TMP1827 [TI]
1-Wire®, ±0.2°C accurate digital temperature sensor with authentication, 2-Kbit EEPROM;型号: | TMP1827 |
厂家: | TEXAS INSTRUMENTS |
描述: | 1-Wire®, ±0.2°C accurate digital temperature sensor with authentication, 2-Kbit EEPROM 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 |
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TMP1827
ZHCSR23A –SEPTEMBER 2022 –REVISED MAY 2023
TMP1827 具有SHA-256-HMAC 认证引擎、2Kb EEPROM 的1-Wire®、±0.2°C 精度
温度传感器
• 温度变送器
• 冷链
1 特性
• 具有多点共享总线和循环冗余校验(CRC) 的1-
3 说明
Wire® 接口
TMP1827 是一款高精度、1-Wire 兼容的数字输出温度
• 总线由工作电压供电:1.7V 至5.5V
传感器,具有集成的2Kb EEPROM、SHA-256-HMAC
认证方案和 –55°C 至 +150°C 的宽工作温度范围。
TMP1827 在 +10°C 至 +45°C 的温度范围内提供
±0.1°C(典型值)/±0.2°C(最大值)的高精度。每个
器件都带有一个工厂编程的 64 位唯一标识号,用于寻
址和 NIST 可追溯性。TMP1827 支持传统应用的标准
速度模式和具有 90kbps 数据速率的过驱模式,可在
1.7V 至5.5V 的宽电压范围内实现低延迟通信。
• IEC 61000-4-2 ESD 用于8kV 接触放电
• 功能安全型
– 可帮助进行功能安全系统设计的文档
• 高精度数字温度传感器
– TMP1827
• +10°C 至+45°C 范围内为±0.2°C(最大
值)
• -40°C 至+105°C 范围内为±0.3°C(最大
值)
在最简单的运行模式下,TMP1827 1-Wire 接口在数据
引脚上集成了 8kV IEC-61000-4-2 ESD 保护,在总线
供电模式下只需要一个连接和一个接地回路,从而通过
减少电线和外部保护元件的数量来降低成本。此外,
VDD 电源引脚还可用于可能需要专用电源的应用。
• -55°C 至+150°C 范围内为±0.4°C(最大
值)
– TMP1827N
• -55°C 至+150°C 范围内为±0.9°C(最大
值)
• 温度测量电流:94µA
封装信息
封装(1)(2)
封装尺寸(标称值)
器件型号
TMP1827
• 关断电流:1.3µA
WSON (8)
2.50mm × 2.50mm
• 16 位温度分辨率:7.8125m°C (1LSB)
• 超速速度下的快速数据速率为90kbps
• 灵活的用户可编程短地址模式,用于更快的器件寻
址
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
(2) 这些封装选项与1-Wire® 器件兼容。1-Wire 是Maxim
Integrated Products Inc. 的注册商标。
• SHA-256-HMAC 认证方案
V
DD = 1.7V to 5.5V
– 以符合FIPS 180-4 的安全散列标准实施
– 以符合FIPS 198-1 标准的HMAC 算法实施
• 2Kb EEPROM 特性:
RPU
GPIO
– 64 位块大小的写操作
– 连续读取模式
VDD
SDQ
SDQ
VDD
VDD
– 使用256 位页面大小读取并具有写保护
– 经过身份验证的写保护模式,页面大小为256
位
MCU
TMP1827
GND
TMP1827
GND
GND
– 编程电流:178µA
• 用于器件寻址的NIST 可追溯出厂编程不可擦除64
位标识号
• 四个可配置的开漏数字输入输出和温度警报
V
DD Powered
Bus Powered
简化原理图
2 应用
• 工厂自动化和控制
• 电器
• 医疗配件
• CPAP 呼吸机
• 电池充电器IC
• 电动汽车充电基础设施
• LED 照明
本文档旨在为方便起见,提供有关TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 说明(续).........................................................................3
6 器件比较............................................................................ 3
7 引脚配置和功能................................................................. 4
8 规格................................................................................... 4
8.1 绝对最大额定值...........................................................4
8.2 ESD 等级.................................................................... 4
8.3 建议运行条件.............................................................. 5
8.4 热性能信息..................................................................5
8.5 电气特性......................................................................5
8.6 1-Wire 接口时序..........................................................6
8.7 安全引擎特征.............................................................. 7
8.8 EEPROM 特性............................................................ 7
8.9 时序图......................................................................... 8
8.10 典型特性..................................................................10
9 详细说明.......................................................................... 13
9.1 概述...........................................................................13
9.2 功能方框图................................................................13
9.3 特性说明....................................................................13
9.4 器件功能模式............................................................ 22
9.5 编程...........................................................................36
9.6 寄存器映射................................................................41
10 应用和实施.....................................................................52
10.1 应用信息..................................................................52
10.2 典型应用..................................................................52
10.3 电源相关建议.......................................................... 54
10.4 布局.........................................................................55
11 器件和文档支持..............................................................57
11.1 文档支持..................................................................57
11.2 接收文档更新通知................................................... 57
11.3 支持资源..................................................................57
11.4 商标.........................................................................57
11.5 静电放电警告...........................................................57
11.6 术语表..................................................................... 57
12 机械、封装和可订购信息...............................................57
4 修订历史记录
注:以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision * (September 2022) to Revision A (May 2023)
Page
• 将数据表状态从“预告信息”更改为“生产数据”............................................................................................ 1
• 向特性 部分添加了功能安全信息........................................................................................................................1
• 添加了器件比较表...............................................................................................................................................3
• 更改了脚注2 中标准速度模式的最大工作温度范围........................................................................................... 5
• 将+10°C 至+45°C 时的NGR 封装最大精度从±0.3°C 更改为±0.2°C,整个范围从±1.0°C 更改为±0.4°C.....5
• 添加了TMP1827N 的精度规格...........................................................................................................................5
• 将IO 的VIL 从0.2×VS 更改为0.3×VS ............................................................................................................... 5
• 将IO 的VIH 从0.8×VS 更改为0.7×VS ...............................................................................................................5
• 将上拉电流从300µA 更改为400µA....................................................................................................................5
• 添加了连续转换模式的待机电流规格.................................................................................................................. 5
• 将标准模式下的tSLOT 最小值从60µs 更改为tWR0L + tRC ..................................................................................6
• 删除了标准模式下的tSLOT 最大值.......................................................................................................................6
• 将过驱模式下的tSLOT 最小值从11µs 更改为tWR0L + tRC .................................................................................. 6
• 将tRL 最小值从2µs 更改为2.5µs.......................................................................................................................6
• 将tREADIDLE 从400µs 更改为560µs...................................................................................................................7
• 将IDD_PROG 从214µA 更改为230µA..................................................................................................................7
• 添加了EEPROM 的典型耐久性规格...................................................................................................................7
• 从GPIO 写入部分删除了GPIO 读取和CRC 字节.......................................................................................... 34
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5 说明(续)
TMP1827 实施 SHA-256-HMAC 身份验证引擎以及密钥存储,以满足终端设备的系统身份验证要求。器件上的
2Kb EEPROM 允许主机应用以 64 位块大小存储应用特定的内容。存储器能以 256 位的页面大小进行写保护,以
避免意外的数据覆盖。存储器架构使应用能够在更新只有几个字节的变量时优化总线带宽,同时为写保护提供理
想存储器大小。该器件还具有通过经过身份验证的存储器写入操作进行主机身份验证的机制。
6 器件比较
表6-1. 器件比较
TMP1826
0.2°C
TMP1827
0.2°C
TMP1827N(1)
0.9°C
特性
最佳精度
温度范围
–55°C 至+150°C
2Kb
–55°C 至+150°C
2Kb
–55°C 至+150°C
2Kb
存储大小
存储器写保护
认证存储器写入
身份验证类型
总线速度
是
-
是
是
是
是
-
SHA-256-HMAC
SHA-256-HMAC
标准和过驱
标准和过驱
标准和过驱
NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON) NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON) NGR (2.5mm × 2.5mm, WSON)
直接替代封装
替代封装
DGK (3.0mm × 4.9mm, VSSOP)
-
-
(1) TMP1827N 是TMP1827 的可订购选项。请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
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7 引脚配置和功能
VDD
1
2
3
4
8
7
6
5
IO2/ALERT
IO1
SDQ
Thermal
Pad
ADDR
GND
IO0
IO3
图7-1. NGR 8 引脚WSON 顶视图
表7-1. 引脚功能
引脚
I/O
说明
WSON
名称
ADDR
3
4
6
7
8
5
2
1
I
电阻地址选择。如果未使用,TI 建议将引脚接地
接地
GND
IO0
—
I/O
通用数字开漏IO。如果未使用,TI 建议将引脚接地
通用数字开漏IO。如果未使用,TI 建议将引脚接地
通用数字开漏IO 或可配置为温度警报。如果未使用,TI 建议将引脚接地
通用数字开漏IO。如果未使用,TI 建议将引脚接地
串行双向数据。在总线供电模式下,该引脚用于为内部电容器供电
VDD 供电模式下的电源电压。在总线供电模式下,必须接地
IO1
I/O
I/O
I/O
I/O
I
IO2/ALERT
IO3
SDQ
VDD
8 规格
8.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的温度范围内测得(除非另有说明)(1)
最小值
最大值
单位
VDD
6.5
V
电源电压
6.5
VDD + 0.3
6.5
SDQ,总线供电模式
SDQ,电源供电模式
IO0、IO1、IO2、IO3
ADDR
–0.3
–0.3
–0.3
-0.3
V
I/O 电压
V
V
I/O 电压
1.65
输入电压
-55
155
°C
°C
运行结温,TJ
贮存温度,Tstg
-65
155
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下
能够正常运行。如果超出建议工作条件但在绝对最大额定值范围内使用,器件可能不会完全正常运行,这可能会影响器件的可靠性、功
