(kHz)
128
192
256
384
512
14.7
22.05
29.4
1.8816
2.8224
3.7632
5.6448
11.2896
211.5792
2.8224
4.2336
5.6448
8.4672
16.9344
33.8688
3.7632
5.6448
8.4672
11.2896
22.5792
不适用
5.6448
8.4672
8.192
7.5264
11.2896
15.0528
22.5792
不适用
不适用
44.1
16.9344
33.8688
不适用
88.2
176.4
8.4.11 超声波
TAS2781 具有专用电源模式(PWR_MODE3)，可在存在检测、手势识别等高级超声波应用中播放超声波。
播放超声波时，建议将位DEM_CTRL[1:0] 设置为3h，将位DIS_DITH 设置为1h。
在PWR_MODE3 工作模式下，D 类的输出级将由外部PVDDL 电源轨供电。
8.4.12 回声基准
TAS2781 可以环回DSP 输出。
此功能允许用户执行噪声消除或回声校正算法。
方框图如下图所示。
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图8-6. 回声基准环回
可以通过配置 AUDIO_TX 寄存器位来启用回声基准。可以使用 AUDIO_SLEN 和 AUDIO_SLOT[5:0] 寄存器位选
择时隙长度和时隙。
8.4.13 Hybrid-Pro 外部升压控制器
该器件实现了内部 Hybrid-Pro 算法，使用户能够通过控制外部电源和保持足够的裕度来优化系统效率，从而提供
高动态范围而不会出现削波失真。
Hybrid-Pro 控制的特点：
• 可选8 步384kHz PWM 格式或16 步192 kHz PWM 格式Hybrid-Pro 控制波形，用于外部直流/直流转换器。
• 可配置的最大4ms 超前音频信号延迟缓冲器，能够适应各种应用系统的直流/直流带宽和电源耦合电容。
• 最大8ms 可编程音频信号峰值保持，可优化从大音频输入到小电平的电源电压轨转换，有助于避免削波失
真。
• Hybrid-Pro 自动调整音频信号触发电平和每个步进电平。微调可用于实现效率和包络跟踪速度之间的平衡。
启用后，该控制器会在 PWM_CTRL 引脚上生成一个占空比与扬声器峰值电压成比例的信号。使用外部 RC 滤波
器，信号被转换为模拟电压，并可用于控制带反馈输入的升压转换器。
下图显示了PWM_CTRL 引脚如何连接到外部升压控制RC 网络。
图8-7. PWM_CTRL 引脚和外部组件
默认情况下，PWM_CTRL 引脚具有漏极开路配置，它允许仅使用一个 RC 电路轻松实现多通道控制环路，如下
图所示。
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图8-8. 使用PWM_CTRL 引脚的多通道配置
当只有一个器件控制升压转换器时，建议将 PWM_CTRL[6] 位设为低电平。PWM_CTRL 引脚会将配置更改为推
挽式，并且不需要上拉电阻器。
备注
使用外部升压控制器时，应禁用电源跟踪限制器或将阈值编程为高于升压控制器最大输出电压的值。
要对内部H 类控制器进行编程，请使用来自0x05 页和0x06 的寄存器。
有关对升压控制器进行编程的更多详细信息，请参阅TAS2781 用户手册和SLOA326 应用手册。
8.5 工作模式
8.5.1 蜂鸣发生器
该音调发生器会产生一个直接传送至输出（扬声器）的简单音调（蜂鸣声）。
该发生器依赖于进入SDZ 或NC_SCLK 引脚的脉冲信号。
要生成蜂鸣声，只需在这两个引脚中的任何一个上施加在节6.5 中指定的输入频率为fIN 的脉冲。
蜂鸣声输出信号的频率为：
fBEEP = fIN/64（对于SDZ 引脚）；
(3)
(4)
fBEEP = fIN/4（对于NC_SCLK 引脚）。
例如，如果需要800Hz 的蜂鸣声，请将3.2kHz PWM 信号输入到引脚NC_SCLK。
当器件处于软件关断模式时，通过在引脚上施加脉冲可以产生蜂鸣声。抗尖峰计时器将推迟关断功能，直到音调
结束并且抗尖峰计时器到期，在这种情况下，此引脚将恢复为控制器件的硬件关断 (SDZ) 或 SPI 时钟
(NC_SCLK)。
蜂鸣信号的输出功率由输入信号的占空比控制，如下表所述。
表8-7. 蜂鸣输出功率
负载(Ω)
占空比(%)
输出功率(W)
0.125
8
8
20-30
45-55
0.25
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表8-7. 蜂鸣输出功率(continued)
负载(Ω)
占空比(%)
输出功率(W)
8
70-80
0.5
注意： 当NC_SCLK 引脚用于产生蜂鸣声时，引脚17 应连接到1.8V 电源（AVDD，IOVDD）。
8.5.2 硬件关断
如果 SDZ 引脚为低电平有效，则器件会进入硬件关断模式。在硬件关断模式下，器件会消耗来自 AVDD、
IOVDD、PVDDH 和 PVDDL 电源的最小静态电流。在此模式下所有寄存器会丢失状态，且禁用 I2C 或 SPI 通
信。
默认情况下，当SDZ 引脚变为低电平时，在由可配置的关断计时器（寄存器位SDZ_TIMEOUT[1:0]）设置的超时
之后，器件会强制进入硬件关断模式。如果在音频播放过程中 SDZ 为低电平有效，则器件会缓慢降低音频的音
量，停止 D 类开关，关断模拟和数字块，并最终将器件置于硬件关断模式。器件还可以配置为强制硬件关断模
式，在这种情况下，它不会尝试缓慢地禁用音频通道。可以使用SDZ_MODE[1:0] 寄存器位来控制关断模式。
释放SDZ 引脚时，器件会对ADDR 引脚进行采样，并进入软件关断模式。
8.5.3 模式控制和软件复位
TAS2781 模式可以通过写入MODE[2:0] 寄存器位来配置。
通过将 SW_RESET 寄存器位设置为高电平，可以实现软件复位。此位可自行清除。启用之后，即会将所有寄存
器还原为其默认值。
8.5.4 软件关断
软件关断模式会将播放音频所需的所有模拟块关闭，但不会导致器件丢失寄存器状态。
这些寄存器可通过I2C 或SPI 接口获得。
通过将 MODE[2:0] 寄存器位设置为 3'b010，可以启用软件关断。如果在软件关断有效时正在播放音频，则 D 类
音频放大器将在关断前缓慢降低音量。当软件关断失效后，D 类音频放大器将开始恢复，音量将缓慢升回所设定
的数字音量值。
8.5.5 静音模式
TAS2781 会通过将 MODE[2:0] 寄存器位设置为 3'b001，缓慢降低 D 类放大器的音量，以达到静音状态。在静音
期间，D 类放大器仍开启，但不传输音频内容。如果取消静音设置，则器件会使音量缓慢升回设定好的数字设置
值。
8.5.6 有效运行模式
在有效运行模式下，D 类切换并播放音频。如果启用，扬声器电压和电流感测可正常运行。将 MODE[2:0] 寄存器
位设置为3'b000 可进入有效运行模式。
8.5.7 噪声门模式
在节8.4.2.8 描述的这种工作模式下，该器件会监测信号，并在信号低于阈值时关闭D 类音频放大器。
8.6 TAS2781 中的故障和状态
在上电序列期间，监控 AVDD 引脚 (UVLO) 的电路将使器件保持在复位状态（包括所有配置寄存器），直到电源
有效。在 AVDD 有效且 SDZ 引脚被释放之前，器件不会退出“硬件关断”。一旦 SDZ 被释放，数字内核稳压器
将会上电，从而能够检测工作模式。如果AVDD 低于UVLO 阈值，系统将立即强制器件进入复位状态。
如果电源低于 UVLO 阈值（由寄存器位 PVDDH_UV_TH[5:0] 设置），该器件还监控 PVDDH 电源并将模拟内核
保持在断电状态。如果 TAS2781 处于运行状态并发生 UVLO 故障，模拟模块将立即断电以保护器件。这些故障
会被锁存，需要通过硬件或软件关断来清除故障。锁存寄存器将报告UVLO 故障。
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当退出软件关断模式而进入运行模式时（例如：MODE[2:0] 位从 010b 到000b），如果检测到 PVDDH 欠压，则
器件将重新进入软件关断模式，并且将标记一个中断 (IL_PUVLO)。若要退出此故障，用户需要使用 MODE[2:0]
位清除中断并在软件关断模式下对器件进行编程，然后再尝试进入运行模式。
如果检测到内部PVDDL LDO 欠压并标记IL_LDO_UV 中断，则PWR_MODE2 中可能会发生类似情况。
如果器件检测到TDM 时钟出现如下任何故障，则会过渡到软件关断模式：
•无效的SBCLK 与FSYNC 之比
•FSYNC 频率无效
•SBCLK 或FSYNC 时钟停止
检测到 TDM 时钟错误后，器件会尽快过渡到软件关断模式，以限制音频失真的可能性。一旦修复了所有 TDM 时
钟错误，器件音量就会恢复到之前的播放状态。在 TDM 时钟错误期间，如果将时钟错误中断屏蔽寄存器位
IM_TDMCE 设置为低电平，则 IRQZ 引脚将置为低电平。时钟故障也可用于在实时状态或锁存故障状态寄存器
（位IL_TDMCE 和IR_TDMCE）中进行读回。
备注
在对 I2C 进行编程以进入运行模式之前，必须有可用的 TDM 时钟。在不存在时钟的情况下进入运行模
式将触发时钟错误，器件也将进入软件关断状态，并且将引发与时钟错误相关的中断。
TAS2781 还会监控内核温度和 D 类负载电流，如果其中任何一个超过安全值，就将进入软件关断模式。和 TDM
时钟错误一样，如果相应的故障中断屏蔽寄存器位对于过热和过流设置为低电平，则 IRQZ 引脚将置为低电平。
与TDM 时钟错误一样，也可以在锁存的故障寄存器中监视故障状态。
内核过热和 D 类过流错误可以是锁存的（例如，器件将进入“软件关断”，直到应用了硬件或软件关断序列），
也可以将它们编程为在规定时间后自动重试。此行为可以在 OTE_RETRY 和 OCE_RETRY 寄存器位中进行配置
（分别针对过热和过流）。即使在锁存模式下，D 类在出现过热或过流错误后也不会尝试重试，直到重试时间段
（默认值 = 1.5s）结束。这可以防止以快速方式对器件施加重复应力，从而导致器件损坏。如果器件已通过硬件
或软件关断循环，它将仅在重试时间段后开始运行。默认情况下，RETRY 功能会被禁用。
状态寄存器（和 IRQZ 引脚，如已启用，以及对于非屏蔽中断）还指示限制器的行为，包括何时激活限制器、何
时PVDDH 低于拐点、何时应用最大衰减、限制器何时处于无限保持状态以及限制器何时静音。
当器件在 PWR_MODE2 下运行时，PVDDL 引脚由内部 LDO 供电。保护电路会监控该模块，并在发生欠压、过
压或LDO 过载时产生故障。如果触发这些故障之一，器件将进入软件关断模式。
IRQZ 引脚是一个漏极开路输出，在未屏蔽的故障条件下置位为低电平，因此必须通过一个电阻器将其上拉至
IOVDD。提供了一个 20kΩ 的内部上拉电阻器。可以通过将寄存器 0x04 的 IRQZ_PU 寄存器位设为高电平来访
问它。
IRQZ 中断配置可以使用 0x5C 寄存器中的 IRQZ_CFG[1:0] 寄存器位进行设置。IRQZ_POL 寄存器位会设置中断
极性，而IRQZ_CLR 寄存器位允许清除所有中断锁存寄存器位。
仅当器件处于运行工作模式时，实时标志寄存器才有效。如果器件因 I2 命令或由于下述任何故障情况而处于软件
关断状态，则实时标志将被复位。在这种情况下，锁存标志不会被复位，用户可以读取它们的状态。
表8-8. 故障中断屏蔽
默认值（1 = 屏
中断
实时寄存器
锁存寄存器
屏蔽寄存器
蔽）
IL_TO105
IL_TO115
IL_TO125
IL_TO135
IR_TO105
IR_TO115
IR_TO125
IR_TO135
IR_OT
IM_TO105
IM_TO115
IM_TO125
IM_TO135
IM_OT
1
1
1
1
0
0
温度超过105°C
温度超过115°C
温度超过125°C
温度超过135°C
过热错误
器件处于关断状态
器件处于关断状态
IR_OC
IM_OC
过流错误
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表8-8. 故障中断屏蔽(continued)
默认值（1 = 屏
中断
实时寄存器
锁存寄存器
屏蔽寄存器
蔽）
IR_TDMCE
IR_TDMCEIR
IR_TDNCEFC
IR_TDMCERC
IR_BOPA
IR_BOPIH
IR_BOPM
IR_BOPD
IR_BOPPD
IR_PBIP
IM_TDMCE
-
1
-
TDM 时钟错误
器件处于关断状态
-
TDM 时钟错误：无效的SBCLK 比率或FS 率
TDM 时钟错误：FS 发生动态更改
TDM 时钟错误：SBCLK FS 之比发生动态更改
BOP 运行
-
-
-
-
-
-
IL_BOPA
IL_BOPIH
IL_BOPM
IL_BOPD
-
IM_BOPA
IM_BOPIH
IM_BOPM
IM_BOPD
IM_BOPPD
IM_PBIP
IM_LIMA
IM_LIMMA
IM_PUVLO
-
0
0
-
BOP 无限保持
BOP 静音
0
1
1
1
1
0
-
检测到BOP
BOP 断电
IL_PBIP
PVDDH 低于限制器拐点
IL_LIMA
IR_LIMA
限制器运行
限制器最大衰减
PVDDH UVLO
PVDDL UVLO
IL_LIMMA
器件处于关断状态
器件处于关断状态
器件处于关断状态
IL_VBATLIM
IR_LIMMA
IR_PUVLO
-
IR_OTPCRC
IR_VBATLIM
IR_PLL_CLK
-
IM_OTPCRC
IM_VBATLIM
IM_PLL_CLK
-
0
1
1
-
OTP CRC 错误
PVDDL 增益限制器
内部PLL 时钟错误
噪声门运行
器件处于关断状态
IL_NGA
IL_PVBT
IR_PVBT
IM_PVBT
IM_LDO_UV
IM_TDTH2
IM_TDTH1
0
0
0
0
PVDDH - PVDDL 低于阈值
内部PVDDL LDO 欠压
热检测器阈值2
IR_LDO_UV
IR_TDTH2
IR_TDTH1
器件处于关断状态
器件处于关断状态
IL_TDTH1
热检测器阈值1
8.7 电源时序要求
只要SDZ 引脚保持低电平，就没有针对斜升或斜降速率级的电源时序要求。
8.8 数字输入下拉
I2S/TDM 接口引脚和 ICC 引脚具有可选的弱下拉电阻器，可防止引脚悬空。节8.9.31 中的寄存器位 DIN_PD[4:0]
用于启用/禁用下拉电阻器。硬件关断期间不启用下拉电阻器。
8.9 寄存器映射
8.9.1 页面= 0x00 地址= 0x00 [复位= 00h]
位
字段
类型
RW
复位
说明
7-0
PAGE[7:0]
0h
设置器件页。
00h = 页0
01h = 页1
...
