TLV2333IDR [TI]
适用于成本敏感型系统的双路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 | D | 8 | -40 to 125;
| 型号： | TLV2333IDR |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 适用于成本敏感型系统的双路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 | D | 8 | -40 to 125 放大器 光电二极管 运算放大器 |
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TLV333, TLV2333, TLV4333
ZHCSEE6 –DECEMBER 2015
TLVx333 2μV VOS、0.02μV/°C、17μA、CMOS 运算放大器
零漂移系列
1 特性
3 说明
1
•
非常出色的性价比
低失调电压：2μV
TLVx333 系列 CMOS 运算放大器不但具备精密的性
能，而且价格极具竞争力。这些器件属于采用专有自动
校准技术的零漂移系列放大器，在整个时间和温度范围
内的失调电压非常低（最大 15μV）且几乎零漂移，并
且静态电流只有 28μA。TLVx333 系列 具有 轨至轨输
入和输出以及几乎不变的 1/f 噪声特性，因此，这款放
大器是众多 应用 的理想之选，而且更易于系统设计。
这些器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V
(±2.75V) 的低压状态下工作。
•
•
•
•
•
•
•
•
零点漂移：0.02μV/°C
低噪声：1.1 μVPP，0.1Hz 至 10Hz
静态电流：17μA
电源电压：1.8V 至 5.5V
轨到轨输入/输出
内部电磁干扰 (EMI) 滤波功能
微型封装：SOT23、SC70
TLV333（单通道版本）提供 SC70-5、SOT23-5 和
SOIC-8 三种封装。TLV2333（双通道版本）提供
VSSOP-8 和 SOIC-8 两种封装。TLV4333 提供标准
SOIC-14 和 TSSOP-14 两种封装。所有器件版本的额
定工作温度范围均为 -40°C 至 +125°C。
2 应用
•
•
•
•
•
•
•
电池供电仪器
温度测量
传感器 应用
电子称
器件信息(1)
医疗仪表
手持测试设备
电流检测
器件型号
封装
SOIC (8)
封装尺寸（标称值）
4.90mm x 3.91mm
2.90mm × 1.60mm
2.00mm × 1.25mm
4.90mm x 3.91mm
3.00mm × 3.00mm
8.65mm × 3.91mm
TLV333
SOT-23 (5)
SC70 (5)
SOIC (8)
TLV2333
TLV4333
VSSOP (8)
SOIC (14)
薄型小外形尺寸封装
(TSSOP) (14)
5.00mm x 4.40mm
0.1Hz 至 10Hz 噪声
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品
附录。
1 s/div
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SBOS751
TLV333, TLV2333, TLV4333
ZHCSEE6 –DECEMBER 2015
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目录
8.3 特性 说明................................................................. 12
8.4 器件功能模式........................................................... 14
应用和实现............................................................. 15
9.1 系统示例.................................................................. 15
1
2
3
4
5
6
7
特性.......................................................................... 1
应用.......................................................................... 1
说明.......................................................................... 1
修订历史记录 ........................................................... 2
器件比较表............................................................... 3
引脚配置和功能........................................................ 3
技术规格................................................................... 6
7.1 绝对最大额定值......................................................... 6
7.2 ESD 额定值............................................................... 6
7.3 建议的工作条件......................................................... 6
7.4 热性能信息：TLV333................................................ 7
7.5 热性能信息：TLV2333 .............................................. 7