能和性能,并缩短器件寿命。
8.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM),符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)
充电器件模型(CDM),符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 (2)
IEC 61000-4-2 接触放电
±2000
V
所有引脚
所有引脚
SDQ 引脚
V(ESD)
±500
V
V
静电放电
±8000
(1) JEDEC 文档JEP155 指出:500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出:250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
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8.3 建议运行条件
最小值
标称值
最大值
单位
VDD
1.7
5.5
V
V
DD 供电模式下的电源电压
VPUR
1.7
0
5.5
5.5
V
V
总线供电模式下SDQ 上的电源电压(VDD = GND)
V
V
DD 供电模式下的所有IO 引脚(SDQ 和ADDR 除外(1)
DD 供电模式下的SDQ 引脚
)
VI/O
TA
0
VDD + 0.3
150
V
工作环境温度(2)
-55
°C
(1) 如果未使用ADDR 引脚,建议将其连接到GND
(2) 在总线供电模式下,过驱速度支持高达150°C 的工作温度,而标准速度支持高达105°C 的工作温度(对于整个VPUR 范围)和高达
125°C 的工作温度(对于VPUR > 2.5V)(请参阅图8-17)
8.4 热性能信息
TMP1827
热指标(1)
NGR (WSON)
8 引脚
66.1
单位
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJC(bot)
RθJB
55.7
结至外壳(顶部)热阻
结至外壳(底部)热阻
结至电路板热阻
20.2
26.3
1.0
ψJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
26.1
ψJB
(1) 有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅IC 封装热度量应用报告SPRA953。
8.5 电气特性
在自然通风条件下的温度范围内且VDD = 1.7V 至5.5V 时测得(除非另有说明);典型值规格条件:TA = 25°C 且VDD = 3.3V
(除非另有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
温度传感器
±0.1
±0.2
±0.3
±0.4
±0.9
°C
°C
°C
°C
10°C 至45°C
温度精度(TMP1827)
-40°C 至105°C
-55°C 至150°C
-55°C 至150°C
TERR
±0.1
温度精度(TMP1827N)
PSR
TRES
±0.03 °C/V
直流电源灵敏度
16
包括符号位
位
温度分辨率(高精度格式)
LSB
7.8125
m°C
启用平均值计算,转换时间= 5.5ms,16 位模式,
1Hz 转换率,300 次采集
150°C 时1000 小时(2)
可重复性(1)
TREPEAT
TLTD
±2
LSB
°C
0.0625
长期稳定性和漂移
TSTART = -40°C
TFINISH = 150°C
TTEST = 25°C
3 个周期
THYST
4
LSB
温度循环和迟滞
0.77
1.91
3
s
s
单层柔性PCB
τ= 63%
响应时间(搅拌液体)
NGR 封装
tRESP_L
25°C 至75°C
2 层62mil 刚性PCB
CONV_TIME_SEL = 0
(图9-12)
2.54
4.69
100
3.37
6.12
300
ms
ms
µs
有效转换时间(无平均值计
算)
tACT
CONV_TIME_SEL = 1
5.5
tDELAY
温度转换的启动延迟
SDQ 数字输入/输出
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在自然通风条件下的温度范围内且VDD = 1.7V 至5.5V 时测得(除非另有说明);典型值规格条件:TA = 25°C 且VDD = 3.3V
(除非另有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
CIN
40
pF
SDQ 引脚电容
输入逻辑低电平(3)
输入逻辑高电平(3)
Hysteresis
VIL
-0.3
0.2 × VS
VS + 0.3
V
V
V
V
VIH
0.8 × VS
VHYST
VOL
0.3
10
0
0.4
IOL = –4mA
输出低电平
IO 特性
CIN
pF
V
输入电容
输入逻辑低电平(3)
输入逻辑高电平(3)
输入漏电流
VIL
-0.3
0.3 × VS
VS + 0.3
±0.12
VIH
0.7 × VS
V
IIN
µA
V
VOL
0.4
IOL = –3mA
输出低电平
电阻器地址解码器特性
ADDR 引脚上的负载电容(包
括PCB 寄生效应)
CLOAD
100
pF
6.49
-1.0
54.9
1.0
R
R
R
R
ADDR 电阻器范围
kΩ
TA = 25°C
%
ADDR 电阻器容差
100 ppm/°C
ADDR 电阻器温度系数
ADDR 电阻器寿命漂移
–100
-0.2
0.2
%
tRESDET
2.8
ms
电阻器解码时间
电源
上拉电流(5)
总线供电模式,串行总线空闲
温度转换,串行总线空闲
μA
μA
IPU
400
IDD_ACTIVE
94
154
4.2
温度转换期间的电源电流
1.6
VDD 供电,串行总线处 TA = -55°C 至85°C
于无效状态,连续转换
模式
待机电流(4)
关断电流
μA
μA
IDD_SB
24
TA=-55°C 至150°C
1.3
3.3
TA = -55°C 至85°C
串行总线处于无效状
态,单次转换模式
TA=-55°C 至150°C
IDD_SD
23.2
1.5
V
V
电源上升(图8-4, 图8-5)
电源下降
上电复位阈值电压
欠压检测
VPOR
tINIT
1.3
2.0
ms
POR 初始化时间
上电后器件复位所需的时间(图8-4, 图8-5)
(1) 可重复性是指在相同条件下连续进行温度测量时重现读数的能力。参阅图8-11
(2) 在150°C 结温下进行加速使用寿命测试可确定长期稳定性。
(3) 在总线供电模式下,VS = VPUR。在电源供电模式下,VS = VDD。
(4) 转换之间的静态电流。
(5) 需要使用上拉电流参数来调整总线上拉电阻的大小(请参阅节9.3.3),以便进行有效温度转换或EEPROM 读取和编程或身份验证操
作。
8.6 1-Wire 接口时序
在自然通风条件下的温度范围内且VDD = 1.70V 至5.5V 时测得(除非另有说明)
标准模式
过驱模式
最小值
单位
最小值
最大值
最大值
总线复位和位时隙时序
主机到器件总线复位脉冲宽度(图8-1)(1)
器件到主机响应时间(图8-1)(2)
tRSTL
480
480
15
560
48
48
2
80
µs
µs
µs
tRSTH
tPDH
60
8
总线复位响应的器件周转时间(图8-1)
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在自然通风条件下的温度范围内且VDD = 1.70V 至5.5V 时测得(除非另有说明)
标准模式
过驱模式
单位
最小值
最大值
最小值
最大值
tPDL
tSLOT
tREC
tGF
60
tWR0L + tRC
2
240
8
24
µs
µs
µs
µs
ns
器件到主机响应脉冲宽度(图8-1)
位时隙时间(图8-2、图8-3)(5)
恢复时间(图8-2、图8-3)
干扰滤波器宽度(图8-6)(3)
下降时间
tWR0L + tRC
2
0.48
0.025
tF
100
100
位写入时序
tWR0L
60
2
120
15
9
1
2
2
10
2
µs
µs
µs
µs
主机写入0 宽度(图8-2)
主机写入1 宽度(图8-2)
器件读取数据有效时间(图8-2)
器件读取数据窗口(图8-2)
tWR1L
tRDV
15
15
tDSW
45
7
位读取时序
主机驱动器读取位时隙时间(图8-3)(4)
tRL
2.5
5
tRL+tRC
30
2
3
tRL+tRC
3
µs
µs
µs
读取数据采样窗口之前的主机等待时间(图
8-3)(5)
主机读取数据采样窗口(图8-3)(5)
tRWAIT
tMSW
tRL+tRC
tRL+tRC
(1) 在总线供电模式下,将tRSTL 延长到600µs 以上可能会导致器件上电复位
(2) RSTH 是主机从最远器件接收响应时必须等待的最长时间,要考虑到所有器件的传播延迟和恢复时间。
t
(3) 干扰滤波器时序仅适用于SDQ 信号的上升沿
(4) tRL 最短时间包括干扰滤波器时序
(5) tRC 时间定义为总线电压从0V 上升到器件最小值VIH 所花的时间。这是总线上拉电阻、器件和布线或电缆的寄生电容的函数。必须针对
应用对这些参数进行表征。
8.7 安全引擎特征
在自然通风条件下的温度范围内且VDD = 1.7V 至5.5V 时测得(除非另有说明)
最小值
典型值
最大值
380
单位
µs
tHASH_DATA
tDECOMMISSION
IDD_HASH
针对8 字节数据大小的SHA-256 哈希计算的计算时间
78
130
ms
µA
器件的停用时间
哈希计算电流
360
8.8 EEPROM 特性
在自然通风条件下的温度范围内且VDD = 1.7V 至5.5V 时测得(除非另有说明);典型值规格条件:TA = 25°C 且VDD = 3.3V
(除非另有说明)
最小值
典型值
最大值
单位
13.2
21
ms
用户EEPROM 中8 字节数据字的编程时间
寄存器复制到EEPROM 的编程时间
EEPROM 8 字节数据读取的空闲总线时间
编程电流
tPROG
26.4
42
560
230
ms
µs
tREADIDLE
IDD_PROG
178
µA
25
10
TA = 125°C 时
年
数据保留
TA = 150°C 时
年
20000
1000
200000
10000
TA = 125°C 时
个周期
个周期
编程耐久性
TA = 150°C 时
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8.9 时序图
Host drives SDQ
Device drives SDQ
High Impedance, external pullup
tPDL
VDD/VPUR
VIH
tPDH
tRSTL
tRSTH
VIL
图8-1. 总线复位时序图
Host drives SDQ
High Impedance, external pullup
tSLOT
tSLOT
tREC
tREC
V
DD/VPUR
V
DD/VPUR
VIH
VIH
VIL
VIL
tDSW
tRDV
tDSW
tRDV
tWR1L
tWR0L
Host Write-1
Host Write-0
图8-2. 写入时序图
Host drives SDQ
Device drives SDQ
High Impedance, external pullup
tSLOT
tSLOT
tREC
tREC
V
DD/VPUR
VDD/VPUR
VIH
VIH
tRWAIT
tRWAIT
VIL
VIL
tRL
tRL
tMSW
Host Read-1
tMSW
Host Read-0
图8-3. 读取时序图
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VDD
VPOR
0 V
VSDQ
Bus Idle
Bus Ac ve
SDQ Pin
tINIT
图8-4. VDD 供电初始化时序图
Bus Idle
Bus Active
VPUR
VPOR
0 V
tINIT
图8-5. 总线供电初始化时序图
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Host drives SDQ
High Impedance, external pullup
VPUR
VIH
VIL
tGF
Logic H
Logic L
Input of
Glitch Filter
Logic H
Logic L
Output of
Glitch Filter
图8-6. 干扰滤波器时序图
8.10 典型特性
140
130
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1.7 V
3.3 V
5.5 V
DS Max
120
110
100
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
90
DS Min
80
70
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
-55
-25
5
35
65
95
125
150
Temperature (C)
Temperature (C)
。
。
图8-8. 温度转换电流与温度间的关系
图8-7. 温度误差与温度间的关系(NGR 封装)
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8.10 典型特性(continued)
10
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.7 V
3.3 V
5.5 V
1.7 V
3.3 V
5.5 V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
Temperature (C)
Temperature (C)
。
。
图8-9. 关断电流与温度间的关系
图8-10. 待机电流与温度间的关系
80%
70%
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0
80%
70%
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
Normalized Data Distribution (LSB)
Normalized Data Distribution (LSB)
TA = 25°C
TA = 25°C
图8-12. 转换时间为3ms 和取平均值功能开启时的数据分布情况
(16 位格式)
图8-11. 转换时间为5.5ms 和取平均值功能开启时的数据分布情况
(16 位格式)
50%
40%
30%
20%
10%
0
50%
40%
30%
20%
10%
0
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
Normalized Data Distribution (LSB)
Normalized Data Distribution (LSB)
TA = 25°C
TA = 25°C
图8-13. 转换时间为5.5ms 和取平均值功能关闭时的数据分布情况
(16 位格式)
图8-14. 转换时间为3ms 和取平均值功能关闭时的数据分布情况
(16 位格式)
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8.10 典型特性(continued)
80%
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
Bus Powered-Overdrive Mode
Bus Powered-Standard Mode
2-layer FR4 PCB
Single Layer Flex PCB
63% Response
.
VDD Powered
70%
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
Normalized Data Distribution (LSB)
Time (sec)
.
.
TA = 25°C、5.5ms 转换时间、取平均值功能开启、16 位格式
图8-15. 电源模式和总线速度的数据分布
图8-16. 热响应时间(NGR)
2.6
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
2
1.9
1.8
1.7
1.6
90
95 100 105 110 115 120 125 130 135 140 145 150
Temperature (C)
。
图8-17. VPUR 典型标准速度模式电源电压与温度间的关系
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9 详细说明
9.1 概述
TMP1827 是一款数字输出温度传感器,专为热管理和热保护应用而设计。TMP1827 是一款1-Wire 器件,可在电
源供电或总线供电(寄生供电)模式下运行。此器件具有 2Kb EEPROM、基于 SHA-256-HMAC 的认证引擎。图
9-1 显示了TMP1827 方框图。
9.2 功能方框图
IO3
Internal
thermal
BJT
ADDR
Oscillator
IO2/ALERT
Con gura on
EEPROM
Temperature
sensor circuit
1-Wire Interface
Controller
VDD
Power Control &
Device Capacitor
ScratchPad-1
ScratchPad-2
ADC
IO1
IO0
SDQ
2Kb User EEPROM
Security
Controller
and SHA-256-
HMAC
Key and
Memory
Protec on
GND
图9-1. 功能方框图
9.3 特性说明
9.3.1 上电
此器件在电源供电和总线供电模式下运行。在这两种模式下,当电源电压达到工作范围内时,器件需要 tINIT 来自
行初始化。在tINIT 之后,主机MCU 可以开始访问器件。
在初始化期间,器件可能不会响应任何总线活动。初始化完成后,器件应等待主机的总线复位。在器件初始化期
间,会发生以下事件:
• 短地址、温度警报下限、温度警报上限和温度偏移寄存器的EEPROM 内容将被恢复。
• 读取IO 配置寄存器的EEPROM,并恢复IO 配置寄存器的内容。
• 器件配置1 和器件配置2 寄存器的EEPROM 内容会恢复到相应的寄存器。
– 如果ARB_MODE 位恢复为“10b”或“11b”,则器件将在仲裁模式下响应SEARCHADDR。
– 如果OD_EN 位设置为“1b”,则器件应以过驱速度进行通信,除非主机以标准速度发送第一个总线复位
脉冲。
• 用户存储器保护位被恢复并且对用户EEPROM 块施加适当的保护。
• 验证密钥和机密字节从EEPROM 读取到内部触发器以进行身份验证操作。
9.3.2 电源模式开关
此器件设计为以电源供电或总线供电模式运行。双模实现提供了一种独特的冗余方法,即使在电源引脚 VDD 变为
0V 的情况下,只要所使用的上拉电阻值符合规格限制,器件也可以从数据引脚取电。
当器件从电源供电模式切换到总线供电模式时,在内部电容器能够提供器件进行通信所需的电流消耗之前,该器
件应以相同的设置运行,并且在 ADC 和 EEPROM 编程期间,外部上拉电阻可将 SDQ 电压保持在 1.7V 以上。
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如果电容器上的内部电压降至欠压阈值以下,器件应自行关闭,并在后续上电时进入总线供电通信模式。如之前
所述,当器件完成上电初始化序列时,应从总线复位序列开始响应第一个总线通信。
9.3.3 总线上拉电阻器