FFh = 页255
8.9.2 页面= 0x00 地址= 0x01 [复位= 00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-1
RW
0h
保留
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位
字段
类型
复位
说明
0
SW_RESET
RW
0h
软件复位
0b = 无效（默认）
1b = 有效
8.9.3 页面= 0x00 地址= 0x02 [复位= 1Ah]
位
字段
类型
RW
RW
RW
复位
0h
说明
BOP 输入源和PVDD UVLO
7
BOP_SRC
0b = PVDDL 输入和PVDDH UVLO 禁用（默认）
1b = PVDDH 输入和PVDDH UVLO 启用。
6-5
4
0h
保留
保留
电流检测
0b = 运行
1b = 关断
ISNS_PD
1h
电压检测
0b = 运行
1b = 关断
3
VSNS_PD
MODE[2:0]
RW
RW
1h
2h
器件工作模式
000b = 运行且不静音
001b = 运行并静音
010b = 软件关断（默认）
011b -111b = 保留
2-0
8.9.4 页面= 0x00 地址= 0x03 [复位= 28h]
位
字段
类型
复位
说明
D 类开关模式
00b = Y 桥，PVDDL 上的大功率（默认）
01b = D 类的仅PVDDL 电源
10b = D 类的仅PVDDH 电源
11b = Y 桥，PVDDL 上的小功率
7-6
CDS_MODE[1:0]
RW
0h
@48ksps
11dBV
@96 ksps
9dBV
设置
00h
01h
02h
03h
11.5dBV
12.0dBV
12.5dBV
…....
9.5dBV
10dBV
10.5dBV
…....
5-1
AMP_LEVEL[4:0]
RW
RW
14h
…....
13h
20.5dBV
21dBV
18.5dBV
19dBV
14h（默认）
其他：保留
0
0h
保留
保留
8.9.5 页面= 0x00 地址= 0x04 [复位= 21h]
位
字段
类型
复位
说明
PVDDL 电源为：
0h = 外部供电
7
PVDDL_MODE
RW
0h
1h = 通过PVDDH 在内部生成
IRQZ 内部上拉
0h = 禁用
6
IRQZ_PU
RW
0h
1h = 启用
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位
字段
类型
复位
说明
展频
0h = 禁用
1h = 启用
5
AMP_SS
RW
1h
*当展频和同步模式都启用时，同步模式优先
SAR 滤波器截止频率
0h = 禁用（默认）
1h = 300kHz
4-3
SAR_FLT[1:0]
RW
0h
2h = 150kHz
3h = 50kHz
正向路径直流阻断器截止频率
0h = 禁用（旁路滤波器）
1h = 2Hz
2h = 50Hz
3h = 100Hz
4h = 200Hz
2-0
HPF_FREQ_PB[2:0]
RW
1h
5h = 400Hz
6h = 800Hz
7h = 保留
* 对于44.1/88.2kHz 采样率，将上面的值除以1.0884
8.9.6 页面= 0x00 地址= 0x05 [复位= 41h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-4
RW
4h
保留
热折返
3
TFB_EN
RW
0h
0h = 禁用
1h = 启用
录音路径直流阻断器
0h = 禁用（旁路滤波器）
1h = 2Hz
2h = 50Hz
3h = 100Hz
4h = 200Hz
2-0
HPF_FREQ_REC[2:0]
RW
1h
5h = 400Hz
6h = 800Hz
7h = 保留
* 对于44.1/88.2kHz 采样率，将上面的值除以1.0884
8.9.7 页面= 0x00 地址= 0x06 [复位= 00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-6
RW
0h
保留
过流事件后重试。
5
4
3
OCE_RETRY
OTE_RETRY
PFFB_EN
RW
RW
RW
0h
0h
0h
0h = 禁用
1h = 启用，计时器结束后重试。
过热事件后重试。
0h = 禁用
1h = 启用，计时器结束后重试。
后置滤波器反馈为
0h = 禁用（使用OUT_N 和OUT_P 引脚）
1h = 启用（使用VSNS_N 和VSNS_P 引脚）
安全模式
0h = 禁用
1h = 启用
2
SAFE_MODE
RW
RW
0h
0h
1-0
保留
保留
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8.9.8 页面= 0x00 地址= 0x07 [复位= 20h]
位
字段
类型
复位
说明
关断模式配置。
0h = 超时后关断（默认）
1h = 立即强制关断
2h - 3h = 保留
7-6
SDZ_MODE[1:0]
RW
0h
关断超时
0h = 2ms
5-4
3-2
SDZ_TMOUT[1:0]
DVC_RMP_RT[1:0]
RW
RW
2h
0h
1h = 4ms
2h = 6ms（默认值）
3h = 23.8ms
数字音量控制斜升速率
0h = 启用音量斜坡（默认）
1h - 2h = 保留
3h = 禁用音量斜坡
I2C 全局地址
0h = 禁用
1h = 启用
1
0
I2C_GBL_EN
I2C_AD_DET
RW
RW
0h
0h
重新检测I2C 外设地址（自清零位）
0h = 正常检测
1h = 上电后重新检测地址
8.9.9 页面= 0x00 地址= 0x08 [复位= 09h]
位
字段
类型
复位
说明
反相音频放大器输出
0h = 正常
7
AMP_INV
RW
0h
1h = 反相
D 类同步模式
0h = 未同步到音频时钟
1h = 已同步到音频时钟
6
CLASSD_SYNC
RW
0h
*当展频和同步模式都启用时，同步模式优先
当CLASSD_SYNC = 1 时，采样率基于
0h = 48kHz
1bh = 44.1kHz
5
4
RAMP_RATE
AUTO_RATE
RW
RW
0h
0h
TDM 采样率的自动检测
0h = 启用
1h = 禁用
TDM 总线的采样率
0h = 保留
1h = 14.7/16kHz
2h = 22.05/24kHz
3h = 29.4/32kHz
4h = 44.1/48kHz
5h = 88.2/96kHz
6h = 176.4/192kHz
7h = 保留
3-1
SAMP_RATE[2:0]
FRAME_START
RW
RW
4h
1h
TDM 帧开始极性
0h = FSYNC 上低电平到高电平
1h = FSYNC 上高电平到低电平
0
8.9.10 页面= 0x00 地址= 0x09 [复位= 02h]
位
字段
类型
复位
说明
当CLASSD_SYNC = 1 时，斜坡速率为
0h = 352kHz
7
RMP_FREQ_INCR
RW
0h
1h = 376kHz
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位
字段
类型
复位
说明
时隙内的TDM RX 样本对齐方式
6
5-1
0
RX_JSTF
RW
0h
0h = 左
1h = 右
RX_OFF[4:0]
RX_EDGE
RW
RW
1h
0h
TDM RX 帧开始到时隙0 偏移量（SBCLK 周期数）
TDM RX 捕捉时钟极性
0h = SBCLK 的上升沿
1h = SBCLK 的下降沿
8.9.11 页面= 0x00 地址= 0x0A [复位= 0Ah]
位
字段
类型
复位
说明
将电流和电压数据长度设为
0h = 16 位（默认值）
1h = 12 位
7-6
IVMON_EN[1:0]
RW
0h
2h = 8 位
3h = 保留
TDM RX 时隙选择配置
0h = 时隙等于I2C 地址偏移的单声道（默认）
1h = 左单声道
2h = 右单声道
3h = 立体声下混频(L+R)/2
5-4
3-2
1-0
RX_SCFG[1:0]
RX_WLEN[1:0]
RX_SLEN[1:0]
RW
RW
RW
0h
2h
2h
TDM RX 字长
0h = 16 位
1h = 20 位
2h = 24 位（默认值）
3h = 32 位
TDM RX 时隙长度
0h = 16 位
1h = 24 位
2h = 32 位
3h = 保留
8.9.12 页面= 0x00 地址= 0x0C [复位= 10h]
位
字段
类型
复位
说明
TDM RX 右声道时隙（默认值= 1h）
TDM RX 左声道时隙（默认值= 0h）
7-4
RX_SLOT_R[3:0]
RW
1h
3-0
RX_SLOT_L[3:0]
RW
0h
8.9.13 页面= 0x00 地址= 0x0D [复位= 13h]
位
字段
类型
复位
说明
当TX_KEEPEN 启用时，TDM TX SDOUT LSB 数据将被驱动
0h = 完整周期
7
TX_KEEPCY
RW
0h
1h = 半个周期
当启用TX_KEEPEN 时，TDM TX SDOUT 将在以下时间内保持
总线：
0h = 1 个LSB 周期
1h = 始终
6
5
TX_KEEPLN
TX_KEEPEN
RW
RW
0h
0h
TDM TX SDOUT 总线保持器
0h = 禁用
1h = 启用
TDM TX SDOUT 未使用位字段填充
0h = 发送0
1h = 发送高阻态
4
TX_FILL
RW
RW
1h
1h
3-1
TX_OFFSET[2:0]
TDM TX 帧开始到时隙0 的偏移（默认值= 1h）
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位
字段
类型
复位
说明
TDM TX 启动时钟极性
0h = SBCLK 的上升沿
1h = SBCLK 的下降沿
0
TX_EDGE
RW
1h
8.9.14 页面= 0x00 地址= 0x0E [复位= C2h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类分辨率
0h = 8 位
7
CLASSH_RES
RW
1h
1h = 16 位
TDM TX 电压检测传输
0h = 禁用
1h = 启用
6
VSNS_TX
RW
RW
1h
2h
5-0
VSNS_SLOT[5:0]
TDM TX 电压检测时隙（默认值= 02h）
8.9.15 页面= 0x00 地址= 0x0F [复位= 40h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
TDM TX 电流检测传输
0h = 禁用
1h = 启用
6
ISNS_TX
RW
RW
1h
0h
5-0
ISNS_SLOT[5:0]
TDM TX 电流检测时隙（默认值= 00h）
8.9.16 页面= 0x00 地址= 0x10 [复位= 04h]
位
字段
类型
复位
说明
TDM TX SAR 数据时隙长度
0h = 截断至8 位
7
SAR_DATA_SL
RW
0h
1h = 左对齐至16 位
TDM TX SAR 数据发送启用
0h = 禁用
6
SAR_DATA_TX
RW
RW
0h
4h
1h = 启用
SR_DATA_SLOT[5:0]
TDM TX SAR 时隙（默认值= 4h）
5-0
1.96ksps 的序列：PVDDL、PVDDH、温度、标记。
2.192ksps 的序列：PVDDL、PVDDL、PVDDH、PVDDH、温度、温度、标记、标记。
8.9.17 页面= 0x00 地址= 0x13 [复位= 08h]
位
字段
类型
复位
说明
过功率STATUS 位- TH1 和TH2
0h = 禁用
7
STAT_SLOT_TG
RW
0h
1h = STATUS 中的位[5] = TH2 与OTS 进行或运算
1h = STATUS 中的位[6] = TH1
TDM TX 状态传输
0h = 禁用
6
STATUS_TX
RW
0h
1h = 启用
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位
字段
类型
复位
说明
TDM TX 状态时隙（默认值= 08h）
位[7] - PVDDH 状态
0h = 未检测到PVDDH UVLO
1h = 检测到PVDD UVLO
位[6] -过流状态
0h = 未检测到过流
1h = 检测到过流
位[5] - 过热状态
0h = 未检测到过热
1h = 检测到过热
*位[4] - BOP 状态
0h = 未检测到BOP
1h = 检测到BOP
5-0
STATUS_SLOT[5:0]
RW
8h
*位[3] - 信号失真限制器状态
0h = 无失真限制器
1h = 因失真限制器而完成增益衰减
位[2] - 噪声门状态
0h = 器件处于正常模式
1h = 器件处于噪声门模式
位[1] - D 类功率级状态
0h = D 类电源开关已连接到PVDDL
1h = D 类电源开关已连接到PVDDH
位[0] - 上电状态
0h = 器件处于断电状态
1h = 器件处于运行状态
8.9.18 页面= 0x00 地址= 0x15 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
低侧OC 阈值
0h = 标称OC 阈值（默认）
1h = OC 阈值增加标称值的10%
2h = OC 阈值增加标称值的20%
3h = OC 阈值增加标称值的30%
4h = OC 阈值减少标称值的40%
5h = OC 阈值减少标称值的30%
6h = OC 阈值减少标称值的20%
7h = OC 阈值减少标称值的10%
7-5
LS_OC[2:0]
RW
0h
ICC 引脚功能
0h = 增益时隙传输（默认）
1h = 保留
4-2
1-0
ICC_CFG[2:0]
RW
R
0h
0h
2h = ICC 引脚缓冲区已禁用
3h = ICC 引脚是通用输入
4h = ICC 引脚是通用输出
5h - 7h = 保留
保留
保留
8.9.19 页面= 0x00 地址= 0x16 [复位= 12h]
位
字段
类型
复位
说明
TDM 音频时隙长度
0b = 16 位
7
AUDIO_SLEN
RW
0h
1b = 24 位
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位
字段
类型
复位
说明
TDM 音频输出发送
0h = 禁用
6
AUDIO_TX
RW
0h
1h = 启用
5-0
AUDIO_SLOT[5:0]
RW
12h
TDM TX 状态时隙（默认值= 12h）
8.9.20 页面= 0x00 地址= 0x17 [复位= 80h]
位
字段
类型
RW
R
复位
说明
限制器最大衰减（默认值= 8h）
0h = -1dB
1h = -2dB
2h = -3dB
7-4
3-0
LIM_MAX_AT[3:0]
8h
0h
…
0Eh = -15dB
0Fh = 保留
保留
保留
8.9.21 页面= 0x00 地址= 0x1A [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
数字音量控制
00h = 0dB
01h = -0.5dB
02h = -1dB
...
