TMP1827 [TI]

1-Wire®, ±0.2°C accurate digital temperature sensor with authentication, 2-Kbit EEPROM;
TMP1827
型号: TMP1827
厂家: TEXAS INSTRUMENTS    TEXAS INSTRUMENTS
描述:

1-Wire®, ±0.2°C accurate digital temperature sensor with authentication, 2-Kbit EEPROM

可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
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TMP1827  
ZHCSR23A SEPTEMBER 2022 REVISED MAY 2023  
TMP1827 SHA-256-HMAC 认证引擎、2Kb EEPROM 1-Wire®±0.2°C 精度  
温度传感器  
温度变送器  
• 冷链  
1 特性  
• 具有多点共享总线和循环冗余校(CRC) 1-  
3 说明  
Wire® 接口  
TMP1827 是一款高精度、1-Wire 兼容的数字输出温度  
• 总线由工作电压供电1.7V 5.5V  
传感器具有集成2Kb EEPROMSHA-256-HMAC  
认证方案和 –55°C +150°C 的宽工作温度范围。  
TMP1827 +10°C +45°C 温度范围内提供  
±0.1°C典型值/±0.2°C最大值的高精度。每个  
器件都带有一个工厂编程的 64 位唯一标识号用于寻  
址和 NIST 可追溯性。TMP1827 支持传统应用的标准  
速度模式和具有 90kbps 数据速率的过驱模式可在  
1.7V 5.5V 的宽电压范围内实现低延迟通信。  
IEC 61000-4-2 ESD 8kV 接触放电  
功能安全型  
可帮助进行功能安全系统设计的文档  
• 高精度数字温度传感器  
TMP1827  
+10°C +45°C 范围内±0.2°C最大  
)  
-40°C +105°C 范围内±0.3°C最大  
)  
在最简单的运行模式下TMP1827 1-Wire 接口在数据  
引脚上集成了 8kV IEC-61000-4-2 ESD 保护在总线  
供电模式下只需要一个连接和一个接地回路从而通过  
减少电线和外部保护元件的数量来降低成本。此外,  
VDD 电源引脚还可用于可能需要专用电源的应用。  
-55°C +150°C 范围内±0.4°C最大  
)  
TMP1827N  
-55°C +150°C 范围内±0.9°C最大  
)  
• 温度测量电流94µA  
封装信息  
封装(1)(2)  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
TMP1827  
• 关断电流1.3µA  
WSON (8)  
2.50mm × 2.50mm  
16 位温度分辨率7.8125m°C (1LSB)  
• 超速速度下的快速数据速率90kbps  
• 灵活的用户可编程短地址模式用于更快的器件寻  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
(2) 这些封装选项1-Wire® 器件兼容。1-Wire Maxim  
Integrated Products Inc. 的注册商标。  
SHA-256-HMAC 认证方案  
V
DD = 1.7V to 5.5V  
– 以符FIPS 180-4 的安全散列标准实施  
– 以符FIPS 198-1 标准HMAC 算法实施  
2Kb EEPROM 特性:  
RPU  
GPIO  
64 位块大小的写操作  
– 连续读取模式  
VDD  
SDQ  
SDQ  
VDD  
VDD  
– 使256 位页面大小读取并具有写保护  
– 经过身份验证的写保护模式页面大小256  
MCU  
TMP1827  
GND  
TMP1827  
GND  
GND  
– 编程电流178µA  
• 用于器件寻址NIST 可追溯出厂编程不可擦64  
位标识号  
• 四个可配置的开漏数字输入输出和温度警报  
V
DD Powered  
Bus Powered  
简化原理图  
2 应用  
工厂自动化和控制  
电器  
医疗配件  
CPAP 呼吸机  
电池充电IC  
电动汽车充电基础设施  
LED 照明  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
www.ti.com其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前请务必参考最新版本的英文版本。  
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内容  
1 特性................................................................................... 1  
2 应用................................................................................... 1  
3 说明................................................................................... 1  
4 修订历史记录.....................................................................2  
5 说明.........................................................................3  
6 器件比较............................................................................ 3  
7 引脚配置和功能................................................................. 4  
8 规格................................................................................... 4  
8.1 绝对最大额定值...........................................................4  
8.2 ESD 等级.................................................................... 4  
8.3 建议运行条件.............................................................. 5  
8.4 热性能信息..................................................................5  
8.5 电气特性......................................................................5  
8.6 1-Wire 接口时序..........................................................6  
8.7 安全引擎特征.............................................................. 7  
8.8 EEPROM 特性............................................................ 7  
8.9 时序图......................................................................... 8  
8.10 典型特性..................................................................10  
9 详细说明.......................................................................... 13  
9.1 概述...........................................................................13  
9.2 功能方框图................................................................13  
9.3 特性说明....................................................................13  
9.4 器件功能模式............................................................ 22  
9.5 编程...........................................................................36  
9.6 寄存器映射................................................................41  
10 应用和实施.....................................................................52  
10.1 应用信息..................................................................52  
10.2 典型应用..................................................................52  
10.3 电源相关建议.......................................................... 54  
10.4 布局.........................................................................55  
11 器件和文档支持..............................................................57  
11.1 文档支持..................................................................57  
11.2 接收文档更新通知................................................... 57  
11.3 支持资源..................................................................57  
11.4 商标.........................................................................57  
11.5 静电放电警告...........................................................57  
11.6 术语表..................................................................... 57  
12 机械、封装和可订购信息...............................................57  
4 修订历史记录  
以前版本的页码可能与当前版本的页码不同  
Changes from Revision * (September 2022) to Revision A (May 2023)  
Page  
• 将数据表状态从“预告信息”更改为“生产数据”............................................................................................ 1  
• 向特性 部分添加了功能安全信息........................................................................................................................1  
• 添加了器件比较表...............................................................................................................................................3  
• 更改了脚2 中标准速度模式的最大工作温度范........................................................................................... 5  
+10°C +45°C NGR 封装最大精度±0.3°C 更改±0.2°C整个范围±1.0°C 更改±0.4°C.....5  
• 添加TMP1827N 的精度规格...........................................................................................................................5  
IO VIL 0.2×VS 更改0.3×VS ............................................................................................................... 5  
IO VIH 0.8×VS 更改0.7×VS ...............................................................................................................5  
• 将上拉电流300µA 更改400µA....................................................................................................................5  
• 添加了连续转换模式的待机电流规格.................................................................................................................. 5  
• 将标准模式下tSLOT 最小值60µs 更改tWR0L + tRC ..................................................................................6  
• 删除了标准模式下tSLOT 最大值.......................................................................................................................6  
• 将过驱模式下tSLOT 最小值11µs 更改tWR0L + tRC .................................................................................. 6  
tRL 最小值2µs 更改2.5µs.......................................................................................................................6  
tREADIDLE 400µs 更改560µs...................................................................................................................7  
IDD_PROG 214µA 更改230µA..................................................................................................................7  
• 添加EEPROM 的典型耐久性规格...................................................................................................................7  
GPIO 部分删除GPIO 读取CRC 字节.......................................................................................... 34  
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5 说明)  
TMP1827 实施 SHA-256-HMAC 身份验证引擎以及密钥存储以满足终端设备的系统身份验证要求。器件上的  
2Kb EEPROM 允许主机应用以 64 位块大小存储应用特定的内容。存储器能以 256 位的页面大小进行写保护以  
避免意外的数据覆盖。存储器架构使应用能够在更新只有几个字节的变量时优化总线带宽同时为写保护提供理  
想存储器大小。该器件还具有通过经过身份验证的存储器写入操作进行主机身份验证的机制。  
6 器件比较  
6-1. 器件比较  
TMP1826  
0.2°C  
TMP1827  
0.2°C  
TMP1827N(1)  
0.9°C  
特性  
最佳精度  
温度范围  
55°C +150°C  
2Kb  
55°C +150°C  
2Kb  
55°C +150°C  
2Kb  
存储大小  
存储器写保护  
认证存储器写入  
身份验证类型  
总线速度  
-
-
SHA-256-HMAC  
SHA-256-HMAC  
标准和过驱  
标准和过驱  
标准和过驱  
NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON) NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON) NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON)  
直接替代封装  
替代封装  
DGK (3.0mm × 4.9mm, VSSOP)  
-
-
(1) TMP1827N TMP1827 的可订购选项。请参阅数据表末尾的可订购产品附录。  
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7 引脚配置和功能  
VDD  
1
2
3
4
8
7
6
5
IO2/ALERT  
IO1  
SDQ  
Thermal  
Pad  
ADDR  
GND  
IO0  
IO3  
7-1. NGR 8 WSON 顶视图  
7-1. 引脚功能  
引脚  
I/O  
说明  
WSON  
名称  
ADDR  
3
4
6
7
8
5
2
1
I
电阻地址选择。如果未使用TI 建议将引脚接地  
接地  
GND  
IO0  
I/O  
通用数字开IO。如果未使用TI 建议将引脚接地  
通用数字开IO。如果未使用TI 建议将引脚接地  
通用数字开IO 或可配置为温度警报。如果未使用TI 建议将引脚接地  
通用数字开IO。如果未使用TI 建议将引脚接地  
串行双向数据。在总线供电模式下该引脚用于为内部电容器供电  
VDD 供电模式下的电源电压。在总线供电模式下必须接地  
IO1  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I
IO2/ALERT  
IO3  
SDQ  
VDD  
8 规格  
8.1 绝对最大额定值  
在自然通风条件下的温度范围内测得除非另有说明(1)  
最小值  
最大值  
单位  
VDD  
6.5  
V
电源电压  
6.5  
VDD + 0.3  
6.5  
SDQ总线供电模式  
SDQ电源供电模式  
IO0IO1IO2IO3  
ADDR  
0.3  
0.3  
0.3  
-0.3  
V
I/O 电压  
V
V
I/O 电压  
1.65  
输入电压  
-55  
155  
°C  
°C  
运行结温TJ  
贮存温度Tstg  
-65  
155  
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下  
能够正常运行。如果超出建议工作条件但在绝对最大额定值范围内使用器件可能不会完全正常运行这可能会影响器件的可靠性、功  
能和性能并缩短器件寿命。  
8.2 ESD 等级  
单位  
人体放电模(HBM)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)  
充电器件模(CDM)ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 (2)  
IEC 61000-4-2 接触放电  
±2000  
V
所有引脚  
所有引脚  
SDQ 引脚  
V(ESD)  
±500  
V
V
静电放电  
±8000  
(1) JEDEC JEP155 指出500V HBM 可实现在标ESD 控制流程下安全生产。  
(2) JEDEC JEP157 指出250V CDM 可实现在标ESD 控制流程下安全生产。  
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8.3 建议运行条件  
最小值  
标称值  
最大值  
单位  
VDD  
1.7  
5.5  
V
V
DD 供电模式下的电源电压  
VPUR  
1.7  
0
5.5  
5.5  
V
V
总线供电模式SDQ 上的电源电(VDD = GND)  
V
V
DD 供电模式下的所IO 引脚SDQ ADDR 除外(1)  
DD 供电模式下SDQ 引脚  
VI/O  
TA  
0
VDD + 0.3  
150  
V
工作环境温度(2)  
-55  
°C  
(1) 如果未使ADDR 引脚建议将其连接GND  
(2) 在总线供电模式下过驱速度支持高150°C 的工作温度而标准速度支持高105°C 的工作温度对于整VPUR 范围和高达  
125°C 的工作温度VPUR > 2.5V)(请参阅8-17)  
8.4 热性能信息  
TMP1827  
热指标(1)  
NGR (WSON)  
8 引脚  
66.1  
单位  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
结至环境热阻  
RθJC(top)  
RθJC(bot)  
RθJB  
55.7  
结至外壳顶部热阻  
结至外壳底部热阻  
结至电路板热阻  
20.2  
26.3  
1.0  
ψJT  
结至顶部特征参数  
结至电路板特征参数  
26.1  
ψJB  
(1) 有关传统和新的热度量的更多信息请参IC 封装热度量应用报SPRA953。  
8.5 电气特性  
在自然通风条件下的温度范围内VDD = 1.7V 5.5V 时测得除非另有说明);典型值规格条件TA = 25°C VDD = 3.3V  
除非另有说明)  
参数  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
温度传感器  
±0.1  
±0.2  
±0.3  
±0.4  
±0.9  
°C  
°C  
°C  
°C  
10°C 45°C  
温度精(TMP1827)  
-40°C 105°C  
-55°C 150°C  
-55°C 150°C  
TERR  
±0.1  
温度精(TMP1827N)  
PSR  
TRES  
±0.03 °C/V  
直流电源灵敏度  
16  
包括符号位  
温度分辨率高精度格式)  
LSB  
7.8125  
m°C  
启用平均值计算转换时= 5.5ms16 位模式,  
1Hz 转换率300 次采集  
150°C 1000 小时(2)  
可重复性(1)  
TREPEAT  
TLTD  
±2  
LSB  
°C  
0.0625  
长期稳定性和漂移  
TSTART = -40°C  
TFINISH = 150°C  
TTEST = 25°C  
3 个周期  
THYST  
4
LSB  
温度循环和迟滞  
0.77  
1.91  
3
s
s
单层柔PCB  
τ= 63%  
响应时间搅拌液体)  
NGR 封装  
tRESP_L  
25°C 75°C  
2 62mil PCB  
CONV_TIME_SEL = 0  
(9-12)  
2.54  
4.69  
100  
3.37  
6.12  
300  
ms  
ms  
µs  
有效转换时间无平均值计  
)  
tACT  
CONV_TIME_SEL = 1  
5.5  
tDELAY  
温度转换的启动延迟  
SDQ 数字输入/输出  
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在自然通风条件下的温度范围内VDD = 1.7V 5.5V 时测得除非另有说明);典型值规格条件TA = 25°C VDD = 3.3V  
除非另有说明)  
参数  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
CIN  
40  
pF  
SDQ 引脚电容  
输入逻辑低电平(3)  
输入逻辑高电平(3)  
Hysteresis  
VIL  
-0.3  
0.2 × VS  
VS + 0.3  
V
V
V
V
VIH  
0.8 × VS  
VHYST  
VOL  
0.3  
10  
0
0.4  
IOL = 4mA  
输出低电平  
IO 特性  
CIN  
pF  
V
输入电容  
输入逻辑低电平(3)  
输入逻辑高电平(3)  
输入漏电流  
VIL  
-0.3  
0.3 × VS  
VS + 0.3  
±0.12  