根据速度模式选择总线上拉电阻值对通信非常重要,并且可以确保在应用中消耗尽可能少的能量。如果电阻器值
太小,设计可能会超过SDQ 引脚上的VOL 限制。
在选择上拉电阻时,请考虑SDQ 总引脚数和总线电容以及总线漏电流。所选的上拉电阻值还必须确保信号电平在
标准模式和过驱模式下按照时序要求达到VIH。
在总线供电运行模式下,器件通过 SDQ 引脚和上拉电阻为内部电容器充电。当 SDQ 引脚为低电平时,在总线通
信期间使用电容器上的这个电荷。对于热转换和 EEPROM 访问等其他高电流功能,为了确保器件可以通过上拉
电阻汲取电流,总线保持空闲状态。必须在高电流运行期间维持 SDQ 引脚电压,从而确保有足够的运行裕度。对
于VPUR ≤2.0V 的情况,请使用方程式1 和低阻抗电流路径。对于VPUR > 2.0V 的情况,请使用方程式2 来计算
上拉电阻值。
V
– V
OL MAX
V
– 1.6
PUR
PUR
< R
<
(1)
(2)
PUR
−3
−6
4 × 10
300 × 10
V
–
V
V
– V
PUR
PUR
OL MAX
IH MIN)
I
PU MIN
< R
<
PUR
−3
4 × 10
当在 VDD 或电源供电模式下使用器件时,因为 SDQ 引脚仅用于通信,可以使用更大的上拉电阻值。用户必须确
保所选的上拉电阻值能够支持期望总线运行速度的时序。
对于 TMP1827 等低电流消耗器件,选择适合的上拉电阻值使应用能够避免在总线供电运行模式下使用低阻抗电
流路径组件,同时根据其电气规格维持通信速度和器件参数。如果总线上有多个器件,则建议使用低阻抗电流路
径。
9.3.4 温度结果
禁用自动转换时,通过发送温度转换命令,由主机MCU 启动转换;启用自动转换时,则在完成存在检测后立即启
动转换,或者在连续转换模式下启动转换(如果器件由 VDD 供电)。每次转换结束时,器件都会更新温度寄存器
温度结果和状态寄存器位。图 9-2 显示该器件支持高精度和旧格式,可通过器件配置 1 寄存器中的 TEMP_FMT
位进行配置。温度结果的默认设置是旧格式,以确保软件兼容性。
Temperature Result MSB Register
Temperature Result LSB Register
High Precision Format
27
S
26
25
S
24
S
23
26
22
25
21
24
20
23
2-1
2-2
2-3
2-4
2-5
2-6
2-7
Legacy Format
S
S
S
22
21
20
2-1
2-2
2-3
2-4
图9-2. 温度格式
如果所选的格式为高精度 16 位格式,则结果寄存器中的数据以二进制补码形式存储,分辨率为 7.8125m°C、范
围为 ±256°C。如果选择的格式是旧的 12 位格式,则结果寄存器中的数据以扩展符号形式存储,分辨率为
62.5m°C、范围为 ±128°C。在第一次转换之前,温度寄存器读数为 0°C。表 9-1 和表 9-2 显示了两种格式的示
例,包括可从温度结果寄存器中读取的可能的二进制数据和相应的十六进制温度等效值。
表9-1. 精密(16 位)温度数据格式
数字输出(精密格式)
温度
(°C)
二进制
十六进制
4B00
150
127
0100 1011 0000 0000
0011 1111 1000 0000
3F80
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表9-1. 精密(16 位)温度数据格式(continued)
数字输出(精密格式)
温度
(°C)
二进制
十六进制
3200
100
25
0011 0010 0000 0000
0000 1100 1000 0000
0000 0000 1000 0000
0000 0000 0001 0000
0000 0000 0000 0100
0000 0000 0000 0001
0000 0000 0000 0000
1111 1111 1111 1111
0C80
0080
1
0.125
0.03125
0.0078125
0
0010
0004
0001
0000
-0.0078125
起始值也可以是0,但是由于SysTick 中断和
COUNTFLAG 在计数从1 到0 时都会被激
活,所以没什么作用
-0.03125
-0.125
-1
1111 1111 1111 1100
1111 1111 1111 0000
1111 1111 1000 0000
1111 0011 1000 0000
1110 1100 0000 0000
1110 0100 1000 0000
FFFC
FFF0
FF80
F380
FC00
F480
–25
-40
-55
表9-2. 旧的(12 位)温度数据格式
数字输出
温度
(°C)
二进制
十六进制
07FF
07FF
07FF
0640
140
128
0000 0111 1111 1111
0000 0111 1111 1111
0000 0111 1111 1111
0000 0110 0100 0000
0000 0001 1001 0000
0000 0000 0001 0000
0000 0000 0000 0010
0000 0000 0000 0000
1111 1111 1111 1110
1111 1111 1111 0000
1111 1110 0111 0000
127.9375
100
25
0190
1
0010
0.125
0
0002
0000
-0.125
-1
FFFE
FFF0
FE70
–25
-40
1111 1101 1000 0000
1111 1100 1001 0000
FD80
FC90
-55
9.3.5 温度偏移
温度偏移与温度结果的格式相同,并存储在温度偏移寄存器中。
每次温度转换后,器件都会在温度被存储到温度结果寄存器中之前应用偏移值。主机对偏移寄存器的写入可存储
在器件的配置 EEPROM 中,这样可省去主机在每次上电时重新编程该值或在软件中重新应用的开销。偏移特性
使器件能够通过执行单点校准在应用的温度范围内实现更高的精度。
9.3.6 温度警报
温度警报功能使用温度警报下限寄存器进行低阈值比较,使用温度警报上限寄存器进行高阈值比较。寄存器的格
式与温度结果相同。
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器件应将最后一次转换的结果与警报阈值进行比较。如果温度结果小于下限或大于上限,则器件应在状态寄存器
中设置相应的警报状态标志。根据器件配置1 寄存器中的ALERT_MODE 设置清除警报状态标志。
此外,如果IO2/ALERT 引脚配置为警报引脚,则警报状态会在电源供电模式下反映在该引脚上。
9.3.7 标准器件地址
每个器件都具有一个经过出厂编程的唯一64 位地址。此外,该器件还提供灵活的寻址模式,主机控制器可使用这
些模式来提高总线吞吐量。这在下文中有相关说明。
9.3.7.1 唯一64 位器件地址和ID
该器件具有一个硬编码的 64 位地址,该地址在出厂时经过编程,无法由客户应用程序更改。唯一的 64 位器件地
址用于终端应用中的器件寻址以及NIST 可追溯性。图9-3 显示了 64 位地址的格式。当主机访问器件或器件发送
其地址时,首先发送 64 位唯一地址的最低有效位。唯一的 64 位地址由 3 个字段组成。低 8 位包含器件系列代
码,后跟48 位唯一编号及其前面56 位的8 位CRC 校验和。
TMP1827 的器件系列代码应为27h。
MSb
LSbMSb
LSbMSb
8-bit Device Family
Bit-0
LSb
8-bit CRC
48-bit Unique Address
Bit-63
图9-3. 64 位器件地址
9.3.8 灵活器件地址
根据用户应用情况,TMP1827 提供了一些用户和应用可配置的地址模式,称为灵活的地址模式。这些模式与标准
器件地址一起存在,对于需要更快访问和器件位置识别组合的应用非常有用。
使用灵活器件地址时,系统会更新短地址寄存器。当FLEX_ADDR_MODE 位为“00b”时,主机写入应该会更新
短地址寄存器。当这些位从“00b”更改为其他值时,器件解码连接在 ADDR 引脚或IO 引脚或这两个引脚上的地
址电阻器,并叠加到短地址寄存器。这很有用,因为同一组 16 个电阻器或 16 个 IO 的组合可用于生成多达 256
个唯一的灵活地址。
FLEX_ADDR_MODE 不会存储在配置 EEPROM 中,因此主机必须将短地址寄存器内容复制到 EEPROM 配置存
储器中,使短地址值永久不变,而无需在每次上电时解码。
9.3.8.1 非易失性短地址
图9-4 显示了器件的8 位用户可编程短地址模式。主机必须将8 位短地址复制到配置EEPROM,以便在随后上电
时,器件加载更新后的短地址并对主机做出响应。
MSb
NV7 NV6 NV5 NV4 NV3 NV2 NV1 NV0
Bit-7 Bit-0
LSb
图9-4. 非易失性短地址
9.3.8.2 IO 硬件地址
图 9-5 展示了器件的 8 位 IO 硬件地址模式。在具有通用引脚 (IO0-IO3) 的封装中可使用此功能。8 位值包括低 4
位作为引脚(IO3 至 IO0)的读取值,这些值叠加在短地址寄存器的内容上,形成一个 8 位地址。应用可将通用
引脚连接至 VDD/SDQ 以实现逻辑“1”,或连接至 GND 以实现逻辑“0”。TI 建议在 IO 和 VDD/SDQ 之间放置
一个20KΩ 电阻器,防止在输出模式下IO 引脚意外设置为零时发生电源瞬间中断。
将 FLEX_ADDR_MODE 设置为“00b”之后,主机必须将器件配置 2 寄存器中的位设置为“01b”,以便器件可
以锁存通用引脚的状态。
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MSb
LSb
NV7 NV6 NV5 NV4 IO3 IO2 IO1 IO0
Bit-7 Bit-0
图9-5. IO 硬件地址
备注
在使用 IO 硬件地址模式之前,IO 引脚必须配置为输入。如果在输出模式下使用了 IO0 至 IO3 中的任
意引脚,则相应的值应锁存为“0”。
9.3.8.3 电阻地址
电阻地址模式使用连接在ADDR 引脚和接地端之间的E96 系列(1% 容差)标准电阻。图9-6 显示了 8 位地址,
低4 位从连接的电阻器解码,该地址叠加在短地址寄存器的内容上。
MSb
NV7 NV6 NV5 NV4 RA3 RA2 RA1 RA0
Bit-7 Bit-0
LSb
图9-6. 电阻地址
将 FLEX_ADDR_MODE 设置为“00b”后,主机控制器必须将器件配置 2 寄存器中的位设置为“10b”,从而使
器件能够对所连接的电阻器进行解码。写入器件配置 2 寄存器后,主机必须将器件置于关断模式,并使总线空闲
tRESDET,以便器件解码电阻地址。表 9-3 显示了基于解码电阻值的器件地址设置值。如果 ADDR 引脚连接到
GND 或低于 6.49kΩ,则地址解码器应始终解码为“0000b”。同样,如果 ADDR 引脚连接到大于 54.9kΩ 的电
阻,地址解码器应始终解码为“1111b”。
表9-3. 电阻地址解码
电阻值(kΩ)
< 6.49
7.87
地址解码
0h
1h
9.31
2h
11.0
3h
13.3
4h
15.4
5h
17.8
6h
20.5
7h
23.7
8h
26.7
9h
30.1
Ah
Bh
Ch
Dh
Eh
Fh
33.2
37.4
42.2
47.5
> 54.9 或悬空
当应用需要将 TMP1827 放置在多个印刷电路板 (PCB) 上时,此模式非常有用。可以轻松更改物料清单 (BOM) 元
件,而不是为单独的引脚连接制造多个PCB,从而降低系统成本。
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备注
如果未使用,建议将 ADDR 引脚连接到 GND。ADDR 引脚的 CLOAD 是由寄生电容引起的,具体取决
于电路板布局布线。
9.3.8.4 合并的IO 和电阻地址
在合并的 IO 和电阻器地址模式中,IO0 和 IO1 引脚与 ADDR 引脚和接地之间连接的电阻器一起使用。图 9-7 展
示了 8 位地址,从连接的电阻器解码低 4 位地址,然后从 IO0 和 IO1 引脚(连接到 VDD/SDQ 以实现逻辑
“1”,或连接到GND 以实现逻辑“0”)解码2 位地址,该地址叠加在短地址寄存器的内容上。TI 建议在IO 和
VDD/SDQ 之间放置一个20KΩ 电阻器,防止在输出模式下IO 引脚意外设置为零时发生电源瞬间中断。
在将 FLEX_ADDR_MODE 设置为“00b”之后,主机必须将器件配置 2 寄存器中的位设置为“11b”,从而使器
件能够对ADDR 引脚进行采样,以便识别连接的电阻器,然后对IO0 和IO1 进行采样以配置短地址。如果非易失
性存储器中的位字段值已更新,则器件应自动锁存引脚,运行电阻解码器,然后在上电时更新短地址寄存器中的
值。
主机控制器必须将器件置于关断模式,并使总线空闲tRESDET,以便器件对电阻器地址进行解码。
MSb
NV7 NV6 IO1 IO0 RA3 RA2 RA1 RA0
Bit-7 Bit-0
LSb
图9-7. 合并的IO 和电阻地址
当应用需要在单个 PCB 上放置多达 64 个器件时,此模式很有用,因为它允许使用 IO 和电阻器解码的组合方法
轻松扩展,同时使 IO2 和 IO3 能够用作通用输入和输出引脚。因为没有任何两个器件具有相同的短地址,所以此
模式也可用于位置识别。
备注
在使用 IO 硬件地址模式之前,IO 引脚必须配置为输入。如果在输出模式下使用了 IO0 或 IO1 引脚,
则相应的值应锁存为“0”。
9.3.9 CRC 生成
TMP1827 采用循环冗余校验 (CRC) 机制,可实现数据完整性检查和通信稳健性。表 9-4 列出了 8 位 CRC 的属
性。
表9-4. CRC-8 规则
CRC-8 规则
CRC 宽度
属性
8 位
x8 + x5 + x4 + 1 (0x31)
00h
CRC 多项式
初始种子值
反映出的输入数据
反映的输出数据
XOR 值
是
是
00h
当一个新的事务完成时,使用种子值00h 初始化移位寄存器,先移入LSB 中的数据。CRC 结果始终是64 位唯一
地址的一部分,并根据其前面的 56 位计算得出。此外,当主机写入寄存器的暂存区 1 和存储器的暂存区 2 时,
器件会发送根据数据字节计算的 CRC,以便在事务处理时为主机提供数据完整性检查。当主机为了读取温度寄存
器而读取暂存区1 时,器件应在发送暂存区的8 个字节之后附加CRC。
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主机必须重新计算 CRC 并将其与从器件接收到的 CRC 进行比较。通过将从器件读取的数据与 CRC 位一起移位
来实现。如果没有总线错误,那么位移位结束时的移位寄存器将产生 00h。将数据写入器件时,主机必须通过处
理写入数据来检查接收到的CRC,确保没有传输错误,并在执行下一个函数之前采取适当的纠正措施。
9.3.10 功能寄存器映射
暂存区 1 区域和 IO 寄存器区域一起被称为功能寄存器映射(请参阅图 9-8)。暂存区 1 区域的深度为 16 字节,
包括温度结果、器件状态、器件配置、短地址、温度警报限值和温度偏移寄存器。IO 寄存器区域包括 IO 读取和
IO 配置寄存器。一些寄存器可提交到配置 EEPROM,从而确保在上电时恢复器件设置,而不是由主机重新写入
配置。
Scratchpad-1
Temperature Register LSB
Temperature Register MSB
Status Register
Byte-0
Byte-1
Byte-2
Byte-3
Byte-4
Byte-5
Byte-6
Byte-7
Byte-8
Byte-9
Byte-10
Byte-11
Byte-12
Byte-13
Byte-14
Byte-15
Back up EEPROM
Reserved = FFh
Device Con gura on-1 Register
Device Con gura on-2 Register
Short Address Register
Reserved = FFh
Device Con gura on-1 Register
Device Con gura on-2 Register
Short Address Register
Temperature Alert Low LSB
Temperature Alert Low MSB
Temperature Alert High LSB
Temperature Alert High MSB
Temperature O set LSB
Temperature O set MSB
Reserved = FFh
Temperature Alert Low LSB
Temperature Alert Low MSB
Temperature Alert High LSB
Temperature Alert High MSB
Temperature O set LSB
Temperature O set MSB
Reserved = FFh
IO Registers
IO Read Register
IO Con gura on Register
IO Con gura on Register
图9-8. 功能寄存器映射(暂存区1)
9.3.11 用户存储器映射
EEPROM 存储器划分为 8 页,每页有4 个块。图9-9 显示,每个块为8 个字节或 64 位。这样用户存储器总共为
2048 位。对器件的所有存储器存取应按 8 个字节的块大小进行递增。通过暂存区2 寄存器访问存储器进行编程。
主机写入暂存区2 寄存器,该寄存器让器件可以在将内容提交到存储器之前执行读取。
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Block 3
Block 2
Block 1
Block 0
Block 3
Block 2
Block 1
Block 0
Block 3
Block 2
Block 1
Block 0
Block 3
Block 2
Block 1
Block 0
Block 3
Block 2
Block 1
Block 0
Block 3
Block 2
Block 1
Block 0
Block 3
Block 2
Block 1
Block 0
Block 3
Block 2
Block 1
Block 0
00FFh
00F8h – 00FFh
00F0h – 00F7h
00E8h – 00EFh
00E0h – 00E7h
00D8h – 00DFh
00D0h – 00D7h
00C8h – 00CFh
00C0h – 00C7h
00B8h – 00CFh
00B0h – 00B7h
00A8h – 00AFh
00A0h – 00A7h
0098h – 009Fh
0090h – 0097h
0088h – 008Fh
0080h – 0087h
0078h – 007Fh
0070h – 0077h
0068h – 006Fh
0060h – 0067h
0058h – 005Fh
0050h – 0057h
0048h – 004Fh
0040h – 0047h
0038h – 003Fh
0030h – 0037h
0028h – 002Fh
0020h – 0027h
0018h – 001Fh
0010h – 0017h
0008h – 000Fh
0000h – 0007h
Page 7
00E0h
00DFh
Page 6
Page 5
Page 4
Page 3
Page 2
Page 1
Page 0
00C0h
00BFh
00A0h
009Fh
0080h
007Fh
0060h
005Fh
0040h
003Fh
0020h
001Fh
0000h
图9-9. EEPROM 页面和块地址映射
备注
如果任何器件读取的地址超出用户存储器映射的范围,则器件应返回“1”。
9.3.12 SHA-256-HMAC 认证模块