7-0
DVC_LVL[7:0]
RW
00h
C8h = -100dB
其他：静音
8.9.22 页面= 0x00 地址= 0x1B [复位= 62h]
位
字段
类型
复位
说明
电压限制器输入源
0h = PVDDL 输入
LIMB_SRC
RW
0h
1h = PVDDH 输入
7-6
5
R
1h
1h
保留
保留
限制器动态余量
0h = 禁用
LIM_HR_EN
RW
1h = 启用
限幅器启动速率
00h = 20μs/dB
01h = 40μs/dB
02h = 80μs/dB
03h = 160μs/dB
04h = 320μs/dB
05h = 640μs/dB
06h = 1280μs/dB
07h = 2560μs/dB
08h = 5120μs/dB
09h = 10240μs/dB
10h = 20480μs/dB
11h = 40960μs/dB
12h = 81920μs/dB
13h = 163840μs/dB
其他： 保留
4-1
LIM_ATK_RT[3:0]
RW
1h
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位
字段
类型
复位
说明
限制器为
0h = 禁用
1h = 启用
0
LIM_EN
RW
0h
8.9.23 页面= 0x00 地址= 0x1C [复位= 36h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
限制器释放速率
0h = 2ms/dB
1h = 4ms/dB
2h = 8ms/dB
3h = 16ms/dB
4h = 32ms/dB
5h = 64ms/dB
6h = 128ms/dB
7h = 256ms/dB
8h = 512ms/dB
9h = 1024ms/dB
Ah = 2048ms/dB
Bh = 4096ms/dB
Ch = 8192ms/dB
Ch = 16384ms/dB
Eh - Fh = 保留
6-3
LIM_RLS_RT[3:0]
RW
6h
限制器保持时间
0h = 保留
1h = 10ms
2h = 25ms
2-0
LIM_HLD[2:0]
RW
6h
3h = 50ms
4h = 100ms
5h = 250ms
6h = 500ms（默认值）
7h = 1000ms
8.9.24 页面= 0x00 地址= 0x1D [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
ICC 引脚
0h = 禁用
1h = 启用
7
ICC_EN
RW
0h
ICC 器件对编号（默认值= 0h）
0h = 器件与器件0 配对
1h = 器件与器件1 配对
….….
6-3
ICC_PAIR_DEV[3:0]
RW
0h
7h = 器件与器件7 配对
8h - Fh = 器件未配对
ICC 器件型号（默认值= 0h）
0h = 器件在ICC 总线的时隙0 中传输增益
1h = 器件在ICC 总线的时隙1 中传输增益
2h = 器件在ICC 总线的时隙2 中传输增益
3h = 器件在ICC 总线的时隙3 中传输增益
4h = 器件在ICC 总线的时隙4 中传输增益
5h = 器件在ICC 总线的时隙5 中传输增益
6h = 器件在ICC 总线的时隙6 中传输增益
7h = 器件在ICC 总线的时隙7 中传输增益
2-0
ICC_DEV[2:0]
RW
0h
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8.9.25 页面= 0x00 地址= 0x1F [复位= 01h]
位
字段
类型
复位
说明
高侧OC 阈值
0h = 标称OC 阈值（默认）
1h = OC 阈值增加标称值的10%
2h = OC 阈值增加标称值的20%
3h = OC 阈值增加标称值的30%
4h = OC 阈值减少标称值的40%
5h = OC 阈值减少标称值的30%
6h = OC 阈值减少标称值的20%
7h = OC 阈值减少标称值的10%
7-5
HS_OC[2:0]
RW
0h
BOP 关断
0h = 禁用
1h = 启用
4
0
BOPSD_EN
RW
RW
0h
0h
BOP 无限保持清除（自行清除）
0h = 不清除
BOP_HLD_CLR
1h = 清除
BOP 事件中的无限保持
0h = 在BOP 事件后使用BOP_HLD
BOP_INF_HLD
BOP_MUTE
BOP_EN
RW
RW
RW
0h
0h
1h
1h = 在BOP_HLD_CLR 设置为高电平有效之前不要释放
在BOP 事件中静音
0h = 不静音
1h = 静音后器件关断
BOP
0h = 禁用
1h = 启用
8.9.26 页面= 0x00 地址= 0x20 [复位= 2Eh]
位
字段
类型
复位
说明
欠压保护启动速率
0h = 1 个样本中的1 个步长
1h = 2 个样本中的1 个步长（默认）
2h = 4 个样本中的1 个步长
3h = 8 个样本中的1 个步长
4h = 16 个样本中的1 个步长
5h = 32 个样本中的1 个步长
6h = 64 个样本中的1 个步长
7h = 128 个样本中的1 个步长
7-5
BOP_ATK_RT[2:0]
RW
1h
欠压保护启动步长
0h = 0.5dB
1h = 1dB（默认）
2h = 1.5dB
4-3
BOP_ATK_ST[1:0]
RW
1h
3h = 2dB
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位
字段
类型
复位
说明
欠压保护保持时间
0h = 0ms
1h = 10ms
2h = 25ms
3h = 50ms
2-0
BOP_HLD[2:0]
RW
6h
4h = 100ms
5h = 250ms
6h = 500ms（默认）
7h = 1000ms
8.9.27 页面= 0x00 地址= 0x34 [复位= 06h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-3
R
0h
保留
CDS_MODE = 3h 时LVS 的阈值
0h = -121.5dBFS
2-1
0
LVS_FTH_LOW[1:0]
RW
R
3h
0h
1h= -101.5dBFS（默认）
2h= -81.5dBFS
3h = -71.5dBFS（默认）
保留
保留
8.9.28 页面= 0x00 地址= 0x35 [复位= BDh]
位
字段
类型
复位
说明
噪声门进入迟滞计时器
0h = 400μs
1h = 600μs
2h = 800μs
3h = 2ms
7-5
NG_HYST_TIMER[2:0]
RW
5h
4h = 10ms
5h = 50ms（默认值）
6h = 100ms
7h = 1s
噪声门音频阈值电平
0h = -90dBFS
4-3
NG_TH[1:0]
RW
3h
1h = -100dBFS
2h = -110dBFS
3h = -120dBFS（默认值）
噪声门
2
NG_EN
RW
R
1h
1h
0h = 禁用
1h = 启用
1-0
保留
保留
8.9.29 页面= 0x00 地址= 0x36 [复位= ADh]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-6
RW
2h
保留
噪声门上的音量斜坡
0h = 启用
1h = 禁用
5
4
NG_DVC_RP
RW
R
1h
0h
保留
保留
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位
字段
类型
复位
说明
PVDDH 至PVDDL 迟滞时间
0h - 9h = 保留
Ah = 1ms
Bh = 10ms
Ch = 20ms
3-0
LVS_HYS[3:0]
RW
Dh
Dh = 50ms（默认值）
Eh = 75ms
Fh = 100ms
*对于采样率fs < 48ksps，用上面的值乘以48/fs
8.9.30 页面= 0x00 地址= 0x37 [复位= A8h]
位
字段
类型
RW
R
复位
1h
说明
低电压信号传输阈值
0h = 固定
1h = 相对于PVDDL 电压
7
LVS_DET
6-5
1h
保留
保留
LVS 的阈值(CDS_MODE = 0h)
00h = -18.5dBFS
01h = -18.25dBFS（默认）
02h = -18dBFS
03h = -17.75dBFS
04h = -17.5dBFS
..
4-0
LVS_FTH[4:0]
RW
08h
08h = -16.5dBFS（默认）
..