VIH  
0.7 × VS  
V
IIN  
µA  
V
VOL  
0.4  
IOL = 3mA  
输出低电平  
电阻器地址解码器特性  
ADDR 引脚上的负载电容包  
PCB 寄生效应)  
CLOAD  
100  
pF  
6.49  
-1.0  
54.9  
1.0  
R
R
R
R
ADDR 电阻器范围  
kΩ  
TA = 25°C  
%
ADDR 电阻器容差  
100 ppm/°C  
ADDR 电阻器温度系数  
ADDR 电阻器寿命漂移  
100  
-0.2  
0.2  
%
tRESDET  
2.8  
ms  
电阻器解码时间  
电源  
上拉电流(5)  
总线供电模式串行总线空闲  
温度转换串行总线空闲  
μA  
μA  
IPU  
400  
IDD_ACTIVE  
94  
154  
4.2  
温度转换期间的电源电流  
1.6  
VDD 供电串行总线处 TA = -55°C 85°C  
于无效状态连续转换  
模式  
待机电流(4)  
关断电流  
μA  
μA  
IDD_SB  
24  
TA=-55°C 150°C  
1.3  
3.3  
TA = -55°C 85°C  
串行总线处于无效状  
单次转换模式  
TA=-55°C 150°C  
IDD_SD  
23.2  
1.5  
V
V
电源上(8-4, 8-5)  
电源下降  
上电复位阈值电压  
欠压检测  
VPOR  
tINIT  
1.3  
2.0  
ms  
POR 初始化时间  
上电后器件复位所需的时(8-4, 8-5)  
(1) 可重复性是指在相同条件下连续进行温度测量时重现读数的能力。参阅8-11  
(2) 150°C 结温下进行加速使用寿命测试可确定长期稳定性。  
(3) 在总线供电模式下VS = VPUR。在电源供电模式下VS = VDD。  
(4) 转换之间的静态电流。  
(5) 需要使用上拉电流参数来调整总线上拉电阻的大小请参阅9.3.3),以便进行有效温度转换EEPROM 读取和编程或身份验证操  
作。  
8.6 1-Wire 接口时序  
在自然通风条件下的温度范围内VDD = 1.70V 5.5V 时测得除非另有说明)  
标准模式  
过驱模式  
最小值  
单位  
最小值  
最大值  
最大值  
总线复位和位时隙时序  
主机到器件总线复位脉冲宽度8-1(1)  
器件到主机响应时间8-1(2)  
tRSTL  
480  
480  
15  
560  
48  
48  
2
80  
µs  
µs  
µs  
tRSTH  
tPDH  
60  
8
总线复位响应的器件周转时间8-1)  
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在自然通风条件下的温度范围内VDD = 1.70V 5.5V 时测得除非另有说明)  
标准模式  
过驱模式  
单位  
最小值  
最大值  
最小值  
最大值  
tPDL  
tSLOT  
tREC  
tGF  
60  
tWR0L + tRC  
2
240  
8
24  
µs  
µs  
µs  
µs  
ns  
器件到主机响应脉冲宽度8-1)  
位时隙时间8-28-3(5)  
恢复时间8-28-3)  
干扰滤波器宽度8-6(3)  
下降时间  
tWR0L + tRC  
2
0.48  
0.025  
tF  
100  
100  
位写入时序  
tWR0L  
60  
2
120  
15  
9
1
2
2
10  
2
µs  
µs  
µs  
µs  
主机写0 宽度8-2)  
主机写1 宽度8-2)  
器件读取数据有效时间8-2)  
器件读取数据窗口8-2)  
tWR1L  
tRDV  
15  
15  
tDSW  
45  
7
位读取时序  
主机驱动器读取位时隙时间8-3(4)  
tRL  
2.5  
5
tRL+tRC  
30  
2
3
tRL+tRC  
3
µs  
µs  
µs  
读取数据采样窗口之前的主机等待时间图  
8-3(5)  
主机读取数据采样窗口8-3(5)  
tRWAIT  
tMSW  
tRL+tRC  
tRL+tRC  
(1) 在总线供电模式下tRSTL 延长600µs 以上可能会导致器件上电复位  
(2) RSTH 是主机从最远器件接收响应时必须等待的最长时间要考虑到所有器件的传播延迟和恢复时间。  
t
(3) 干扰滤波器时序仅适用SDQ 信号的上升沿  
(4) tRL 最短时间包括干扰滤波器时序  
(5) tRC 时间定义为总线电压0V 上升到器件最小VIH 所花的时间。这是总线上拉电阻、器件和布线或电缆的寄生电容的函数。必须针对  
应用对这些参数进行表征。  
8.7 安全引擎特征  
在自然通风条件下的温度范围内VDD = 1.7V 5.5V 时测得除非另有说明)  
最小值  
典型值  
最大值  
380  
单位  
µs  
tHASH_DATA  
tDECOMMISSION  
IDD_HASH  
8 字节数据大小SHA-256 哈希计算的计算时间  
78  
130  
ms  
µA  
器件的停用时间  
哈希计算电流  
360  
8.8 EEPROM 特性  
在自然通风条件下的温度范围内VDD = 1.7V 5.5V 时测得除非另有说明);典型值规格条件TA = 25°C VDD = 3.3V  
除非另有说明)  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
13.2  
21  
ms  
EEPROM 8 字节数据字的编程时间  
寄存器复制EEPROM 的编程时间  
EEPROM 8 字节数据读取的空闲总线时间  
编程电流  
tPROG  
26.4  
42  
560  
230  
ms  
µs  
tREADIDLE  
IDD_PROG  
178  
µA  
25  
10  
TA = 125°C 时  
数据保留  
TA = 150°C 时  
20000  
1000  
200000  
10000  
TA = 125°C 时  
个周期  
个周期  
编程耐久性  
TA = 150°C 时  
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8.9 时序图  
Host drives SDQ  
Device drives SDQ  
High Impedance, external pullup  
tPDL  
VDD/VPUR  
VIH  
tPDH  
tRSTL  
tRSTH  
VIL  
8-1. 总线复位时序图  
Host drives SDQ  
High Impedance, external pullup  
tSLOT  
tSLOT  
tREC  
tREC  
V
DD/VPUR  
V
DD/VPUR  
VIH  
VIH  
VIL  
VIL  
tDSW  
tRDV  
tDSW  
tRDV  
tWR1L  
tWR0L  
Host Write-1  
Host Write-0  
8-2. 写入时序图  
Host drives SDQ  
Device drives SDQ  
High Impedance, external pullup  
tSLOT  
tSLOT  
tREC  
tREC  
V
DD/VPUR  
VDD/VPUR  
VIH  
VIH  
tRWAIT  
tRWAIT  
VIL  
VIL  
tRL  
tRL  
tMSW  
Host Read-1  
tMSW  
Host Read-0  
8-3. 读取时序图  
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VDD  
VPOR  
0 V  
VSDQ  
Bus Idle  
Bus Ac ve  
SDQ Pin  
tINIT  
8-4. VDD 供电初始化时序图  
Bus Idle  
Bus Active  
VPUR  
VPOR  
0 V  
tINIT  
8-5. 总线供电初始化时序图  
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Host drives SDQ  
High Impedance, external pullup  
VPUR  
VIH  
VIL  
tGF  
Logic H  
Logic L  
Input of  
Glitch Filter  
Logic H  
Logic L  
Output of  
Glitch Filter  
8-6. 干扰滤波器时序图  
8.10 典型特性  
140  
130  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
1.7 V  
3.3 V  
5.5 V  
DS Max  
120  
110  
100  
-0.1  
-0.2  
-0.3  
-0.4  
-0.5  
-0.6  
90  
DS Min  
80  
70  
-60  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
-55  
-25  
5
35  
65  
95  
125  
150  
Temperature (C)  
Temperature (C)  
8-8. 温度转换电流与温度间的关系  
8-7. 温度误差与温度间的关系NGR 封装)  
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8.10 典型特(continued)  
10  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.7 V  
3.3 V  
5.5 V  
1.7 V  
3.3 V  
5.5 V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-60  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
-60  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
Temperature (C)  
Temperature (C)  
8-9. 关断电流与温度间的关系  
8-10. 待机电流与温度间的关系  
80%  
70%  
60%  
50%  
40%  
30%  
20%  
10%  
0
80%  
70%  
60%  
50%  
40%  
30%  
20%  
10%  
0
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
1
2
3
4
5
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
1
2
3
4
5
Normalized Data Distribution (LSB)  
Normalized Data Distribution (LSB)  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
8-12. 转换时间3ms 和取平均值功能开启时的数据分布情况  
16 位格式)  
8-11. 转换时间5.5ms 和取平均值功能开启时的数据分布情况  
16 位格式)  
50%  
40%  
30%  
20%  
10%  
0
50%  
40%  
30%  
20%  
10%  
0
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
1
2
3
4
5
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
1
2
3
4
5
Normalized Data Distribution (LSB)  
Normalized Data Distribution (LSB)  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
8-13. 转换时间5.5ms 和取平均值功能关闭时的数据分布情况  
16 位格式)  
8-14. 转换时间3ms 和取平均值功能关闭时的数据分布情况  
16 位格式)  
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8.10 典型特(continued)  
80%  
90  
85  
80  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
Bus Powered-Overdrive Mode  
Bus Powered-Standard Mode  
2-layer FR4 PCB  
Single Layer Flex PCB  
63% Response  
.
VDD Powered  
70%  
60%  
50%  
40%  
30%  
20%  
10%  
0
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
1
2
3
4
5
-1  
0
1
2
3
4
5
6
7
Normalized Data Distribution (LSB)  
Time (sec)  
.
.
TA = 25°C5.5ms 转换时间、取平均值功能开启、16 位格式  
8-15. 电源模式和总线速度的数据分布  
8-16. 热响应时(NGR)  
2.6  
2.5  
2.4  
2.3  
2.2  
2.1  
2
1.9  
1.8  
1.7  
1.6  
90  
95 100 105 110 115 120 125 130 135 140 145 150  
Temperature (C)  
8-17. VPUR 典型标准速度模式电源电压与温度间的关系  
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9 详细说明  
9.1 概述  
TMP1827 是一款数字输出温度传感器专为热管理和热保护应用而设计。TMP1827 是一1-Wire 器件可在电  
源供电或总线供电寄生供电模式下运行。此器件具有 2Kb EEPROM、基于 SHA-256-HMAC 的认证引擎。图  
9-1 显示TMP1827 方框图。  
9.2 功能方框图  
IO3  
Internal  
thermal  
BJT  
ADDR  
Oscillator  
IO2/ALERT  
Con gura on  
EEPROM  
Temperature  
sensor circuit  
1-Wire Interface  
Controller  
VDD  
Power Control &  
Device Capacitor  
ScratchPad-1  
ScratchPad-2  
ADC  
IO1  
IO0  
SDQ  
2Kb User EEPROM  
Security  
Controller  
and SHA-256-  
HMAC  
Key and  
Memory  
Protec on  
GND  
9-1. 功能方框图  
9.3 特性说明  
9.3.1 上电  
此器件在电源供电和总线供电模式下运行。在这两种模式下当电源电压达到工作范围内时器件需要 tINIT 来自  
行初始化。tINIT 之后MCU 可以开始访问器件。  
在初始化期间器件可能不会响应任何总线活动。初始化完成后器件应等待主机的总线复位。在器件初始化期  
会发生以下事件:  
短地址温度警报下限温度警报上限温度偏移寄存器EEPROM 内容将被恢复。  
• 读IO 配置寄存器EEPROM并恢IO 配置寄存器的内容。  
器件配1 器件配2 寄存器EEPROM 内容会恢复到相应的寄存器。  
– 如ARB_MODE 位恢复为“10b”或“11b则器件将在仲裁模式下响SEARCHADDR。  
– 如OD_EN 位设置为“1b则器件应以过驱速度进行通信除非主机以标准速度发送第一个总线复位  
脉冲。  
• 用户存储器保护位被恢复并且对用EEPROM 块施加适当的保护。  
• 验证密钥和机密字节EEPROM 读取到内部触发器以进行身份验证操作。  
9.3.2 电源模式开关  
此器件设计为以电源供电或总线供电模式运行。双模实现提供了一种独特的冗余方法即使在电源引脚 VDD 变为  
0V 的情况下只要所使用的上拉电阻值符合规格限制器件也可以从数据引脚取电。  
当器件从电源供电模式切换到总线供电模式时在内部电容器能够提供器件进行通信所需的电流消耗之前该器  
件应以相同的设置运行并且在 ADC EEPROM 编程期间外部上拉电阻可将 SDQ 电压保持在 1.7V 以上。  
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如果电容器上的内部电压降至欠压阈值以下器件应自行关闭并在后续上电时进入总线供电通信模式。如之前  
所述当器件完成上电初始化序列时应从总线复位序列开始响应第一个总线通信。  
9.3.3 总线上拉电阻器  
根据速度模式选择总线上拉电阻值对通信非常重要并且可以确保在应用中消耗尽可能少的能量。如果电阻器值  
太小设计可能会超SDQ 引脚上VOL 限制。  
在选择上拉电阻时请考SDQ 总引脚数和总线电容以及总线漏电流。所选的上拉电阻值还必须确保信号电平在  
标准模式和过驱模式下按照时序要求达VIH。  
在总线供电运行模式下器件通过 SDQ 引脚和上拉电阻为内部电容器充电。当 SDQ 引脚为低电平时在总线通  
信期间使用电容器上的这个电荷。对于热转换和 EEPROM 访问等其他高电流功能为了确保器件可以通过上拉  
电阻汲取电流总线保持空闲状态。必须在高电流运行期间维持 SDQ 引脚电压从而确保有足够的运行裕度。对  
VPUR 2.0V 的情况请使用方程1 和低阻抗电流路径。对VPUR > 2.0V 的情况请使用方程2 来计算  
上拉电阻值。  
V
– V  
OL MAX  
V
– 1.6  
PUR  
PUR  
< R  
<
(1)  
(2)  
PUR  
3  
6  
4 × 10  
300 × 10  
V
V
V
– V  
PUR  
PUR  
OL MAX  
IH MIN  
I
PU MIN  
< R  
<
PUR  
3  
4 × 10  
当在 VDD 或电源供电模式下使用器件时因为 SDQ 引脚仅用于通信可以使用更大的上拉电阻值。用户必须确  
保所选的上拉电阻值能够支持期望总线运行速度的时序。  
对于 TMP1827 等低电流消耗器件选择适合的上拉电阻值使应用能够避免在总线供电运行模式下使用低阻抗电  
流路径组件同时根据其电气规格维持通信速度和器件参数。如果总线上有多个器件则建议使用低阻抗电流路  
径。  
9.3.4 温度结果  
禁用自动转换时通过发送温度转换命令由主MCU 启动转换启用自动转换时则在完成存在检测后立即启  
动转换或者在连续转换模式下启动转换如果器件由 VDD 供电。每次转换结束时器件都会更新温度寄存器  
温度结果状态寄存器位。9-2 显示该器件支持高精度和旧格式可通过器件配置 1 寄存器中的 TEMP_FMT  
位进行配置。温度结果的默认设置是旧格式以确保软件兼容性。  
Temperature Result MSB Register  
Temperature Result LSB Register  
High Precision Format  
27  
S
26  
25  
S
24  
S
23  
26  
22  
25  
21  
24  
20  
23  
2-1  
2-2  
2-3  
2-4  
2-5  
2-6  
2-7  
Legacy Format  
S
S
S
22  
21  
20  
2-1  
2-2  
2-3  
2-4  
9-2. 温度格式  
如果所选的格式为高精度 16 位格式则结果寄存器中的数据以二进制补码形式存储分辨率为 7.8125m°C、范  
围为 ±256°C。如果选择的格式是旧的 12 位格式则结果寄存器中的数据以扩展符号形式存储分辨率为  
62.5m°C、范围为 ±128°C。在第一次转换之前温度寄存器读数为 0°C9-1 9-2 显示了两种格式的示  
包括可从温度结果寄存器中读取的可能的二进制数据和相应的十六进制温度等效值。  
9-1. 精密16 温度数据格式  
数字输出精密格式)  
温度  
(°C)  
二进制  
十六进制  
4B00  
150  
127  
0100 1011 0000 0000  
0011 1111 1000 0000  
3F80  
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9-1. 精密16 温度数据格(continued)  
数字输出精密格式)  
温度  
(°C)  
二进制  
十六进制  
3200  
100  
25  
0011 0010 0000 0000  
0000 1100 1000 0000  
0000 0000 1000 0000  
0000 0000 0001 0000  
0000 0000 0000 0100  
0000 0000 0000 0001  
0000 0000 0000 0000  
1111 1111 1111 1111  
0C80  
0080  
1
0.125  
0.03125  
0.0078125  
0
0010  
0004  
0001  
0000  
-0.0078125  
起始值也可以0但是由SysTick 中断和  
COUNTFLAG 在计数1 0 时都会被激  
所以没什么作用  
-0.03125  
-0.125  
-1  
1111 1111 1111 1100  
1111 1111 1111 0000  
1111 1111 1000 0000  
1111 0011 1000 0000  
1110 1100 0000 0000  
1110 0100 1000 0000  
FFFC  
FFF0  
FF80  
F380  
FC00  
F480  
25  
-40  
-55  
9-2. 旧的12 温度数据格式  
数字输出  
温度  
(°C)  
二进制  
十六进制  
07FF  
07FF  
07FF  
0640  
140  
128  
0000 0111 1111 1111  
0000 0111 1111 1111  
0000 0111 1111 1111  
0000 0110 0100 0000  
0000 0001 1001 0000  
0000 0000 0001 0000  
0000 0000 0000 0010  
0000 0000 0000 0000  
1111 1111 1111 1110  
1111 1111 1111 0000  
1111 1110 0111 0000  
127.9375  
100  
25  
0190  
1
0010  
0.125  
0
0002  
0000  
-0.125  
-1  
FFFE  
FFF0  
FE70  
25  
-40  
1111 1101 1000 0000  
1111 1100 1001 0000  
FD80  
FC90  
-55  
9.3.5 温度偏移  
温度偏移与温度结果的格式相同并存储在温度偏移寄存器中。  
每次温度转换后器件都会在温度被存储到温度结果寄存器中之前应用偏移值。主机对偏移寄存器的写入可存储  
在器件的配置 EEPROM 这样可省去主机在每次上电时重新编程该值或在软件中重新应用的开销。偏移特性  
使器件能够通过执行单点校准在应用的温度范围内实现更高的精度。  
9.3.6 温度警报  
温度警报功能使用温度警报下限寄存器进行低阈值比较使用温度警报上限寄存器进行高阈值比较。寄存器的格  
式与温度结果相同。  
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器件应将最后一次转换的结果与警报阈值进行比较。如果温度结果小于下限或大于上限则器件应在状态寄存器  
中设置相应的警报状态标志。根据器件配1 寄存器中ALERT_MODE 设置清除警报状态标志。  
此外IO2/ALERT 引脚配置为警报引脚则警报状态会在电源供电模式下反映在该引脚上。  
9.3.7 标准器件地址  
每个器件都具有一个经过出厂编程的唯64 位地址。此外该器件还提供灵活的寻址模式主机控制器可使用这  
些模式来提高总线吞吐量。这在下文中有相关说明。  
9.3.7.1 64 位器件地址ID  
该器件具有一个硬编码的 64 位地址该地址在出厂时经过编程无法由客户应用程序更改。唯一的 64 位器件地  
址用于终端应用中的器件寻址以NIST 可追溯性。9-3 显示了 64 位地址的格式。当主机访问器件或器件发送  
其地址时首先发送 64 位唯一地址的最低有效位。唯一的 64 位地址由 3 个字段组成。低 8 位包含器件系列代  
48 位唯一编号及其前56 8 CRC 校验和。  
TMP1827 的器件系列代码应27h。  
MSb  
LSbMSb  
LSbMSb  
8-bit Device Family  
Bit-0  
LSb  
8-bit CRC  
48-bit Unique Address  
Bit-63  
9-3. 64 位器件地址  
9.3.8 灵活器件地址  
根据用户应用情况TMP1827 提供了一些用户和应用可配置的地址模式称为灵活的地址模式。这些模式与标准  
器件地址一起存在对于需要更快访问和器件位置识别组合的应用非常有用。  
使用灵活器件地址时系统会更新短地址寄存器。FLEX_ADDR_MODE 位为“00b”时主机写入应该会更新  
短地址寄存器。当这些位从“00b”更改为其他值时器件解码连接在 ADDR 引脚IO 引脚或这两个引脚上的地  
址电阻器并叠加到短地址寄存器。这很有用因为同一组 16 个电阻器或 16 IO 的组合可用于生成多达 256  
个唯一的灵活地址。  
FLEX_ADDR_MODE 不会存储在配置 EEPROM 因此主机必须将短地址寄存器内容复制到 EEPROM 配置存  
储器中使短地址值永久不变而无需在每次上电时解码。  
9.3.8.1 非易失性短地址  
9-4 显示了器件8 位用户可编程短地址模式。主机必须8 位短地址复制到配EEPROM以便在随后上电  
器件加载更新后的短地址并对主机做出响应。  
MSb  
NV7 NV6 NV5 NV4 NV3 NV2 NV1 NV0  
Bit-7 Bit-0  
LSb  
9-4. 非易失性短地址  
9.3.8.2 IO 硬件地址  
9-5 展示了器件的 8 IO 硬件地址模式。在具有通用引脚 (IO0-IO3) 的封装中可使用此功能。8 位值包括低 4  