TMP1827 器件上的认证模块使用带密钥的哈希消息验证码(HMAC),这是符合FIPS PUB-198-1 标准的SHA-256
哈希实现。SHA-256 实现本身符合 FIPS PUB-180-4 标准。HMAC 引擎不会对数据进行加密,但会根据用户编程
的密钥生成256 位哈希。
有关SHA-256-HMAC 认证模块的详细信息,请参阅TMP1827 安全编程指南。
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9.3.13 位通信
1-Wire 接口通信没有基准时钟,因此所有通信都是异步执行,并使用固定时隙 (tSLOT) 和可变脉冲宽度来表示逻辑
“0”和“1”。在空闲状态下,外部上拉电阻使线路保持高电平。所有位通信(无论是写入还是读取)都由主机
发起,方法是将数据线驱动为低电平来生成下降沿,并且位值解码为在下降沿之后数据线保持低电平或高电平的
时间。
尽管通信是按位进行,但主机和器件之间交换的数据仍然按字节进行。每个字节先发送最低有效位。发送不完整
的字节时,无法保证器件的行为。
9.3.13.1 主机写入,器件读取
主机写入是一种方法,通过该方法,主机向器件发送命令、函数和数据。主机写入从主机将数据线驱动为低电平
开始,如图 9-10 所示。如果主机打算发送逻辑“1”,则在 tWR1L 时间后释放线路。如果主机打算发送逻辑
“0”,则在 tWR0L 时间后释放线路。释放数据后,上拉电阻会使线路变为高电平,直到下一个时隙开始。在从下
降沿开始经过 tRDV 时间之后,器件对线路进行采样,持续时间为tDSW。主机必须将上拉电阻和总线电容引起的上
升时间考虑在内,确定何时释放数据线,使器件能够在正确的时间采样数据,并使主机能够在正确的时间驱动下
一个写入位时隙。
Host drives SDQ
High Impedance, external pullup
tSLOT
tSLOT
tREC
tREC
V
DD/VPUR
V
DD/VPUR
VIH
VIH
VIL
VIL
tDSW
tRDV
tDSW
tRDV
tWR1L
tWR0L
Host Write-1
Host Write-0
图9-10. 主机写入,器件读取
9.3.13.2 主机读取,器件写入
主机读取是一种方法,通过该方法,主机从器件获取数据或获取用于数据完整性检查的 CRC。主机读取从主机将
数据线驱动为低电平开始,如图 9-11 所示。当器件检测到下降沿时,器件可以在时间 tRL 之前将线路驱动为低电
平。经过 tRL(MIN) 时间后,主机可以直接释放总线控制权。如果器件打算发送逻辑“1”,则在经过 tRL(MAX) 时间
之前释放总线控制权。如果器件打算发送逻辑“0”,则在经过 tSLOT(MIN) 时间之后释放总线控制权。主机必须在
时间tRWAIT 之后对线路采样,持续时间为 tMSW。主机必须将上拉电阻和总线电容引起的上升时间考虑在内,确定
主机对器件发送的位级别进行采样或驱动下一个读取位时隙的采样窗口。
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Host drives SDQ
Device drives SDQ
High Impedance, external pullup
tSLOT
tSLOT
tREC
tREC
V
DD/VPUR
VDD/VPUR
VIH
VIH
tRWAIT
tRWAIT
VIL
VIL
tRL
tRL
tMSW
Host Read-1
tMSW
Host Read-0
图9-11. 主机读取,器件写入
9.3.14 总线速度
该器件支持标准速度 (8.33kbps) 和过驱速度(90kbps) 两种数据速率。所有器件在出厂时编程为以过驱速度启动,
从而可提高数据吞吐量。如果主机要求器件以标准速度运行,则主机可以通过发出标准速度总线复位命令来轻松
切换器件。实现顺畅切换,从而让主机可以在新设计中利用更好的数据速率,同时保持旧设计的向后兼容性。
此外,该器件还使用 OVD SKIPADDR 和 OVD MATCHADDR 等地址阶段命令,灵活地从标准模式切换到过驱速
度模式。
• 当主机发出OVD SKIPADDR 命令时,总线上所有能够支持过驱模式的器件将从标准速度切换到过驱速度。
• 当主机发出OVD MATCHADDR 命令时,其64 位器件地址与主机发送的地址匹配的器件将从标准速度切换到
过驱速度。
9.3.15 NIST 可追溯性
使用由符合 ISO/IEC 17025 政策和程序的经认证实验室校准的设备对温度测试精度进行了验证。每款器件都经过
测试和微调,确保满足其各自的数据表规格限值。
9.4 器件功能模式
TMP1827 器件特有灵活的单次温度转换模式以及稳健的用户EEPROM 架构,以下各节对此进行了说明。
9.4.1 转换模式
TMP1827 支持单次和连续转换模式。可以根据单器件或多器件总线网络使用不同的单次转换模式方法。连续转换
模式仅在 VDD 供电模式下受支持。每个转换模式都有单个温度样本,但主机可以在器件中启用八个样本平均值,
来提高准确性。转换始终会产生单个温度样本,但主机可以在器件中启用八个样本平均值,来降低转换噪声并提
高准确性。
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9.4.1.1 基本单次转换模式
基本单次转换模式是默认的转换模式。要启动温度转换,器件需要经过总线复位阶段、地址阶段和函数阶段。在
通信期间,器件处于关断模式。当器件注册转换请求时,器件会启动有效转换,然后返回到低功耗关断模式(请
参阅图9-12)。如果器件处于连续转换模式,则系统会忽略单次转换模式请求。
Bus
Communica on
Answer to
Reset
SKIPADDR
(CCh)
CONVERT
TEMP (44h)
Reset
8 Samples
Averaging Enabled
Start of Conversion
Command startup delay (tDELAY
Ac ve conversion me (tACT
Shutdown
)
)
Shutdown
Temperature
Conversion
图9-12. 单次转换模式
如图9-13 所示,当总线上有多个器件时,执行单次转换的方式没有变化。但由于有多个器件,总线供电运行模式
下的总电流消耗可能会导致总线电压下降。在这种使用情况下,主机需要使用在 tDELAY 之前激活的 FET/晶体管开
关来实施低阻抗电流路径。在有效转换期间和有效转换持续时间之后,接通此路径以满足总线的电流要求,进行
总线通信时关断此路径。
Answer to
Reset
SKIPADDR
(CCh)
CONVERT TEMP
(44h)
Bus Communica on
Reset
Start of Conversion
Temperature
Conversion Sequence
Ac ve conversion me (tACT
)
Command startup delay (tDELAY
Shutdown
)
Shutdown
TMP18xx
Device 0
TMP18xx
Device 1
TMP18xx
Device 2
图9-13. 多器件单次转换模式
9.4.1.2 自动转换模式
自动转换模式是总线供电模式中的一项可编程功能,可通过在器件配置 1 寄存器中将 CONV_MODE_SEL 设置为
“10b”来启用该功能。如图 9-14 所示,主机可以跳过温度转换请求的问题,并在启用自动转换模式时直接从器
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件读取温度数据。因为不再需要发出请求命令,这使得应用能够加快温度转换和读取速度。与多器件总线的情况
一样,在有效转换期间需要一个低阻抗电流路径来满足总线的电流要求。
Bus
Communica on
Answer to
Reset
MATCHADDR
(55h)
64-bit Device
Address
READ SCRATCHPAD-1
(BEh)
Reset
Start of Conversion
Command startup delay (tDELAY
Shutdown
)
Ac ve conversion me (tACT
)
Shutdown
Temperature
Conversion
图9-14. 自动转换模式
9.4.1.3 堆叠式转换模式
堆叠式转换模式是总线供电模式中的一项可编程功能,可通过在器件配置 1 寄存器中将 CONV_MODE_SEL 设置
为“01b”来启用该功能。如图 9-15 所示,当启用堆叠式转换模式后,这些器件可以使用短地址寄存器中编程的
地址来延迟器件的温度转换。在任意给定时间,至多有两个器件在进行主动转换,因此总线供电配置中的电流消
耗受到限制。这样,应用便可避免多器件同时进行温度转换并减少用户系统最大电源电流。
Answer to
Reset
SKIPADDR
(CCh)
CONVERT
TEMP (44h)
Bus Communica on
Reset
Start of Conversion
Temperature
Conversion Sequence
Command startup delay (tDELAY
Shutdown
)
TMP18xx
STACKMODE ADDRESS = 0
TMP18xx
STACKMODE ADDRESS = 1
TMP18xx
STACKMODE ADDRESS = 2
备注
主机控制器必须使用 CONV_TIME_SEL 和 AVG_SEL 的相同设置对所有器件进行编程,以确保最多有
两个器件正在进行主动转换以按预期使用该功能。
图9-15. 堆叠式转换模式
9.4.1.4 连续转换模式
连续转换模式仅适用于器件的 VDD 供电运行模式。可以通过向器件配置 1 寄存器中的 CONV_MODE_SEL 位写
入除“000b”以外的值来启用此模式。如图9-16 所示,该器件可以按照主机设定的间隔执行定期转换,并在启用
连续转换模式时更新温度结果寄存器。该器件还会执行警报阈值检查,并设置标志和警报引脚(如果已相应地进
行配置)。当处于连续转换模式时,CONVERTTEMP 函数对温度转换请求没有影响。应用可以随时更改转换速
率或将器件恢复为单次转换模式,这仅在当前转换完成后生效。
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Start of conversion
Averaging
Active conversion time
(tACT
)
Conversion interval
(tCONV
Conversion interval
)
图9-16. 连续转换模式
如果由于任何原因,VDD 电源在器件未经过欠压情况下发生故障,并导致器件进入总线供电运行模式,则转换模
式会自动恢复到配置EEPROM 中的设置。
9.4.2 警报功能
如前所述,主机可以使用内置警报功能来检查温度是否超过特定阈值。警报状态位在总线供电模式和 VDD 供电模
式下均可用。警报引脚仅在VDD 供电模式下可用。
如果器件处于 VDD 供电模式且 IO2/ALERT 配置为用作 IO2/ALERT 引脚,那么在超过阈值时,该引脚应驱动为低
电平有效。该引脚为开漏输出,因此需要上拉电阻。IO2/ALERT 引脚取消置位取决于器件配置 1 寄存器中
ALERT_MODE 的设置。
9.4.2.1 警报模式
当 ALERT_MODE 设置为“0b”时,器件以警报模式运行。在警报模式下运行时,当最后一次温度转换高于温度
警报上限或低于温度警报下限时,警报状态标志和IO2/ALERT 引脚置为有效。
仅当主机读取状态寄存器或执行成功的 ALERTSEARCH 命令时,警报状态标志和 IO2/ALERT 引脚才会取消置
位,如图9-17 所示。
ALERT_HIGH
Temperature
ALERT_LOW
Temperature conversions
ALERT_HIGH
ALERT_LOW
ALERT pin
Alert Status Read
图9-17. 警报模式时序图
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9.4.2.2 比较器模式
当 ALERT_MODE 设置为“1b”时,器件以比较器模式运行。在警报模式下运行时,当最后一次温度转换高于温
度警报上限或低于温度警报下限时,警报状态标志和IO2/ALERT 引脚置为有效。
仅当上次温度转换的结果小于温度警报上限减去迟滞或高于温度下限加上迟滞时,才会对警报状态标志和 IO2/
ALERT 引脚取消置位,如图9-18 所示。可使用器件配置2 寄存器中的HYSTERESIS 位字段来选择迟滞。
ALERT_HIGH
ALERT_HIGH-HYSTERESIS
Temperature
ALERT_LOW+HYSTERESIS
ALERT_LOW
Temperature conversions
ALERT_HIGH
ALERT_LOW
ALERT pin
Alert Status Read
图9-18. 比较器模式时序图
9.4.3 1-Wire 接口通信
为了有效利用器件功能,器件访问包含三个不同的阶段。如图9-19 所示,任何总线通信都始于总线复位条件,总
线上的每个器件都必须对此条件作出响应。接下来是高度可配置的地址阶段,主机在这个阶段选择它要访问的器
件。最后,在函数阶段,主机为所选器件提供它要执行的操作。
Bus Reset Phase
Address Phase
Func on Phase
Write Data
Answer to
Reset
Reset
Command
Device Address
Func on
CRC
Read Data
图9-19. 1-Wire 总线通信
在1-Wire 总线中,除了由总线上的器件发起的复位应答,所有写入和读取都由主机发起。
9.4.3.1 总线复位相
总线复位相是通信的开始。该相由主机通过将 1-Wire 数据线路保持在低电平一段时间 (tRSTL) 来启动。总线上的
所有器件,无论其当前状态如何,都应通过重新初始化其内部状态并响应主机发起的总线复位来响应总线复位。
器件在至少tPDH 后进行响应,方法是将1-Wire 保持在低电平一段时间(tRSTH),如图8-1 所示。
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所有器件在通电后都这样配置:在器件配置 2 中将 OD_EN 位设置为“1”,在状态寄存器中将 OD 标志设置为
“1”。如果主机发送一个 48µs 到 80µs 的总线复位脉冲,则只有以过驱速度运行的器件才应响应总线复位脉
冲,而以标准模式运行的器件应继续等待标准模式总线复位。
如果主机为标准模式发送至少 tRSTL 的总线复位脉冲,则器件应在标准模式下将 OD_EN 位复位为“0”并响应总
线复位。如果总线包含混合标准和过驱速度器件,则在标准模式下发送总线复位脉冲时应将所有器件复位为标准
模式运行速度。
主机为特定的运行速度发送总线复位,然后以其他速度模式进行通信是非法的。此外,如果发送的总线复位脉冲
大于80µs(但小于480µs),则器件通信应复位,但无法确保器件运行。
9.4.3.2 地址相
图 9-20 展示了总线复位阶段之后的地址阶段。在此阶段,主机发出 8 位命令,然后主机发送 64 位器件地址、8
位灵活地址或跳过地址。其中一些命令用于发现器件地址,而另一些命令用于选择器件。
Host Sends Reset
Pulse
Yes
No
Is Reset pulse
width for Standard
Speed?
Yes
Is device in
Standard Speed?
No
TMP18xx switches
to Standard Speed.
OD Flag = 0
TMP18xx Responds
in Overdrive Speed
Host Sends Address
Command
No
No
No
No
No
No
No
No
69h
3Ch
33h (READADDR)?
55h (MATCHADDR)?
Yes
F0h (SEARCHADDR)?
ECh (ALERTSEARCH)?
Yes
CCh (SKIPADDR)?
Yes
0Fh (FLEXADDR)?
Yes
(OVD_MATCHADDR)?
(OVD_SKIPADDR)?
Yes
Yes
Yes
TMP18xx Sends FLAG
TMP18xx Sends FLAG
Host Sends FLAG
Host Sends 8 Bytes of
Address, LSb to MSb
Host Sends 8 Bytes of
Address, LSb to MSb
Host Sends 1 Byte of
Short Address, LSb to MSb
TMP18xx Sends 8 Bytes of
Address, LSb to MSb
OD Flag = 0
Yes
TMP18xx with
Alert Flag Set?
Address Search Algorithm
No
No
Does TMP18xx
Address Match?
Does TMP18xx
Address Match?
No
Does TMP18xx Short
Address Match?
OD Flag = 0
Yes
Yes
Yes
OD Flag = 1
Host Sends Func on
图9-20. 地址阶段流程图
9.4.3.2.1 READADDR (33h)
主机可以使用此命令来读取器件的64 位地址。此命令只能在总线上有一个器件时使用,因为如果总线上有多个器
件,此命令将导致冲突。
9.4.3.2.2 MATCHADDR (55h)
该命令由主机使用,后跟一个用于选择总线上单个器件的64 位地址。每个器件的地址都是唯一的,因此只有一个
器件可由该命令选择,而所有其他器件继续等待总线复位。
9.4.3.2.3 SEARCHADDR (F0h)
系统通电后,主机使用该命令来标识总线上每个器件的 64 位地址(请参阅图 9-21)。此外,主机可以运行该命
令以查找稍后可能添加到系统的所有新器件。当有单个器件总线时,主机可以跳过该命令,改用 SKIPADDR 或
OVD_SKIPADDR 命令来访问器件。
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如图 9-21 的右侧流程所示,当通过在器件配置 2 寄存器中将 ARB_MODE 位置为“11b”而启用快速仲裁模式
时,器件会检查总线中是否存在传输的位。如果器件读取的位值不是它们已发送的值,在下一次总线复位之前,
它们将不再响应此命令。从总线胜出的器件会一直持续到第 64 位,将其状态寄存器中的 ARB_DONE 位设置为
“1b”,并停止响应下一条 SEARCHADDR 命令。仲裁功能允许主机快速发现器件,而无需使用传统的
SEARCHADDR 命令来执行复杂的存储器密集型且更长的发现方法。同时,如果主机在总线上有问题,那么它只
需执行广播写入操作即可禁用和启用仲裁模式,从而重新启动快速仲裁模式。
该器件还具有优化的仲裁模式,可通过将ARB_MODE 位置为“10b”来启用该模式。器件会检查传输的位,如果
器件在发送逻辑“1”时检测到逻辑“0”,则在发送下一条 SEARCHADDR 命令之前不会参与 SEARCHADDR
命令。能够成功发送全部64 位的器件将从总线胜出,将其状态寄存器中的ARB_DONE 位设置为“1b”,并停止
响应下一条 SEARCHADDR 命令。由于优化了仲裁模式,主机不必管理复杂的存储器结构即可识别总线上的器
件,而且仍然可以使用旧版软件搜索算法。
主机在收到“FFFFFFFFh”时必须首先搜索器件。主机必须禁用仲裁模式位以清除 ARB_DONE 状态,并且仅在
需要搜索添加到现有总线的新器件时才启用。
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No
No
No
Address Command =
ECh (ALERTSEARCH)?