1Eh = -11dBFS
1Fh = -10.75dBFS
8.9.31 页面= 0x00 地址= 0x38 [复位= 00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
适用于ICC 的弱下拉
0h = 禁用
1h = 启用
6
5
4
3
DIN_PD[4]
DIN_PD[3]
DIN_PD[2]
DIN_PD[1]
RW
RW
RW
RW
0h
0h
0h
0h
适用于SDOUT 的弱下拉
0h = 禁用
1h = 启用
适用于SDIN 的弱下拉
0h = 禁用
1h = 启用
适用于FSYNC 的弱下拉
0h = 禁用
1h = 启用
适用于SBCLK 的弱下拉
0h = 禁用
1h = 启用
2
DIN_PD[0]
RW
R
0h
0h
1-0
保留
保留
8.9.32 页面= 0x00 地址= 0x3B [复位= FCh]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 静音中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
7
IM_BOPM
RW
1h
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位
字段
类型
复位
说明
Bop 无限保持中断。
6
5
4
3
2
1
0
IM_BOPIH
RW
1h
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
限制器最大衰减中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
IM_LIMMA
IM_PBIP
IM_LIMA
IM_TDMCE
IM_OC
RW
RW
RW
RW
RW
RW
1h
1h
1h
1h
0h
0h
PVDDH 低于限制器拐点中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
限制器运行中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
TDM 时钟错误中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
过流错误中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
过热错误中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
IM_OT
8.9.33 页面= 0x00 地址= 0x3C [复位= BBh]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
1h
保留
OTP_CRC 错误中断
0h = 无屏蔽
6
IM_OTPCRC
RW
0h
1h = 屏蔽
5-1
0
R
1Dh
1h
保留
保留
增益限制器运行中断
0h = 无屏蔽
IM_VBATLIM
RW
1h = 屏蔽
8.9.34 页面= 0x00 地址= 0x3D [复位= DDh]
位
字段
类型
复位
说明
内部PLL 衍生时钟错误中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
7
IM_PLL_CLK
RW
1h
1h
6-0
R
保留
保留
8.9.35 页面= 0x00 地址= 0x40 [复位= F6h]
位
字段
类型
复位
说明
温度超过105ºC 中断。
0h = 无屏蔽
7
IM_TO105
RW
1h
1h = 屏蔽
温度超过115ºC 中断。
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
6
5
IM_TO115
IM_TO125
RW
RW
1h
1h
温度超过125ºC 中断。
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
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位
字段
类型
复位
说明
温度超过135ºC 中断。
0h = 无屏蔽
4
IM_TO135
RW
1h
1h = 屏蔽
内部PVDDL LDO 欠压
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
3
2-1
0
IM_LDO_UV
RW
R
0h
3h
0h
保留
保留
PVDDH 欠压
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
IM_PUVLO
RW
8.9.36 页面= 0x00 地址= 0x41 [复位= 14h]
位
字段
类型
复位
说明
热检测阈值2
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
7
IM_TDTH2
IM_TDTH1
IM_PVBT
IM_BOPA
IM_BOPD
RW
0h
0h
0h
1h
0h
热检测阈值1
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
6
5
4
3
RW
RW
RW
RW
PVDDH - PVDDL 低于阈值
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
BOP 运行中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
BOP 检测到中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
BOP 器件关断启动
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
2
IM_BOPPD
RW
R
1h
0h
1-0
保留
保留
8.9.37 页面= 0x00 地址= 0x42 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 静音导致的中断
0h = 无中断
7
IL_BOPM
R
0h
1h = 中断
BOP 无限保持导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
6
5
4
3
2
IL_BOPIH
IL_LIMMA
IL_PBIP
R
R
R
R
R
0h
0h
0h
0h
0h
限制器最大衰减导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
由于PVDDH 低于限制器拐点而导致中断
0h = 无中断
1h = 中断
限制器运行导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
IL_LIMA
由于TDM 时钟错误而导致中断
0h = 无中断
IL_TDMCE
1h = 中断- 器件处于关断状态
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位
字段
类型
复位
说明
由于过流错误而导致中断
1
0
IL_OC
R
0h
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
由于过热错误而导致中断
0h = 无中断
IL_OT
R
0h
1 = 中断- 器件处于关断状态
8.9.38 页面= 0x00 地址= 0x43 [复位= 00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
由于OTP CRC 错误标志而导致中断
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
6
5-3
2
IL_OTPCRC
R
R
R
R
R
0h
0h
0h
0h
0h
保留
保留
噪声门运行标志
IL_NGA
0h = 未检测到噪声门
1h = 检测到噪声门
1
保留
保留
由于增益限制器运行而中断
0h = 无中断
0
IL_VBATLIM
1h = 中断
8.9.39 页面= 0x00 地址= 0x44 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
0h
说明
内部PLL 时钟错误
0h = 无中断
7
IL_PLL_CLK
R
1h = 中断- 器件处于关断状态
6
R
0h
保留
保留
PVDDL 欠压
5
IL_PVDDL_UV
R
0h
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
4-0
R
0h
保留
保留
8.9.40 页面= 0x00 地址= 0x47 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
温度超过105ºC
0b = 无中断
1b = 中断
7
IL_TO105
IL_TO115
IL_TO125
IL_TO135
R
0h
0h
0h
0h
温度超过115ºC
0b = 无中断
1b = 中断
6
5
4
R
R
R
温度超过125ºC
0b = 无中断
1b = 中断
温度超过135ºC
0b = 无中断
1b = 中断
PVDDL 内部LDO 欠压
0b = 无中断
1b = 中断- 器件处于关断状态
3
IL_LDO_UV
R
R
0h
0h
2-1
保留
保留
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位
字段
类型
复位
说明
PVDDH 欠压
0
IL_PUVLO
R
0h
0b = 无中断
1b = 中断- 器件处于关断状态
8.9.41 页面= 0x00 地址= 0x48 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
热检测阈值2
7
IL_TDTH2
R
0h
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
热检测阈值1
0h = 无中断
1h = 中断
6
5
4
IL_TDTH1
IL_PVBT
IL_BOPA
R
R
R
0h
0h
0h
(PVDDH - PVDDL) 低于阈值
0h = 无中断
1h = 中断
BOP 运行
0h = 无中断
1h = 中断
检测到BOP
0h = 无中断
1h = 中断
3
IL_BOPD
R
R
0h
0h
2-0
保留
保留
8.9.42 页面= 0x00 地址= 0x49 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 静音导致的中断
0h = 无中断
7
IR_BOPM
R
0h
1h = 中断
BOP 无限保持导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
6
5
4
3
2
1
0
IR_BOPIH
IR_LIMMA
IR_PBIP
IR_LIMA
IR_TDMCE
IR_OC
R
R
R
R
R
R
R
0h
0h
0h
0h
0h
0h
0h
限制器最大衰减导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
由于PVDDH 低于限制器拐点而导致中断
0h = 无中断
1h = 中断
限制器运行导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
由于TDM 时钟错误而导致中断
0h = 无中断
1h = 中断
由于过流而导致中断
0h = 无中断
1h = 中断
由于过热而导致中断
0h = 无中断
IR_OT
1h = 中断
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8.9.43 页面= 0x00 地址= 0x4A [复位= 00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
由于OTP CRC 错误而导致中断
0h = 无中断
1h = 中断
6
5-1
0
IR_OTPCRC
R
R
R
0h
00h
0h
保留
保留
由于增益限制器而导致中断
0h = 无中断
IR_VBATLIM
1h = 中断
8.9.44 页面= 0x00 地址= 0x4B [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
0h
说明
内部PLL 时钟错误
0h = 无中断
7
IR_PLL_CLK
R
1h = 中断
6-0
R
00h
保留
保留
8.9.45 页面= 0x00 地址= 0x4F [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
温度超过105ºC
0h = 无中断
1h = 中断
7
IR_TO105
R
0h
温度超过115ºC
0h = 无中断
1h = 中断
6
5
4
IR_TO115
IR_TO125
IR_TO135
IR_LDO_UV
R
R
R
0h
0h
0h
温度超过125ºC
0h = 无中断
1h = 中断
温度超过135ºC
0h = 无中断
1h = 中断
内部PVDDL LDO 欠压
0h = 无中断
1h = 中断
3
2-1
0
R
R
R
0h
0h
0h
保留
保留
PVDDH 欠压
0h = 无中断
1h = 中断
IR_PUVLO
8.9.46 页面= 0x00 地址= 0x50 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
热检测阈值2
0h = 无中断
1h = 中断
7
IR_TDTH2
R
0h
热检测阈值1
0h = 无中断
1h = 中断
6
5
IR_TDTH1
IR_PVBT
R
R
0h
0h
由于(PVDDH - PVDDL) 低于阈值而中断
0h = 无中断
1h = 中断
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位
字段
类型
复位
说明
BOP 运行标志
0h = 无中断
1h = 中断
4
IR_BOPA
R
0h
检测到BOP
0h = 无中断
1h = 中断
3
IR_BOPD
R
0h
由于BOP 触发关断而中断
0h = 无中断
2
IR_BOPPD
R
R
0h
0h
1h = 中断
1-0
保留
保留
8.9.47 页面= 0x00 地址= 0x51 [复位= 00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-3
R
00h
保留
TDM 时钟误差：SBCLK 比率或采样率无效
0h = 无中断
1h = 中断
2
1
0
IR_TDMCEIR
IR_TDMCEFC
IR_TDMCERC
R
R
R
0h
0h
0h
TDM 时钟误差：采样率动态变化
0h = 无中断
1h = 中断
TDM 时钟错误：SBCLK 与FSYNC 之比动态变化
0h = 无中断
1h = 中断
8.9.48 页面= 0x00 地址= 0x52 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
返回SAR ADC PVDDL 转换MSB
8*{hex2dec(PVDDL_CNV[11:0])}/4096
7-0
PVDDL_CNV[11:4]
R
00h
8.9.49 页面= 0x00 地址= 0x53 [复位= 00h]
位
字段
类型
R
复位
0h
说明
返回SAR ADC PVDDL 转换LSB
8*{hex2dec(PVDDL_CNV[11:0])}/4096
7-4
3-0
PVDDL_CNV[11:4]
R
0h
保留
保留
8.9.50 页面= 0x00 地址= 0x54 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
返回SAR PVDDH 转换MSB
23*{hex2dec(PVDDH_CNV[11:0])}/4096
7-0
PVDDH_CNV[11:4]
R
00h
8.9.51 页面= 0x00 地址= 0x55 [复位= 00h]
位
字段
类型
R
复位
0h
说明
返回SAR PVDDH 转换LSB
7-4
3-0
PVDDH_CNV[3:0]
23*{hex2dec(PVDDH_CNV[11:0])}/4096
R
0h
保留
保留
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8.9.52 页面= 0x00 地址= 0x56 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TEMP_CNV[7:0]
R
00h
返回SAR 温度传感器转换{hex2dec(TEMP_CNV[7:0])}- 93
8.9.53 页面= 0x00 地址= 0x5C [复位= 19h]
位
字段
类型
复位
说明
基于时钟的器件上电/断电功能
0h = 禁用
7
CLK_PWRUD
RW
0h
1h = 启用
时钟暂停计时器
6
DIS_CLK_HALT
RW
RW
0h
3h
0h = 在时钟错误之后，启用时钟暂停检测
1h = 在时钟错误之后，禁用时钟暂停检测
时钟暂停计时器值
0h = 820μs
1h = 3.27ms
2h = 26.21ms
5-3
CLK_HALT_TIMER[2:0]
3h = 52.42ms（默认值）
4h = 104.85ms
5h = 209.71ms
6h = 419.43ms
7h = 838.86ms
清除中断锁存寄存器
0h = 不清除
1h = 清除（自行清除位）
2
IRQZ_CLR
RW
RW
0h
1h
IRQZ 中断配置IRQZ 将有效
0h = 任何未屏蔽的实时中断
1h = 任何未屏蔽、已闩锁的中断（默认）
2h = 任何未屏蔽的实时中断事件，一次2ms - 4ms
3h = 任何未屏蔽、已闩锁的中断，每4ms 中断2ms - 4ms
1-0
IRQZ_CFG[1:0]
8.9.54 页面= 0x00 地址= 0x5D [复位= 80h]
位
字段
类型
RW
R
复位
说明
IRQZ 引脚极性
0h = 高电平有效
1h = 低电平有效
7
IRQZ_POL
1h
6-0
00h
保留
保留
8.9.55 页面= 0x00 地址= 0x60 [复位= 0Dh]
位
字段
类型
复位
说明
7-2
SBLK_FS_RATIO[5:0]
RW
3h
当AUTO_RATE=1（禁用）时的SBCLK 与FS 之比。
请参阅表8-9。
1-0
R
1h
保留
保留
表8-9. SBCLK 与FSYNC 之比(AUTO_RATE=1)
00h = 16
05h = 96
0Ah = 512
01h = 24
06h = 128
0Bh = 125
02h = 32
07h = 192
0Ch = 250
04h = 64
09h = 384
03h = 48（默认）
08h = 256
0Dh = 500
0Eh - 3Fh = 保留
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8.9.56 页面= 0x00 地址= 0x63 [复位= 48]
位
字段
类型
RW
R
复位
0h
说明
空闲通道优化
7
IDLE_IND
0h = 用于15μH 及以上的电感器
1h = 用于5μH 电感器
6-0
48h
保留
保留
8.9.57 页面= 0x00 地址= 0x65 [复位= 08]
位
字段
类型
RW
R
复位
0h
说明
限制器电源
0h = PVDDL
7
PWR_LIM_SRC
1h = PVDDH
6-0
08h
保留
保留
8.9.58 页面= 0x00 地址= 0x67 [复位= 00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-2
R
00h
保留
空闲通道迟滞计时器
0h = 50ms（默认）
1h = 100ms
1-0
IDCH_HYST[1:0]
RW
0h
2h = 200ms
3h = 1000ms
*对于采样率fs < 48ksps，用上面的值乘以48/fs
8.9.59 页面= 0x00 地址= 0x68 [复位= 30h]
位
字段
保留
类型
R
复位
0h
说明
保留
7-6
5-0
FS_RATIO[5:0]
RW
30h
检测到的SBCLK 与FSYNK 之比。请参阅表8-10。
表8-10. 检测到的SBCLK 与FSYNC 之比
00h = 16
05h = 96
0Ah = 512
01h = 24
06h = 128
0Bh = 125
02h = 32
07h = 192
0Ch = 250
03h = 48
04h = 64
09h = 384
08h = 256
0Dh = 500
0Eh - 3Fh = 保留
8.9.60 页面= 0x00 地址= 0x6A [复位= 12h]
位
字段
类型
复位
说明
7-6
CDS_DLY[1:0]
RW
0h
Y 桥开关相对于输入信号的延迟(1/fs)。请参阅表8-11。
当禁用H 类时，PWM_CTRL 引脚信号相对于输入信号的延迟
(1/fs)。请参阅表8-12。
5-4
3-0
LVS_DLY[1:0]
LVS_RTH[3:0]
RW
RW
1h
低压信号传输的相对阈值（PVDDL 电压的余量）。
0h = 0.5V
1h = 0.6V
2h = 0.7V
...