7.6 热性能信息：TLV4333 .............................................. 7
7.7 电气特性：VS = 1.8V 至 5.5V ................................... 8
7.8 典型特性.................................................................... 9
详细 说明................................................................ 12
8.1 概述......................................................................... 12
8.2 功能框图.................................................................. 12
9
10 电源相关建议......................................................... 16
11 布局 ....................................................................... 16
11.1 布局准则................................................................ 16
11.2 布局示例................................................................ 16
12 器件和文档支持 ..................................................... 17
12.1 器件支持................................................................ 17
12.2 文档支持................................................................ 17
12.3 相关链接................................................................ 17
12.4 社区资源................................................................ 17
12.5 商标....................................................................... 17
12.6 静电放电警告......................................................... 17
12.7 Glossary................................................................ 17
13 机械、封装和可订购信息....................................... 18
8
4 修订历史记录
日期
修订版本
注意
2015 年 12 月
*
初始发行版。
2
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TLV333, TLV2333, TLV4333
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5 器件比较表
封装-引线
器件
通道数
SOIC
SOT23
SC70
5
VSSOP
TSSOP
—
TLV333
TLV2333
TLV4333
1
2
4
8
8
5
—
8
—
—
—
—
14
—
—
14
6 引脚配置和功能
DBV 封装：TLV333
DCK 封装：TLV333
5 引脚 SC70
俯视图
5 引脚 SOT23
俯视图
OUT
V-
1
2
3
5
4
V+
+IN
V-
1
5
4
V+
2
3
+IN
-IN
-IN
OUT
D 封装：TLV333
8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装
俯视图
NC(1)
V+
NC(1)
-IN
+IN
V-
1
2
3
4
8
7
6
5
OUT
NC(1)
(1) NC 表示无内部连接。
引脚功能：TLV333
引脚
编号
I/O
说明
名称
DBV
DCK
D
(SOT23)
(SC70)
(SOIC)
–IN
+IN
NC
OUT
V–
4
3
3
1
2
I
反相输入
同相输入
3
I
—
1
—
4
1、5、8
—
O
—
—
无内部连接（可以悬空）
输出
6
4
7
2
2
负电源（最低）
正电源（最高）
V+
5
5
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3
TLV333, TLV2333, TLV4333
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D 封装：TLV2333
8 引脚 SOIC、VSSOP
俯视图
OUT A
-IN A
+IN A
V-
1
8
7
6
5
V+
A
2
3
4
OUT B
-IN B
+IN B
B
引脚功能：TLV2333
引脚
编号
I/O
说明
名称
D
（SOIC、VSSOP）
–IN A
+IN A
–IN B
+IN B
OUT A
OUT B
V–
2
3
6
5
1
7
4
8
I
I
反相输入，通道 A
同相输入，通道 A
反相输入，通道 B
同相输入，通道 B
输出，通道 A
I
I
O
O
—
—
输出，通道 B
负电源（最低）
正电源（最高）
V+
4
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D 封装：TLV4333
14 引脚 SOIC
俯视图
PW 封装：TLV4333
14 引脚 TSSOP
俯视图
1
2
3
4
5
6
7
OUT A
-IN A
+IN A
V+
14
OUT A
-IN A
+IN A
V+
1
2
3
4
5
6