Address Command =
F0h (SEARCHADDR)?
Yes
Yes
No
No
Is ARB_MODE = 10?
Is ARB_MODE = 11?
Yes
Yes
TMP18xx Sends Bit 0
TMP18xx Sends Bit 0
TMP18xx Sends Bit 0
Host Sends Bit 0
TMP18xx Sends Bit 0
No
No
TMP18xx
Tx Bit-0 = Rx Bit-0
Match?
No
TMP18xx
Tx Bit-0 = Rx Bit-0
Match?
Bit-0 Match?
Yes
Yes
Yes
TMP18xx Sends Bit 0
Host Sends Bit 0
TMP18xx Sends Bit 1
TMP18xx Sends Bit 1
Host Sends Bit 1
TMP18xx Sends Bit 1
TMP18xx Sends Bit 1
No
No
TMP18xx
Tx Bit-1 = Rx Bit-1
Match?
TMP18xx
Tx Bit-1 = Rx Bit-1
Match?
No
Bit-1 Match?
Yes
Yes
TMP18xx Sends Bit 1
Host Sends Bit 1
TMP18xx Sends Bit 63
TMP18xx Sends Bit 63
Host Sends Bit 63
Yes
TMP18xx Sends Bit 63
TMP18xx Sends Bit 63
TMP18xx
Tx Bit-63 = Rx Bit-63
Match?
No
No
TMP18xx
Tx Bit-63 = Rx Bit-63
Match?
No
Bit-63 Match?
Yes
Yes
Yes
TMP18xx Sends Bit 63
Host Sends Bit 63
Winning TMP18xx Drops out of Next SEARCH
Host Sends a Reset Pulse to restart the
1-Wire Bus communica on
图9-21. 地址搜索算法流程图
9.4.3.2.4 ALERTSEARCH (ECh)
主机使用该命令来确定是否有任何器件存在必须在警报模式下进行处理的警报条件。当执行了温度转换且温度结
果高于高温警报寄存器或低于低温警报寄存器时,器件会设置告警条件。该命令使用与 SEARCHADDR 命令相同
的方法,不同之处在于仅具有告警条件的器件才应进行响应。如果所有器件都没有告警条件,则主机应在总线上
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收到“1”,然后再收到“1”。如果器件发送“1”,然后发送“0”,则主机应将其解读为一个或多个器件具有
警报条件,或所有器件都具有警报条件。如果存在总线噪声,这会导致错误地对线路进行采样,但如果没有器件
存在警报条件,则在地址搜索阶段,主机应在总线上全部收到“1”。ARB_MODE 位不会影响后续地址搜索算法
的工作方式。
只有设置了警报的器件收到ALERTSEARCH 地址命令时才应参与进来,并通过发送其 64 位地址进行响应。如果
器件成功发送了器件地址,这会自动清除内部警报标志,释放ALERT 引脚,直至另一个温度转换导致设置警报条
件,因此器件不应再参与发送地址阶段。主机控制器必须确保总线上的所有器件都在警报模式下配置,以便使用
该命令。
9.4.3.2.5 SKIPADDR (CCh)
主机可以发出此命令来选择总线上的所有器件。当主机要对暂存区 1 进行写入或触发总线上所有器件的温度转换
时,这种方法很有用。此外,当总线上有一个器件时,主机可以使用此命令来提高总线的总数据吞吐量。
主机必须注意,当总线上有多个器件时,不得发出此命令。如果主机打算使用此命令读取器件,则会导致总线上
发生冲突。
9.4.3.2.6 OVD SKIPADDR (3Ch)
主机可以发出此命令来选择所有在混合速度总线中支持过驱速度的器件。当主机要对暂存区 1 进行写入或触发总
线上所有支持过驱速度的器件的温度转换时,此选项非常有用。此外,当总线上有一个器件时,主机可以使用此
命令来提高总线的总数据吞吐量。发出此命令后,只有支持过驱模式的器件才应将内部OD 标志设置为“1”。
当总线上有多个支持过驱模式的器件时,主机必须注意不得发出此命令。如果主机打算使用此命令读取器件,则
会导致总线上发生冲突。
如果主机随时发出标准模式总线复位信号,则所有 OD 标志设置为“1”的器件都应清除相同的信号并恢复到标准
模式速度。
9.4.3.2.7 OVD MATCHADDR (69h)
该命令由主机使用,后跟一个64 位地址,用于选择总线上以过驱速度运行的单个器件。每个器件的地址都是唯一
的,因此只有一个器件可由该命令选择,而所有其他器件都必须等待总线复位。所选器件应将其内部OD 标志设
置为“1”,并以过驱速度开始所有进一步通信。
如果主机随时发出标准模式总线复位信号,或使用 OVD MATCHADDR 选择另一个器件,则 OD 标志设置为
“1”的所有其他器件应清除相同的信号并恢复到标准模式速度。
9.4.3.2.8 FLEXADDR (0Fh)
主机发出命令以通过在短地址寄存器中配置的短地址访问器件。使用该命令不会影响器件的 64 位唯一地址。
FLEXADDR 命令后跟一个字节,这是主机要为进一步通信选择的器件的短地址。
9.4.3.3 功能相
图 9-22、图 9-23 和图 9-24 展示了地址阶段之后的函数阶段。在此阶段,主机可能会提供不同的函数,然后主机
向器件发送数据、读取器件数据或开始温度转换。某些函数可使用 SKIPADDR 或OVD SKIPADDR 广播到总线上
的所有器件。读取函数必须始终通过使用 MATCHADDR、FLEXADDR 或 OVD MATCHADDR 在地址阶段选择的
器件进行单播。对于总线上只有一个器件的情况,可以跳过器件地址选择。
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No
No
No
No
Function = 44h
(CONVERT TEMP)?
Function = 4Eh (WRITE
SCRATCHPAD-1)?
Function = 48h (COPY
SCRATCHPAD-1)?
Function = BEh (READ
SCRATCHPAD-1)?
Host Sends Function
Yes
Yes
Yes
Yes
TMP18xx Sends
Scratchpad Byte starting
at Byte-0 (LSB First)
Host Sends
DEVICE_CONFIG1 Byte
Host waits for EEPROM
programming time. Line
held IDLE
Host waits for conversion
time. Line held IDLE
Host Sends
DEVICE_CONFIG2 Byte
Yes
Host Sent Reset?
No
Host Sends SHORT_ADDR
Byte
Have first 8 bytes
been read?
No
Host Sends
TEMP_ALERT_LOW LSB
Byte
Yes
Host Sends
TEMP_ALERT_LOW MSB
Byte
TMP18xx Sends CRC Byte
Host Sends
TEMP_ALERT_HIGH LSB
Byte
TMP18xx Sends
Scratchpad Byte starting
at Byte-8 (LSB First)
Host Sends
TEMP_ALERT_HIGH MSB
Byte
Yes
Host Sent Reset?
No
Host Sends
TEMP_OFFSET_LSB Byte
Have last 8 bytes
been read?
No
Host Sends
TEMP_OFFSET_MSB Byte
Yes
TMP18xx Sends CRC Byte
TMP18xx Sends CRC Byte
Back to Start
图9-22. 寄存器空间的函数阶段流程图
9.4.3.3.1 CONVERTTEMP (44h)
当主机希望总线上的温度传感器执行单次温度转换时,主机会发出该函数。
当器件由总线供电时,主机必须在有效温度转换期间使总线保持空闲状态。有效温度转换时间取决于转换模式。
温度转换完成后,在温度结果LSB 和温度结果MSB 以及状态寄存器中更新结果。
当器件配置1 寄存器中启用了自动温度转换模式时,系统会忽略该命令。
9.4.3.3.2 WRITE SCRATCHPAD-1 (4Eh)
该函数由主机发出,用于写入温度传感器的功能寄存器。继函数字节之后,主机发送器件配置寄存器、短地址寄
存器、温度警报下限寄存器、温度警报上限寄存器和温度偏移寄存器。发送 9 个字节后,器件应发送在 9 个字节
上计算的CRC,并将CRC 发送回主机以快速验证数据完整性。
此外,主机可以在传输过程中的任何时候发出总线复位信号,但建议仅在字节边界处进行此操作,以确保不会因
传输未完成而损坏寄存器。
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当 FLEX_ADDR_MODE 位更新为非零值时,主机必须暂停任何通信,以便根据所请求的灵活模式使总线处于空
闲状态tRESDET 或tDELAY,从而使器件解码和更新短地址。此外,当FLEX_ADDR_MODE 位具有非零值时,对于
任何后续的写入暂存区1 操作,不应在寄存器暂存区中更新短地址寄存器的字节,以避免覆盖解码后的短地址。
备注
当更新器件配置 2 寄存器中的 OD_EN 和/或 LOCK_EN 位时,主机控制器必须发送 9 个字节并等待
CRC 传输,器件速度的更改或寄存器暂存区的写保护才能生效。如果主机在完整CRC 传输之前终止传
输,则对OD_EN 和/或LOCK_EN 的任何更新都不会生效。
9.4.3.3.3 READ SCRATCHPAD-1 (BEh)
该函数由主机发出,用于从寄存器暂存区读取温度结果、状态位和功能寄存器。所选器件会传输寄存器暂存区的
前 8 个字节,后跟 8 个字节的 CRC。如果主机要继续执行读取操作,主机将接收接下来的 8 个字节以及最后 8
个字节的CRC。主机可以通过发出总线复位来随时终止该函数。
9.4.3.3.4 COPY SCRATCHPAD-1 (48h)
该函数由主机发出,用于将暂存区 1 寄存器复制到 EEPROM 配置存储器。如图9-22 所示,温度警报寄存器、配
置寄存器、短地址寄存器、温度偏移和 IO 引脚配置寄存器存储在配置EEPROM 中。有9 个字节从寄存器空间复
制到 NVM,因此主机必须使总线保持在空闲状态,时间是 EEPROM 编程时间的两倍,然后才能执行下一次访
问。
No
No
No
No
Func on = 0Fh (WRITE
SCRATCHPAD-2)?
Func on = 55h (COPY
SCRATCHPAD-2)?
Func on = AAh (READ
SCRATCHPAD-2)?
Func on = F0h (READ
EEPROM)?
Yes
Yes
Yes
Yes
Host Sends EEPROM
Address High Byte
Host sends A5h to commit
Scratchpad-2 to EEPROM
Host Sends EEPROM
Address High Byte
Host Sends EEPROM
Address High Byte
Host Sends EEPROM
Address Low Byte
Host Sends EEPROM
Address Low Byte
Host Sends EEPROM
Address Low Byte
Host waits for tPROG
TMP18xx Sends Data
Bytes (LSB First)
Host Sends 8 Data Bytes
(LSB First)
Host waits for tREADIDLE
Yes
TMP18xx Sends Data
Bytes (LSB First)
Host Sent Reset?
No
Yes
Host Sent Reset?
No
No
Has 8 bytes been
read?
Yes
No
Have 8 bytes
been read?
TMP18xx Sends CRC Byte
TMP18xx Sends CRC Byte
Yes
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图9-23. 存储器访问的函数阶段流程图
9.4.3.3.5 WRITE SCRATCHPAD-2 (0Fh)
该函数由主机发出,用于准备使用存储器暂存区将数据写入EEPROM。
图9-23 显示主机首先发送2 个字节作为EEPROM 地址,然后发送8 个数据字节。接收到8 个数据字节后,器件
会计算从主机接收到的总共 10 个字节地址和数据的 CRC,以进行数据完整性检查。该函数仅将数据复制到存储
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器暂存区,以使主机能够在最终 EEPROM 擦除和编程之前更改数据。此外,主机可以将存储器暂存区用作 8 字
节的易失性缓冲区。
该器件不支持 EEPROM 按字节访问。对暂存区的所有访问均以 8 字节为增量完成。因此,主机必须在 8 字节块
边界发送地址。图9-9 表明,任何在非块边界写入数据的尝试都会导致相应EEPROM 页和块发生数据损坏。
9.4.3.3.6 READ SCRATCHPAD-2 (AAh)
该函数由主机发出,用于读取存储器暂存区的内容。
主机首先发送 2 个字节作为 EEPROM 地址(请参阅图 9-23)。如果 2 个字节的地址与上次执行 WRITE
SCRATCHPAD-2 期间发送的地址匹配,则器件通过发送先前写入暂存区 2 缓冲区的 8 字节数据进行响应。主机
可以在传输期间随时发送总线复位信号。如果器件发送全部 8 个字节且未接收到总线复位,则器件将发送根据主
机发送的2 字节地址和器件发送给主机的8 字节数据计算得出的CRC,以进行数据完整性检查。
如果 EEPROM 地址不匹配,器件应回到开始并等待总线复位以重新启动通信,主机应在总线上接收“1”以进行
后续读取。该机制可确保主机可以在 WRITE SCRATCHPAD-2 和 READ SCRATCHPAD-2 期间检测到地址字节
损坏,因为数据字节和CRC 字节都将回读为FFh。
9.4.3.3.7 COPY SCRATCHPAD-2 (55h)
该函数由主机发出,用于将暂存区 2 的内容复制到 EEPROM。在擦除和编程期间,EEPROM 电流较高,因此,
应用必须调整外部上拉电阻的大小,从而确保一个或多个器件汲取足够的电流,或者使用与总线上拉电阻并联的
外部FET/晶体管开关来实施低阻抗电流路径。
主机应用程序必须确保在发送 COPY SCRATCHPAD-2 之前,只能使用用户 EEPROM 中预期位置的地址发出
WRITE SCRATCHPAD-2 或 READ SCRATCHPAD-2。器件存储并使用 WRITE SCRATCHPAD-2 期间发送的地
址来标识用户 EEPROM 中应执行复制操作的位置。在执行提交操作时,主机只需通过 A5h 发送一个字节,即可
启动从暂存区 2 到用户 EEPROM 的内容复制,复制的地址位置已经事先指定。主机必须在 EEPROM 编程时间
内使总线保持空闲状态,然后才能开始在总线上进行任何新的访问。
9.4.3.3.8 READ EEPROM (F0h)
该函数由主机发出,用于直接读取EEPROM 存储器。
主机发送 2 个字节作为其要读取的 EEPROM 位置地址。然后,器件从该位置开始发送数据字节,直到内部地址
指针未到达EEPROM 的末尾或主机不发出总线复位。如果内部地址指针到达EEPROM 位置的末尾,器件应在总
线上发送 1。在发送 2 个字节作为要访问的 EEPROM 位置的地址后,当在块边界之间移动时,主机必须在
EEPROM 特性指定的tIDLE 内使总线空闲。此外,在READ EEPROM 函数期间,该器件的响应中不提供CRC。
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该器件不支持 EEPROM 按字节访问。对存储器的所有访问都以 8 字节为增量完成。因此,主机必须在 8 字节块
边界发送地址。如果为非块边界发送地址,则器件应从相应块的开头发送数据,如图9-9 所示。
No
No
Func on = F5h (GPIO
READ)?