2h
Eh = 1.9V
Fh = 2V
表8-11. CDS 延迟(1/fs)
48ksps
96 ksps
NG 启用
NG 禁用
NG 启用
NG 禁用
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表8-11. CDS 延迟(1/fs) (continued)
48ksps
96 ksps
8.1
7.1
6.1
5.6
6.1
5.1
4.1
3.6
12.6
10.6
8.5
9.6
7.6
5.6
4.6
0h（默认值）
1h
2h
3h
7.6
表8-12. LVS_Delay (1/fs)
48 ksps
96 ksps
NG 启用
7.8
NG 禁用
5.8
NG 启用
12.1
10.1
8.1
NG 禁用
9.1
0h
6.8
4.8
7.1
1h（默认值）
2h
3h
5.8
3.8
5.1
5.1
3.1
6.6
3.6
8.9.61 页面= 0x00 地址= 0x6B [复位= 7Bh]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
当BOP 源是PVDDH 时转换PVDDL
0h = 无PVDDL 转换
1h = PVDDL 转换
6
CNV_PVDDL
FS_RATE[2:0]
RW
RW
1h
检测到的TDM 总线采样率
0h - 3h = 保留
4h = 44.1/48kHz
5h = 88.2/96kHz
6h = 保留
5-3
7h
7h = 错误条件（默认）
噪声门精细分辨率寄存器模式
0h = 禁用
1h = 启用
2
NGFR_EN
RW
R
0h
3h
1-0
保留
保留
8.9.62 页面= 0x00 地址= 0x6C - 0x6E [复位= 00001Ah]
位
字段
类型
复位
说明
将噪声门阈值设置为级别NGLV(dBFS)
dec2hex[round(10^(NGLV/20)*2^31)]
23-0
NGFR_LVL[23:0]
RW
00001Ah
8.9.63 页面= 0x00 地址= 0x6F [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
将噪声门迟滞设置为值NGHYS(ms)
dec2bin[(NGHYS*fs), 19]
7-0
NGFR_HYST[18:11]
RW
0h
fs=采样率以kHz 为单位
建议设置为高于1ms。
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8.9.64 页面= 0x00 地址= 0x70 [复位= 96h]
位
字段
类型
复位
说明
将噪声门迟滞设置为值NGHYS(ms)
dec2bin[(NGHYS*fs), 19]
7-0
NGFR_HYST[10:3]
RW
96h
fs=采样率以kHz 为单位
8.9.65 页面= 0x00 地址= 0x71 [复位= 02h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类控制器
0h = 禁用（默认）
1h = 启用
7
CLASSH_EN
RW
0h
选择PWM 极性
0h = 正常
6
PWM_POL
RW
RW
0h
1h = 反相
PVDDH 欠压阈值
00h = 1.753V
01h = 2.09V
02h = 2.428V（默认值）
...........
5-0
PVDDH_UV_TH[5:0]
02h
3Fh = 23V
8.9.66 页面= 0x00 地址= 0x73 [复位= 08h]
位
字段
类型
复位
说明
7-6
DEM_CTRL[1:0]
RW
0h
DAC MSB 和LSB DEM 启用/禁用控制
0h = MSB 启用，LSB = 启用（默认）
1h = MSB 启用，LSB = 禁用
2h = MSB 禁用，LSB = 启用
3h = MSB 禁用，LSB = 禁用- 推荐用于超声波使用情形
5
DIS_DITH
RW
RW
0h
DAC MSB 调制器抖动控制
0b = 启用
1b = 禁用- 推荐用于超声波使用情形
4-0
LIM_HDR[4:0]
08h
限制器余量
00h = -20%
01h = -17.5%
02h = -15%
….….….….….….….
0Fh = 17.5%
10h = 20%
11h - 1F = 保留
8.9.67 页面= 0x00 地址= 0x77 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
SPI 时钟引脚上的弱下拉(NC_SCLK)
0h = 禁用
1h = 启用
7
SPC_PD
RW
0h
SPI 数据输出引脚上的弱下拉(NC_SDO)
0h = 禁用
1h = 启用
6
SPM_PD
RW
R
0h
5-0
00h
保留
保留
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8.9.68 页面= 0x00 地址= 0x7A [复位= 60h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
RW
0h
保留
PWM_CTRL 引脚配置
0h = 推挽
6
PWM_CTRL
RW
RW
1h
1h = 开漏
5-0
20h
保留
保留
8.9.69 页面= 0x00 地址= 0x7E [复位= 00h]
位
字段
类型
RW
复位
说明
返回I2C 校验和。写入此寄存器会将校验和复位为写入值。此寄
存器在所有器件簿和页上的其他寄存器进行写操作时更新。
7-0
I2C_CKSUM[7:0]
00h
8.9.70 页面= 0x00 地址= 0x7F [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
设置器件Book。
00h = Book 0
01h = Book 1
...
7-0
BOOK[7:0]
RW
0h
FFh = Book 255
8.9.71 页面= 0x01 地址= 0x17 [复位= D0h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-5
R
6h
保留
D 类比较器对低功耗的依赖性
0h = 禁用
4
CMP_HYST_LP
RW
1h
1h = 启用
空闲通道与SAR 的交互作用
0h = 启用
1h = 禁用
3
SAR_IDLE
RW
R
0h
0h
2-0
保留
保留
8.9.72 页面= 0x01 地址= 0x19 [复位= 60h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
调制
0b = LSR
6
EN_LLSR
RW
R
1h
1b = 线性LSR
5-0
20h
保留
保留
8.9.73 页面= 0x01 地址= 0x28 [复位= 00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-6
R
0h
保留
输出压摆率
0h = 快速/慢速压摆率，取决于PVDDH（默认值）
1h = 保留
5-4
EDGE_CTRL[1:0]
RW
0h
2h = 保留
3h = 整个PVDDH 范围的慢速压摆率
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位
字段
保留
类型
复位
说明
说明
3-0
R
0h
保留
8.9.74 页面= 0x01 地址= 0x35 [复位= 75h]
位
字段
保留
类型
R
复位
1Dh
1h
7-2
1-0
保留
BIAS_NOISE[1:0]
RW
用于改善噪声的设置
8.9.75 页面= 0x01 地址= 0x36 [复位= 08h]
位
字段
类型
RW
R
复位
0h
说明
内部LDO 设置
0h = 用户可以使用位PVDDL_MODE、寄存器0x04、页0x00
对器件进行编程（默认）
7-6
5-0
INT_LDO[1:0
1h = 使用外部PVDDL
2h = 对PVDDL 电源使用内部LDO
3h = 保留
08h
保留
保留
8.9.76 页面= 0x01 地址= 0x3D [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙7 的“0”输出控制强制降至0。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ1[7:0]
RW
00h
8.9.77 页面= 0x01 地址= 0x3E [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙15 的“0”输出控制强制降至8。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ2[7:0]
RW
00h
8.9.78 页面= 0x01 地址= 0x3F [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙23 的“0”输出控制强制降至16。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ3[7:0]
RW
00h
8.9.79 页面= 0x01 地址= 0x40 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙31 的“0”输出控制强制降至24。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ4[7:0]
RW
00h
8.9.80 页面= 0x01 地址= 0x41 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙39 的“0”输出控制强制降至32。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ5[7:0]
RW
00h
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8.9.81 页面= 0x01 地址= 0x42 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙47 的“0”输出控制强制降至40。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ6[7:0]
RW
00h
8.9.82 页面= 0x01 地址= 0x43 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙55 的“0”输出控制强制降至48。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ7[7:0]
RW
00h
8.9.83 页面= 0x01 地址= 0x44 [复位= 00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙63 的“0”输出控制强制降至56。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ8[7:0]
RW
00h
8.9.84 页面= 0x01 地址= 0x45 [复位= 00h]
位
字段
类型
RW
R
复位
0h
说明
控制将“0”发送到未使用的时隙
0h = 所有未使用的时隙都将传输“Hi-Z”
1h = 未使用的时隙根据寄存器0x3D - 0x44 设置传输“0”
7
SDOUT_FCNT
6-0
00h
保留
保留
8.9.85 页面= 0x01 地址= 0x47 [复位= AB]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-2
R
2Ah
保留
热阈值2
0h = 禁用
1h = 启用
1
0
TG_TH2
TG_TH1
RW
RW
1h
1h
热阈值1
0h = 禁用
1h = 启用
8.9.86 页面= 0x01 地址= 0x4C [复位= 00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-2
R
0h
保留
PVDDL/PVDDH SAR 滤波器频率
0h = 禁用（默认）
1h = 300kHz
1-0
ADC_FLT[1:0]
RW
0h
2h = 150kHz
3h = 50kHz
8.9.87 页面= 0x04 地址= 0x08 - 0x0B [复位= 034A516Ch]
位
字段
类型
复位
说明
将音量控制的压摆率设置为SR(s) 值：
31-0
DVC_SLEW[31:0]
RW
034A516Ch dec2hex(round {(1-exp[-1/(0.2*fs*SR)])*2^31})
默认SR = 28μs。
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8.9.88 页面= 0x04 地址= 0x10 - 0x13 [复位= 34000000h]
位
字段
类型
复位
说明
将限制器最大阈值设置为MAX_TH(V) 值：
31-0
LIM_MAX_TH[31:0]
RW
34000000h dec2hex[round(MAX_TH*2^26)]
默认MAX_TH = 13V。
8.9.89 页面= 0x04 地址= 0x14 - 0x17 [复位= 14000000h]
位
字段
类型
复位
说明
将限制器最小阈值设置为MIN_TH(V) 值：
31-0
LIM_MIN_TH[31:0]
RW
14000000h dec2hex[round(MIN_TH*2^26)]
默认MIN_TH = 5V。
8.9.90 页面= 0x04 地址= 0x18 - 0x1B [复位= 0D333333h]
位
字段
类型
复位
说明
将限制器拐点设置为INF(V) 值：
31-0
LIM_INF[31:0]
RW
0D333333h dec2hex[round(INF*2^26)]
默认INF = 3.3V。
8.9.91 页面= 0x04 地址= 0x1C - 0x1F [复位= 10000000h]
位
字段
类型
复位
说明
将限制器斜率设置为SLP(V/V) 值：
31-0
LIM_SLP[31:0]
RW
10000000h dec2hex[round(SLP*2^28)]
默认SLP = 1V/V。
8.9.92 页面= 0x04 地址= 0x20 - 0x23 [复位= 0B999999h]
位
字段
类型
复位
说明
将BOP 阈值设置为BOP_TH(V) 值：
31-0
BOP_TH[31:0]
RW
0B999999h dec2hex[round(BOP_TH*2^26)]
默认BOP_TH= 2.9V。
8.9.93 页面= 0x04 地址= 0x24 - 0x27 [复位= 0ACCCCCDh]
位
字段
类型
复位
说明
将BOP 关闭阈值设置为BOPSD_TH(V) 值：
dec2hex[round(BOPSD_TH*2^26)]
默认BOPSD_TH = 2.7V。
0ACCCCC
Dh
31-0
BOP_TH[31:0]
RW
8.9.94 页面= 0x04 地址= 0x40 - 0x43 [复位= 721482C0h]
位
字段
类型
复位
说明
将热折返限制器斜率设置为TF_SLP(dB/ºC) 值：
31-0
TF_SLP[31:0]
RW
721482C0h dec2hex[round((10^TF_SLP/20)*2^31)]
默认TF_SLP = -1dB/ºC。
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8.9.95 页面= 0x04 地址= 0x44 - 0x47 [复位= 00000258h]
位
字段
类型
复位
说明
将热折返限制器保持计数设置为TF_HLD(s) 值：
31-0
TF_HLD[31:0]
RW
00000258h
dec2hex[round(TF_HLD*fs/8)]，fs ≤48kHz
dec2hex[round(TF_HLD*6000)]，fs > 48kHz
8.9.96 页面= 0x04 地址= 0x48 - 0x4B [复位= 40BDB7C0h]
位
字段
类型
复位
说明
将热折返限制器释放速率设置为TF_RLS(dB/样本) 值：
dec2hex[round(10^(8*TF_RLS/20)*2^30)]，fs ≤48kHz
dec2hex[round(10^(16*TF_RLS/20)*2^30)]，fs > 48kHz
40BDB7C0
h
31-0
TF_RLS[31:0]
RW
8.9.97 页面= 0x04 地址= 0x4C - 0x4F [复位= 3982607Fh]
位
字段
类型
复位
说明
将热折返限制器温度阈值设置为TF_TH(ºC) 值：
31-0
TF_TMP_TH[31:0]
RW
3982607Fh dec2hex[round(TF_TH*2^23)]
默认TF_TH = 115ºC。
8.9.98 页面= 0x04 地址= 0x50 - 0x53 [复位= 2D6A866Fh]
位
字段
类型
复位
说明
将热折返限制器最大增益减少设置为TF_MAXA(dB) 值：
dec2hex[round(10^(TF_MAXA/20)*2^31)]
默认TF_MAXA= - 9dB。
2D6A866F
h
31-0
TF_MAX_ATN[31:0]
RW
8.9.99 页面= 0x04 地址= 0x54 - 0x57 [复位= 7C5E4E02h]
位
字段
类型
复位
说明
将热折返限制器启动速率设置为TF_ATK(dB/样本) 值：
dec2hex[round(10^(8*TF_ATK/20)*2^31)]，fs ≤48kHz
dec2hex[round(10^(16*TF_ATK/20)*2^31)]，fs > 48kHz
7C5E4E02
h
31-0
TF_ATK[31:0]
RW
8.9.100 页面= 0x05 地址= 0x14 - 0x17 [复位= 6CCCCCCCh]
位
字段
类型
复位
说明
D 类效率设置为EFF(%) 值：
dec2hex[round (EFF*2^31)]
6CCCCCC
Ch
31-0
CLASSD_EFF[31:0]
RW
8.9.101 页面= 0x05 地址= 0x1C - 0x1F [复位= 4CCCCCCh]
位
字段
类型
复位
说明
低压信号传输的膨胀系数设置为IF：
dec2hex[round(IF*2^30)]
4CCCCCC
h
31-0
INF_FCT[31:0]
RW