7
14
OUT D
OUT D
13 -IN D
12 +IN D
11 V-
13 -IN D
12 +IN D
11 V-
A
D
10
9
10 +IN C
+IN B
-IN B
OUT B
+IN C
-IN C
OUT C
+IN B
-IN B
OUT B
B
C
9
8
-IN C
8
OUT C
引脚功能：TLV4333
引脚
编号
I/O
说明
名称
D (SOIC)
PW (TSSOP)
–IN A
+IN A
–IN B
+IN B
–IN C
+IN C
–IN D
+IN D
OUT A
OUT B
OUT C
OUT D
V–
2
3
2
3
I
I
反相输入，通道 A
同相输入，通道 A
反相输入，通道 B
同相输入，通道 B
反相输入，通道 C
同相输入，通道 C
反相输入，通道 D
同相输入，通道 D
输出，通道 A
6
6
I
5
5
I
9
9
I
10
13
12
1
10
13
12
1
I
I
I
O
O
O
O
—
—
7
7
输出，通道 B
8
8
输出，通道 C
14
11
4
14
11
4
输出，通道 D
负电源（最低）
正电源（最高）
V+
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7 技术规格
7.1 绝对最大额定值
在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
最大值
单位
V
电源电压
VS = (V+) – (V–)
7
(V+) + 0.3
10
电压
电流
(V–) – 0.3
-10
V
信号输入引脚(2)
输出短路(3)
mA
连续
工作温度
结温
–40
-65
150
150
150
温度
°C
贮存温度，Tstg
(1) 超出绝对最大额定值下所列值的应力可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下的器件的功能性操
作以及在超出推荐的操作条件下的任何其它操作，在此并未说明。在绝对最大额定值条件下长时间运行会影响器件可靠性。
(2) 输入引脚被二极管钳制至电源轨。对于摆幅超过电源轨 0.3V 的输入信号，必须将其电流限定为不超过 10mA 或者更低。
(3) 对地短路，每个封装对应一个放大器。
7.2 ESD 额定值
值
单位
人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1)
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2)
±4000
±1000
V(ESD)
静电放电
V
(1) JEDEC 文档 JEP155 规定：500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 规定：250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
7.3 建议的工作条件
在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
1.8
标称值
最大值
5.5
单位
VS
电源电压
V
额定温度范围
-40
125
°C
6
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7.4 热性能信息：TLV333
TLV333
DBV
(SOT23)
5 引脚
220.8
97.5
D
DCK
热指标(1)
单位
(SOIC)
(SC70)
5 引脚
298.4
65.4
8 引脚
140.1
89.8
RθJA
结至环境热阻
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
80.6
61.7
97.1
ψJT
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
28.7
7.6
0.8
ψJB
80.1
61.1
95.5
RθJC(bot)
不適用
不適用
不適用
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。
7.5 热性能信息：TLV2333
TLV2333
D
DGK
热指标(1)
单位
(SOIC)
(VSSOP)
8 引脚
180.3
48.1
8 引脚
124.0
73.7
RθJA
结至环境热阻
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
64.4
100.9
2.4
ψJT
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
18.0
ψJB
63.9
99.3
RθJC(bot)
不適用
不適用
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。
7.6 热性能信息：TLV4333
TLV4333
D
PW
(TSSOP)
热指标(1)
单位
(SOIC)
14 引脚
83.8
14 引脚
120.8
34.3
RθJA
结至环境热阻
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
70.7
59.5
62.8
ψJT
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
11.6
1.0
ψJB
37.7
56.5
RθJC(bot)
不適用
不適用
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。
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7.7 电气特性：VS = 1.8V 至 5.5V
在 TA = 25°C，RL = 10kΩ 且连接至 1/2 Vs，VCM = VOUT = 1/2 Vs 的条件下测得（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
失调电压
VOS
输入失调电压(1)
VS = 5V
2
0.02
1
15
8
µV
µV/°C
µV/V
µV
dVOS/dT
PSRR
VOS 温漂
TA = –40°C 至 +125°C