Func on = A5h (GPIO
WRITE)?
Yes
Yes
Host Sends GPIO
Con gura on Byte
TMP18xx Sends GPIO
Read Register
Host Sends Inverted GPIO
Con gura on Byte
No
Is GPIO Con gura on
Byte transmission OK?
TMP18xx Sends CRC Byte
Yes
TMP18xx Sends OK Code
AAh
TMP18xx Sends Fail Code
FFh
No
Host Sent Reset
Yes
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图9-24. IO 访问的功能相流程图
9.4.3.3.9 GPIO WRITE (A5h)
该函数由主机发出,用于配置和读取GPIO。
主机发送 IO 配置字节,后跟反相 IO 配置字节值。此操作使器件能够检查由于总线噪声引起的位错误。如果检测
到错误,则器件会向主机发送失败代码 FFh,以便主机可以重试。如果未检测到错误,则器件会发送成功代码
AAh。
9.4.3.3.10 GPIO READ (F5h)
该函数由主机发出,用于读取GPIO。
发出函数后,器件会发送一个具有相应 IO 状态的字节,后跟IO 状态字节的 CRC。主机可以重复该序列以实施轮
询循环。
9.4.4 NVM 运营
TMP1827 器件遵循一个通用过程来对密钥编程、对用户数据编程以及启用针对用户数据和密钥的存储器保护。
9.4.4.1 对用户数据编程
将用户数据编程到存储器会用到 WRITE SCRATCHPAD-2、READ SCRATCHPAD-2 和 COPY SCRATCHPAD-2
函数,如前所述。应用程序必须使用所提供的功能存储器映射中的地址将用户数据写入器件。
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1. 主机发出总线复位信号,然后等待响应并针对特定器件发送地址命令。
2. 主机根据功能存储器映射以及8 字节数据和1 字节CRC 发出带有地址的WRITE SCRATCHPAD-2 以验证传
输。
3. 主机发出总线复位信号,然后等待响应并针对特定器件发送地址命令。
4. 主机根据功能存储器映射发出带有地址的READ SCARTCHPAD-2,然后读取8 字节数据和1 字节CRC,以
确保其与前一步中写入的内容相同。
5. 主机发出总线复位信号,然后等待响应并针对特定器件发送地址命令。
6. 主机发出数据字节为A5h 的COPY SCRATCHPAD-2,将数据提交到用户EEPROM。
9.4.4.2 寄存器和存储器保护
TMP1827 为暂存区1 寄存器和存储器区域提供用户可配置的保护,如下所述。
9.4.4.2.1 暂存区1 寄存器保护
该器件为整个寄存器映射提供一次性写保护。除IO 配置外,所有可写寄存器均受写保护。要永久启用写保护,主
机控制器必须在器件配置 2 寄存器中设置 LOCK_EN 位,然后将寄存器复制到配置EEPROM。对配置 EEPROM
进行编程后,更改将是永久性和不可逆的。
此外,该器件还提供临时写保护机制。如果LOCK_EN 位未提交到配置EEPROM,则器件应禁止对寄存器暂存区
1 区域的任何写入,但 IO 配置寄存器除外,只要加电即可。如果器件通过 POR,则应清除 LOCK_EN 位以允许
主机更新寄存器暂存区1。
9.4.4.2.2 用户存储器保护
有关用户存储器保护的更多详细信息,请参阅TMP1827 安全编程指南。
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9.5 编程
TMP1827 有多种方法可供应用访问用于温度转换和 EEPROM 编程的器件功能。访问多个器件时,必须使用
MATCHADDR 命令以及 64 位器件地址。如果短地址已经过独特地编程,则主机可以使用 FLEXADDR 命令以及
8 位短地址。
以下各节介绍了正确访问器件功能时必须遵循的序列。
9.5.1 单器件温度转换和读取
表9-5 显示了主机MCU 在进行温度转换以及随后读取温度结果时必须执行的程序流。由于温度结果是寄存器暂存
区1 的前两个字节,因此主机可以选择在器件发送前两个字节后通过执行总线复位来停止读取。
表9-5. 单器件温度转换和读取暂存区1 序列
注释
主机到器件
复位
器件到主机
复位应答
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
SKIPADDR (CCh)
主机发送地址命令以选择所有器件
主机发送函数命令以开始温度转换
在温度转换期间,总线保持空闲状态(高电平)
CONVERTTEMP (44h)
tDELAY + tCONV 期间总线空
闲
复位
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
复位应答
SKIPADDR (CCh)
主机发送地址命令以选择所有器件
主机发送函数命令以读取寄存器暂存区1
READ SCRATCHPAD-1
(BEh)
TEMP_RESULT_L
TEMP_RESULT_H
STATUS_REG
FFh
器件发送温度结果LSB 寄存器
器件发送温度结果MSB 寄存器
(主机可选读取)器件发送状态寄存器
(主机可选读取)器件发送保留字节
CONFIG_REG1
CONFIG_REG2
SHORT_ADDR
FFh
(主机可选读取)器件发送配置1 寄存器
(主机可选读取)器件发送配置2 寄存器
(主机可选读取)器件发送短地址寄存器
(主机可选读取)器件发送保留字节
CRC
(主机可选读取)器件在前8 个字节中发送CRC
(主机可选读取)器件发送温度警报下限LSB 寄存器
(主机可选读取)器件发送温度警报下限MSB 寄存器
(主机可选读取)器件发送温度警报上限LSB 寄存器
(主机可选读取)器件发送温度警报上限MSB 寄存器
(主机可选读取)器件发送温度偏移LSB 寄存器
(主机可选读取)器件发送温度偏移MSB 寄存器
(主机可选读取)器件发送保留字节
TEMP_ALERT_LOW_L
TEMP_ALERT_LOW_H
TEMP_ALERT_HIGH_L
TEMP_ALERT_HIGH_H
TEMP_OFFSET_L
TEMP_OFFSET_H
FFh
FFh
(主机可选读取)器件发送保留字节
CRC
(主机可选读取)器件在最后8 个字节上发送CRC
9.5.2 多器件温度转换和读取
表 9-6 显示了主机 MCU 为多器件进行温度转换以及随后读取温度结果而必须执行的程序流。主机必须使用
MATCHADDR 命令或FLEXADDR 命令来寻址总线上的每个器件,因为这些器件不会对读取函数进行仲裁。
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表9-6. 多器件温度转换和读取暂存区1 序列
注释
主机到器件
复位
器件到主机
复位应答
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
SKIPADDR (CCh)
主机发送地址命令以选择所有器件
主机发送函数命令以开始温度转换
在温度转换期间,总线保持空闲状态(高电平)
CONVERTTEMP (44h)
tDELAY + tCONV 期间总线空
闲
复位
主机发送复位以初始化通信
复位应答
器件响应初始化
MATCHADDR (55h)
主机发送地址命令以选择特定器件
主机发送8 字节器件地址以选择器件1
主机发送函数命令以读取寄存器暂存区1
器件1 地址
READ SCRATCHPAD-1
(BEh)
TEMP_RESULT_L
TEMP_RESULT_H
器件1 发送温度结果LSB 寄存器
器件1 发送温度结果MSB 寄存器
主机发送复位以初始化通信
复位
复位应答
器件响应初始化
MATCHADDR (55h)
主机发送地址命令以选择特定器件
主机发送8 字节器件地址以选择器件2
主机发送函数命令以读取寄存器暂存区1
器件1 地址
READ SCRATCHPAD-1
(BEh)
TEMP_RESULT_L
TEMP_RESULT_H
器件2 发送温度结果LSB 寄存器
器件2 发送温度结果LSB 寄存器
9.5.3 寄存器暂存区1 更新和提交
表 9-7 显示了主机更新寄存器暂存区并提交到配置 EEPROM 时必须执行的序列。主机必须先读取暂存区,以确
保能够对寄存器执行正确的读取修改写入操作,然后再将这些寄存器复制到配置EEPROM 中。
如果主机只有一个器件,或者应用程序可以保证总线没有损坏,则可以使用 SKIPADDR 命令以相同的设置全局更
新并提交寄存器暂存区。但是,一旦提交和锁定,主机就无法再更新位置,因此 TI 强烈建议主机在运行提交操作
之前仍读取位置。
表9-7. 寄存器暂存区1 更新和编程配置EEPROM
主机到器件
复位
器件到主机
复位应答
注释
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
MATCHADDR (55h)
主机发送地址命令以选择特定器件
主机发送8 个字节用于选择器件1
主机发送函数命令以读取寄存器暂存区1
器件1 地址
READ SCRATCHPAD-1
(BEh)
16 个寄存器字节+ 2 个
CRC 字节
器件发送前8 个寄存器暂存区1 字节后跟CRC 字节,然后发送最后8 个寄存器暂
存区1 字节后跟CRC 字节
复位
复位应答
器件响应初始化
MATCHADDR (55h)
主机发送地址命令以选择特定器件
主机发送8 个字节用于选择器件1
主机发送函数命令以写入寄存器暂存区1
器件1 地址
WRITE SCRATCHPAD-1
(4Eh)
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表9-7. 寄存器暂存区1 更新和编程配置EEPROM (continued)
主机到器件
器件到主机
注释
9 个寄存器字节
主机发送更新后的9 个寄存器暂存区1 字节
器件发送寄存器字节的CRC
CRC
复位
主机发送复位以初始化通信
复位应答
器件响应初始化
MATCHADDR (55h)
主机发送地址命令以选择特定器件
主机发送8 个字节用于选择器件1
主机发送函数命令将COPY SCRATCHPAD-1 写入配置EEPROM
器件1 地址
COPY SCRATCHPAD-1
(48h)
寄存器在tPROG 期间总线
空闲
在配置EEPROM 擦除/编程期间,总线保持空闲状态(高电平)
9.5.4 单器件EEPROM 编程和验证
表 9-8 显示了主机更新 EEPROM 时必须执行的正确过程。与单个器件通信时,主机可以使用 SKIPADDR 命令。
但是,当与多个器件通信时,主机必须使用MATCHADDR 命令或FLEXADDR 命令来寻址正确的器件。主机首先
写入 EEPROM 暂存区,接着将其读回以验证内容,然后再将内容复制到用户 EEPROM。复制命令与限定符字节
A5h 一同发出,并且总线在 EEPROM 的擦除和编程期间保持空闲。主机应针对每 8 字节页重复该序列。对位置
进行编程后,主机可以使用起始地址来发出 READ EEPROM 函数,以读取所有字节。器件应读回页大小的字节
数,并在每页之后放置一个CRC 字节,以确保主机能够在较小的数据包中使用CRC 识别位损坏。
只要主机继续执行读操作,器件就应读回8 字节数据后跟CRC 字节。当器件到达EEPROM 块的末尾时,器件应
将所有1 返回主机。
表9-8. 单器件EEPROM 编程和验证序列
注释
主机到器件
复位
器件到主机
复位应答
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
SKIPADDR (CCh)
主机发送地址命令以选择所有器件
主机发送函数命令以写入暂存区2
WRITE SCRATCHPAD-2
(0Fh)
2 字节EEPROM 地址
主机发送2 字节EEPROM 地址,其中数据的写入顺序必须是MSB 在前、LSB 在
后。
8 字节数据
主机发送8 字节数据作为EEPROM 地址
器件发送地址和数据的CRC
CRC
复位
主机发送复位以初始化通信
复位应答
器件响应初始化
SKIPADDR (CCh)
主机发送地址命令以选择所有器件
主机发送函数命令以读取暂存区2 的内容
READ SCRATCHPAD-2
(AAh)
2 字节EEPROM 地址
主机发送2 字节EEPROM 地址,数据的写入顺序为MSB 在前、LSB 在后
器件发送来自暂存区2 的8 个字节
器件发送8 个字节的CRC
8 字节数据
CRC
复位
主机发送复位以初始化通信
复位应答
器件响应初始化
SKIPADDR (CCh)
主机发送地址命令以选择所有器件
主机发送函数命令将暂存区2 复制到EEPROM
COPY SCRATCHPAD-2
(55h)
A5h
主机发送EEPROM 编程的限定符字节
t
PROG 期间总线空闲
在EEPROM 编程期间,总线保持空闲状态(高电平)
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表9-8. 单器件EEPROM 编程和验证序列(continued)
主机到器件
复位
器件到主机
注释
主机发送复位以初始化通信
复位应答
器件响应初始化
SKIPADDR (CCh)
主机发送地址命令以选择所有器件
主机发送函数命令以读取EEPROM
主机向EEPROM 发送2 字节地址以读取数据
总线在读取期间保持在空闲状态(高电平)以预取数据
器件从EEPROM 地址发送8 个字节
器件发送8 个字节的CRC
READ EEPROM (F0h)
2 字节EEPROM 地址
t
READIDLE 期间总线空闲
8 字节数据
CRC
t
READIDLE 期间总线空闲
总线在读取期间保持在空闲状态(高电平)以预取数据
9.5.5 单器件EEPROM 页面锁定操作
如表9-8 中所示成功对器件EEPROM 进行编程后,主机应执行表9-9 中所示的序列,以对EEPROM 页面进行写
保护。
表9-9. 单器件EEPROM 页面锁定序列
注释
主机到器件
复位
器件到主机
复位应答
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
SKIPADDR (CCh)
主机发送地址命令以选择所有器件
主机发送函数命令以写入暂存区2
WRITE SCRATCHPAD-2
(0Fh)
80h
0Nh
55h
主机发送页面保护字节
主机发送要锁定的页码
主机发送锁定代码字节
CRC
器件发送CRC
复位
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
复位应答
SKIPADDR (CCh)
主机发送地址命令以选择所有器件
主机发送函数命令以读取暂存区2 的内容
READ SCRATCHPAD-2
(AAh)
80h
0Nh
主机发送页面保护字节
主机发送要锁定的页码
器件发送锁定代码字节
器件发送CRC
55h
CRC
复位
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
复位应答
SKIPADDR (CCh)
主机发送地址命令以选择所有器件
主机发送函数命令来锁定页面
COPY SCRATCHPAD-2
(55h)
A5h
主机发送EEPROM 编程的限定符字节
t
PROG 期间总线空闲
在EEPROM 编程期间,总线保持空闲状态(高电平)
9.5.6 多器件IO 读取
表9-10 显示了主机MCU 为读取器件IO 而必须执行的程序流。主机会选择要与之通信的器件并发出GPIO READ
函数,该器件返回 IO 读取寄存器值以及字节的 CRC。此时,该器件应再次对 IO 进行采样。如果主机在采样期间
发出总线复位信号,该器件应终止更新过程并保留最后一个采样值。如果主机继续,该器件应发回新的采样值。
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表9-10. 多器件GPIO 读取序列
注释
主机到器件
复位
器件到主机
复位应答
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
MATCHADDR (55h)