位作为引脚IO3 IO0的读取值这些值叠加在短地址寄存器的内容上形成一个 8 位地址。应用可将通用  
引脚连接至 VDD/SDQ 以实现逻辑“1或连接至 GND 以实现逻辑“0”。TI 建议在 IO VDD/SDQ 之间放置  
20K电阻器防止在输出模式IO 引脚意外设置为零时发生电源瞬间中断。  
FLEX_ADDR_MODE 设置为“00b”之后主机必须将器件配置 2 寄存器中的位设置为“01b以便器件可  
以锁存通用引脚的状态。  
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MSb  
LSb  
NV7 NV6 NV5 NV4 IO3 IO2 IO1 IO0  
Bit-7 Bit-0  
9-5. IO 硬件地址  
备注  
在使用 IO 硬件地址模式之前IO 引脚必须配置为输入。如果在输出模式下使用了 IO0 IO3 中的任  
意引脚则相应的值应锁存为“0”。  
9.3.8.3 电阻地址  
电阻地址模式使用连接ADDR 引脚和接地端之间E96 系列1% 容差标准电阻。9-6 显示了 8 位地址,  
4 位从连接的电阻器解码该地址叠加在短地址寄存器的内容上。  
MSb  
NV7 NV6 NV5 NV4 RA3 RA2 RA1 RA0  
Bit-7 Bit-0  
LSb  
9-6. 电阻地址  
FLEX_ADDR_MODE 设置为“00b”后主机控制器必须将器件配置 2 寄存器中的位设置为“10b从而使  
器件能够对所连接的电阻器进行解码。写入器件配置 2 寄存器后主机必须将器件置于关断模式并使总线空闲  
tRESDET以便器件解码电阻地址。9-3 显示了基于解码电阻值的器件地址设置值。如果 ADDR 引脚连接到  
GND 或低于 6.49kΩ则地址解码器应始终解码为“0000b”。同样如果 ADDR 引脚连接到大于 54.9kΩ 的电  
地址解码器应始终解码为“1111b”。  
9-3. 电阻地址解码  
电阻(kΩ)  
< 6.49  
7.87  
地址解码  
0h  
1h  
9.31  
2h  
11.0  
3h  
13.3  
4h  
15.4  
5h  
17.8  
6h  
20.5  
7h  
23.7  
8h  
26.7  
9h  
30.1  
Ah  
Bh  
Ch  
Dh  
Eh  
Fh  
33.2  
37.4  
42.2  
47.5  
> 54.9 或悬空  
当应用需要将 TMP1827 放置在多个印刷电路板 (PCB) 上时此模式非常有用。可以轻松更改物料清单 (BOM) 元  
而不是为单独的引脚连接制造多PCB从而降低系统成本。  
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备注  
如果未使用建议将 ADDR 引脚连接到 GNDADDR 引脚的 CLOAD 是由寄生电容引起的具体取决  
于电路板布局布线。  
9.3.8.4 合并IO 和电阻地址  
在合并的 IO 和电阻器地址模式中IO0 IO1 引脚与 ADDR 引脚和接地之间连接的电阻器一起使用。9-7 展  
示了 8 位地址从连接的电阻器解码低 4 位地址然后从 IO0 IO1 引脚连接到 VDD/SDQ 以实现逻辑  
1或连接GND 以实现逻辑“02 位地址该地址叠加在短地址寄存器的内容上。TI 建议IO 和  
VDD/SDQ 之间放置一20K电阻器防止在输出模式IO 引脚意外设置为零时发生电源瞬间中断。  
在将 FLEX_ADDR_MODE 设置为“00b”之后主机必须将器件配置 2 寄存器中的位设置为“11b从而使器  
件能够ADDR 引脚进行采样以便识别连接的电阻器然后IO0 IO1 进行采样以配置短地址。如果非易失  
性存储器中的位字段值已更新则器件应自动锁存引脚运行电阻解码器然后在上电时更新短地址寄存器中的  
值。  
主机控制器必须将器件置于关断模式并使总线空tRESDET以便器件对电阻器地址进行解码。  
MSb  
NV7 NV6 IO1 IO0 RA3 RA2 RA1 RA0  
Bit-7 Bit-0  
LSb  
9-7. 合并IO 和电阻地址  
当应用需要在单个 PCB 上放置多达 64 个器件时此模式很有用因为它允许使用 IO 和电阻器解码的组合方法  
轻松扩展同时使 IO2 IO3 能够用作通用输入和输出引脚。因为没有任何两个器件具有相同的短地址所以此  
模式也可用于位置识别。  
备注  
在使用 IO 硬件地址模式之前IO 引脚必须配置为输入。如果在输出模式下使用了 IO0 IO1 引脚,  
则相应的值应锁存为“0”。  
9.3.9 CRC 生成  
TMP1827 采用循环冗余校验 (CRC) 机制可实现数据完整性检查和通信稳健性。9-4 列出了 8 CRC 的属  
性。  
9-4. CRC-8 规则  
CRC-8 规则  
CRC 宽度  
属性  
8 位  
x8 + x5 + x4 + 1 (0x31)  
00h  
CRC 多项式  
初始种子值  
反映出的输入数据  
反映的输出数据  
XOR 值  
00h  
当一个新的事务完成时使用种子00h 初始化移位寄存器先移LSB 中的数据。CRC 结果始终64 位唯一  
地址的一部分并根据其前面的 56 位计算得出。此外当主机写入寄存器的暂存区 1 和存储器的暂存区 2 ,  
器件会发送根据数据字节计算的 CRC以便在事务处理时为主机提供数据完整性检查。当主机为了读取温度寄存  
器而读取暂存1 器件应在发送暂存区8 个字节之后附CRC。  
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主机必须重新计算 CRC 并将其与从器件接收到的 CRC 进行比较。通过将从器件读取的数据与 CRC 位一起移位  
来实现。如果没有总线错误那么位移位结束时的移位寄存器将产生 00h。将数据写入器件时主机必须通过处  
理写入数据来检查接收到CRC确保没有传输错误并在执行下一个函数之前采取适当的纠正措施。  
9.3.10 功能寄存器映射  
暂存区 1 区域和 IO 寄存器区域一起被称为功能寄存器映射请参阅9-8。暂存区 1 区域的深度为 16 字节,  
包括温度结果、器件状态、器件配置、短地址、温度警报限值和温度偏移寄存器。IO 寄存器区域包括 IO 读取和  
IO 配置寄存器。一些寄存器可提交到配置 EEPROM从而确保在上电时恢复器件设置而不是由主机重新写入  
配置。  
Scratchpad-1  
Temperature Register LSB  
Temperature Register MSB  
Status Register  
Byte-0  
Byte-1  
Byte-2  
Byte-3  
Byte-4  
Byte-5  
Byte-6  
Byte-7  
Byte-8  
Byte-9  
Byte-10  
Byte-11  
Byte-12  
Byte-13  
Byte-14  
Byte-15  
Back up EEPROM  
Reserved = FFh  
Device Con gura on-1 Register  
Device Con gura on-2 Register  
Short Address Register  
Reserved = FFh  
Device Con gura on-1 Register  
Device Con gura on-2 Register  
Short Address Register  
Temperature Alert Low LSB  
Temperature Alert Low MSB  
Temperature Alert High LSB  
Temperature Alert High MSB  
Temperature O set LSB  
Temperature O set MSB  
Reserved = FFh  
Temperature Alert Low LSB  
Temperature Alert Low MSB  
Temperature Alert High LSB  
Temperature Alert High MSB  
Temperature O set LSB  
Temperature O set MSB  
Reserved = FFh  
IO Registers  
IO Read Register  
IO Con gura on Register  
IO Con gura on Register  
9-8. 功能寄存器映射暂存1)  
9.3.11 用户存储器映射  
EEPROM 存储器划分为 8 每页4 个块。9-9 显示每个块8 个字节或 64 位。这样用户存储器总共为  
2048 位。对器件的所有存储器存取应按 8 个字节的块大小进行递增。通过暂存2 寄存器访问存储器进行编程。  
主机写入暂存2 寄存器该寄存器让器件可以在将内容提交到存储器之前执行读取。  
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Block 3  
Block 2  
Block 1  
Block 0  
Block 3  
Block 2  
Block 1  
Block 0  
Block 3  
Block 2  
Block 1  
Block 0  
Block 3  
Block 2  
Block 1  
Block 0  
Block 3  
Block 2  
Block 1  
Block 0  
Block 3  
Block 2  
Block 1  
Block 0  
Block 3  
Block 2  
Block 1  
Block 0  
Block 3  
Block 2  
Block 1  
Block 0  
00FFh  
00F8h – 00FFh  
00F0h – 00F7h  
00E8h – 00EFh  
00E0h – 00E7h  
00D8h – 00DFh  
00D0h – 00D7h  
00C8h – 00CFh  
00C0h – 00C7h  
00B8h – 00CFh  
00B0h – 00B7h  
00A8h – 00AFh  
00A0h – 00A7h  
0098h – 009Fh  
0090h – 0097h  
0088h – 008Fh  
0080h – 0087h  
0078h – 007Fh  
0070h – 0077h  
0068h – 006Fh  
0060h – 0067h  
0058h – 005Fh  
0050h – 0057h  
0048h – 004Fh  
0040h – 0047h  
0038h – 003Fh  
0030h – 0037h  
0028h – 002Fh  
0020h – 0027h  
0018h – 001Fh  
0010h – 0017h  
0008h – 000Fh  
0000h – 0007h  
Page 7  
00E0h  
00DFh  
Page 6  
Page 5  
Page 4  
Page 3  
Page 2  
Page 1  
Page 0  
00C0h  
00BFh  
00A0h  
009Fh  
0080h  
007Fh  
0060h  
005Fh  
0040h  
003Fh  
0020h  
001Fh  
0000h  
9-9. EEPROM 页面和块地址映射  
备注  
如果任何器件读取的地址超出用户存储器映射的范围则器件应返回“1”。  
9.3.12 SHA-256-HMAC 认证模块  
TMP1827 器件上的认证模块使用带密钥的哈希消息验证(HMAC)这是符FIPS PUB-198-1 标准SHA-256  
哈希实现。SHA-256 实现本身符合 FIPS PUB-180-4 标准。HMAC 引擎不会对数据进行加密但会根据用户编程  
的密钥生256 位哈希。  
SHA-256-HMAC 认证模块的详细信息请参TMP1827 安全编程指南。  
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9.3.13 位通信  
1-Wire 接口通信没有基准时钟因此所有通信都是异步执行并使用固定时隙 (tSLOT) 和可变脉冲宽度来表示逻辑  
0”和“1”。在空闲状态下外部上拉电阻使线路保持高电平。所有位通信无论是写入还是读取都由主机  
发起方法是将数据线驱动为低电平来生成下降沿并且位值解码为在下降沿之后数据线保持低电平或高电平的  
时间。  
尽管通信是按位进行但主机和器件之间交换的数据仍然按字节进行。每个字节先发送最低有效位。发送不完整  
的字节时无法保证器件的行为。  
9.3.13.1 主机写入器件读取  
主机写入是一种方法通过该方法主机向器件发送命令、函数和数据。主机写入从主机将数据线驱动为低电平  
开始9-10 所示。如果主机打算发送逻辑“1则在 tWR1L 时间后释放线路。如果主机打算发送逻辑  
0则在 tWR0L 时间后释放线路。释放数据后上拉电阻会使线路变为高电平直到下一个时隙开始。在从下  
降沿开始经过 tRDV 时间之后器件对线路进行采样持续时间tDSW。主机必须将上拉电阻和总线电容引起的上  
升时间考虑在内确定何时释放数据线使器件能够在正确的时间采样数据并使主机能够在正确的时间驱动下  
一个写入位时隙。  
Host drives SDQ  
High Impedance, external pullup  
tSLOT  
tSLOT  
tREC  
tREC  
V
DD/VPUR  
V
DD/VPUR  
VIH  
VIH  
VIL  
VIL  
tDSW  
tRDV  
tDSW  
tRDV  
tWR1L  
tWR0L  
Host Write-1  
Host Write-0  
9-10. 主机写入器件读取  
9.3.13.2 主机读取器件写入  
主机读取是一种方法通过该方法主机从器件获取数据或获取用于数据完整性检查的 CRC。主机读取从主机将  
数据线驱动为低电平开始9-11 所示。当器件检测到下降沿时器件可以在时间 tRL 之前将线路驱动为低电  
平。经过 tRL(MIN) 时间后主机可以直接释放总线控制权。如果器件打算发送逻辑“1则在经过 tRL(MAX) 时间  
之前释放总线控制权。如果器件打算发送逻辑“0则在经过 tSLOT(MIN) 时间之后释放总线控制权。主机必须在  
tRWAIT 之后对线路采样持续时间为 tMSW。主机必须将上拉电阻和总线电容引起的上升时间考虑在内确定  
主机对器件发送的位级别进行采样或驱动下一个读取位时隙的采样窗口。  
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Host drives SDQ  
Device drives SDQ  
High Impedance, external pullup  
tSLOT  
tSLOT  
tREC  
tREC  
V
DD/VPUR  
VDD/VPUR  
VIH  
VIH  
tRWAIT  
tRWAIT  
VIL  
VIL  
tRL  
tRL  
tMSW  
Host Read-1  
tMSW  
Host Read-0  
9-11. 主机读取器件写入  
9.3.14 总线速度  
该器件支持标准速度 (8.33kbps) 和过驱速(90kbps) 两种数据速率。所有器件在出厂时编程为以过驱速度启动,  
从而可提高数据吞吐量。如果主机要求器件以标准速度运行则主机可以通过发出标准速度总线复位命令来轻松  
切换器件。实现顺畅切换从而让主机可以在新设计中利用更好的数据速率同时保持旧设计的向后兼容性。  
此外该器件还使用 OVD SKIPADDR OVD MATCHADDR 等地址阶段命令灵活地从标准模式切换到过驱速  
度模式。  
• 当主机发OVD SKIPADDR 命令时总线上所有能够支持过驱模式的器件将从标准速度切换到过驱速度。  
• 当主机发OVD MATCHADDR 命令时64 位器件地址与主机发送的地址匹配的器件将从标准速度切换到  
过驱速度。  
9.3.15 NIST 可追溯性  
使用由符合 ISO/IEC 17025 政策和程序的经认证实验室校准的设备对温度测试精度进行了验证。每款器件都经过  
测试和微调确保满足其各自的数据表规格限值。  
9.4 器件功能模式  
TMP1827 器件特有灵活的单次温度转换模式以及稳健的用EEPROM 架构以下各节对此进行了说明。  
9.4.1 转换模式  
TMP1827 支持单次和连续转换模式。可以根据单器件或多器件总线网络使用不同的单次转换模式方法。连续转换  
模式仅在 VDD 供电模式下受支持。每个转换模式都有单个温度样本但主机可以在器件中启用八个样本平均值,  
来提高准确性。转换始终会产生单个温度样本但主机可以在器件中启用八个样本平均值来降低转换噪声并提  
高准确性。  
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9.4.1.1 基本单次转换模式  
基本单次转换模式是默认的转换模式。要启动温度转换器件需要经过总线复位阶段、地址阶段和函数阶段。在  
通信期间器件处于关断模式。当器件注册转换请求时器件会启动有效转换然后返回到低功耗关断模式请  
参阅9-12。如果器件处于连续转换模式则系统会忽略单次转换模式请求。  
Bus  
Communica on  
Answer to  
Reset  
SKIPADDR  
(CCh)  
CONVERT  
TEMP (44h)  
Reset  
8 Samples  
Averaging Enabled  
Start of Conversion  
Command startup delay (tDELAY  
Ac ve conversion me (tACT  
Shutdown  
)
)
Shutdown  
Temperature  
Conversion  
9-12. 单次转换模式  
9-13 所示当总线上有多个器件时执行单次转换的方式没有变化。但由于有多个器件总线供电运行模式  
下的总电流消耗可能会导致总线电压下降。在这种使用情况下主机需要使用在 tDELAY 之前激活的 FET/晶体管开  
关来实施低阻抗电流路径。在有效转换期间和有效转换持续时间之后接通此路径以满足总线的电流要求进行  
总线通信时关断此路径。  
Answer to  
Reset  
SKIPADDR  
(CCh)  
CONVERT TEMP  
(44h)  
Bus Communica on  
Reset  
Start of Conversion  
Temperature  
Conversion Sequence  
Ac ve conversion me (tACT  
)
Command startup delay (tDELAY  
Shutdown  
)
Shutdown  
TMP18xx  
Device 0  
TMP18xx  
Device 1  
TMP18xx  
Device 2  
9-13. 多器件单次转换模式  
9.4.1.2 自动转换模式  
自动转换模式是总线供电模式中的一项可编程功能可通过在器件配置 1 寄存器中将 CONV_MODE_SEL 设置为  
10b”来启用该功能。如9-14 所示主机可以跳过温度转换请求的问题并在启用自动转换模式时直接从器  
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件读取温度数据。因为不再需要发出请求命令这使得应用能够加快温度转换和读取速度。与多器件总线的情况  
一样在有效转换期间需要一个低阻抗电流路径来满足总线的电流要求。  
Bus  
Communica on  
Answer to  
Reset  
MATCHADDR  
(55h)  
64-bit Device  
Address  
READ SCRATCHPAD-1  
(BEh)  
Reset  
Start of Conversion  
Command startup delay (tDELAY  
Shutdown  
)
Ac ve conversion me (tACT  
)
Shutdown  
Temperature  
Conversion  
9-14. 自动转换模式  
9.4.1.3 堆叠式转换模式  
堆叠式转换模式是总线供电模式中的一项可编程功能可通过在器件配置 1 寄存器中将 CONV_MODE_SEL 设置  
为“01b”来启用该功能。如9-15 所示当启用堆叠式转换模式后这些器件可以使用短地址寄存器中编程的  
地址来延迟器件的温度转换。在任意给定时间至多有两个器件在进行主动转换因此总线供电配置中的电流消  
耗受到限制。这样应用便可避免多器件同时进行温度转换并减少用户系统最大电源电流。  
Answer to  
Reset  
SKIPADDR  
(CCh)  
CONVERT  
TEMP (44h)  
Bus Communica on  
Reset  
Start of Conversion  
Temperature  
Conversion Sequence  
Command startup delay (tDELAY  
Shutdown  
)
TMP18xx  
STACKMODE ADDRESS = 0  
TMP18xx  
STACKMODE ADDRESS = 1  
TMP18xx  
STACKMODE ADDRESS = 2  
备注  
主机控制器必须使用 CONV_TIME_SEL AVG_SEL 的相同设置对所有器件进行编程以确保最多有  
两个器件正在进行主动转换以按预期使用该功能。  
9-15. 堆叠式转换模式  
9.4.1.4 连续转换模式  
连续转换模式仅适用于器件的 VDD 供电运行模式。可以通过向器件配置 1 寄存器中的 CONV_MODE_SEL 位写  
入除“000b”以外的值来启用此模式。如9-16 所示该器件可以按照主机设定的间隔执行定期转换并在启用  
连续转换模式时更新温度结果寄存器。该器件还会执行警报阈值检查并设置标志和警报引脚如果已相应地进  
行配置。当处于连续转换模式时CONVERTTEMP 函数对温度转换请求没有影响。应用可以随时更改转换速  
率或将器件恢复为单次转换模式这仅在当前转换完成后生效。  
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Start of conversion  
Averaging  
Active conversion time  
(tACT  
)
Conversion interval  
(tCONV  
Conversion interval  
)
9-16. 连续转换模式  
如果由于任何原因VDD 电源在器件未经过欠压情况下发生故障并导致器件进入总线供电运行模式则转换模  
式会自动恢复到配EEPROM 中的设置。  
9.4.2 警报功能  
如前所述主机可以使用内置警报功能来检查温度是否超过特定阈值。警报状态位在总线供电模式和 VDD 供电模  
式下均可用。警报引脚仅VDD 供电模式下可用。  
如果器件处于 VDD 供电模式且 IO2/ALERT 配置为用作 IO2/ALERT 引脚那么在超过阈值时该引脚应驱动为低  
电平有效。该引脚为开漏输出因此需要上拉电阻。IO2/ALERT 引脚取消置位取决于器件配置 1 寄存器中  
ALERT_MODE 的设置。  
9.4.2.1 警报模式  
ALERT_MODE 设置为“0b”时器件以警报模式运行。在警报模式下运行时当最后一次温度转换高于温度  
警报上限或低于温度警报下限时警报状态标志IO2/ALERT 引脚置为有效。  
仅当主机读取状态寄存器或执行成功的 ALERTSEARCH 命令时警报状态标志和 IO2/ALERT 引脚才会取消置  
9-17 所示。  
ALERT_HIGH  
Temperature  
ALERT_LOW  
Temperature conversions  
ALERT_HIGH  
ALERT_LOW  
ALERT pin  
Alert Status Read  
9-17. 警报模式时序图  
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9.4.2.2 比较器模式  
ALERT_MODE 设置为“1b”时器件以比较器模式运行。在警报模式下运行时当最后一次温度转换高于温  
度警报上限或低于温度警报下限时警报状态标志IO2/ALERT 引脚置为有效。  
仅当上次温度转换的结果小于温度警报上限减去迟滞或高于温度下限加上迟滞时才会对警报状态标志和 IO2/  
ALERT 引脚取消置位9-18 所示。可使用器件配2 寄存器中HYSTERESIS 位字段来选择迟滞。  
ALERT_HIGH  
ALERT_HIGH-HYSTERESIS  
Temperature  
ALERT_LOW+HYSTERESIS  
ALERT_LOW  
Temperature conversions  
ALERT_HIGH  
ALERT_LOW  
ALERT pin  
Alert Status Read  
9-18. 比较器模式时序图  
9.4.3 1-Wire 接口通信  
为了有效利用器件功能器件访问包含三个不同的阶段。如9-19 所示任何总线通信都始于总线复位条件总  
线上的每个器件都必须对此条件作出响应。接下来是高度可配置的地址阶段主机在这个阶段选择它要访问的器  
件。最后在函数阶段主机为所选器件提供它要执行的操作。  
Bus Reset Phase  
Address Phase  
Func on Phase  
Write Data  
Answer to  
Reset  
Reset  
Command  
Device Address  
Func on  
CRC  
Read Data  
9-19. 1-Wire 总线通信  
1-Wire 总线中除了由总线上的器件发起的复位应答所有写入和读取都由主机发起。  
9.4.3.1 总线复位相  
总线复位相是通信的开始。该相由主机通过将 1-Wire 数据线路保持在低电平一段时间 (tRSTL) 来启动。总线上的  
所有器件无论其当前状态如何都应通过重新初始化其内部状态并响应主机发起的总线复位来响应总线复位。  
器件在至tPDH 后进行响应方法是1-Wire 保持在低电平一段时(tRSTH)8-1 所示。  
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所有器件在通电后都这样配置器件配置 2 中将 OD_EN 位设置为“1状态寄存器中将 OD 标志设置为  
1”。如果主机发送一个 48µs 80µs 的总线复位脉冲则只有以过驱速度运行的器件才应响应总线复位脉  
而以标准模式运行的器件应继续等待标准模式总线复位。  
如果主机为标准模式发送至少 tRSTL 的总线复位脉冲则器件应在标准模式下将 OD_EN 位复位为“0”并响应总  
线复位。如果总线包含混合标准和过驱速度器件则在标准模式下发送总线复位脉冲时应将所有器件复位为标准  