VS = 1.8V 至 5.5V
电源抑制比
长期稳定性(2)
1(2)
通道分离，直流
0.1
µV/V
输入偏置电流
IB
输入偏置电流
±70
±150
±140
pA
pA
pA
全温度范围内输入偏置电流
输入失调电流
TA = –40°C 至 +125°C
IOS
噪声
en
输入电压噪声密度
输入电压噪声
f = 1kHz
55
0.3
nV/√Hz
µVPP
f = 0.01Hz 至 1Hz
f = 0.1Hz 至 10Hz
f = 10Hz
1.1
in
输入电流噪声密度
100
fA/√Hz
输入电压范围
VCM
共模电压范围
共模抑制比
(V–) – 0.1
102
(V+)+0.1
V
CMRR
输入电容
(V–) – 0.1V < VCM < (V+) + 0.1V
115
dB
差模
共模
2
4
pF
dB
开环增益
AOL
开环电压增益
(V–) + 0.1V < VO < (V+) – 0.1V
102
130
频率响应
GBW
SR
增益带宽积
压摆率
CL = 100pF
G = 1
350
kHz
0.16
V/µs
输出
相对于电源轨的电源轨的电压输出摆
幅
TA = –40°C 至 +125°C
f = 350kHz，IO = 0mA
30
±5
70
mV
mA
ISC
CL
短路电流
容性负载驱动
开环输出阻抗
请参阅 典型特性
ZO
电源
VS
IQ
2
kΩ
额定电压范围
1.8
5.5
28
V
静态电流（每个放大器）
开通时间
IO = 0mA，TA = –40°C 至 +125°C
17
µA
µs
VS = 5V
100
温度范围
额定温度范围
工作范围
-40
-40
-65
125
150
150
°C
°C
°C
储存温度
(1) 取决于具体的设计和特性。所有放大器均在 25°C 下经过了生产筛查，从而减少了缺陷单元的数量。
(2) 在 150°C 下 300 小时的寿命试验表明，随机分布变化值约为 1µV。
8
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7.8 典型特性
在 TA = 25°C，CL = 0pF，RL = 10kΩ 且连接至 1/2 Vs，VCM = VOUT = 1/2 Vs 的条件下测得（除非另有说明）
120
100
250
200
150
100
50
80
Phase
60
40
Gain
20
0
0
-50
-100
-20
10
100
1k
10k
100k
1M
Frequency (Hz)
Offset Voltage (mV)
Figure 1. 失调电压产生分布图
Figure 2. 开环增益与频率间的关系
140
120
100
80
120
100
80
60
40
20
0
+PSRR
-PSRR
60
40
20
0
1
10
100
1k
10k
100k
1M
1
10
100
1k
10k
100k
1M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
Figure 3. 共模抑制比与频率间的关系
Figure 4. 电源抑制比与频率间的关系
3
2
210
205
200
195
190
VS = ±2.75 V
VS = ±0.9 V
-IB
-40°C
1
+25°C
+125°C
0
+25°C
-40°C
-190
-195
-200
-205
-210
-1
-2
-3
+125°C
+IB
+25°C
-40°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
Output Current (mA)
Common-Mode Voltage (V)
Figure 5. 输出电压摆幅与输出电流间的关系
Figure 6. 输入偏置电流与共模电压间的关系
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9
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典型特性 (continued)
在 TA = 25°C，CL = 0pF，RL = 10kΩ 且连接至 1/2 Vs，VCM = VOUT = 1/2 Vs 的条件下测得（除非另有说明）
250
200
150
100
50
25
20
15
10
5
-IB
VS = 5.5 V
VS = 1.8 V
-IB
VS = 5.5 V
VS = 1.8 V
0
-50
-100
-150
-200
-250
+IB
+IB
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C)
Temperature (°C)
Figure 7. 全温度范围内输入偏置电流
Figure 8. 静态电流与温度间的关系
Time (50 ms/div)
Time (5 ms/div)
G = 1，RL = 10kΩ
G = 1，RL = 10kΩ
Figure 9. 大信号阶跃响应
Figure 10. 小信号阶跃响应
0
Input
Input
Output
0
0
10 kW
10 kW
2.5 V
2.5 V
1 kW
1 kW
0
Output
OPA330
OPA330
-2.5 V
-2.5 V
Time (50 ms/div)
Time (50 ms/div)
Figure 11. 正过压恢复
Figure 12. 负过压恢复
10
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典型特性 (continued)
在 TA = 25°C，CL = 0pF，RL = 10kΩ 且连接至 1/2 Vs，VCM = VOUT = 1/2 Vs 的条件下测得（除非另有说明）
40
35
30
25
20
15
10
5
600
500
400
300
200
100
0
0.001%
0.01%
0
10
100
1000
1
10
100
Load Capacitance (pF)
Gain (dB)
4V 阶跃
Figure 14. 小信号过冲与负载电容间的关系
Figure 13. 稳定时间与闭环增益间的关系
1000
1000
Continues with no 1/f (flicker) noise.