器件1 地址
主机发送地址命令以选择特定器件
主机发送8 字节器件地址以选择器件1
主机发送用于GPIO 读取的函数命令
器件对GPIO 进行采样并发送IO 读取寄存器数据
器件发送CRC
GPIO READ (F5h)
IO 读取寄存器
CRC
IO 读取寄存器
器件对GPIO 进行采样并发送IO 读取寄存器数据
器件发送CRC
CRC
复位
主机发送复位以初始化通信
复位应答
器件响应初始化
MATCHADDR (55h)
器件2 地址
主机发送地址命令以选择特定器件
主机发送8 字节器件地址以选择器件2
主机发送用于GPIO 读取的函数命令
器件对GPIO 进行采样并发送IO 读取寄存器数据
器件发送CRC
GPIO READ (F5h)
IO 读取寄存器
CRC
9.5.7 多器件IO 写入
表 9-11 显示了主机 MCU 为器件配置 IO 而必须执行的程序流。主机会选择要与之通信的器件并发出 GPIO
WRITE 函数。然后,主机应发送 IO 配置寄存器,后跟一个反相值,使器件能够检查是否存在任何总线传输错
误。如果主机接收到除 AAh 以外的任何返回代码,则必须发送总线复位来终止事务,并再次写入 IO 配置寄存
器。如果主机计划连续读取器件,则必须发送总线复位并启动GPIO READ 函数。
表9-11. 多器件GPIO 写入序列
注释
主机到器件
复位
器件到主机
复位应答
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
MATCHADDR (55h)
器件1 地址
主机发送地址命令以选择特定器件
主机发送8 字节器件地址以选择器件1
主机发送用于GPIO 写入的函数命令
主机发送IO 配置数据
GPIO WRITE (A5h)
IO 配置数据
IO 配置数据
主机发送反相IO 配置数据
返回代码
复位应答
器件返回AAh 表示写入成功,而FFh 表示错误
主机发送复位以初始化通信
器件响应初始化
复位
MATCHADDR (55h)
器件2 地址
主机发送地址命令以选择特定器件
主机发送8 字节器件地址以选择器件2
主机发送用于GPIO 写入的函数命令
主机发送IO 配置数据
GPIO WRITE (A5h)
IO 配置数据
IO 配置数据
主机发送反相IO 配置数据
返回代码
器件返回AAh 表示写入成功,而FFh 表示错误
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9.6 寄存器映射
表9-12. 寄存器映射
寄存器名称
暂存区1 字节
00h
类型
RO
复位
00h
00h
3xh
FFh
70h
80h
00h
FFh
00h
00h
F0h
07h
00h
00h
FFh
FFh
F0h
00h
寄存器说明
温度结果LSB 寄存器
温度结果MSB 寄存器
状态寄存器
章节
转到
转到
转到
TEMP_RESULT_L
01h
RO
TEMP_RESULT_H
STATUS_REG
02h
RO
03h
RO
保留
保留
04h
R/W
R/W
R/W
RO
CONFIG_REG1
器件配置1 寄存器
器件配置2 寄存器
短地址寄存器
转到
转到
转到
05h
CONFIG_REG2
SHORT_ADDR
06h
07h
保留
保留
08h
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
RO
TEMP_ALERT_LOW_L
温度警报下限LSB
温度警报下限MSB
温度警报上限LSB
温度警报上限MSB
温度偏移LSB 寄存器
温度偏移MSB 寄存器
保留
转到
转到
转到
转到
转到
转到
09h
TEMP_ALERT_LOW_H
TEMP_ALERT_HIGH_L
TEMP_ALERT_HIGH_H
TEMP_OFFSET_L
0Ah
0Bh
0Ch
0Dh
0Eh
TEMP_OFFSET_H
保留
0Fh
RO
保留
保留
RO
IO_READ
IO 读取寄存器
IO 配置寄存器
—
—
转到
转到
WO
IO_CONFIG
表9-13. 访问类型代码
访问类型
读取类型
R
代码
说明
R
读取
RC
R
C
读取
以清除
R-0
R
-0
读取
返回0
写入类型
W
W
写入
W0CP
W
0C
P
W
0 以清除
需要访问权限
复位或默认值
-n
复位后的值或默认值
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9.6.1 温度结果LSB 寄存器(暂存-1 偏移= 00h) [复位= 00h]
该寄存器是 16 位温度结果读取的一部分,用于存储最近一次转换输出的最低有效字节。上电后,寄存器在第一次
转换完成前的值为00h。
返回寄存器映射。
图9-25. 温度结果LSB 寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
TEMP_RESULT[7:0]
R-00h
表9-14. 温度结果LSB 寄存器字段说明
位
字段
TEMP_RESULT[7:0]
类型
复位
说明
7:0
R
00h
存储最近一次温度转换结果的LSB。
9.6.2 温度结果MSB 寄存器(暂存-1 偏移= 01h) [复位= 00h]
该寄存器是 16 位温度结果读取的一部分,用于存储最近一次转换输出的最高有效字节。上电后,寄存器在第一次
转换完成前的值为00h。
返回寄存器映射。
图9-26. 温度结果MSB 寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
TEMP_RESULT[15:8]
R-00h
表9-15. 温度结果MSB 寄存器字段说明
位
字段
TEMP_RESULT[15:8]
类型
复位
说明
7:0
R
00h
存储最近一次温度转换结果的MSB。
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9.6.3 状态寄存器(暂存-1 偏移= 02h) [复位= 3Ch]
该寄存器提供警报标志、数据就绪、功率模式、仲裁完成和器件锁定的状态。在器件配置 EEPROM 被应用锁定
后,锁定标志会被置位。仲裁完成标志在器件成功发送其器件地址后设置,仅在配置寄存器中的 ARB_MODE 位
清零时才清除。电源模式状态标志值是根据上电时检测到的器件所用的供电技术确定的,并在每次总线复位期间
进行更新。
警报标志在最新的转换结果可用后设置,并在主机应用程序读取状态寄存器时清除。在警报模式下,警报标志一
旦设置,便无法由器件清除,即使最后一次转换的结果在警报限值之间也是如此。
完成一次转换后,会设置数据就绪标志。当主机控制器读取状态寄存器时,它会自动清除。
返回寄存器映射。
图9-27. 状态寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
ALERT_HIGH
ALERT_LOW
DATA_READY POWER_MOD
E
ARB_DONE
LOCK_STATUS
保留
RC-0b
RC-0b
R-11b
RC-0b
R-xb
R-0b
R-0b
表9-16. 状态寄存器字段说明
位
字段
ALERT_HIGH
类型
复位
说明
7
R/RC
0b
警报上限状态标志
0b = 最后一个温度转换结果小于警报上限
1b = 最后一个温度转换结果大于或等于警报上限
当IO2 引脚配置为实现警报功能时,该引脚上的警报上限状态标
志可用
警报下限状态标志
6
ALERT_LOW
R/RC
0b
0b = 最后一个温度转换结果大于警报下限
1b = 最后一个温度转换结果小于或等于警报下限
当IO2 引脚配置为实现警报功能时,该引脚上的警报下限标志可
用
5:4
3
R
11b
0b
保留
保留
DATA_VALD
RC
数据有效状态标志
0b = 温度结果寄存器中无更新
1b = 温度结果寄存器在转换后更新
当主机控制器读取状态寄存器时,数据有效标志会自动清除
2
1
0
POWER_MODE
ARB_DONE
R
R
R
xb
0b
0b
器件电源模式标志。
0b = VDD 供电模式
1b = 总线供电模式
仲裁完成标志
0b = 仲裁未完成或未启用
1b = 仲裁已完成
LOCK_STATUS
锁定状态标志。
0b = 器件配置寄存器可以更新
1b = 器件配置寄存器无法更新
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9.6.4 器件配置-1 寄存器(暂存-1 偏移= 04h) [复位= 70h]
使用此寄存器配置器件功能,如温度数据格式、警报模式、平均值计算和转换类型(总线供电模式下的单次转
换、自动转换和堆叠转换以及 VDD 供电模式下的单次转换或连续转换)。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1
函数命令将更新后的设置存储到配置EEPROM 中。上电复位时,寄存器设置会自动从配置EEPROM 恢复。
返回寄存器映射。
图9-28. 器件配置1 寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
TEMP_FMT
CONV_TIME_S ALERT_MODE
EL
AVG_SEL
CONV_MODE_SEL[2:0]
保留
RW-0b
RW-1b
RW-1b
RW-1b
RW-0b
RW-000b
表9-17. 器件配置1 寄存器字段说明
位
字段
TEMP_FMT
类型
复位
说明
7
RW
0b
选择温度格式。
0b = 12 位传统格式
1b = 16 位高精度格式
6
5
RW
RW
1b
1b
保留
保留。主机必须始终将此位写为1b。
CONV_TIME_SEL
选择ADC 转换时间
0b = 3ms /
1b = 5.5ms
4
3
ALERT_MODE
AVG_SEL
RW
RW
RW
1b
警报引脚功能仅在VDD 供电模式下可用
0b = 警报引脚在警报模式工作
1b = 警报引脚在比较器模式下工作
0b
转换平均值计算选择
0b = 无平均值计算
1b = 8 个背靠背转换的平均值计算
2:0
CONV_MODE_SEL[2:0]
000b
转换模式选择位。
当器件处于总线供电模式时:
000b = 使用CONVERT TEMP 函数的默认单次转换模式
001b = 启用堆叠转换模式。启用后,使用短地址将实际转换开始
时间与转换请求时间错开。
010b = 启用自动温度转换模式
011b - 111b = 保留。未指定器件行为。
当器件处于VDD 供电模式时:
000b = 使用CONVERT TEMP 函数的默认单次转换模式
001b = 每8 秒进行一次转换
010b = 每4 秒进行一次转换
011b = 每2 秒进行一次转换
100b = 每1 秒进行一次转换
101b = 每0.5 秒进行一次转换
110b = 每0.25 秒进行一次转换
111b = 每0.125 秒进行一次转换
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9.6.5 器件配置-2 寄存器(暂存-1 偏移= 05h) [复位= 80h]
此寄存器用于配置过驱使能、灵活地址模式、地址发现期间的仲裁模式以及警报状态的迟滞。该寄存器可用于锁
定器件的可写寄存器。除FLEX_ADDR_MODE 之外的所有寄存器位都可以使用COPY SCRATCHPAD-1 函数命
令存储在配置EEPROM 中,并可在上电复位时恢复。
备注
1. 设置锁定使能位时,应用必须发送所有暂存区1 数据字节,并从器件读取CRC,然后过驱位的更
改才会生效。
2. 当选择FLEX_ADDR_MODE 来解码电阻或IO 引脚时,在发送器件配置2 寄存器字节后,总线必
须在tRESDET 内进入空闲状态。
返回寄存器映射。
图9-29. 器件配置2 寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
OD_EN
RO-1b
FLEX_ADDR_MODE[1:0]
RW-00b
ARB_MODE[1:0]
HYSTERESIS[1:0]
RW-00b
LOCK_EN
RW-0b
RW-00b
表9-18. 器件配置2 寄存器字段说明
位
字段
类型
复位
说明
7
OD_EN
RO
1b
过驱模式使能
0b = 禁用过驱速度
1b = 启用过驱速度
设置该位后不能通过主机写入来清除,并且只能通过标准速度复
位信号自动清除。
6:5
4:3
FLEX_ADDR_MODE[1:0]
RW
RW
00b
00b
灵活的地址模式选择。
00b = 短地址寄存器由主机更新
01b = 短地址寄存器由IO 引脚解码更新
10b = 短地址寄存器由电阻器解码更新
11b = 短地址寄存器由合并的IO 和电阻器地址解码更新
仅当检测到位设置发生变化时,灵活的地址模式选择才会生效。
ARB_MODE[1:0]
仲裁模式
00b = 禁用器件仲裁
01b = 保留
10bh = 在软件兼容模式下启用器件仲裁
11b = 启用快速仲裁模式
仅当地址命令为SEARCHADDR 时,仲裁功能才适用。其他命令
和函数不受ARB_MODE 位的影响。
2:1
HYSTERESIS[1:0]
LOCK_EN
RW
RW
00b
0b
警报迟滞选择
00b = 5°C 迟滞
01b = 10°C 迟滞
10b = 15°C 迟滞
11b = 20°C 迟滞
0
寄存器保护使能位
0b = 禁用寄存器保护
1b = 启用寄存器保护。
设置此位时,无法通过写入暂存区1 来清除该位,从而解锁寄存
器保护。启用该功能后,可防止应用写入温度偏移、温度警报下
限、温度警报上限、短地址和器件配置寄存器。
见上文注1。
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9.6.6 短地址寄存器(暂存-1 偏移= 06h) [复位= 00h]
该寄存器用于对器件的短地址进行编程。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到
配置 EEPROM 中。上电复位时,寄存器设置会自动从配置 EEPROM 恢复。如灵活器件地址 所述,特定的短地
址解码值会叠加在解码后恢复到短地址寄存器的非易失性存储器内容上。
当 FLEX_ADDR_MODE 位的值为“00b”时,主机可以更新短地址寄存器。当 FLEX_ADDR_MODE 位不是
“00b”时,对寄存器的任何写入都应被器件忽略。
返回寄存器映射。
图9-30. 短地址寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
SHORT_ADDRESS[7:0]
RW-00h
表9-19. 短地址寄存器字段说明
位
字段
SHORT_ADDRESS[7:0]
类型
复位
说明
7:0
RW
00h
存储器件的短地址,可用于在不发送64 位唯一器件地址的情况
下访问器件。在堆叠转换模式中,短地址也用于错开有源转换。
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9.6.7 温度警报低LSB 寄存器(暂存-1 偏移= 08h) [复位= 00h]
该寄存器为低温警报阈值提供 LSB,以便与最新的温度转换结果进行比较。首次上电时的寄存器具有以旧格式设
置的警报阈值。如果格式发生变化,则应用程序必须以新格式更新寄存器。如果最新的温度转换结果小于设定的
阈值,则器件应更新状态寄存器中的警报下限状态标志,在 ALERTSEARCH 命令期间用为警报标记的状态位进
行响应,并在器件处于VDD 供电模式时将警报引脚设置为低电平。
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置
EEPROM 中。上电复位时,寄存器设置会自动从配置EEPROM 恢复。
返回寄存器映射。
图9-31. 温度警报下限LSB 寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
ALERT_LOW[7:0]
RW-00h
表9-20. 温度警报下限LSB 寄存器字段说明
位
字段
ALERT_LOW[7:0]
类型
复位
说明
7:0
RW
00h
存储警报下限的LSB,以便与最后一个温度转换结果进行比较