模式运行速度。  
主机为特定的运行速度发送总线复位然后以其他速度模式进行通信是非法的。此外如果发送的总线复位脉冲  
80µs但小480µs),则器件通信应复位但无法确保器件运行。  
9.4.3.2 地址相  
9-20 展示了总线复位阶段之后的地址阶段。在此阶段主机发出 8 位命令然后主机发送 64 位器件地址、8  
位灵活地址或跳过地址。其中一些命令用于发现器件地址而另一些命令用于选择器件。  
Host Sends Reset  
Pulse  
Yes  
No  
Is Reset pulse  
width for Standard  
Speed?  
Yes  
Is device in  
Standard Speed?  
No  
TMP18xx switches  
to Standard Speed.  
OD Flag = 0  
TMP18xx Responds  
in Overdrive Speed  
Host Sends Address  
Command  
No  
No  
No  
No  
No  
No  
No  
No  
69h  
3Ch  
33h (READADDR)?  
55h (MATCHADDR)?  
Yes  
F0h (SEARCHADDR)?  
ECh (ALERTSEARCH)?  
Yes  
CCh (SKIPADDR)?  
Yes  
0Fh (FLEXADDR)?  
Yes  
(OVD_MATCHADDR)?  
(OVD_SKIPADDR)?  
Yes  
Yes  
Yes  
TMP18xx Sends FLAG  
TMP18xx Sends FLAG  
Host Sends FLAG  
Host Sends 8 Bytes of  
Address, LSb to MSb  
Host Sends 8 Bytes of  
Address, LSb to MSb  
Host Sends 1 Byte of  
Short Address, LSb to MSb  
TMP18xx Sends 8 Bytes of  
Address, LSb to MSb  
OD Flag = 0  
Yes  
TMP18xx with  
Alert Flag Set?  
Address Search Algorithm  
No  
No  
Does TMP18xx  
Address Match?  
Does TMP18xx  
Address Match?  
No  
Does TMP18xx Short  
Address Match?  
OD Flag = 0  
Yes  
Yes  
Yes  
OD Flag = 1  
Host Sends Func on  
9-20. 地址阶段流程图  
9.4.3.2.1 READADDR (33h)  
主机可以使用此命令来读取器件64 位地址。此命令只能在总线上有一个器件时使用因为如果总线上有多个器  
此命令将导致冲突。  
9.4.3.2.2 MATCHADDR (55h)  
该命令由主机使用后跟一个用于选择总线上单个器件64 位地址。每个器件的地址都是唯一的因此只有一个  
器件可由该命令选择而所有其他器件继续等待总线复位。  
9.4.3.2.3 SEARCHADDR (F0h)  
系统通电后主机使用该命令来标识总线上每个器件的 64 位地址请参阅9-21。此外主机可以运行该命  
令以查找稍后可能添加到系统的所有新器件。当有单个器件总线时主机可以跳过该命令改用 SKIPADDR 或  
OVD_SKIPADDR 命令来访问器件。  
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9-21 的右侧流程所示当通过在器件配置 2 寄存器中将 ARB_MODE 位置为“11b”而启用快速仲裁模式  
器件会检查总线中是否存在传输的位。如果器件读取的位值不是它们已发送的值在下一次总线复位之前,  
它们将不再响应此命令。从总线胜出的器件会一直持续到第 64 将其状态寄存器中的 ARB_DONE 位设置为  
1b停止响应下一条 SEARCHADDR 令。仲裁功能允许主机快速发现器件无需使用传统的  
SEARCHADDR 命令来执行复杂的存储器密集型且更长的发现方法。同时如果主机在总线上有问题那么它只  
需执行广播写入操作即可禁用和启用仲裁模式从而重新启动快速仲裁模式。  
该器件还具有优化的仲裁模式可通过ARB_MODE 位置为“10b”来启用该模式。器件会检查传输的位如果  
器件在发送逻辑“1”时检测到逻辑“0则在发送下一条 SEARCHADDR 命令之前不会参与 SEARCHADDR  
命令。能够成功发送全64 位的器件将从总线胜出将其状态寄存器中ARB_DONE 位设置为“1b并停止  
响应下一条 SEARCHADDR 命令。由于优化了仲裁模式主机不必管理复杂的存储器结构即可识别总线上的器  
而且仍然可以使用旧版软件搜索算法。  
主机在收到“FFFFFFFFh”时必须首先搜索器件。主机必须禁用仲裁模式位以清除 ARB_DONE 状态并且仅在  
需要搜索添加到现有总线的新器件时才启用。  
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No  
No  
No  
Address Command =  
ECh (ALERTSEARCH)?  
Address Command =  
F0h (SEARCHADDR)?  
Yes  
Yes  
No  
No  
Is ARB_MODE = 10?  
Is ARB_MODE = 11?  
Yes  
Yes  
TMP18xx Sends Bit 0  
TMP18xx Sends Bit 0  
TMP18xx Sends Bit 0  
Host Sends Bit 0  
TMP18xx Sends Bit 0  
No  
No  
TMP18xx  
Tx Bit-0 = Rx Bit-0  
Match?  
No  
TMP18xx  
Tx Bit-0 = Rx Bit-0  
Match?  
Bit-0 Match?  
Yes  
Yes  
Yes  
TMP18xx Sends Bit 0  
Host Sends Bit 0  
TMP18xx Sends Bit 1  
TMP18xx Sends Bit 1  
Host Sends Bit 1  
TMP18xx Sends Bit 1  
TMP18xx Sends Bit 1  
No  
No  
TMP18xx  
Tx Bit-1 = Rx Bit-1  
Match?  
TMP18xx  
Tx Bit-1 = Rx Bit-1  
Match?  
No  
Bit-1 Match?  
Yes  
Yes  
TMP18xx Sends Bit 1  
Host Sends Bit 1  
TMP18xx Sends Bit 63  
TMP18xx Sends Bit 63  
Host Sends Bit 63  
Yes  
TMP18xx Sends Bit 63  
TMP18xx Sends Bit 63  
TMP18xx  
Tx Bit-63 = Rx Bit-63  
Match?  
No  
No  
TMP18xx  
Tx Bit-63 = Rx Bit-63  
Match?  
No  
Bit-63 Match?  
Yes  
Yes  
Yes  
TMP18xx Sends Bit 63  
Host Sends Bit 63  
Winning TMP18xx Drops out of Next SEARCH  
Host Sends a Reset Pulse to restart the  
1-Wire Bus communica on  
9-21. 地址搜索算法流程图  
9.4.3.2.4 ALERTSEARCH (ECh)  
主机使用该命令来确定是否有任何器件存在必须在警报模式下进行处理的警报条件。当执行了温度转换且温度结  
果高于高温警报寄存器或低于低温警报寄存器时器件会设置告警条件。该命令使用与 SEARCHADDR 命令相同  
的方法不同之处在于仅具有告警条件的器件才应进行响应。如果所有器件都没有告警条件则主机应在总线上  
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收到“1然后再收到“1”。如果器件发送“1然后发送“0则主机应将其解读为一个或多个器件具有  
警报条件或所有器件都具有警报条件。如果存在总线噪声这会导致错误地对线路进行采样但如果没有器件  
存在警报条件则在地址搜索阶段主机应在总线上全部收到“1”。ARB_MODE 位不会影响后续地址搜索算法  
的工作方式。  
只有设置了警报的器件收ALERTSEARCH 地址命令时才应参与进来并通过发送其 64 位地址进行响应。如果  
器件成功发送了器件地址这会自动清除内部警报标志ALERT 引脚直至另一个温度转换导致设置警报条  
因此器件不应再参与发送地址阶段。主机控制器必须确保总线上的所有器件都在警报模式下配置以便使用  
该命令。  
9.4.3.2.5 SKIPADDR (CCh)  
主机可以发出此命令来选择总线上的所有器件。当主机要对暂存区 1 进行写入或触发总线上所有器件的温度转换  
这种方法很有用。此外当总线上有一个器件时主机可以使用此命令来提高总线的总数据吞吐量。  
主机必须注意当总线上有多个器件时不得发出此命令。如果主机打算使用此命令读取器件则会导致总线上  
发生冲突。  
9.4.3.2.6 OVD SKIPADDR (3Ch)  
主机可以发出此命令来选择所有在混合速度总线中支持过驱速度的器件。当主机要对暂存区 1 进行写入或触发总  
线上所有支持过驱速度的器件的温度转换时此选项非常有用。此外当总线上有一个器件时主机可以使用此  
命令来提高总线的总数据吞吐量。发出此命令后只有支持过驱模式的器件才应将内OD 标志设置为“1”。  
当总线上有多个支持过驱模式的器件时主机必须注意不得发出此命令。如果主机打算使用此命令读取器件则  
会导致总线上发生冲突。  
如果主机随时发出标准模式总线复位信号则所有 OD 标志设置为“1”的器件都应清除相同的信号并恢复到标准  
模式速度。  
9.4.3.2.7 OVD MATCHADDR (69h)  
该命令由主机使用后跟一64 位地址用于选择总线上以过驱速度运行的单个器件。每个器件的地址都是唯一  
因此只有一个器件可由该命令选择而所有其他器件都必须等待总线复位。所选器件应将其内OD 标志设  
置为“1并以过驱速度开始所有进一步通信。  
如果主机随时发出标准模式总线复位信号或使用 OVD MATCHADDR 选择另一个器件OD 标志设置为  
1”的所有其他器件应清除相同的信号并恢复到标准模式速度。  
9.4.3.2.8 FLEXADDR (0Fh)  
主机发出命令以通过在短地址寄存器中配置的短地址访问器件。使用该命令不会影响器件的 64 位唯一地址。  
FLEXADDR 命令后跟一个字节这是主机要为进一步通信选择的器件的短地址。  
9.4.3.3 功能相  
9-229-23 9-24 展示了地址阶段之后的函数阶段。在此阶段主机可能会提供不同的函数然后主机  
向器件发送数据、读取器件数据或开始温度转换。某些函数可使用 SKIPADDR OVD SKIPADDR 广播到总线上  
的所有器件。读取函数必须始终通过使用 MATCHADDRFLEXADDR OVD MATCHADDR 在地址阶段选择的  
器件进行单播。对于总线上只有一个器件的情况可以跳过器件地址选择。  
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No  
No  
No  
No  
Function = 44h  
(CONVERT TEMP)?  
Function = 4Eh (WRITE  
SCRATCHPAD-1)?  
Function = 48h (COPY  
SCRATCHPAD-1)?  
Function = BEh (READ  
SCRATCHPAD-1)?  
Host Sends Function  
Yes  
Yes  
Yes  
Yes  
TMP18xx Sends  
Scratchpad Byte starting  
at Byte-0 (LSB First)  
Host Sends  
DEVICE_CONFIG1 Byte  
Host waits for EEPROM  
programming time. Line  
held IDLE  
Host waits for conversion  
time. Line held IDLE  
Host Sends  
DEVICE_CONFIG2 Byte  
Yes  
Host Sent Reset?  
No  
Host Sends SHORT_ADDR  
Byte  
Have first 8 bytes  
been read?  
No  
Host Sends  
TEMP_ALERT_LOW LSB  
Byte  
Yes  
Host Sends  
TEMP_ALERT_LOW MSB  
Byte  
TMP18xx Sends CRC Byte  
Host Sends  
TEMP_ALERT_HIGH LSB  
Byte  
TMP18xx Sends  
Scratchpad Byte starting  
at Byte-8 (LSB First)  
Host Sends  
TEMP_ALERT_HIGH MSB  
Byte  
Yes  
Host Sent Reset?  
No  
Host Sends  
TEMP_OFFSET_LSB Byte  
Have last 8 bytes  
been read?  
No  
Host Sends  
TEMP_OFFSET_MSB Byte  
Yes  
TMP18xx Sends CRC Byte  
TMP18xx Sends CRC Byte  
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9-22. 寄存器空间的函数阶段流程图  
9.4.3.3.1 CONVERTTEMP (44h)  
当主机希望总线上的温度传感器执行单次温度转换时主机会发出该函数。  
当器件由总线供电时主机必须在有效温度转换期间使总线保持空闲状态。有效温度转换时间取决于转换模式。  
温度转换完成后温度结LSB 温度结MSB 状态寄存器中更新结果。  
器件配1 寄存器中启用了自动温度转换模式时系统会忽略该命令。  
9.4.3.3.2 WRITE SCRATCHPAD-1 (4Eh)  
该函数由主机发出用于写入温度传感器的功能寄存器。继函数字节之后主机发送器件配置寄存器、短地址寄  
存器、温度警报下限寄存器、温度警报上限寄存器和温度偏移寄存器。发送 9 个字节后器件应发送在 9 个字节  
上计算CRCCRC 发送回主机以快速验证数据完整性。  
此外主机可以在传输过程中的任何时候发出总线复位信号但建议仅在字节边界处进行此操作以确保不会因  
传输未完成而损坏寄存器。  
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FLEX_ADDR_MODE 位更新为非零值时主机必须暂停任何通信以便根据所请求的灵活模式使总线处于空  
闲状tRESDET tDELAY从而使器件解码和更新短地址。此外FLEX_ADDR_MODE 位具有非零值时对于  
任何后续的写入暂存1 操作不应在寄存器暂存区中更新短地址寄存器的字节以避免覆盖解码后的短地址。  
备注  
当更新器件配置 2 寄存器中的 OD_EN /LOCK_EN 位时主机控制器必须发送 9 个字节并等待  
CRC 传输器件速度的更改或寄存器暂存区的写保护才能生效。如果主机在完CRC 传输之前终止传  
OD_EN /LOCK_EN 的任何更新都不会生效。  
9.4.3.3.3 READ SCRATCHPAD-1 (BEh)  
该函数由主机发出用于从寄存器暂存区读取温度结果、状态位和功能寄存器。所选器件会传输寄存器暂存区的  
8 个字节后跟 8 个字节的 CRC。如果主机要继续执行读取操作主机将接收接下来的 8 个字节以及最后 8  
个字节CRC。主机可以通过发出总线复位来随时终止该函数。  
9.4.3.3.4 COPY SCRATCHPAD-1 (48h)  
该函数由主机发出用于将暂存区 1 寄存器复制到 EEPROM 配置存储器。如9-22 所示温度警报寄存器、配  
置寄存器、短地址寄存器、温度偏移和 IO 引脚配置寄存器存储在配EEPROM 中。9 个字节从寄存器空间复  
制到 NVM因此主机必须使总线保持在空闲状态时间是 EEPROM 编程时间的两倍然后才能执行下一次访  
问。  
No  
No  
No  
No  
Func on = 0Fh (WRITE  
SCRATCHPAD-2)?  
Func on = 55h (COPY  
SCRATCHPAD-2)?  
Func on = AAh (READ  
SCRATCHPAD-2)?  
Func on = F0h (READ  
EEPROM)?  
Yes  
Yes  
Yes  
Yes  
Host Sends EEPROM  
Address High Byte  
Host sends A5h to commit  
Scratchpad-2 to EEPROM  
Host Sends EEPROM  
Address High Byte  
Host Sends EEPROM  
Address High Byte  
Host Sends EEPROM  
Address Low Byte  
Host Sends EEPROM  
Address Low Byte  
Host Sends EEPROM  
Address Low Byte  
Host waits for tPROG  
TMP18xx Sends Data  
Bytes (LSB First)  
Host Sends 8 Data Bytes  
(LSB First)  
Host waits for tREADIDLE  
Yes  
TMP18xx Sends Data  
Bytes (LSB First)  
Host Sent Reset?  
No  
Yes  
Host Sent Reset?  
No  
No  
Has 8 bytes been  
read?  
Yes  
No  
Have 8 bytes  
been read?  
TMP18xx Sends CRC Byte  
TMP18xx Sends CRC Byte  
Yes  
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9-23. 存储器访问的函数阶段流程图  
9.4.3.3.5 WRITE SCRATCHPAD-2 (0Fh)  
该函数由主机发出用于准备使用存储器暂存区将数据写EEPROM。  
9-23 显示主机首先发2 个字节作EEPROM 地址然后发8 个数据字节。接收8 个数据字节后器件  
会计算从主机接收到的总共 10 个字节地址和数据的 CRC以进行数据完整性检查。该函数仅将数据复制到存储  
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器暂存区以使主机能够在最终 EEPROM 擦除和编程之前更改数据。此外主机可以将存储器暂存区用作 8 字  
节的易失性缓冲区。  
该器件不支持 EEPROM 按字节访问。对暂存区的所有访问均以 8 字节为增量完成。因此主机必须在 8 字节块  
边界发送地址。9-9 表明任何在非块边界写入数据的尝试都会导致相EEPROM 页和块发生数据损坏。  
9.4.3.3.6 READ SCRATCHPAD-2 (AAh)  
该函数由主机发出用于读取存储器暂存区的内容。  
主机首先发送 2 个字节作为 EEPROM 地址请参阅9-23。如果 2 个字节的地址与上次执行 WRITE  
SCRATCHPAD-2 期间发送的地址匹配则器件通过发送先前写入暂存区 2 缓冲区的 8 字节数据进行响应。主机  
可以在传输期间随时发送总线复位信号。如果器件发送全部 8 个字节且未接收到总线复位则器件将发送根据主  
机发送2 字节地址和器件发送给主机8 字节数据计算得出CRC以进行数据完整性检查。  
如果 EEPROM 地址不匹配器件应回到开始并等待总线复位以重新启动通信主机应在总线上接收“1”以进行  
后续读取。该机制可确保主机可以在 WRITE SCRATCHPAD-2 READ SCRATCHPAD-2 期间检测到地址字节  
损坏因为数据字节CRC 字节都将回读FFh。  
9.4.3.3.7 COPY SCRATCHPAD-2 (55h)  
该函数由主机发出用于将暂存区 2 的内容复制到 EEPROM。在擦除和编程期间EEPROM 电流较高因此,  
应用必须调整外部上拉电阻的大小从而确保一个或多个器件汲取足够的电流或者使用与总线上拉电阻并联的  
FET/晶体管开关来实施低阻抗电流路径。  
主机应用程序必须确保在发送 COPY SCRATCHPAD-2 之前只能使用用户 EEPROM 中预期位置的地址发出  
WRITE SCRATCHPAD-2 READ SCRATCHPAD-2。器件存储并使用 WRITE SCRATCHPAD-2 期间发送的地  
址来标识用户 EEPROM 中应执行复制操作的位置。在执行提交操作时主机只需通过 A5h 发送一个字节即可  
启动从暂存区 2 到用户 EEPROM 的内容复制复制的地址位置已经事先指定。主机必须在 EEPROM 编程时间  
内使总线保持空闲状态然后才能开始在总线上进行任何新的访问。  
9.4.3.3.8 READ EEPROM (F0h)  
该函数由主机发出用于直接读EEPROM 存储器。  
主机发送 2 个字节作为其要读取的 EEPROM 位置地址。然后器件从该位置开始发送数据字节直到内部地址  
指针未到EEPROM 的末尾或主机不发出总线复位。如果内部地址指针到EEPROM 位置的末尾器件应在总  
线上发送 1。在发送 2 个字节作为要访问的 EEPROM 位置的地址后当在块边界之间移动时主机必须在  
EEPROM 特性指定tIDLE 内使总线空闲。此外READ EEPROM 函数期间该器件的响应中不提CRC。  
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该器件不支持 EEPROM 按字节访问。对存储器的所有访问都以 8 字节为增量完成。因此主机必须在 8 字节块  
边界发送地址。如果为非块边界发送地址则器件应从相应块的开头发送数据9-9 所示。  
No  
No  
Func on = F5h (GPIO  
READ)?  
Func on = A5h (GPIO  
WRITE)?  
Yes  
Yes  
Host Sends GPIO  
Con gura on Byte  
TMP18xx Sends GPIO  
Read Register  
Host Sends Inverted GPIO  
Con gura on Byte  
No  
Is GPIO Con gura on  
Byte transmission OK?  
TMP18xx Sends CRC Byte  
Yes  
TMP18xx Sends OK Code  
AAh  
TMP18xx Sends Fail Code  
FFh  
No  
Host Sent Reset  
Yes  
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9-24. IO 访问的功能相流程图  
9.4.3.3.9 GPIO WRITE (A5h)  
该函数由主机发出用于配置和读GPIO。  
主机发送 IO 配置字节后跟反相 IO 配置字节值。此操作使器件能够检查由于总线噪声引起的位错误。如果检测  
到错误则器件会向主机发送失败代码 FFh以便主机可以重试。如果未检测到错误则器件会发送成功代码  
AAh。  
9.4.3.3.10 GPIO READ (F5h)  
该函数由主机发出用于读GPIO。  
发出函数后器件会发送一个具有相应 IO 状态的字节IO 状态字节的 CRC。主机可以重复该序列以实施轮  
询循环。  
9.4.4 NVM 运营  
TMP1827 器件遵循一个通用过程来对密钥编程、对用户数据编程以及启用针对用户数据和密钥的存储器保护。  
9.4.4.1 对用户数据编程  
将用户数据编程到存储器会用到 WRITE SCRATCHPAD-2READ SCRATCHPAD-2 COPY SCRATCHPAD-2  
函数如前所述。应用程序必须使用所提供的功能存储器映射中的地址将用户数据写入器件。  
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1. 主机发出总线复位信号然后等待响应并针对特定器件发送地址命令。  
2. 主机根据功能存储器映射以8 字节数据1 CRC 发出带有地址WRITE SCRATCHPAD-2 以验证传  
输。  
3. 主机发出总线复位信号然后等待响应并针对特定器件发送地址命令。  
4. 主机根据功能存储器映射发出带有地址READ SCARTCHPAD-2然后读8 字节数据1 CRC以  
确保其与前一步中写入的内容相同。  
5. 主机发出总线复位信号然后等待响应并针对特定器件发送地址命令。  
6. 主机发出数据字节A5h COPY SCRATCHPAD-2将数据提交到用EEPROM。  
9.4.4.2 寄存器和存储器保护  
TMP1827 为暂存1 寄存器和存储器区域提供用户可配置的保护如下所述。  
9.4.4.2.1 暂存1 寄存器保护  
该器件为整个寄存器映射提供一次性写保护。IO 配置外所有可写寄存器均受写保护。要永久启用写保护主  
机控制器必须在器件配置 2 寄存器中设置 LOCK_EN 然后将寄存器复制到配EEPROM。对配置 EEPROM  
进行编程后更改将是永久性和不可逆的。  
此外该器件还提供临时写保护机制。如LOCK_EN 位未提交到配EEPROM则器件应禁止对寄存器暂存区  
1 区域的任何写入IO 配置寄存器除外只要加电即可。如果器件通过 POR则应清除 LOCK_EN 位以允许  
主机更新寄存器暂存1。  
9.4.4.2.2 用户存储器保护  
有关用户存储器保护的更多详细信息请参TMP1827 安全编程指南。  
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9.5 编程  
TMP1827 有多种方法可供应用访问用于温度转换和 EEPROM 编程的器件功能。访问多个器件时必须使用  
MATCHADDR 命令以及 64 位器件地址。如果短地址已经过独特地编程则主机可以使用 FLEXADDR 命令以及  
8 位短地址。  
以下各节介绍了正确访问器件功能时必须遵循的序列。  