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8.9.102 页面= 0x05 地址= 0x20 - 0x23 [复位= 00000180h]
位
字段
类型
复位
说明
将H 类的保持时间设置为HT (s)：
dec2hex[round(HT*fs)]，fs≤48ksps
dec2hex[round(HT*48kHz)]，fs>48ksps
31-0
MAX_HLD_CLH[31:0]
RW
00000180h
8.9.103 页面= 0x05 地址= 0x24 - 0x27 [复位= 00000000h]
位
字段
类型
复位
说明
启用后门时，将H 类的释放窗口时间设置为RWT (s)（节
8.9.125）：
31-0
RLS_WD[31:0]
RW
00000000h
dec2hex[round(RWT*fs)]，fs ≤48ksps
dec2hex[round(RWT*48kHz)]，fs > 48ksps
8.9.104 页面= 0x05 地址= 0x28 - 0x2B [复位= 79999999h]
位
字段
类型
复位
说明
将H 类峰值保持时间衰减设置为PHV（衰减率/样本）：
dec2hex[round(PHV*2^31)]
31-0
PHVD[31:0]
RW
79999999h
8.9.105 页面= 0x05 地址= 0x2C - 0x2F [复位= 0538EF34h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类配置时间常数AS (s)：
31-0
AL_SMTH[31:0]
RW
0538EF34h
dec2hex[round([1-exp(-1/AS*fs)]*2^31)]，fs ≤48ksps
dec2hex[round([1-exp(-1/AS*48 kHz)]*2^31)]，fs > 48ksps
8.9.106 页面= 0x05 地址= 0x30 - 0x33 [复位= 40000000h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类膨胀系数设置为IF：
dec2hex[round(IF*2^30)]
31-0
NF_FCT_H[31:0]
RW
40000000h
8.9.107 页面= 0x05 地址= 0x34 - 0x37 [复位= 65AC8C2Fh]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平1 设置为ST1：
dec2hex[round(ST1*2^31)]
ST1 = margin*(Vm + (15/16)*(VM-Vm))/15.8489
其中：
65AC8C2F
h
31-0
CLH_ST1[31:0]
RW
VM = 最大升压输出
Vm = 最小升压输出
margin = D 类效率
8.9.108 页面= 0x05 地址= 0x38 - 0x3B [复位= 50C335D3h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平2 设置为ST2：
dec2hex[round(ST2*2^31)]
50C335D3
h
31-0
CLH_ST2[31:0]
RW
ST2 = margin*(Vm + (14/16)*(VM-Vm))/15.8489
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8.9.109 页面= 0x05 地址= 0x3C - 0x3F [复位= 4026E73Ch]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平3 设置为ST3：
31-0
CLH_ST3[31:0]
RW
4026E73Ch
dec2hex[round(ST3*2^31)]
ST3 = margin*(Vm + (13/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.110 页面= 0x05 地址= 0x40 - 0x43 [复位= 32F52CFEh]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平4 设置为ST4：
dec2hex[round(ST4*2^31)]
32F52CFE
h
31-0
CLH_ST4[31:0]
RW
ST4 = margin*(Vm + (12/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.111 页面= 0x05 地址= 0x44 - 0x47 [复位= 287A26C4h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平5 设置为ST5：
31-0
CLH_ST5[31:0]
RW
287A26C4h
dec2hex[round(ST5*2^31)]
ST5 = margin*(Vm + (11/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.112 页面= 0x05 地址= 0x48 - 0x4B [复位= 2026F30Fh]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平6 设置为ST6：
31-0
CLH_ST6[31:0]
RW
2026F30Fh
dec2hex[round(ST6*2^31)]
ST6 = margin*(Vm + (10/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.113 页面= 0x05 地址= 0x4C - 0x4F [复位= 198A1357h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平7 设置为ST7：
31-0
CLH_ST7[31:0]
RW
198A1357h
dec2hex[round(ST7*2^31)]
ST7 = margin*(Vm + (9/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.114 页面= 0x05 地址= 0x50 - 0x53 [复位= 144960C5h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平8 设置为ST8：
31-0
CLH_ST8[31:0]
RW
144960C5h
dec2hex[round(ST8*2^31)]
ST8 = margin*(Vm + (8/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.115 页面= 0x05 地址= 0x54 - 0x57 [复位= 101D3F2Dh]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平9 设置为ST9：
dec2hex[round(ST9*2^31)]
101D3F2D
h
31-0
CLH_ST9[31:0]
RW
ST9 = margin*(Vm + (7/16)*(VM-Vm))/15.8489
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8.9.116 页面= 0x05 地址= 0x58 - 0x5B [复位= 0CCCCCCCh]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平10 设置为ST10：
0CCCCCC
Ch
31-0
CLH_ST10[31:0]
RW
dec2hex[round(ST10*2^31)]
ST10 = margin*(Vm + (6/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.117 页面= 0x05 地址= 0x5C - 0x5F [复位= 0A2AADD1h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平11 设置为ST11：
0A2AADD1
h
31-0
CLH_ST11[31:0]
RW
dec2hex[round(ST11*2^31)]
ST11 = margin*(Vm + (5/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.118 页面= 0x05 地址= 0x60 - 0x63 [复位= 08138561h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平12 设置为ST12：
31-0
CLH_ST12[31:0]
RW
08138561h
dec2hex[round(ST12*2^31)]
ST12 = margin*(Vm + (4/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.119 页面= 0x05 地址= 0x64 - 0x67 [复位= 081385615h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平13 设置为ST13：
dec2hex[round(ST13*2^31)]
081385615
h
31-0
CLH_ST13[31:0]
RW
ST13 = margin*(Vm + (3/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.120 页面= 0x05 地址= 0x68 - 0x6B [复位= 08138561h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平14 设置为ST14：
31-0
CLH_ST14[31:0]
RW
08138561h
dec2hex[round(ST14*2^31)]
ST14 = margin*(Vm + (2/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.121 页面= 0x05 地址= 0x6C - 0x6F [复位= 08138561h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平15 设置为ST15：
31-0
CLH_ST15[31:0]
RW
08138561h
dec2hex[round(ST15*2^31)]
ST15 = margin*(Vm + (1/16)*(VM-Vm))/15.8489
8.9.122 页面= 0x05 地址= 0x70 - 0x73 [复位= 08138561h]
位
字段
类型
复位
说明
H 类阶跃电平16 设置为ST16：
dec2hex[round(ST16*2^31)]
ST16 = margin*Vm/15.8489
31-0
CLH_ST16[31:0]
RW
08138561h
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8.9.123 页面= 0x05 地址= 0x74 - 0x77 [复位= 000000BFh]
位
字段
类型
复位
说明
H 类延迟HDLY (s)
dec2hex[round(HDLY*fs) - 1]
31-0
CLH_DLY[31:0]
RW
000000BFh
*应小于4ms
8.9.124 页面= 0x05 地址= 0x78 - 0x7B [复位= 0000000Eh]
位
字段
类型
复位
说明
将LVS 延迟设置为LVDL (s)
dec2hex[round(LVDL* 96k) -1]，范围：0 -15，对应于fs =
48kHz/96kHz
31-0
LVSPR_DLY[31:0]
RW
0000000Eh
round( LVDL* 2*fs) -1，范围：0 -15，fs < 48k
8.9.125 页面= 0x05 地址= 0x7C - 0x7F [复位= 66676869h]
位
字段
类型
复位
说明
31-0
BKD_EN[31:0]
RW
66676869h
为任何非零值启用后门
8.9.126 页面= 0x06 地址= 0x08 - 0x0B [复位= 00000000h]
位
字段
类型
复位
说明
31-0
WVSH_08_01[31:0]
RW
00000000h
8 步进H 类占空比为0%
8.9.127 页面= 0x06 地址= 0x0C - 0x0F [复位= 80800000h]
位
字段
类型
复位
说明
31-0
WVSH_08_02[31:0]
RW
80800000h
8 步进H 类占空比为12.5%
8.9.128 页面= 0x06 地址= 0x10 - 0x13 [复位= C0C00000h]
位
字段
类型
复位
说明
C0C00000
h
8 步进H 类占空比为25%
31-0
WVSH_08_03[31:0]
RW
8.9.129 页面= 0x06 地址= 0x14 - 0x17 [复位= E0E00000h]
位
字段
类型
复位
说明
E0E00000h
31-0
WVSH_08_04[31:0]
RW
8 步进H 类占空比为37.5%
8.9.130 页面= 0x06 地址= 0x18 - 0x1B [复位= F0F00000h]
位
字段
类型
复位
说明
31-0
WVSH_08_05[31:0]
RW
F0F00000h
8 步进H 类占空比为50%
8.9.131 页面= 0x06 地址= 0x1C - 0x1F [复位= F8F80000h]
位
字段
类型
复位
说明
F8F80000h
31-0
WVSH_08_06[31:0]
RW
8 步进H 类占空比为62.5 %
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8.9.132 页面= 0x06 地址= 0x20 - 0x23 [复位= FCFC0000h]
位
字段
类型
复位
说明
说明
FCFC0000
h
8 步进H 类占空比为75%
31-0
WVSH_08_07[31:0]
RW
8.9.133 页面= 0x06 地址= 0x24 - 0x27 [复位= FCFC0000h]
位
字段
类型
复位
FCFC0000
h
8 步进H 类占空比为75%
31-0
WVSH_08_08[31:0]
RW
对于87.5%，请将寄存器设置为FEFE0000h
8.9.134 页面= 0x06 地址= 0x28 - 0x2B [复位= FCFC0000h]
位
字段
类型
复位
说明
8 步进H 类占空比为75%
FCFC0000
h
31-0
WVSH_08_09[31:0]
RW
对于100%，请将寄存器设置为FFFF0000h
8.9.135 页面= 0x06 地址= 0x2C - 0x2F [复位= 00000000h]
位
字段
类型
复位
说明
31-0
WVSH_16_01[31:0]
RW
00000000h
16 步进H 类占空比为0 %
8.9.136 页面= 0x06 地址= 0x30 - 0x33 [复位= 80000000h]
位
字段
类型
复位
说明
31-0
WVSH_16_02[31:0]
RW
80000000h
16 步进H 类占空比为6.25%
8.9.137 页面= 0x06 地址= 0x34 - 0x37 [复位= C0000000h]
位
字段
类型
复位
说明
31-0
WVSH_16_03[31:0]
RW
C0000000h
16 步进H 类占空比为12.5%
8.9.138 页面= 0x06 地址= 0x38 - 0x3B [复位= E0000000h]
位
字段
类型
复位
说明
E0000000h
31-0
WVSH_08_04[31:0]
RW
16 步进H 类占空比为18.75%
8.9.139 页面= 0x06 地址= 0x3C - 0x3F [复位= F0000000h]
位
字段
类型
复位
说明
31-0
WVSH_16_05[31:0]
RW
F0000000h
16 步进H 类占空比为25 %
8.9.140 页面= 0x06 地址= 0x40 - 0x43 [复位= F8000000h]
位
字段
类型
复位
说明
F8000000h
31-0
WVSH_16_06[31:0]
RW
16 步进H 类占空比为31.25%
8.9.141 页面= 0x06 地址= 0x44 - 0x47 [复位= FC000000h]
位
字段
类型
复位
说明
31-0
WVSH_16_07[31:0]
RW
FC000000h
16 步进H 类占空比为37.5%
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8.9.142 页面= 0x06 地址= 0x48 - 0x4B [复位= FE000000h]
位
字段
类型
复位
说明
31-0
WVSH_16_08[31:0]
RW
FE000000h
16 步进H 类占空比为43.75%
8.9.143 页面= 0x06 地址= 0x4C - 0x4F [复位= FF000000h]
位
字段
类型
复位
说明
说明
说明
说明
说明
说明
FF000000h
31-0
WVSH_16_09[31:0]
RW
16 步进H 类占空比为50 %
16 步进H 类占空比为56.25%
16 步进H 类占空比为62.5%
16 步进H 类占空比为68.75%
16 步进H 类占空比为75%
8.9.144 页面= 0x06 地址= 0x50 - 0x53 [复位= FF800000h]
位
字段
类型
复位
FF800000h
31-0
WVSH_16_10[31:0]
RW
8.9.145 页面= 0x06 地址= 0x54 - 0x57 [复位= FFC00000h]
位
字段
类型
复位
FFC00000h
31-0
WVSH_16_11[31:0]
RW
8.9.146 页面= 0x06 地址= 0x58 - 0x5B [复位= FFE00000h]
位
字段
类型
复位
FFE00000h
31-0
WVSH_16_12[31:0]
RW
8.9.147 页面= 0x06 地址= 0x5C - 0x5F [复位= FFF00000h]
位
字段
类型
复位
31-0
WVSH_16_13[31:0]
RW
FFF00000h
8.9.148 页面= 0x06 地址= 0x60 - 0x63 [复位= FFF00000h]
位
字段
类型
复位
FFF00000h