Current Noise
100
100
Voltage Noise
10
10
1
10
100
1k
10k
1 s/div
Frequency (Hz)
Figure 16. 电流和电压噪声频谱密度与频率间的关系
Figure 15. 0.1Hz 至 10Hz 噪声
50
Normal Operating Range
(see the Input Differential
Voltage section in the
40
30
Applications Information)
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
Over-Driven Condition
Over-Driven Condition
200 400 600 800
-1V -800 -600 -400 -200
0
Input Differential Voltage (mV)
Figure 17. 输入偏置电流与输入差分电压间的关系
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11
TLV333, TLV2333, TLV4333
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8 详细 说明
8.1 概述
TLVx333 系列运算放大器成本低，单位增益稳定，并且不会出现意外输出相位反转。这些器件采用专有自动校准技
术，随着时间推移和温度的变化可以提供低失调电压和极低漂移。此外，TLVx333 系列还提供轨至轨输入和输出以
及几乎不变的 1/f 噪声特性。得益于这些 特性， 该系列的运算放大器是众多 应用 的理想之选，而且更容易涉及到
各类系统之中。
8.2 功能框图
C2
Notch
Filter
GM1
CHOP1
CHOP2
GM2
GM3
OUT
+IN
-IN
C1
GM_FF
8.3 特性 说明
TLV333、TLV2333 和 TLV4333 系列精密运算放大器单位增益稳定，并且不会出现意外输出相位反转。采用了专
有零漂移电路，可随时间推移和温度变化实现低输入失调电压，并降低 1/f 噪声分量。凭借高 PSRR，这些器件能
够在直接依靠电池电源运行的 应用 中正常运行，而无需调节。TLV333 系列针对低电压、单通道电源操作进行了
优化。在正常测试条件下，这些高精度、低静态电流微型放大器可提供高阻抗输入（共模范围在电源基础上向外扩
展了 100mV）和轨至轨输出（摆幅在电源上下 100mV 以内）。TLV333 系列高精度运算放大器适用于低成本的 应
用中。
8.3.1 工作电压
TLV333 系列运算放大器可使用单通道电源或双通道电源，工作范围为 VS = 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V)。电源
电压大于 7V 可能会对器件造成永久损坏（请参阅绝对最大额定值表）。典型特性部分列出了随电源电压或温度范
围而变化的主要参数。
12
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特性 说明 (continued)
8.3.2 输入电压
TLV333、TLV2333 和 TLV4333 系列的输入共模电压范围在电源轨基础上向外扩展了 0.1V。TLV333 专为支持全
范围而设计，而且不设麻烦的转换区域，这往往是许多其他轨至轨放大器的通病。
通常，输入偏置电流约为 200pA；但是，超出电源电压的输入电压可能导致过多电流流入或流出输入引脚。如果输
入电流不超过 10mA，则系统可以承受超过电源电压的瞬时电压。可通过输入电阻器轻松实现此限制，如Figure 18
中所示。
5 V
IOVERLOAD
10 mA max
Device
VOUT
VIN
5 kW
NOTE: 如果输入电压超过电源轨 0.3V 或更高，则需要限流电阻器。
Figure 18. 输入电流保护
8.3.3 内部失调校正
TLV333、TLV2333 和 TLV4333 运算放大器将自动校准技术与信号路径中的连续时域 125kHz 运算放大器结合使
用。此类放大器每 8µs 通过专有技术进行一次零点校正。启动后，放大器需要约 100μs 来达到额定的 VOS 精度。
此设计没有混叠或闪烁噪声。
8.3.4 实现到运算放大器负轨的输出摆幅
有些 应用 要求输出电压摆幅的范围介于 0V 和正满标量程电压（如 2.5V）之间，而且需要出色的精度。对于大多
数单通道电源运算放大器来说，如果输出信号接近 0V（接近单通道电源运算放大器的输出摆幅下限），就会出现
问题。出色的单通道电源运算放大器可以摆动到非常接近于单通道电源的地，但不会等于地电平。在单通道电源运
行的情况下，TLV333、TLV2333 和 TLV4333 的输出能够摆动到接地或稍微低于地面。摆动到接地需要使用另一
个电阻器和另一个比运算放大器负电源负性更大的电源。在输出和另一个负电源之间连接一个下拉电阻器，以将输
出下拉至低于输出可以达到的值，如Figure 19 中所示。