9.5.1 单器件温度转换和读取  
9-5 显示了主MCU 在进行温度转换以及随后读取温度结果时必须执行的程序流。由于温度结果是寄存器暂存  
1 的前两个字节因此主机可以选择在器件发送前两个字节后通过执行总线复位来停止读取。  
9-5. 单器件温度转换和读取暂存1 序列  
注释  
主机到器件  
复位  
器件到主机  
复位应答  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
SKIPADDR (CCh)  
主机发送地址命令以选择所有器件  
主机发送函数命令以开始温度转换  
在温度转换期间总线保持空闲状态高电平)  
CONVERTTEMP (44h)  
tDELAY + tCONV 期间总线空  
复位  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
复位应答  
SKIPADDR (CCh)  
主机发送地址命令以选择所有器件  
主机发送函数命令以读取寄存器暂存1  
READ SCRATCHPAD-1  
(BEh)  
TEMP_RESULT_L  
TEMP_RESULT_H  
STATUS_REG  
FFh  
器件发送温度结LSB 寄存器  
器件发送温度结MSB 寄存器  
主机可选读取器件发送状态寄存器  
主机可选读取器件发送保留字节  
CONFIG_REG1  
CONFIG_REG2  
SHORT_ADDR  
FFh  
主机可选读取器件发送配1 寄存器  
主机可选读取器件发送配2 寄存器  
主机可选读取器件发送短地址寄存器  
主机可选读取器件发送保留字节  
CRC  
主机可选读取器件在8 个字节中发CRC  
主机可选读取器件发送温度警报下LSB 寄存器  
主机可选读取器件发送温度警报下MSB 寄存器  
主机可选读取器件发送温度警报上LSB 寄存器  
主机可选读取器件发送温度警报上MSB 寄存器  
主机可选读取器件发送温度偏LSB 寄存器  
主机可选读取器件发送温度偏MSB 寄存器  
主机可选读取器件发送保留字节  
TEMP_ALERT_LOW_L  
TEMP_ALERT_LOW_H  
TEMP_ALERT_HIGH_L  
TEMP_ALERT_HIGH_H  
TEMP_OFFSET_L  
TEMP_OFFSET_H  
FFh  
FFh  
主机可选读取器件发送保留字节  
CRC  
主机可选读取器件在最8 个字节上发CRC  
9.5.2 多器件温度转换和读取  
9-6 显示了主机 MCU 为多器件进行温度转换以及随后读取温度结果而必须执行的程序流。主机必须使用  
MATCHADDR 命令FLEXADDR 命令来寻址总线上的每个器件因为这些器件不会对读取函数进行仲裁。  
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9-6. 多器件温度转换和读取暂存1 序列  
注释  
主机到器件  
复位  
器件到主机  
复位应答  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
SKIPADDR (CCh)  
主机发送地址命令以选择所有器件  
主机发送函数命令以开始温度转换  
在温度转换期间总线保持空闲状态高电平)  
CONVERTTEMP (44h)  
tDELAY + tCONV 期间总线空  
复位  
主机发送复位以初始化通信  
复位应答  
器件响应初始化  
MATCHADDR (55h)  
主机发送地址命令以选择特定器件  
主机发8 字节器件地址以选择器1  
主机发送函数命令以读取寄存器暂存1  
1 地址  
READ SCRATCHPAD-1  
(BEh)  
TEMP_RESULT_L  
TEMP_RESULT_H  
1 发送温度结LSB 寄存器  
1 发送温度结MSB 寄存器  
主机发送复位以初始化通信  
复位  
复位应答  
器件响应初始化  
MATCHADDR (55h)  
主机发送地址命令以选择特定器件  
主机发8 字节器件地址以选择器2  
主机发送函数命令以读取寄存器暂存1  
1 地址  
READ SCRATCHPAD-1  
(BEh)  
TEMP_RESULT_L  
TEMP_RESULT_H  
2 发送温度结LSB 寄存器  
2 发送温度结LSB 寄存器  
9.5.3 寄存器暂存1 更新和提交  
9-7 显示了主机更新寄存器暂存区并提交到配置 EEPROM 时必须执行的序列。主机必须先读取暂存区以确  
保能够对寄存器执行正确的读取修改写入操作然后再将这些寄存器复制到配EEPROM 中。  
如果主机只有一个器件或者应用程序可以保证总线没有损坏则可以使用 SKIPADDR 命令以相同的设置全局更  
新并提交寄存器暂存区。但是一旦提交和锁定主机就无法再更新位置因此 TI 强烈建议主机在运行提交操作  
之前仍读取位置。  
9-7. 寄存器暂存1 更新和编程配EEPROM  
主机到器件  
复位  
器件到主机  
复位应答  
注释  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
MATCHADDR (55h)  
主机发送地址命令以选择特定器件  
主机发8 个字节用于选择器1  
主机发送函数命令以读取寄存器暂存1  
1 地址  
READ SCRATCHPAD-1  
(BEh)  
16 个寄存器字+ 2 个  
CRC 字节  
器件发送8 个寄存器暂存1 字节后CRC 字节然后发送最8 个寄存器暂  
1 字节后CRC 字节  
复位  
复位应答  
器件响应初始化  
MATCHADDR (55h)  
主机发送地址命令以选择特定器件  
主机发8 个字节用于选择器1  
主机发送函数命令以写入寄存器暂存1  
1 地址  
WRITE SCRATCHPAD-1  
(4Eh)  
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9-7. 寄存器暂存1 更新和编程配EEPROM (continued)  
主机到器件  
器件到主机  
注释  
9 个寄存器字节  
主机发送更新后9 个寄存器暂存1 字节  
器件发送寄存器字节CRC  
CRC  
复位  
主机发送复位以初始化通信  
复位应答  
器件响应初始化  
MATCHADDR (55h)  
主机发送地址命令以选择特定器件  
主机发8 个字节用于选择器1  
主机发送函数命令COPY SCRATCHPAD-1 写入配EEPROM  
1 地址  
COPY SCRATCHPAD-1  
(48h)  
寄存器tPROG 期间总线  
空闲  
在配EEPROM 擦除/编程期间总线保持空闲状态高电平)  
9.5.4 单器EEPROM 编程和验证  
9-8 显示了主机更新 EEPROM 时必须执行的正确过程。与单个器件通信时主机可以使用 SKIPADDR 命令。  
但是当与多个器件通信时主机必须使MATCHADDR 命令FLEXADDR 命令来寻址正确的器件。主机首先  
写入 EEPROM 暂存区接着将其读回以验证内容然后再将内容复制到用户 EEPROM。复制命令与限定符字节  
A5h 一同发出并且总线在 EEPROM 的擦除和编程期间保持空闲。主机应针对每 8 字节页重复该序列。对位置  
进行编程后主机可以使用起始地址来发出 READ EEPROM 函数以读取所有字节。器件应读回页大小的字节  
并在每页之后放置一CRC 字节以确保主机能够在较小的数据包中使CRC 识别位损坏。  
只要主机继续执行读操作器件就应读8 字节数据后CRC 字节。当器件到EEPROM 块的末尾时器件应  
将所1 返回主机。  
9-8. 单器EEPROM 编程和验证序列  
注释  
主机到器件  
复位  
器件到主机  
复位应答  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
SKIPADDR (CCh)  
主机发送地址命令以选择所有器件  
主机发送函数命令以写入暂存2  
WRITE SCRATCHPAD-2  
(0Fh)  
2 EEPROM 地址  
主机发2 EEPROM 地址其中数据的写入顺序必须MSB 在前、LSB 在  
后。  
8 字节数据  
主机发8 字节数据作EEPROM 地址  
器件发送地址和数据CRC  
CRC  
复位  
主机发送复位以初始化通信  
复位应答  
器件响应初始化  
SKIPADDR (CCh)  
主机发送地址命令以选择所有器件  
主机发送函数命令以读取暂存2 的内容  
READ SCRATCHPAD-2  
(AAh)  
2 EEPROM 地址  
主机发2 EEPROM 地址数据的写入顺序MSB 在前、LSB 在后  
器件发送来自暂存2 8 个字节  
器件发8 个字节CRC  
8 字节数据  
CRC  
复位  
主机发送复位以初始化通信  
复位应答  
器件响应初始化  
SKIPADDR (CCh)  
主机发送地址命令以选择所有器件  
主机发送函数命令将暂存2 复制EEPROM  
COPY SCRATCHPAD-2  
(55h)  
A5h  
主机发EEPROM 编程的限定符字节  
t
PROG 期间总线空闲  
EEPROM 编程期间总线保持空闲状态高电平)  
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9-8. 单器EEPROM 编程和验证序(continued)  
主机到器件  
复位  
器件到主机  
注释  
主机发送复位以初始化通信  
复位应答  
器件响应初始化  
SKIPADDR (CCh)  
主机发送地址命令以选择所有器件  
主机发送函数命令以读EEPROM  
主机EEPROM 2 字节地址以读取数据  
总线在读取期间保持在空闲状态高电平以预取数据  
器件EEPROM 地址发8 个字节  
器件发8 个字节CRC  
READ EEPROM (F0h)  
2 EEPROM 地址  
t
READIDLE 期间总线空闲  
8 字节数据  
CRC  
t
READIDLE 期间总线空闲  
总线在读取期间保持在空闲状态高电平以预取数据  
9.5.5 单器EEPROM 页面锁定操作  
9-8 中所示成功对器EEPROM 进行编程后主机应执行9-9 中所示的序列EEPROM 页面进行写  
保护。  
9-9. 单器EEPROM 页面锁定序列  
注释  
主机到器件  
复位  
器件到主机  
复位应答  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
SKIPADDR (CCh)  
主机发送地址命令以选择所有器件  
主机发送函数命令以写入暂存2  
WRITE SCRATCHPAD-2  
(0Fh)  
80h  
0Nh  
55h  
主机发送页面保护字节  
主机发送要锁定的页码  
主机发送锁定代码字节  
CRC  
器件发CRC  
复位  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
复位应答  
SKIPADDR (CCh)  
主机发送地址命令以选择所有器件  
主机发送函数命令以读取暂存2 的内容  
READ SCRATCHPAD-2  
(AAh)  
80h  
0Nh  
主机发送页面保护字节  
主机发送要锁定的页码  
器件发送锁定代码字节  
器件发CRC  
55h  
CRC  
复位  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
复位应答  
SKIPADDR (CCh)  
主机发送地址命令以选择所有器件  
主机发送函数命令来锁定页面  
COPY SCRATCHPAD-2  
(55h)  
A5h  
主机发EEPROM 编程的限定符字节  
t
PROG 期间总线空闲  
EEPROM 编程期间总线保持空闲状态高电平)  
9.5.6 多器IO 读取  
9-10 显示了主MCU 为读取器IO 而必须执行的程序流。主机会选择要与之通信的器件并发GPIO READ  
函数该器件返回 IO 读取寄存器值以及字节的 CRC。此时该器件应再次对 IO 进行采样。如果主机在采样期间  
发出总线复位信号该器件应终止更新过程并保留最后一个采样值。如果主机继续该器件应发回新的采样值。  
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9-10. 多器GPIO 读取序列  
注释  
主机到器件  
复位  
器件到主机  
复位应答  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
MATCHADDR (55h)  
1 地址  
主机发送地址命令以选择特定器件  
主机发8 字节器件地址以选择器1  
主机发送用GPIO 读取的函数命令  
器件GPIO 进行采样并发IO 读取寄存器数据  
器件发CRC  
GPIO READ (F5h)  
IO 读取寄存器  
CRC  
IO 读取寄存器  
器件GPIO 进行采样并发IO 读取寄存器数据  
器件发CRC  
CRC  
复位  
主机发送复位以初始化通信  
复位应答  
器件响应初始化  
MATCHADDR (55h)  
2 地址  
主机发送地址命令以选择特定器件  
主机发8 字节器件地址以选择器2  
主机发送用GPIO 读取的函数命令  
器件GPIO 进行采样并发IO 读取寄存器数据  
器件发CRC  
GPIO READ (F5h)  
IO 读取寄存器  
CRC  
9.5.7 多器IO 写入  
9-11 显示了主机 MCU 为器件配置 IO 而必须执行的程序流。主机会选择要与之通信的器件并发出 GPIO  
WRITE 函数。然后主机应发送 IO 配置寄存器后跟一个反相值使器件能够检查是否存在任何总线传输错  
误。如果主机接收到除 AAh 以外的任何返回代码则必须发送总线复位来终止事务并再次写入 IO 配置寄存  
器。如果主机计划连续读取器件则必须发送总线复位并启GPIO READ 函数。  
9-11. 多器GPIO 写入序列  
注释  
主机到器件  
复位  
器件到主机  
复位应答  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
MATCHADDR (55h)  
1 地址  
主机发送地址命令以选择特定器件  
主机发8 字节器件地址以选择器1  
主机发送用GPIO 写入的函数命令  
主机发IO 配置数据  
GPIO WRITE (A5h)  
IO 配置数据  
IO 配置数据  
主机发送反IO 配置数据  
返回代码  
复位应答  
器件返AAh 表示写入成功FFh 表示错误  
主机发送复位以初始化通信  
器件响应初始化  
复位  
MATCHADDR (55h)  
2 地址  
主机发送地址命令以选择特定器件  
主机发8 字节器件地址以选择器2  
主机发送用GPIO 写入的函数命令  
主机发IO 配置数据  
GPIO WRITE (A5h)  
IO 配置数据  
IO 配置数据  
主机发送反IO 配置数据  
返回代码  
器件返AAh 表示写入成功FFh 表示错误  
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9.6 寄存器映射  
9-12. 寄存器映射  
寄存器名称  
暂存1 字节  
00h  
类型  
RO  
复位  
00h  
00h  
3xh  
FFh  
70h  
80h  
00h  
FFh  
00h  
00h  
F0h  
07h  
00h  
00h  
FFh  
FFh  
F0h  
00h  
寄存器说明  
温度结LSB 寄存器  
温度结MSB 寄存器  
状态寄存器  
章节  
转到  
转到  
转到  
TEMP_RESULT_L  
01h  
RO  
TEMP_RESULT_H  
STATUS_REG  
02h  
RO  
03h  
RO  
保留  
保留  
04h  
R/W  
R/W  
R/W  
RO  
CONFIG_REG1  
器件配1 寄存器  
器件配2 寄存器  
短地址寄存器  
转到  
转到  
转到  
05h  
CONFIG_REG2  
SHORT_ADDR  
06h  
07h  
保留  
保留  
08h  
R/W  
R/W  
R/W  
R/W  
R/W  
R/W  
RO  
TEMP_ALERT_LOW_L  
温度警报下LSB  
温度警报下MSB  
温度警报上LSB  
温度警报上MSB  
温度偏LSB 寄存器  
温度偏MSB 寄存器  
保留  
转到  
转到  
转到  
转到  
转到  
转到  
09h  
TEMP_ALERT_LOW_H  
TEMP_ALERT_HIGH_L  
TEMP_ALERT_HIGH_H  
TEMP_OFFSET_L  
0Ah  
0Bh  
0Ch  
0Dh  
0Eh  
TEMP_OFFSET_H  
保留  
0Fh  
RO  
保留  
保留  
RO  
IO_READ  
IO 读取寄存器  
IO 配置寄存器  
转到  
转到  
WO  
IO_CONFIG  
9-13. 访问类型代码  
访问类型  
读取类型  
R
代码  
说明  
R
读取  
RC  
R
C
读取  
以清除  
R-0  
R
-0  
读取  
0  
写入类型  
W
W
写入  
W0CP  
W
0C  
P
W
0 以清除  
需要访问权限  
复位或默认值  
-n  
复位后的值或默认值  
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9.6.1 温度结LSB 寄存器暂存-1 = 00h) [= 00h]  
该寄存器是 16 位温度结果读取的一部分用于存储最近一次转换输出的最低有效字节。上电后寄存器在第一次  
转换完成前的值00h。  
返回寄存器映射。  
9-25. 温度结LSB 寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
TEMP_RESULT[7:0]  
R-00h  
9-14. 温度结LSB 寄存器字段说明  
字段  
TEMP_RESULT[7:0]  
类型  
复位  
说明  
7:0  
R
00h  
存储最近一次温度转换结果LSB。  
9.6.2 温度结MSB 寄存器暂存-1 = 01h) [= 00h]  
该寄存器是 16 位温度结果读取的一部分用于存储最近一次转换输出的最高有效字节。上电后寄存器在第一次  
转换完成前的值00h。  
返回寄存器映射。  
9-26. 温度结MSB 寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
TEMP_RESULT[15:8]  
R-00h  
9-15. 温度结MSB 寄存器字段说明  
字段  
TEMP_RESULT[15:8]  
类型  
复位  
说明  
7:0  
R
00h  
存储最近一次温度转换结果MSB。  
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9.6.3 状态寄存器暂存-1 = 02h) [= 3Ch]  
该寄存器提供警报标志、数据就绪、功率模式、仲裁完成和器件锁定的状态。在器件配置 EEPROM 被应用锁定  
锁定标志会被置位。仲裁完成标志在器件成功发送其器件地址后设置仅在配置寄存器中的 ARB_MODE 位  
清零时才清除。电源模式状态标志值是根据上电时检测到的器件所用的供电技术确定的并在每次总线复位期间  
进行更新。  
警报标志在最新的转换结果可用后设置并在主机应用程序读取状态寄存器时清除。在警报模式下警报标志一  
旦设置便无法由器件清除即使最后一次转换的结果在警报限值之间也是如此。  
完成一次转换后会设置数据就绪标志。当主机控制器读取状态寄存器时它会自动清除。  
返回寄存器映射。  
9-27. 状态寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
ALERT_HIGH  
ALERT_LOW  
DATA_READY POWER_MOD  
E
ARB_DONE  
LOCK_STATUS  
保留  
RC-0b  
RC-0b  
R-11b  
RC-0b  
R-xb  
R-0b  
R-0b  
9-16. 状态寄存器字段说明  
字段  
ALERT_HIGH  
类型  
复位  
说明  
7
R/RC  
0b  
警报上限状态标志  
0b = 最后一个温度转换结果小于警报上限  
1b = 最后一个温度转换结果大于或等于警报上限  
IO2 引脚配置为实现警报功能时该引脚上的警报上限状态标  
志可用  
警报下限状态标志  
6
ALERT_LOW  
R/RC  
0b  
0b = 最后一个温度转换结果大于警报下限  
1b = 最后一个温度转换结果小于或等于警报下限  
IO2 引脚配置为实现警报功能时该引脚上的警报下限标志可  
5:4  
3
R
11b  
0b  
保留  
保留  
DATA_VALD  
RC  
数据有效状态标志  
0b = 温度结果寄存器中无更新  
1b = 温度结果寄存器在转换后更新  
当主机控制器读取状态寄存器时数据有效标志会自动清除  
2
1
0
POWER_MODE  
ARB_DONE  
R
R
R
xb  
0b  
0b  
器件电源模式标志。  
0b = VDD 供电模式  
1b = 总线供电模式  
仲裁完成标志  
0b = 仲裁未完成或未启用  
1b = 仲裁已完成  
LOCK_STATUS  
锁定状态标志。  
0b = 器件配置寄存器可以更新  
1b = 器件配置寄存器无法更新  
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9.6.4 器件配置-1 寄存器暂存-1 = 04h) [= 70h]  
使用此寄存器配置器件功能如温度数据格式、警报模式、平均值计算和转换类型总线供电模式下的单次转  
换、自动转换和堆叠转换以及 VDD 供电模式下的单次转换或连续转换。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1  
函数命令将更新后的设置存储到配EEPROM 中。上电复位时寄存器设置会自动从配EEPROM 恢复。  
返回寄存器映射。  
9-28. 器件配1 寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
TEMP_FMT  
CONV_TIME_S ALERT_MODE  
EL  
AVG_SEL  
CONV_MODE_SEL[2:0]  
保留  
RW-0b  
RW-1b  
RW-1b  
RW-1b  
RW-0b  
RW-000b  
9-17. 器件配1 寄存器字段说明  
字段  
TEMP_FMT  
类型  
复位  
说明  
7
RW  
0b  
选择温度格式。  
0b = 12 位传统格式  
1b = 16 位高精度格式  
6
5
RW  
RW  
1b  
1b  
保留  
保留。主机必须始终将此位写1b。  
CONV_TIME_SEL  
ADC 转换时间  
0b = 3ms /  
1b = 5.5ms  
4
3
ALERT_MODE  
AVG_SEL  
RW  
RW  
RW  
1b  
警报引脚功能仅VDD 供电模式下可用  
0b = 警报引脚在警报模式工作  
1b = 警报引脚在比较器模式下工作  
0b  
转换平均值计算选择  
0b = 无平均值计算  
1b = 8 个背靠背转换的平均值计算  
2:0  
CONV_MODE_SEL[2:0]  
000b  
转换模式选择位。  
当器件处于总线供电模式时:  
000b = 使CONVERT TEMP 函数的默认单次转换模式  
001b = 启用堆叠转换模式。启用后使用短地址将实际转换开始  
时间与转换请求时间错开。  
010b = 启用自动温度转换模式  
011b - 111b = 保留。未指定器件行为。  
当器件处VDD 供电模式时:  
000b = 使CONVERT TEMP 函数的默认单次转换模式  
001b = 8 秒进行一次转换  
010b = 4 秒进行一次转换  
011b = 2 秒进行一次转换  
100b = 1 秒进行一次转换  
101b = 0.5 秒进行一次转换  
110b = 0.25 秒进行一次转换  
111b = 0.125 秒进行一次转换  
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9.6.5 器件配置-2 寄存器暂存-1 = 05h) [= 80h]  
此寄存器用于配置过驱使能、灵活地址模式、地址发现期间的仲裁模式以及警报状态的迟滞。该寄存器可用于锁  
定器件的可写寄存器。FLEX_ADDR_MODE 之外的所有寄存器位都可以使COPY SCRATCHPAD-1 函数命  
令存储在配EEPROM 并可在上电复位时恢复。  
备注  
1. 设置锁定使能位时应用必须发送所有暂存1 数据字节并从器件读CRC然后过驱位的更  
改才会生效。  
2. 当选FLEX_ADDR_MODE 来解码电阻IO 引脚时在发送器件配2 寄存器字节后总线必  
tRESDET 内进入空闲状态。  
返回寄存器映射。  
9-29. 器件配2 寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
OD_EN  
RO-1b  
FLEX_ADDR_MODE[1:0]  
RW-00b  
ARB_MODE[1:0]  
HYSTERESIS[1:0]  
RW-00b  
LOCK_EN  
RW-0b  
RW-00b  
9-18. 器件配2 寄存器字段说明  
字段  
类型  
复位  
说明  
7
OD_EN  
RO  
1b  
过驱模式使能  
0b = 禁用过驱速度  
1b = 启用过驱速度  
设置该位后不能通过主机写入来清除并且只能通过标准速度复  
位信号自动清除。  
6:5  
4:3  
FLEX_ADDR_MODE[1:0]  
RW  
RW  
00b  
00b  
灵活的地址模式选择。  
00b = 短地址寄存器由主机更新  
01b = 短地址寄存器IO 引脚解码更新  
10b = 短地址寄存器由电阻器解码更新  
11b = 短地址寄存器由合并IO 和电阻器地址解码更新  
仅当检测到位设置发生变化时灵活的地址模式选择才会生效。  
ARB_MODE[1:0]  
仲裁模式  
00b = 禁用器件仲裁  
01b = 保留  
10bh = 在软件兼容模式下启用器件仲裁  
11b = 启用快速仲裁模式  
仅当地址命令SEARCHADDR 仲裁功能才适用。其他命令  
和函数不ARB_MODE 位的影响。  