16 步进H 类占空比为75%
31-0
WVSH_16_14[31:0]
RW
对于81.25%，请将寄存器设置为FF800000h
8.9.149 页面= 0x06 地址= 0x64 - 0x67 [复位= FFF00000h]
位
字段
类型
复位
说明
16 步进H 类占空比为75%
31-0
WVSH_16_15[31:0]
RW
FFF00000h
对于87.5%，请将寄存器设置为FFFC0000h
8.9.150 页面= 0x06 地址= 0x68 - 0x6B [复位= FFF00000h]
位
字段
类型
复位
说明
FFF00000h
16 步进H 类占空比为75%
31-0
WVSH_16_16[31:0]
RW
对于93.75%，请将寄存器设置为FFFE0000h
8.9.151 页面= 0x06 地址= 0x6C - 0x6F [复位= FFF00000h]
位
字段
类型
复位
说明
FFF00000h
16 步进H 类占空比为75%
31-0
WVSH_16_17[31:0]
RW
对于100%，请将寄存器设置为FFFF0000h
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8.9.152 页面= 0x08 地址= 0x18 - 0x1B [复位= 9C000000h]
位
字段
类型
复位
说明
说明
说明
说明
说明
取消音频通道静音
31-0
VOL_CVR[31:0]
RW
9C000000h
写入00 00 00 00 以取消静音
8.9.153 页面= 0x08 地址= 0x28 - 0x2B [复位= 00000000h]
位
字段
类型
复位
取消音频通道静音
31-0
UNMUTE_CVR[31:0]
RW
00000000h
写入40 00 00 00 以取消静音
8.9.154 页面= 0x0A 地址= 0x48 - 0x4B [复位= 9C000000h]
位
字段
类型
复位
取消音频通道静音
31-0
VOL_NVR[31:0]
RW
9C000000h
写入00 00 00 00 以取消静音
8.9.155 页面= 0x0A 地址= 0x58 - 0x5B [复位= 00000000h]
位
字段
类型
复位
取消音频通道静音
31-0
UNMUTE_NVR[31:0]
RW
00000000h
写入40 00 00 00 以取消静音
8.9.156 页面= 0xFD 地址= 0x3E [复位= 4Dh]
位
字段
保留
类型
复位
7-4
R
4h
保留
3-0
OPT_DMIN[3:0]
RW
Dh
DMIN 优化设置
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8.10 SDOUT 公式
以下公式可用于转换在SDOUT 上读取的数据。
PVDDH (V)= 23* [Hex2Dec(SDOUTdata)]/2^PVDDH_SlotLength
(5)
(6)
(7)
默认情况下，PVDDH_SlotLength = 8。
PVDDL (V)= 8* [Hex2Dec(SDOUTdata)]/2^PVDDL_SlotLength
默认情况下，PVDDL_SlotLength = 8。
TEMP (0C)= 256*[Hex2Dec(SDOUTdata)]/2^TEMP_SlotLength - 93
TEMP_SlotLength = 8。
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9 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于 TI 组件规范，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定各组件
是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实现，以确保系统功能正常。
9.1 应用信息
TAS2781 是一款具有集成 DSP 的数字输入 D 类音频功率放大器，支持用于扬声器保护的德州仪器 (TI) 智能放大
器算法。I2S 音频数据由主机处理器提供。I2C 或SPI 总线用于配置和控制。用于外部升压转换器的Hybrid-Pro 控
制器可提高效率。
9.2 典型应用
图9-1. 典型应用- 1S 电池供电和外部升压控制
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图9-2. 典型应用- 多节电池电源
表9-1. 推荐的外部元件
规格
元件
说明
最小值
X7R
典型值
最大值
单位
类型
PVDDL 去耦电容器- PVDDL 外部电源
(PWR_MODE0/1/3)
10
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
10
C1
X7R
0.68
类型
PVDDL 去耦电容器- PVDDL 内部生成
(PWR_MODE2)
1
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
10
X7R
类型
C2
C3
C4
100
10
nF
V
PVDDL 去耦电容器
PVDDH 去耦电容器
PVDDH 去耦电容器
电容，容差为20%
额定电压
X7R
22
类型
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
30
X7R
类型
100
nF
V
电容，容差为20%
额定电压
30
X7R
类型
电容，容差为20%
AVDD=1.8V，IOVDD=3.3V
4.7
6.8
µF
C5
C6
AVDD 去耦电容器
DREG 去耦电容器
电容，容差为20%
AVDD=1.8V 并连接至IOVDD
6
V
额定电压
X7R
类型
1
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
6
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表9-1. 推荐的外部元件(continued)
元件
说明
规格
最小值
典型值
最大值
单位
X7R
类型
IOVDD 去耦电容器
C7
1
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
类型
IOVDD=3.3V 且未连接至AVDD
6
X7R
100
nF
V
C8、C9
电容，容差为20%
额定电压
自举电容器
6
可选EMI LC 滤波器
不建议使用，因为会使THD+N 性能降低。
Lf1、Lf2、Cf1、Cf2
（可选）
可选
TAS2781 器件为无滤波D 类放大器，无需
这些滤波器。
9.3 设计要求
对于这个设计示例，请使用节9.2 中显示的参数。
表9-2. 设计参数
设计参数
示例值
音频输入
数字音频，I2S
数字音频，I2S
电流和电压数据流
单声道或立体声配置
单声道
25W
1% THD+N、RL = 4Ω时的最大
输出功率
9.4 详细设计过程
9.4.1 单声道/立体声配置
在应用中，假定器件在单声道模式下工作。请参阅节 8.3.2，了解有关更改 TAS2781 的 I2C 地址的信息，以便支
持立体声运行。单声道或立体声配置不会影响器件性能。
9.4.2 EMI 无源器件
TAS2781 支持展频以最大限度地降低 EMI。它可以在 D 类输出上包含无源器件。必须正确选择无源器件（LC 滤
波器）以保持输出级的稳定性。详细信息，请参阅节8.4.5。
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9.5 应用曲线
在TA = 25°C，fSPK_AMP = 384kHz，输入信号fIN = 1kHz - 正弦波，负载= 4Ω+ 15μH 下测得，除非另有说明。
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
40
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
40
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图9-3. THD+N 与输出功率间的关系
图9-4. THD+N 与输出功率间的关系
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 12 V
PVDDL = 3.8 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDDH = 21 V
PVDDL = 3.8 V, PVDD = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDD = 18 V
PVDDL = 5 V, PVDD = 21 V
0.02
0.1
1
10
25
0.02
0.1
1
10
25
POUT (W)
POUT (W)
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图9-5. 效率与输出功率间的关系
图9-6. 效率与输出功率间的关系
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10 初始化设置
10.1 初始器件配置- 上电和软件复位
需要使用下面的I2C 序列：
• 上电时，当SDZ = 1 时（从硬件关断进入软件关断）；
• 当器件处于软件关断或运行模式并且用户运行软件复位命令时：寄存器0x01 的位[0] = 1。
###### Pre-Reset Configuration #########
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 37 3A #Bypass
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access page
w 70 06 C1 #Set Dmin
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 19 E0 #Force modulation
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access page
w 70 06 D5 #Set Dmin
###### Software Reset #########
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 7F 00 #Book 0x00
w 70 01 01 #Software Reset
d 01 #1 ms Delay
###### Post-Reset Configuration #########
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 37 3A #Bypass
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access page
w 70 06 C1 #Set Dmin
w 70 06 D5 #Set Dmin
10.2 初始器件配置- PWR_MODE0
以下I2C 序列是在PWR_MODE0 中初始化器件的一个示例。
w 70 0E C4 #TDM TX vsns transmit enable with slot 4
w 70 0F 40 #TDM TX isns transmit enable with slot 0
### Run the script from 节 10.1
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 17 C8 #SARBurstMask=0
w 70 19 20 #LSR Mode
w 70 35 74 #DC noise minimized
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access Page
w 70 3E 4A #Optimal Dmin
w 70 0D 00 #Remove access
w 70 00 04 #Page 0x04
w 70 30 00 00 00 01 #Merge Limiter and Thermal Foldback gains
w 70 00 08 #Page 0x08
w 70 18 00 00 00 00 #0dB volume
w 70 28 40 00 00 00 #Unmute
w 70 00 0A #Page 0x0A
w 70 48 00 00 00 00 #0dB volume
w 70 58 40 00 00 00 #Unmute
w 70 00 00 #Page 0x00
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w 70 03 A8 #PWR_MODE0 selected
w 70 71 03 #PVDDH UVLO set to 2.76V
w 70 02 80 #Play audio, power up with playback, IV enabled
10.3 初始器件配置- PWR_MODE1
以下I2C 序列是在PWR_MODE1 中初始化器件的一个示例。
w 70 0E C4 #TDM TX vsns transmit enable with slot 4
w 70 0F 40 #TDM TX isns transmit enable with slot 0
### Run the script from 节 10.1
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 17 C8 #SARBurstMask=0
w 70 35 74 #DC noise minimized
w 70 19 20 #LSR Mode
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access Page 0xFD
w 70 3E 4A #Optimal Dmin
w 70 0D 00 #Remove access Page 0xFD
w 70 00 04 #Page 0x04
w 70 30 00 00 00 01 #Merge Limiter and Thermal Foldback gains
w 70 00 08 #Page 0x08
w 70 18 00 00 00 00 #0dB volume
w 70 28 40 00 00 00 #Unmute
w 70 00 0A #Page 0x0A
w 70 48 00 00 00 00 #0dB volume
w 70 58 40 00 00 00 #Unmute
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 02 00 #Play audio, power up with playback, IV enabled
10.4 初始器件配置- PWR_MODE2
以下I2C 序列是在PWR_MODE2 中初始化器件的一个示例。
w 70 0E C4 #TDM TX vsns transmit enable with slot 4
w 70 0F 40 #TDM TX isns transmit enable with slot 0
### Run the script from 节 10.1
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 17 C0 #SARBurstMask=0
w 70 19 20 #LSR Mode
w 70 35 74 #DC noise minimized
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access Page 0xFD
w 70 3E 4A #Optimal Dmin
w 70 0D 00 #Remove access Page 0xFD
w 70 00 04 #Page 0x04
w 70 30 00 00 00 01 #Merge Limiter and Thermal Foldback gains
w 70 00 08 #Page 0x08
w 70 18 00 00 00 00 #0dB volume
w 70 28 40 00 00 00 #Unmute
w 70 00 0A #Page 0x0A
w 70 48 00 00 00 00 #0dB volume
w 70 58 40 00 00 00 #Unmute
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 03 E8 #PWR_MODE2
w 70 04 A1 #Int LDO mode for internal PVDDL
w 70 71 0E #PVDDH UVLO 6.5V
w 70 02 80 #Power up audio playback with I,V enabled
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10.5 初始器件配置- PWR_MODE3
以下I2C 序列是在PWR_MODE3 中初始化器件的一个示例，适合超声波应用。
w 70 0E C4 #TDM TX vsns transmit enable with slot 4
w 70 0F 40 #TDM TX isns transmit enable with slot 0
### Run the script from 节 10.1
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 17 C8 #SARBurstMask=0
w 70 19 20 #LSR
w 70 00 04 #Page 0x04
w 70 30 00 00 00 01 #Merge Limiter and Thermal Foldback gains
w 70 00 08 #Page 0x08
w 70 18 00 00 00 00 #0dB volume
w 70 28 40 00 00 00 #Unmute
w 70 00 0A #Page 0x0A
w 70 48 00 00 00 00 #0dB volume
w 70 58 40 00 00 00 #Unmute