V+ = 5 V
Device
VOUT
VIN
RP = 20 kW
Op Amp V- = GND
-5 V
Additional
Negative
Supply
Figure 19. VOUT 接地范围
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特性 说明 (continued)
借助前述技术，TLV333、TLV2333 和 TLV4333 拥有的输出级许输出电压被拉低至负电源轨或稍低的位置。该技
术仅适用于某些类型的输出级。TLV333、TLV2333 TLV4333 非常适合结合该技术使用；推荐的电阻值约为
和
20kΩ。请注意，此配置会使电流的消耗增加数百微安。精度在电压降至 0V 甚至低至 –2mV 时非常出色。低于–
2mV 即会出现限制和非线性，但当输出再次驱动到 –2mV 以上之后便会恢复出色的精度。降低下拉电阻器的电阻
让运算放大器能够摆动到低于负轨。使用低至 10kΩ 的电阻可以在低至 –10mV 时实现出色的精度。
8.3.5 输入差分电压
TLV333
在正常运行期间的典型输入偏置电流约为
200pA。在过载情况下，偏置电流会大幅增加（请参阅
Figure 17）。当运算放大器超出线性运行范围时，最有可能出现过载。当运算放大器的输出被驱动至其中一个电源
轨时，将无法满足反馈环路的要求，然后各输入引脚会出现差分输入电压。此差分输入电压会激活前端输入切断开
关内的寄生二极管，该器件可与 10kΩ 电磁干扰 (EMI) 滤波器电阻结合形成的等效电路，如Figure 20 所示。请注
意，输入偏置电流仍保持在线性区域的规格范围内。
10 kW
Clamp
+IN
Core
-IN
10 kW
Figure 20. 等效输入电路
8.3.6 EMI 敏感性和输入滤波
不同的运算放大器对于 EMI 的敏感性会有所不同。如果传导 EMI 进入运算放大器，放大器输出中观察到的直流失
调值在出现 EMI 时可能偏离其标称值。这个偏离是由于内部半导体结相关的信号校正引起的。虽然所有的运算放大
器引脚功能都会受到 EMI 的影响，但是输入引脚可能是最易受影响的。TLV333 运算放大器系列内部包含了输入低
通滤波器，该滤波器可减少放大器对 EMI 的影响。此输入滤波器提供共模和差模滤波。此滤波器截止频率 8M (-
3dB)，具有 20 dB 每 10 倍频程的下降率。
8.4 器件功能模式
TLV333 器件拥有单功能模式。只要电源电压在 1.8V (±0.9V) 与 5.5V (±2.75V) 之间，这些器件就会启动。
14
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9 应用和实现
NOTE
以下 应用 部分的信息不属于 TI 组件规范，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责
确定组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计是否能够实现，以确保系统功能。
9.1 系统示例
Figure 21 给出了桥式放大器的基本配置。
Figure 22 显示了低侧电流分流监控器。
VEX
R1
5 V
R
R
R
R
Device
VOUT
R1
VREF
Figure 21. 单路运算放大器桥式放大器
3 V
REF3130
+5 V
Load
R1
4.99 kW
R2
49.9 kW
R6
71.5 kW
RN
56 W
V
RSHUNT
1 W
ILOAD
Device
I2C
R3
4.99 kW
R4
48.7 kW
RN
56 W
ADS1100
R7
1.18 kW
(PGA Gain = 4)
FS = 3.0 V
Stray Ground-Loop Resistance
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NOTE: 1% 电阻器可在存在较小的接地回路误差时提供充足的共模抑制。
Figure 22. 低侧电流监控器
RN 是运算电阻器，用于将 ADS1100 与数字 I2C 总线的噪声隔离。由于 ADS1100 是 16 位转换器，基准源的精度
对于实现最大精度至关重要。如果不需要绝对精度，则 5V 电源就足够稳定，因此可省去 REF3130。
Figure 23 显示了典型热敏电阻电路中的 TLV333。
100 kW
1 MW
60 kW
3 V
NTC
Thermistor
1 MW
Device
Figure 23. 热敏电阻测量
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10 电源相关建议
TLV333 的额定工作电压范围是 1.8V 至 5.5V（±0.9V 至 ±2.75V）；多种技术规格适用于 –40°C 至 +125°C 的温
度范围。典型特性 部分提供的参数可能随工作电压或温度出现显著变化。
CAUTION
电源电压大于 7V 可能对器件造成永久损坏（请参阅绝对最大额定值 表）。