2:1  
HYSTERESIS[1:0]  
LOCK_EN  
RW  
RW  
00b  
0b  
警报迟滞选择  
00b = 5°C 迟滞  
01b = 10°C 迟滞  
10b = 15°C 迟滞  
11b = 20°C 迟滞  
0
寄存器保护使能位  
0b = 禁用寄存器保护  
1b = 启用寄存器保护。  
设置此位时无法通过写入暂存1 来清除该位从而解锁寄存  
器保护。启用该功能后可防止应用写入温度偏移、温度警报下  
限、温度警报上限、短地址和器件配置寄存器。  
见上文1。  
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ZHCSR23A SEPTEMBER 2022 REVISED MAY 2023  
9.6.6 短地址寄存器暂存-1 = 06h) [= 00h]  
该寄存器用于对器件的短地址进行编程。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到  
配置 EEPROM 中。上电复位时寄存器设置会自动从配置 EEPROM 恢复。如灵活器件地址 所述特定的短地  
址解码值会叠加在解码后恢复到短地址寄存器的非易失性存储器内容上。  
FLEX_ADDR_MODE 位的值为“00b”时主机可以更新短地址寄存器。当 FLEX_ADDR_MODE 位不是  
00b”时对寄存器的任何写入都应被器件忽略。  
返回寄存器映射。  
9-30. 短地址寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
SHORT_ADDRESS[7:0]  
RW-00h  
9-19. 短地址寄存器字段说明  
字段  
SHORT_ADDRESS[7:0]  
类型  
复位  
说明  
7:0  
RW  
00h  
存储器件的短地址可用于在不发64 位唯一器件地址的情况  
下访问器件。在堆叠转换模式中短地址也用于错开有源转换。  
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ZHCSR23A SEPTEMBER 2022 REVISED MAY 2023  
9.6.7 温度警报LSB 寄存器暂存-1 = 08h) [= 00h]  
该寄存器为低温警报阈值提供 LSB以便与最新的温度转换结果进行比较。首次上电时的寄存器具有以旧格式设  
置的警报阈值。如果格式发生变化则应用程序必须以新格式更新寄存器。如果最新的温度转换结果小于设定的  
阈值则器件应更新状态寄存器中的警报下限状态标志ALERTSEARCH 命令期间用为警报标记的状态位进  
行响应并在器件处VDD 供电模式时将警报引脚设置为低电平。  
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置  
EEPROM 中。上电复位时寄存器设置会自动从配EEPROM 恢复。  
返回寄存器映射。  
9-31. 温度警报下LSB 寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
ALERT_LOW[7:0]  
RW-00h  
9-20. 温度警报下LSB 寄存器字段说明  
字段  
ALERT_LOW[7:0]  
类型  
复位  
说明  
7:0  
RW  
00h  
存储警报下限LSB以便与最后一个温度转换结果进行比较  
9.6.8 温度警报MSB 寄存器暂存-1 = 09h) [= 00h]  
该寄存器为低温警报阈值提供 MSB以便与最新的温度转换结果进行比较。首次上电时的寄存器具有以旧格式设  
置的警报阈值。如果格式发生变化则应用程序必须以新格式更新寄存器。如果最新的温度转换结果小于设定的  
阈值则器件应更新状态寄存器中的警报下限状态标志ALERTSEARCH 命令期间用为警报标记的状态位进  
行响应并在器件处VDD 供电模式时将警报引脚设置为低电平。  
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置  
EEPROM 中。上电复位时寄存器设置会自动从配EEPROM 恢复。  
返回寄存器映射。  
9-21. 温度警报下MSB 寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
ALERT_LOW[15:8]  
RW-00h  
9-22. 温度警报下MSB 寄存器字段说明  
字段  
ALERT_LOW[15:8]  
类型  
复位  
说明  
7:0  
RW  
00h  
存储警报下限MSB以便与最后一个温度转换结果进行比较  
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ZHCSR23A SEPTEMBER 2022 REVISED MAY 2023  
9.6.9 温度警报LSB 寄存器暂存-1 = 0Ah) [= F0h]  
该寄存器为高温警报阈值提供 LSB以便与最新的温度转换结果进行比较。首次上电时的寄存器具有以旧格式设  
置的警报阈值。如果格式发生变化则应用程序必须以新格式更新寄存器。如果最新的温度转换结果大于设定的  
阈值则器件应更新状态寄存器中的警报上限状态标志ALERTSEARCH 命令期间用为警报标记的状态位进  
行响应并在器件处VDD 供电模式时将警报引脚设置为低电平。  
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置  
EEPROM 中。上电复位时寄存器设置会自动从配EEPROM 恢复。  
返回寄存器映射。  
9-32. 温度警报上LSB 寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
ALERT_HIGH[7:0]  
RW-F0h  
9-23. 温度警报上LSB 寄存器字段说明  
字段  
ALERT_HIGH[7:0]  
类型  
复位  
说明  
7:0  
RW  
F0h  
存储警报上限LSB以便与最后一个温度转换结果进行比较  
9.6.10 温度警报MSB 寄存器暂存-1 = 0Bh) [= 07h]  
该寄存器为高温警报阈值提供 MSB以便与最新的温度转换结果进行比较。首次上电时的寄存器具有以旧格式设  
置的警报阈值。如果格式发生变化则应用程序必须以新格式更新寄存器。如果最新的温度转换结果大于设定的  
阈值则器件应更新状态寄存器中的警报上限状态标志ALERTSEARCH 命令期间用为警报标记的状态位进  
行响应并在器件处VDD 供电模式时将警报引脚设置为低电平。  
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置  
EEPROM 中。上电复位时寄存器设置会自动从配EEPROM 恢复。  
返回寄存器映射。  
9-33. 温度警报上MSB 寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
ALERT_HIGH[15:8]  
RW-07h  
9-24. 温度警报上MSB 寄存器字段说明  
字段  
ALERT_HIGH[15:8]  
类型  
复位  
说明  
7:0  
RW  
07h  
存储警报上限MSB以便与最后一个温度转换结果进行比较  
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ZHCSR23A SEPTEMBER 2022 REVISED MAY 2023  
9.6.11 温度偏LSB 寄存器暂存-1 = 0Ch) [= 00h]  
该寄存器用于存储温度传感器偏移校准的 LSB。首次上电时的寄存器以旧格式设置温度偏移。如果格式发生变  
则应用程序必须以新格式更新寄存器。每次温度转换后偏移校准都会自动应用于温度结果然后存储在  
TEMP_RESULT_L TEMP_RESULT_H 寄存器中。  
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置  
EEPROM 中。上电复位时寄存器设置会自动从配EEPROM 恢复。  
返回寄存器映射。  
9-34. 温度偏LSB 寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
TEMP_OFFSET_L[7:0]  
RW-00h  
9-25. 温度偏LSB 寄存器字段说明  
字段  
TEMP_OFFSET_L[7:0]  
类型  
复位  
说明  
7:0  
RW  
00h  
存储温度结果的偏移校LSB  
9.6.12 温度偏MSB 寄存器暂存-1 = 0Dh) [= 00h]  
该寄存器用于存储温度传感器偏移校准的 MSB。首次上电时的寄存器以旧格式设置温度偏移。如果格式发生变  
则应用程序必须以新格式更新寄存器。每次温度转换后偏移校准都会自动应用于温度结果然后存储在  
TEMP_RESULT_L TEMP_RESULT_H 寄存器中并与限值寄存器进行比较。  
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置  
EEPROM 中。上电复位时寄存器设置会自动从配EEPROM 恢复。  
返回寄存器映射。  
9-35. 温度偏MSB 寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
TEMP_OFFSET_H[15:8]  
RW-00h  
9-26. 温度偏MSB 寄存器字段说明  
字段  
TEMP_OFFSET_H[15:8]  
类型  
复位  
说明  
7:0  
RW  
00h  
存储温度结果的偏移校MSB  
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9.6.13 IO 读取寄存[= F0h]  
该寄存器用于读取 IO0 IO3 引脚的状态。当主机发出 GPIO READ 函数时寄存器值会更新。IO2 配置为用  
作警报引脚时它会提供警报引脚的状态。  
返回寄存器映射。  
9-36. IO 读取寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
nIO3_STATE  
R-1b  
nIO2_STATE  
R-1b  
nIO1_STATE  
R-1b  
nIO0_STATE  
R-1b  
IO3_STATE  
R-0b  
IO2_STATE  
R-0b  
IO1_STATE  
R-0b  
IO0_STATE  
R-0b  
9-27. IO 读取寄存器字段说明  
字段  
nIO3_STATE  
类型  
复位  
说明  
7
R
1b  
当配置为数字输入或输出时IO3 引脚的反相值  
当配置为数字输入或输出时IO2 引脚的反相值  
当配置为数字输入或输出时IO1 引脚的反相值  
当配置为数字输入或输出时IO0 引脚的反相值  
当配置为数字输入或输出时IO3 引脚的值  
当配置为数字输入或输出时IO2 引脚的值  
当配置为数字输入或输出时IO1 引脚的值  
当配置为数字输入或输出时IO0 引脚的值  
6
5
4
3
2
1
0
nIO2_STATE  
nIO1_STATE  
nIO0_STATE  
IO3_STATE  
IO2_STATE  
IO1_STATE  
IO0_STATE  
R
R
R
R
R
R
R
1b  
1b  
1b  
0b  
0b  
0b  
0b  
9.6.14 IO 配置寄存[= 00h]  
该寄存器用于为器件上标有 IO0-IO3 的引脚选IO 功能。当选择用作数字开漏输出时该引脚应能够在外部驱动  
0 1 来控IO0 IO3 引脚上的开漏输出。在总线供电模式下不得将连接到 SDQ 并用于短地址的 IO 配置为  
输出因为这可能会导SDQ 线路驱动为低电平。TI 强烈建议IO 引脚SDQ 之间使用一20K电阻器。  
返回寄存器映射。  
9-37. IO 配置寄存器  
7
6
5
4
3
2
1
0
IO3_SEL[1:0]  
WO-00b  
IO2_SEL[1:0]  
WO-00b  
IO1_SEL[1:0]  
WO-00b  
IO0_SEL[1:0]  
WO-00b  
9-28. IO 配置寄存器字段说明  
字段  
类型  
复位  
说明  
7:6  
IO3_SEL[1:0]  
IO2_SEL[1:0]  
IO1_SEL[1:0]  
WO  
00b  
IO 的功能  
00b = IO3 配置为输入缓冲区且可读取  
01b = 保留  
10b = IO3 配置为开漏模式中的输出IO 驱动为“0”  
11b = IO3 配置为开漏模式中的输出IO 驱动为高阻态  
5:4  
3:2  
WO  
WO  
00b  
00b  
IO 的功能  
00b = IO2 配置为输入缓冲区且可读取  
01b = IO2 配置为开漏低电平有效警报  
10b = IO2 配置为开漏模式中的输出IO 驱动为“0”  
11b = IO2 配置为开漏模式中的输出IO 驱动为高阻态  
IO 的功能  
00b = IO1 配置为输入缓冲区且可读取  
01b = 保留  
10b = IO1 配置为开漏模式中的输出IO 驱动为“0”  
11b = IO1 配置为开漏模式中的输出IO 驱动为高阻态  
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9-28. IO 配置寄存器字段说(continued)  
字段  
IO0_SEL[1:0]  
类型  
复位  
说明  
1:0  
WO  
00b  
IO 的功能  
00b = IO0 配置为输入缓冲区且可读取  
01b = 保留  
10b = IO0 配置为开漏模式中的输出IO 驱动为“0”  
11b = IO0 配置为开漏模式中的输出IO 驱动为高阻态  
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10 应用和实施  
备注  
以下应用部分中的信息不属TI 器件规格的范围TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定  
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计以确保系统功能。  
10.1 应用信息  
TMP1827 可在电源供电或总线供电模式下作为 1-Wire 半双工总线运行。TMP1827 配备一个具有集成 2Kb 用户  
EEPROM SHA-256-HMAC 身份验证的热传感器适用于因空间受限而需要识别较少元件数量的应用。该器件  
还具有集CRC可用于确保通信期间的数据完整性。  
总线供电模式为那些没有专门电源引脚的应用而设计并可降低布线成本。由于热转换和 EEPROM 操作期间的  
器件电流消耗很低器件可能不需要低阻抗电流路径因此无需额外的 FET 或负载开关和电流限制电阻器来绕过  
总线上拉电阻。必须正确选择在总线供电模式下使用的上拉电阻的大小确保在热转换和 EEPROM 操作期间能  
够提供足够的电流并且输入引脚电压不会下降至低VIH(MIN)  
此外如果主机在总线供电模式下运行时必须复位器件则主机必须将通信线路拉至低电平至少持50ms。这  
样可让器件的内部电容器放电并使器件做好上电复位的准备。  
10.2 典型应用  
10.2.1 总线供电应用  
5.0 V  
VDD  
3.0 kΩ  
Temperature  
Source  
MCU  
GPIO  
SDQ TMP1827  
GND  
GND  
10-1. 总线供电应用  
10.2.1.1 设计要求  
对于该设计示例请使用下面列出的参数:  
10-1. 设计参数  
参数  
电源模式  
总线供电VDD 引脚连接GND)  
5.0V  
(VDD  
)
上拉电阻范(RPUR  
)
1.2k3.33kΩ  
10.2.1.2 详细设计过程  
为了减少导线数TMP1827 的总线供电模式是主要运行模式。器件的 VDD 引脚必须连接到 GND器件的 SDQ  
引脚必须通过上拉电阻连接到主GPIO。  
要计算上拉电阻范围VPURVOL(MAX)VIH(MIN) IPU(MIN) 的值代入方程2VPUR > 2.0V。  
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5.0 0.4  
3  
5.0 4.0  
< R  
<
(3)  
(4)  
PUR  
6  
4 × 10  
300 × 10  
1.15 kΩ < R  
< 3.33 kΩ  
PUR  
然后可以根据通信速度和总线或电缆寄生电容来调整上拉电阻的实际值。  
当激活 VDD TMP1827 通过上拉电阻汲取电流为其内部电容器充电。当内部电容器充电至上拉电压时主  
机可以开始通信。当主机将GPIO 置于高阻抗状态时总线空闲状态为高电平由上拉电阻维持此状态。  
SDQ 引脚为低电平时TMP1827 使用存储的电荷运行并测量低电平周期以解码主机发送的总线复位、逻辑  
高电平和逻辑低电平。同样当主机从 TMP1827 读取数据时它会将总线的状态从高电平变为低电平并释放  
总线。根据器件必须发送逻辑低电平还是逻辑高电平器件应将总线保持在低电平或立即释放总线。  
10.2.2 电源供电类应用  
1.8 V  
0.1 µF  
VDD  
5.1 kΩ  
Temperature  
Source  
MCU  
GPIO  
SDQ TMP1827  
GND  
GND  
10-2. 电源供电类应用  
10.2.2.1 设计要求  
对于该设计示例请使用下面列出的参数:  
10-2. 设计参数  
参数  
电源模式  
VDD 供电  
1.8V  
(VDD  
)
上拉电(RPUR  
)
5.1kΩ  
10.2.2.2 详细设计过程  
电源供电模式使用与主机和上拉电阻连接到同一电源轨的 VDD 引脚。TI 建议在靠近 TMP1827 VDD 引脚的位置放  
置一0.1µF 旁路电容器。  
值为 5.1k的上拉电阻足够大能够以标准速度提供适当的通信并可在器件向主机发送数据时避免超过 VOL。  
用户可以根据总线的总负载和应用工作要求更改该值。  
电源供电模式的通信协议与总线供电模式的通信协议相同这样就可以重复使用整个软件栈。因为这种工作模式  
提供连续转换和警报功能所以它对板载热检测应用非常有用。  
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10.2.3 UART 通信接口  
3.3 V  
VDD  
SDQ TMP1827  
GND  
2.2 kΩ  
SN74LVC1G07  
Temperature  
Source  
MCU UART.TX  
GND UART.RX  
Op onal series  
resistor  
10-3. 使UART 进行连TMP1827  
10.2.3.1 设计要求  
对于该设计示例请使用下面列出的参数:  
10-3. 设计参数  
参数  
电源模式  
总线供电  
3.3V  
(VDD  
)
上拉电阻范(RPUR  
)
7502.2kΩ  
10.2.3.2 详细设计过程  
如果由于任何原因而导致无法使用 GPIO 进行通信也可以使用大多数主机控制器上提供的 UART 外设与  
TMP1827 连接。UART 是一种推挽式全双工总线为了与 TMP1827 连接它需要一个具有开漏驱动器的缓冲  
SN74LVC1G07。  
缓冲器的输入连接到 UART 发送引脚缓冲器的输出连接到 TMP1827 上的 SDQ 引脚。缓冲器的输出也连接到  
主机上的 UART 接收引脚。由于输出为漏极开路它需要一个上拉电阻其阻值可通过方程式 2 计算得出其中  
VPUR > 2.0V。代入以下值VPUR = 3.3VVOL(MAX) = 0.4VVIH(MIN) = 2.64V IPU(MIN) = 300µA所选的 RPUR  
值必须大725且小2.2k。  
在软件中应用必须调整其波特率以便通过发送 00h 来将总线复位发送到器件。UART 帧的起始位始终为 0,  
为发送TMP1827 的数据提供所需的下降沿。当向器件发送逻辑高电平时UART TMP1827 FFh而  
在向器件发送逻辑低电平时UART 应发送 C0h。由于 UART 是全双工总线主机在进行发送操作期间必须清  
除其接收缓冲区。  
当从 TMP1827 接收数据时主机应发送 FFh当发送逻辑高电平时器件将检测并释放总线而当发送逻辑低  
电平时器件将检测总线并使总线保持低电平。因此根据配置的波特率主机应在逻辑高电平时收到 FFh在  
逻辑低电平时收F0h。  
10.3 电源相关建议  
VDD 供电和总线供电模式下TMP1827 的工作电源电压范围为 1.7V 5.5V。在 VDD 供电模式下运行时需  
要一个电源旁路电容器来实现精度和稳定性。将此电源旁路电容器尽可能靠近器件的电源和接地引脚放置。电源  
旁路电容器的容值通常0.1µF。采用高噪声或高阻抗电源的应用可能需要更大的旁路电容器来抑制电源噪声。  
在总线供电模式下VDD 引脚必须接地。器件中的内部电容器足以在总线通信期间供电。在恢复期间内部电容  
器通过外部上拉电阻充电。在总线长度较长或温度较高的情况下主机可能需要提供额外的总线恢复时间或使用  
过驱速度在这种速度下器件使用的内部电容器电荷较少。  
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当使IO 引脚控制外部电路时请注意流向这些引脚的电流不会使器件发热也不会使温度测量值偏移。  
10.4 布局  
10.4.1 布局指南  
处于电源供电模式时电源旁路电容器的位置应尽可能靠近电源引脚和接地引脚请参阅10-4。电容器的建  
议值0.1µF。开SDQ 引脚需要一个外部上拉电阻该电阻器不得高RPUR。  
在总线供电模式下SDQ 引脚只需要外部上拉电阻。如10-5 所示TI 建议在IO 连接SDQ 引脚时放  
置一个 20K的上拉电阻防止在 IO 配置为输出并驱动为低电平时 SDQ 短接至 GND请参阅10-6。  
ADDR 引脚电阻器使用极低的电流来解码短地址如果可能应将其放置在靠近器件的位置。请注意避免漏电  
防止错误解码。  
10.4.2 布局示例  
It is a good prac ce  
to have a bypass  
capacitor on supply  
SDQ trace routed on the bo om layer  
to simplify rou ng and component  
placement on the top layer  
10-4. VDD 供电布局示例  
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V
DD pin must be connected to ground  
Pull up resistor required on  
the SDQ bus to provide  
power when bus is idle  
to ensure device powers up in bus-  
powered mode and mi gate system  
EMI issues.  
It is generally best  
prac ce to solder the  
package thermal pad  
to ground.  
10-5. 总线供电布局示例  
Device short  
address of 00h  
IO0,IO1,IO2,IO3  
connected to GND  
Op onal resistor of  
20 k  
Device short address of 01h  
IO0 connected to SDQ and  
IO1,IO2,IO3 connected to GND  
10-6. 总线供电模式下IO 硬件地址  
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11 器件和文档支持  
11.1 文档支持  
11.1.1 相关文档  
请参阅如下相关文档:  
• 德州仪(TI)TMP1827 EVM 用户指南  
• 德州仪(TI)TMP1827 安全编程指南  
11.2 接收文档更新通知  
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改摘要。有关更改的详细信息请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。  
11.3 支持资源  
TI E2E支持论坛是工程师的重要参考资料可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解  
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。  
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范并且不一定反映 TI 的观点请参阅  
TI 《使用条款》。  
11.4 商标  
TI E2Eis a trademark of Texas Instruments.  
1-Wire® is a registered trademark of Maxim Integrated Products Inc.  
所有商标均为其各自所有者的财产。  
11.5 静电放电警告  
静电放(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理  
和安装程序可能会损坏集成电路。  
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏这是因为非常细微的参  
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。  
11.6 术语表  
TI 术语表  
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。  
12 机械、封装和可订购信息  
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更恕不另行通知且  
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本请查阅左侧的导航栏。  
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated  
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57  
Product Folder Links: TMP1827  
English Data Sheet: SBOSA15  
 