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 03 68 #PVDDL only mode
w 70 73 E0 #DEM dither disabled
w 70 02 00 #play audio, power up with playback, IV enabled
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11 电源相关建议
只要SDZ 引脚保持低电平，电源轨之间的电源序列就可以按任何顺序应用。一旦所有电源稳定，SDZ 引脚就可以
设置为高电平以初始化器件。硬件或软件复位后，对器件执行的附加命令应延迟至少 1ms，以允许加载OTP 存储
器（参见节10）。
当 PVDDL 在内部产生时（见节 11.1），建议器件在进入硬件关断模式之前先进入软件关断模式。这可确保
PVDDL 引脚使用内部5kΩ下拉电阻器进行放电（硬件关断模式下不存在）。
11.1 电源模式
TAS2781 可在 PVDDL 和 PVDDH 电源下运行，或仅在 PVDDH 或 PVDDL 电源下运行。下表根据用户需要显示
了不同的电源运行模式。
表11-1. 器件配置和电源模式
PVDDL 模式
电源模式
输出开关模式
供电条件
器件配置
用例和器件功能
PVDDL_MODE=0
CDS_MODE[1:0]=10
PVDDH 上的高
功率
PVDDH 是用于提供输出功率的唯一电
源。
PWR_MODE0
PVDDH>PVDDL
外部
PVDDL 用于根据配置的电平和余量提供
输出功率。当音频信号超过设定的阈值
时，D 类输出切换到PVDDH。
PVDDL_MODE=0
CDS_MODE[1:0]=00
Y 桥- PVDDL
上的高功率
PWR_MODE1
PWR_MODE2
PWR_MODE3
PVDDH
PVDDH
PVDDL
外部
内部
外部
PVDDH 是唯一电源。PVDDL 由内部
LDO 提供，用于在接近空闲通道电平的
信号下供电。当音频信号电平超过
100dBFS（默认）时，D 类输出切换到
PVDDH。
PVDDL_MODE=1
CDS_MODE[1:0]=11
Y 桥- PVDDL
上的低功率
可以强制器件在低功率电源轨工作模式
下运行。例如，这可用于不播放音频时
的低功耗超声波线性调频脉冲。
PVDDL_MODE=0
CDS_MODE[1:0]=01
PVDDL
当 PVDDL 在外部时（PWR_MODE0、PWR_MODE1），如果 PVDDH 降至低于（PVDDL + 2.5V）电平，那么
Y 桥将停止在电源之间切换并保持在PVDDH 电源上。
在 PWR_MODE2 中，用户需要确保 PVDDH 电源电平至少比内部产生的 PVDDL 电压高 2.5V，以便充分利用 Y
桥运行模式。若要启用电压保护， 应将 PVDDH 电源的欠压阈值设置为 7.3V 以上（ 使用寄存器位
PVDD_UVLO[5:0]）。这将确保在内部产生4.8V 的PVDDL 时，PVDDH 电源至少比PVDDL 高2.5V。
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12 布局
12.1 布局指南
所有电源轨都应具有低ESR 陶瓷电容器旁路，如节9.2 中所示和所述。
若要创建至 PGND、DGND 和 GND 的低阻抗连接，并最大限度地减小接地噪声，应在布局中使用具有多个填充
导热环氧树脂通孔的接地平面。
对于此器件，应遵循特定布局设计建议：
• 为承载大电流的信号使用宽迹线：PVDDH、PVDDL、PGND、DGND、GND 和扬声器OUTP、OUTN。
• 应直接连接PGND 引脚并短接到接地平面。
• DGND 引脚应直接连接到接地平面。
• 将VSNSP 和VSNSN 连接至尽可能靠近扬声器的位置。
• 如果在输出端使用了EMI 铁氧体，则EMI 铁氧体滤波器和扬声器之间应连接VSNSP 和VSNSN。
• VSNSP 和VSNSN 布线应与开关信号（接口信号、扬声器输出、自举引脚）隔开并进行屏蔽。
• 将自举电容器放置在尽可能靠近BST 引脚的位置。
• 应将PVDDH 和PVDDL 的去耦电容器尽可能靠近引脚放置（请参阅节12.2）。
12.2 布局示例
下面的图12-1 说明了图9-1 中指定的关键元件的放置。
图12-1. 元件放置
接下来的两张图片中提供了布局设计的示例。
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图12-2. 布局示例- 顶层和底层
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13 器件和文档支持
13.1 接收文档更新通知
若要接收文档更新通知，请导航至 ti.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的通知我进行注册，即可每周接收
产品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
13.2 社区资源
13.3 商标
所有商标均为其各自所有者的财产。
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14 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，
且不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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14.1 封装选项附录
封装信息
MSL 峰值温
度(3)
状态(1)
环保计划(2)
铅/焊球镀层(6)
工作温度(°C) 器件标识(4/5)
可订购器件
封装类型
封装图
引脚
包装数量
PTAS2781RYYR
ACTIVE
VQFN-HR
RYY
30
3000
NiPdAu
Level-1-260C
-UNLIM
P278-SA
TAS2781
RoHS 和绿色
环保
-40 至85
-40 至85
TAS2781RYYR
ACTIVE
VQFN-HR
RYY
30
3000
NiPdAu
Level-1-260C
-UNLIM
RoHS 和绿色
环保
重要信息和免责声明：本页面上提供的信息代表TI 在提供该信息之日的认知和观点。TI 的认知和观点基于第三方提供的信息，TI 不对此类信息的正确性做任何声明或保证。TI 正在致力于更好
地整合第三方信息。TI 已经并将继续采取合理的措施来提供有代表性且准确的信息，但是可能尚未对引入的原料和化学制品进行破坏性测试或化学分析。TI 和TI 供应商认为某些信息属于专有
信息，因此可能不会公布其CAS 编号及其它受限制的信息。
在任何情况下，TI 对由此类信息产生的责任决不超过本文档中发布的TI 每年销售给客户的TI 器件总购买价。
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14.2 卷带封装信息
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
卷带
宽度W1
（mm）
A0
（mm）
B0
（mm）
K0
（mm）
P1
（mm）
W
Pin1
象限
卷带
直径（mm）
封装
类型
SPQ
器件
封装图
引脚
（mm）
PTAS2781RYYR
TAS2781RYYR
VQFN-HR
VQFN-HR
RYY
RYY
30
30
3000
3000
330
330
12.4
12.4
3.8
3.8
4.3
4.3
1.5
1.5
8
8
12
12
Q1
Q1
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TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
SPQ
3000
3000
长度（mm） 宽度（mm）
高度（mm）
器件
封装类型
封装图
RYY
引脚
30
PTAS2781RYYR
TAS2781RYYR
VQFN-HR
VQFN-HR
367
367
367
367
35
35
RYY
30
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PACKAGE OUTLINE
RYY0030A
VQFN-HR - 1 mm max height
S
C
A
L
E
3
.
0
0
0
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
3.6
3.4
B
A
PIN 1 INDEX AREA
4.1
3.9
1.0
0.8
C
SEATING PLANE
0.08 C
0.05
0.00
2X
2
0.6
0.4
0.95
0.3
8X
0.2
8X 0.425
0.55
0.35
(0.09) TYP
0.1
C A B
C
0.05
16
9
22X 0.4
8
17
1.28
0.25
0.15
26X
SYMM
0.1
C A B
C
0.05
2X 2.4
23
2X
0.9
0.7
0.825
0.625
1
30
24
SYMM
19X
PIN 1 ID
(45 X 0.15)
0.5
0.3
0.9
0.7
2X
4228222/B 05/2022
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
RYY0030A
VQFN-HR - 1 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
SEE SOLDER MASK DETAIL
2X (0.6)
2X (1)
(0.925)
PKG
2X (0.78)
24
2X (0.7)
30
4X (R0.12)
26X (0.2)
1
23
2X (1)
22X (0.4)
(1.12)
PKG
(3.8)
(0.65)
(0.7)
19X (0.6)
(R0.05) TYP
17
9
2X (0.62)
10
16
8X (0.25)
8X (0.425)
(0.95)
(3.3)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 20X
0.05 MIN
ALL AROUND
0.05 MAX
ALL AROUND
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL EDGE
EXPOSED METAL
SOLDER MASK
OPENING
EXPOSED
METAL
SOLDER MASK
OPENING
NON SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4228222/B 05/2022
NOTES: (continued)
4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
5. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If any vias are implemented, refer to their locations shown
on this view. It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
RYY0030A
VQFN-HR - 1 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
2X (1)
(0.925)
2X (0.6)
PKG
2X (0.78)
24
2X (0.7)
4X (R0.12)
30
26X (0.2)
1
23
2X (1)
22X (0.4)
(1.12)
PKG
(3.8)
19X (0.6)
(0.65)
(0.7)
(R0.05) TYP
17
9
2X (0.62)
10
16
8X (0.25)
8X (0.425)
(0.95)
(3.3)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 MM THICK STENCIL
SCALE: 20X
4228222/B 05/2022
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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30-Mar-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
TAS2781RYYR
ACTIVE
VQFN-HR
RYY
30
3000 RoHS & Green
SN
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
TAS2781
Samples
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
PACKAGE OUTLINE
RYY0030A
VQFN-HR - 1 mm max height
S
C
A
L
E
3
.
0
0
0
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
3.6
3.4
A
B
PIN 1 INDEX AREA
4.1
3.9
1.0
0.8
C
SEATING PLANE
0.08 C
0.05
0.00
2X 2
0.6
0.4
0.95
0.3
8X
0.2
8X 0.425
0.55
0.35
(0.09) TYP
0.1
C A B
C
0.05
16
9
22X 0.4
8
17
1.28
0.25
0.15
26X
SYMM
0.1
C A B
C
0.05
2X 2.4
23
2X
0.9
0.7
0.825
0.625
1
30
24
SYMM
19X
PIN 1 ID
(45 X 0.15)
0.5
0.3
0.9
0.7
2X
4228222/B 05/2022
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
RYY0030A
VQFN-HR - 1 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
SEE SOLDER MASK DETAIL
2X (0.6)
2X (1)
(0.925)
PKG
2X (0.78)
24
2X (0.7)
4X (R0.12)
30
26X (0.2)
1
23
2X (1)
22X (0.4)
(1.12)
PKG
(3.8)
(0.65)
19X (0.6)
(R0.05) TYP
(0.7)
17
9
2X (0.62)
10
16
8X (0.25)
8X (0.425)
(0.95)
(3.3)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 20X
0.05 MIN
ALL AROUND
0.05 MAX
ALL AROUND
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL EDGE
EXPOSED METAL
SOLDER MASK
OPENING
EXPOSED
METAL
SOLDER MASK
OPENING
NON SOLDER MASK
SOLDER MASK DEFINED
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4228222/B 05/2022
NOTES: (continued)
4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
5. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If any vias are implemented, refer to their locations shown
on this view. It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
RYY0030A
VQFN-HR - 1 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
2X (1)
(0.925)
2X (0.6)
PKG
2X (0.78)
24
2X (0.7)
4X (R0.12)
30
26X (0.2)
1
23
2X (1)
22X (0.4)
(1.12)
PKG
(3.8)
19X (0.6)
(0.65)
(0.7)
(R0.05) TYP
17
9
2X (0.62)
10
16
8X (0.25)
8X (0.425)
(0.95)
(3.3)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 MM THICK STENCIL
SCALE: 20X
4228222/B 05/2022
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
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TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
保。
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证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。
这些资源如有变更，恕不另行通知。TI 授权您仅可将这些资源用于研发本资源所述的 TI 产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。
您无权使用任何其他 TI 知识产权或任何第三方知识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对 TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成
本、损失和债务，TI 对此概不负责。
TI 提供的产品受 TI 的销售条款或 ti.com 上其他适用条款/TI 产品随附的其他适用条款的约束。TI 提供这些资源并不会扩展或以其他方式更改
TI 针对 TI 产品发布的适用的担保或担保免责声明。
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