将 0.1μF 旁路电容器置于电源引脚附近，提供低阻态回路降低电源从噪声源等耦合来的噪声。有关旁路电容位置的
详细信息，请参阅布局部分。
11 布局
11.1 布局准则
11.1.1 通用布局准则
强烈建议您采用优秀的布局规范。尽量缩短走线；如果可以，在使用印刷电路板 (PCB) 接地平面时，请将表面贴装
式组件放置在尽可能靠近器件引脚的位置。将 0.1μF 电容器放置在尽可能靠近电源引脚的位置。在整个模拟电路中
贯彻应用这些准则可提高性能并实现各种优势，如降低电磁干扰 (EMI) 敏感性。
如要获得最低的失调电压和精度性能，必须优化电路布局和机械条件。避免在因连接不均质导体形成的热电偶结中
产生热电（塞贝克）效应的温度梯度。通过确保两个输入端子的电势等效，可以消除这些热电产生的电势。其他布
局和设计注意事项包括：
•
•
•
使用低热电系数条件（避免异种金属）。
将组件与电源或其他热源进行热隔离。
将运算放大器和输入电路与气流（如冷却风扇气流）隔离。
遵循这些准则会降低在不同温度下产生结的可能性，从而达到 0.1μV/°C 或更高的热电电压，具体取决于所使用的
材料。
11.2 布局示例
Place components close
to device and to each
other to reduce parasitic
errors
Run the input traces
as far away from
the supply lines
as possible
VS+
RF
N/C
N/C
Use a low-ESR,
ceramic bypass
capacitor
RG
GND
œIN
+IN
Vœ
V+
OUTPUT
N/C
VIN
GND
GND
VSœ
VOUT
Ground (GND) plane on another layer
Use low-ESR,
ceramic bypass
capacitor
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Figure 24. 布局示例
16
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12 器件和文档支持
12.1 器件支持
12.1.1 开发支持
关于此产品的开发支持，请参阅以下内容：
•
•
•
•
•
•
•
高侧 V-I 转换器，0V 至 2V，0mA 至 100mA，1% 满量程误差，TIPD102
低电平 V-I 转换器参考设计，0V 至 5V 输入，0µA 至 5µA 输出，TIPD107
18位、1MSPS、串行接口、微功耗、真正差动输入 SAR ADC，ADS8881
超低功耗、高速、轨到轨输入/输出、电压反馈运算放大器，THS4281
优化为最低失真、最低噪声、18 位、1MSPS 的数据采集参考设计，TIPD115
自校准 16 位模数转换器，ADS1100
最高 20ppm/℃、100µA、SOT23-3 系列电压基准，REF3130
12.2 文档支持
12.2.1 相关文档
相关文档如下：
•
•
《QFN/SON PCB 连接》，SLUA271
《四方扁平无引线逻辑器件封装》，SCBA017
12.3 相关链接
表 1 列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持与社区资源、工具和软件，以及申请样片或购买产品的快速链
接。
表 1. 相关链接
器件
产品文件夹
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请单击此处
请单击此处
样片与购买
请单击此处
请单击此处
请单击此处
技术文档
请单击此处
请单击此处
请单击此处
工具和软件
请单击此处
请单击此处
请单击此处
支持和社区
请单击此处
请单击此处
请单击此处
TLV333
TLV2333
TLV4333
12.4 社区资源
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，
并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在
e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
设计支持
TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。
12.5 商标
E2E is a trademark of Texas Instruments.
All other trademarks are the property of their respective owners.
12.6 静电放电警告
这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损
伤。
12.7 Glossary
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.