 
 
 
 
 
 
 
PACKAGE OPTION ADDENDUM  
www.ti.com  
29-Jun-2023  
PACKAGING INFORMATION  
Orderable Device  
Status Package Type Package Pins Package  
Eco Plan  
Lead finish/  
Ball material  
MSL Peak Temp  
Op Temp (°C)  
Device Marking  
Samples  
Drawing  
Qty  
(1)  
(2)  
(3)  
(4/5)  
(6)  
TMP1827NGRR  
TMP1827NNGRR  
ACTIVE  
ACTIVE  
WSON  
WSON  
NGR  
NGR  
8
8
3000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
NIPDAUAG  
Level-2-260C-1 YEAR  
Level-2-260C-1 YEAR  
-55 to 150  
-55 to 150  
T1827  
35DP  
Samples  
Samples  
NIPDAUAG  
(1) The marketing status values are defined as follows:  
ACTIVE: Product device recommended for new designs.  
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.  
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.  
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.  
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.  
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance  
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may  
reference these types of products as "Pb-Free".  
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.  
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based  
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.  
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.  
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.  
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation  
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.  
(6)  
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two  
lines if the finish value exceeds the maximum column width.  
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information  
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and  
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.  
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.  
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.  
Addendum-Page 1  
PACKAGE OPTION ADDENDUM  
www.ti.com  
29-Jun-2023  
Addendum-Page 2  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
30-Jun-2023  
TAPE AND REEL INFORMATION  
REEL DIMENSIONS  
TAPE DIMENSIONS  
K0  
P1  
W
B0  
Reel  
Diameter  
Cavity  
A0  
A0 Dimension designed to accommodate the component width  
B0 Dimension designed to accommodate the component length  
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness  
Overall width of the carrier tape  
W
P1 Pitch between successive cavity centers  
Reel Width (W1)  
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE  
Sprocket Holes  
Q1 Q2  
Q3 Q4  
Q1 Q2  
Q3 Q4  
User Direction of Feed  
Pocket Quadrants  
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Package Pins  
Type Drawing  
SPQ  
Reel  
Reel  
A0  
B0  
K0  
P1  
W
Pin1  
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant  
(mm) W1 (mm)  
TMP1827NGRR  
TMP1827NNGRR  
WSON  
WSON  
NGR  
NGR  
8
8
3000  
3000  
178.0  
178.0  
8.4  
8.4  
2.75  
2.75  
2.75  
2.75  
0.95  
0.95  
4.0  
4.0  
8.0  
8.0  
Q2  
Q2  
Pack Materials-Page 1  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
30-Jun-2023  
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS  
Width (mm)  
H
W
L
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Type Package Drawing Pins  
SPQ  
Length (mm) Width (mm) Height (mm)  
TMP1827NGRR  
TMP1827NNGRR  
WSON  
WSON  
NGR  
NGR  
8
8
3000  
3000  
205.0  
205.0  
200.0  
200.0  
33.0  
33.0  
Pack Materials-Page 2  
GENERIC PACKAGE VIEW  
NGR 8  
2.5 x 2.5, 0.5 mm pitch  
WSON - 0.8 mm max height  
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD  
This image is a representation of the package family, actual package may vary.  
Refer to the product data sheet for package details.  
4227146/A  
www.ti.com  
PACKAGE OUTLINE  
NGR0008C  
WSON - 0.8 mm max height  
SCALE 5.000  
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD  
2.6  
2.4  
A
B
PIN 1 INDEX AREA  
2.6  
2.4  
C
0.8  
0.7  
SEATING PLANE  
0.05  
0.00  
0.08 C  
0.88 0.1  
SYMM  
(0.2) TYP  
EXPOSED  
THERMAL PAD  
4
5
2X  
1.5  
SYMM  
9
1.85 0.1  
6X 0.5  
8
1
0.3  
8X  
0.2  
PIN 1 ID  
0.5  
0.3  
0.1  
C A B  
C
8X  
0.05  
4227008/D 03/2022  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.  
www.ti.com  
EXAMPLE BOARD LAYOUT  
NGR0008C  
WSON - 0.8 mm max height  
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD  
(0.88)  
SYMM  
8X (0.6)  
1
8
8X (0.25)  
SYMM  
(1.85)  
9
6X (0.5)  
(R0.05) TYP  
5
4
(2.3)  
LAND PATTERN EXAMPLE  
EXPOSED METAL SHOWN  
SCALE:30X  
0.07 MIN  
ALL AROUND  
0.07 MAX  
ALL AROUND  
EXPOSED  
METAL  
EXPOSED  
METAL  
SOLDER MASK  
OPENING  
METAL UNDER  
SOLDER MASK  
METAL  
SOLDER MASK  
OPENING  
NON SOLDER MASK  
DEFINED  
SOLDER MASK  
DEFINED  
(PREFERRED)  
SOLDER MASK DETAILS  
4227008/D 03/2022  
NOTES: (continued)  
4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature  
number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).  
5. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If any vias are implemented, refer to their locations shown  
on this view. It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.  
www.ti.com  
EXAMPLE STENCIL DESIGN  
NGR0008C  
WSON - 0.8 mm max height  
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD  
(0.85)  
METAL  
TYP  
SYMM  
8X (0.6)  
1
8
8X (0.25)  
9
SYMM  
(1.67)  
6X (0.5)  
(R0.05) TYP  
5
4
(2.3)  
SOLDER PASTE EXAMPLE  
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL  
EXPOSED PAD 9:  
87% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA UNDER PACKAGE  
SCALE:30X  
4227008/D 03/2022  
NOTES: (continued)  
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate  
design recommendations.  
www.ti.com  
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相关型号:

TMP1919-60

TMP1919-60

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-
TOSHIBA

TMP1940CYAF

IC 32-BIT, MROM, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100, 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Microcontroller

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-
TOSHIBA

TMP1940FDBF

IC 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100, 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Microcontroller

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-
TOSHIBA

TMP1941AF

32-Bit TX System RISC

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-
TOSHIBA

TMP1942CXBG

IC 32-BIT, MROM, RISC MICROCONTROLLER, PBGA177, 13 X 13 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.8 MM PITCH, CSP-177, Microcontroller

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-
TOSHIBA

TMP1942CYUE

32bit TX System RISC TX19 family

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-
TOSHIBA

TMP1942CZUE

32bit TX System RISC

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-
TOSHIBA

TMP1942FDU

32bit TX System RISC

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-
TOSHIBA

TMP1942FDUE

IC RISC MICROCONTROLLER, Microcontroller

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-
TOSHIBA

TMP1942FDXBG

IC 32-BIT, MROM, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA177, 13 X 13 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.8 MM PITCH, CSP-177, Microcontroller

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-
TOSHIBA

TMP1942XBG

32bit TX System RISC

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA

TMP1962C10AXB

IC 32-BIT, 40.5 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA281, 13 X 13 MM, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-281, Microprocessor

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-
TOSHIBA