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13 机械、封装和可订购信息
以下页面包括机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。这些数据发生变化时，我们可能不
会另行通知或修订此文档。如欲获取此产品说明书的浏览器版本，请参阅左侧的导航栏。
18
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
TLV2333IDGKR
TLV2333IDGKT
TLV2333IDR
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
VSSOP
VSSOP
SOIC
DGK
DGK
D
8
8
2500 RoHS & Green
250 RoHS & Green
NIPDAUAG | SN
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
12Z6
12Z6
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
NIPDAUAG | SN
NIPDAU
8
2500 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
TLV233
12YD
TLV333IDBVR
TLV333IDBVT
TLV333IDCKR
TLV333IDCKT
TLV333IDR
SOT-23
SOT-23
SC70
DBV
DBV
DCK
DCK
D
5
NIPDAU | SN
NIPDAU | SN
NIPDAU
5
250
3000 RoHS & Green
250 RoHS & Green
RoHS & Green
12YD
5
12B
SC70
5
NIPDAU
12B
SOIC
8
2500 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
NIPDAU
TLV333
TLV4333
TLV4333
TLV4333IDR
SOIC
D
14
14
NIPDAU
TLV4333IPWR
TSSOP
PW
NIPDAU
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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11-Mar-2023
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE OUTLINE
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
3.0
2.6
0.1 C
1.75
1.45
1.45
0.90
B
A
PIN 1
INDEX AREA
1
2
5
(0.1)
2X 0.95
1.9
3.05
2.75
1.9
(0.15)
4
3
0.5
5X
0.3
0.15
0.00
(1.1)
TYP
0.2
C A B
NOTE 5
0.25
GAGE PLANE
0.22
0.08
TYP
8
0
TYP
0.6
0.3
TYP
SEATING PLANE
4214839/G 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Refernce JEDEC MO-178.
4. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.25 mm per side.
5. Support pin may differ or may not be present.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X (0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X(0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:15X
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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PACKAGE OUTLINE
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SCALE 2.800
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
C
SEATING PLANE
.228-.244 TYP
[5.80-6.19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ID AREA
6X .050
[1.27]
8
1
2X
.189-.197
[4.81-5.00]
NOTE 3
.150
[3.81]
4X (0 -15 )
4
5
8X .012-.020
[0.31-0.51]
B
.150-.157
[3.81-3.98]
NOTE 4
.069 MAX
[1.75]
.010 [0.25]
C A B
.005-.010 TYP
[0.13-0.25]
4X (0 -15 )
SEE DETAIL A
.010
[0.25]
.004-.010
[0.11-0.25]
0 - 8
.016-.050
[0.41-1.27]
DETAIL A
TYPICAL
(.041)
[1.04]
4214825/C 02/2019
NOTES:
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed .006 [0.15] per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
SEE
DETAILS
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:8X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
.0028 MAX
[0.07]
.0028 MIN
[0.07]
ALL AROUND
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL
SCALE:8X
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
DCK0005A
SOT - 1.1 max height
S
C
A
L
E
5
.
6
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
2.4
1.8
0.1 C
1.4
1.1
B
1.1 MAX
A
PIN 1
INDEX AREA
1
2
5
NOTE 4
(0.15)
(0.1)
2X 0.65
1.3
2.15
1.85
1.3
4
3
0.33
5X
0.23
0.1
0.0
(0.9)
TYP
0.1
C A B
0.15
0.22
0.08
GAGE PLANE
TYP
0.46
0.26
8
0
TYP
TYP
SEATING PLANE
4214834/C 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Refernce JEDEC MO-203.
4. Support pin may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DCK0005A
SOT - 1.1 max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (0.95)
1
5
5X (0.4)
SYMM
(1.3)
2
3
2X (0.65)
4
(R0.05) TYP
(2.2)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:18X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214834/C 03/2023
NOTES: (continued)
4. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
5. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DCK0005A
SOT - 1.1 max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (0.95)
1
5
5X (0.4)
SYMM
(1.3)
2
3
2X(0.65)
4
(R0.05) TYP
(2.2)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 THICK STENCIL
SCALE:18X
4214834/C 03/2023
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
7. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
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相关型号：
TLV2334
LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV2334ID
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-
TI
TLV2334ID
QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.525MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SO-14Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ROCHESTER
TLV2334IDR
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-
TI
TLV2334IDR
QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.525MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SO-14Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ROCHESTER
TLV2334IDRG4
QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.525MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SO-14Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV2334IN
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-
TI
TLV2334IN
QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.525MHz BAND WIDTH, PDIP14, PLASTIC, DIP-14Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ROCHESTER
TLV2334IPW
QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.3MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, TSSOP-14Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV2334IPW
QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.3MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, TSSOP-14Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ROCHESTER
TLV2334IPWLE
LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV2334IPWR
QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.3MHz BAND WIDTH, PDSO14, GREEN, PLASTIC, TSSOP-14Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ROCHESTER
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