9.6.8 温度警报低MSB 寄存器(暂存-1 偏移= 09h) [复位= 00h]
该寄存器为低温警报阈值提供 MSB,以便与最新的温度转换结果进行比较。首次上电时的寄存器具有以旧格式设
置的警报阈值。如果格式发生变化,则应用程序必须以新格式更新寄存器。如果最新的温度转换结果小于设定的
阈值,则器件应更新状态寄存器中的警报下限状态标志,在 ALERTSEARCH 命令期间用为警报标记的状态位进
行响应,并在器件处于VDD 供电模式时将警报引脚设置为低电平。
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置
EEPROM 中。上电复位时,寄存器设置会自动从配置EEPROM 恢复。
返回寄存器映射。
表9-21. 温度警报下限MSB 寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
ALERT_LOW[15:8]
RW-00h
表9-22. 温度警报下限MSB 寄存器字段说明
位
字段
ALERT_LOW[15:8]
类型
复位
说明
7:0
RW
00h
存储警报下限的MSB,以便与最后一个温度转换结果进行比较
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9.6.9 温度警报高LSB 寄存器(暂存-1 偏移= 0Ah) [复位= F0h]
该寄存器为高温警报阈值提供 LSB,以便与最新的温度转换结果进行比较。首次上电时的寄存器具有以旧格式设
置的警报阈值。如果格式发生变化,则应用程序必须以新格式更新寄存器。如果最新的温度转换结果大于设定的
阈值,则器件应更新状态寄存器中的警报上限状态标志,在 ALERTSEARCH 命令期间用为警报标记的状态位进
行响应,并在器件处于VDD 供电模式时将警报引脚设置为低电平。
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置
EEPROM 中。上电复位时,寄存器设置会自动从配置EEPROM 恢复。
返回寄存器映射。
图9-32. 温度警报上限LSB 寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
ALERT_HIGH[7:0]
RW-F0h
表9-23. 温度警报上限LSB 寄存器字段说明
位
字段
ALERT_HIGH[7:0]
类型
复位
说明
7:0
RW
F0h
存储警报上限的LSB,以便与最后一个温度转换结果进行比较
9.6.10 温度警报高MSB 寄存器(暂存-1 偏移= 0Bh) [复位= 07h]
该寄存器为高温警报阈值提供 MSB,以便与最新的温度转换结果进行比较。首次上电时的寄存器具有以旧格式设
置的警报阈值。如果格式发生变化,则应用程序必须以新格式更新寄存器。如果最新的温度转换结果大于设定的
阈值,则器件应更新状态寄存器中的警报上限状态标志,在 ALERTSEARCH 命令期间用为警报标记的状态位进
行响应,并在器件处于VDD 供电模式时将警报引脚设置为低电平。
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置
EEPROM 中。上电复位时,寄存器设置会自动从配置EEPROM 恢复。
返回寄存器映射。
图9-33. 温度警报上限MSB 寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
ALERT_HIGH[15:8]
RW-07h
表9-24. 温度警报上限MSB 寄存器字段说明
位
字段
ALERT_HIGH[15:8]
类型
复位
说明
7:0
RW
07h
存储警报上限的MSB,以便与最后一个温度转换结果进行比较
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9.6.11 温度偏移LSB 寄存器(暂存-1 偏移= 0Ch) [复位= 00h]
该寄存器用于存储温度传感器偏移校准的 LSB。首次上电时的寄存器以旧格式设置温度偏移。如果格式发生变
化,则应用程序必须以新格式更新寄存器。每次温度转换后,偏移校准都会自动应用于温度结果,然后存储在
TEMP_RESULT_L 和TEMP_RESULT_H 寄存器中。
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置
EEPROM 中。上电复位时,寄存器设置会自动从配置EEPROM 恢复。
返回寄存器映射。
图9-34. 温度偏移LSB 寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
TEMP_OFFSET_L[7:0]
RW-00h
表9-25. 温度偏移LSB 寄存器字段说明
位
字段
TEMP_OFFSET_L[7:0]
类型
复位
说明
7:0
RW
00h
存储温度结果的偏移校正LSB
9.6.12 温度偏移MSB 寄存器(暂存-1 偏移= 0Dh) [复位= 00h]
该寄存器用于存储温度传感器偏移校准的 MSB。首次上电时的寄存器以旧格式设置温度偏移。如果格式发生变
化,则应用程序必须以新格式更新寄存器。每次温度转换后,偏移校准都会自动应用于温度结果,然后存储在
TEMP_RESULT_L 和TEMP_RESULT_H 寄存器中并与限值寄存器进行比较。
寄存器的出厂状态格式是旧模式。主机可以使用 COPY SCRATCHPAD-1 函数命令将更新后的设置存储到配置
EEPROM 中。上电复位时,寄存器设置会自动从配置EEPROM 恢复。
返回寄存器映射。
图9-35. 温度偏移MSB 寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
TEMP_OFFSET_H[15:8]
RW-00h
表9-26. 温度偏移MSB 寄存器字段说明
位
字段
TEMP_OFFSET_H[15:8]
类型
复位
说明
7:0
RW
00h
存储温度结果的偏移校正MSB
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9.6.13 IO 读取寄存器[复位= F0h]
该寄存器用于读取 IO0 至IO3 引脚的状态。当主机发出 GPIO READ 函数时,寄存器值会更新。当IO2 配置为用
作警报引脚时,它会提供警报引脚的状态。
返回寄存器映射。
图9-36. IO 读取寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
nIO3_STATE
R-1b
nIO2_STATE
R-1b
nIO1_STATE
R-1b
nIO0_STATE
R-1b
IO3_STATE
R-0b
IO2_STATE
R-0b
IO1_STATE
R-0b
IO0_STATE
R-0b
表9-27. IO 读取寄存器字段说明
位
字段
nIO3_STATE
类型
复位
说明
7
R
1b
当配置为数字输入或输出时,读取IO3 引脚的反相值
当配置为数字输入或输出时,读取IO2 引脚的反相值
当配置为数字输入或输出时,读取IO1 引脚的反相值
当配置为数字输入或输出时,读取IO0 引脚的反相值
当配置为数字输入或输出时,读取IO3 引脚的值
当配置为数字输入或输出时,读取IO2 引脚的值
当配置为数字输入或输出时,读取IO1 引脚的值
当配置为数字输入或输出时,读取IO0 引脚的值
6
5
4
3
2
1
0
nIO2_STATE
nIO1_STATE
nIO0_STATE
IO3_STATE
IO2_STATE
IO1_STATE
IO0_STATE
R
R
R
R
R
R
R
1b
1b
1b
0b
0b
0b
0b
9.6.14 IO 配置寄存器[复位= 00h]
该寄存器用于为器件上标有 IO0-IO3 的引脚选择IO 功能。当选择用作数字开漏输出时,该引脚应能够在外部驱动
0 或1 来控制IO0 至IO3 引脚上的开漏输出。在总线供电模式下,不得将连接到 SDQ 并用于短地址的 IO 配置为
输出,因为这可能会导致SDQ 线路驱动为低电平。TI 强烈建议在IO 引脚和SDQ 之间使用一个20KΩ 电阻器。
返回寄存器映射。
图9-37. IO 配置寄存器
7
6
5
4
3
2
1
0
IO3_SEL[1:0]
WO-00b
IO2_SEL[1:0]
WO-00b
IO1_SEL[1:0]
WO-00b
IO0_SEL[1:0]
WO-00b
表9-28. IO 配置寄存器字段说明
位
字段
类型
复位
说明
7:6
IO3_SEL[1:0]
IO2_SEL[1:0]
IO1_SEL[1:0]
WO
00b
选择IO 的功能
00b = IO3 配置为输入缓冲区且可读取
01b = 保留
10b = IO3 配置为开漏模式中的输出且IO 驱动为“0”
11b = IO3 配置为开漏模式中的输出且IO 驱动为高阻态
5:4
3:2
WO
WO
00b
00b
选择IO 的功能
00b = IO2 配置为输入缓冲区且可读取
01b = IO2 配置为开漏低电平有效警报
10b = IO2 配置为开漏模式中的输出且IO 驱动为“0”
11b = IO2 配置为开漏模式中的输出且IO 驱动为高阻态
选择IO 的功能
00b = IO1 配置为输入缓冲区且可读取
01b = 保留
10b = IO1 配置为开漏模式中的输出且IO 驱动为“0”
11b = IO1 配置为开漏模式中的输出且IO 驱动为高阻态
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表9-28. IO 配置寄存器字段说明(continued)
位
字段
IO0_SEL[1:0]
类型
复位
说明
1:0
WO
00b
选择IO 的功能
00b = IO0 配置为输入缓冲区且可读取
01b = 保留
10b = IO0 配置为开漏模式中的输出且IO 驱动为“0”
11b = IO0 配置为开漏模式中的输出且IO 驱动为高阻态
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10 应用和实施
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围,TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计,以确保系统功能。
10.1 应用信息
TMP1827 可在电源供电或总线供电模式下作为 1-Wire 半双工总线运行。TMP1827 配备一个具有集成 2Kb 用户
EEPROM 和 SHA-256-HMAC 身份验证的热传感器,适用于因空间受限而需要识别较少元件数量的应用。该器件
还具有集成CRC,可用于确保通信期间的数据完整性。
总线供电模式为那些没有专门电源引脚的应用而设计,并可降低布线成本。由于热转换和 EEPROM 操作期间的
器件电流消耗很低,器件可能不需要低阻抗电流路径,因此无需额外的 FET 或负载开关和电流限制电阻器来绕过
总线上拉电阻。必须正确选择在总线供电模式下使用的上拉电阻的大小,确保在热转换和 EEPROM 操作期间能
够提供足够的电流,并且输入引脚电压不会下降至低于VIH(MIN)
。
此外,如果主机在总线供电模式下运行时必须复位器件,则主机必须将通信线路拉至低电平,至少持续50ms。这
样可让器件的内部电容器放电,并使器件做好上电复位的准备。
10.2 典型应用
10.2.1 总线供电应用
5.0 V
VDD
3.0 kΩ
Temperature
Source
MCU
GPIO
SDQ TMP1827
GND
GND
图10-1. 总线供电应用
10.2.1.1 设计要求
对于该设计示例,请使用下面列出的参数:
表10-1. 设计参数
参数
值
电源模式
总线供电(VDD 引脚连接至GND)
5.0V
电源(VDD
)
上拉电阻范围(RPUR
)
1.2kΩ 至3.33kΩ
10.2.1.2 详细设计过程
为了减少导线数,TMP1827 的总线供电模式是主要运行模式。器件的 VDD 引脚必须连接到 GND,器件的 SDQ
引脚必须通过上拉电阻连接到主机GPIO。
要计算上拉电阻范围,请将VPUR、VOL(MAX)、VIH(MIN) 和IPU(MIN) 的值代入方程式2,其中VPUR > 2.0V。
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5.0 − 0.4
−3
5.0 − 4.0
< R
<
(3)
(4)
PUR
−6
4 × 10
300 × 10
1.15 kΩ < R
< 3.33 kΩ
PUR
然后,可以根据通信速度和总线或电缆寄生电容来调整上拉电阻的实际值。
当激活 VDD 时,TMP1827 通过上拉电阻汲取电流,为其内部电容器充电。当内部电容器充电至上拉电压时,主
机可以开始通信。当主机将其GPIO 置于高阻抗状态时,总线空闲状态为高电平,由上拉电阻维持此状态。
当 SDQ 引脚为低电平时,TMP1827 使用存储的电荷运行,并测量低电平周期以解码主机发送的总线复位、逻辑
高电平和逻辑低电平。同样,当主机从 TMP1827 读取数据时,它会将总线的状态从高电平变为低电平,并释放
总线。根据器件必须发送逻辑低电平还是逻辑高电平,器件应将总线保持在低电平或立即释放总线。
10.2.2 电源供电类应用
1.8 V
0.1 µF
VDD
5.1 kΩ
Temperature
Source
MCU
GPIO
SDQ TMP1827
GND
GND
图10-2. 电源供电类应用
10.2.2.1 设计要求
对于该设计示例,请使用下面列出的参数:
表10-2. 设计参数
参数
值
电源模式
VDD 供电
1.8V
电源(VDD
)
上拉电阻(RPUR
)
5.1kΩ
10.2.2.2 详细设计过程
电源供电模式使用与主机和上拉电阻连接到同一电源轨的 VDD 引脚。TI 建议在靠近 TMP1827 VDD 引脚的位置放
置一个0.1µF 旁路电容器。
值为 5.1kΩ 的上拉电阻足够大,能够以标准速度提供适当的通信,并可在器件向主机发送数据时避免超过 VOL。
用户可以根据总线的总负载和应用工作要求更改该值。
电源供电模式的通信协议与总线供电模式的通信协议相同,这样就可以重复使用整个软件栈。因为这种工作模式
提供连续转换和警报功能,所以它对板载热检测应用非常有用。
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10.2.3 UART 通信接口
3.3 V
VDD
SDQ TMP1827
GND
2.2 kΩ
SN74LVC1G07
Temperature
Source
MCU UART.TX
GND UART.RX
Op onal series
resistor
图10-3. 使用UART 进行连接TMP1827
10.2.3.1 设计要求
对于该设计示例,请使用下面列出的参数:
表10-3. 设计参数
参数
值
电源模式
总线供电
3.3V
电源(VDD
)
上拉电阻范围(RPUR
)
750Ω 至2.2kΩ
10.2.3.2 详细设计过程
如果由于任何原因而导致无法使用 GPIO 进行通信,也可以使用大多数主机控制器上提供的 UART 外设与
TMP1827 连接。UART 是一种推挽式全双工总线,为了与 TMP1827 连接,它需要一个具有开漏驱动器的缓冲
器,如SN74LVC1G07。
缓冲器的输入连接到 UART 发送引脚,缓冲器的输出连接到 TMP1827 上的 SDQ 引脚。缓冲器的输出也连接到
主机上的 UART 接收引脚。由于输出为漏极开路,它需要一个上拉电阻,其阻值可通过方程式 2 计算得出,其中
VPUR > 2.0V。代入以下值:VPUR = 3.3V,VOL(MAX) = 0.4V,VIH(MIN) = 2.64V 和 IPU(MIN) = 300µA,所选的 RPUR
值必须大于725Ω 且小于2.2kΩ。
在软件中,应用必须调整其波特率,以便通过发送 00h 来将总线复位发送到器件。UART 帧的起始位始终为 0,
为发送到TMP1827 的数据提供所需的下降沿。当向器件发送逻辑高电平时,UART 应向TMP1827 发送FFh,而
在向器件发送逻辑低电平时,UART 应发送 C0h。由于 UART 是全双工总线,主机在进行发送操作期间,必须清
除其接收缓冲区。
当从 TMP1827 接收数据时,主机应发送 FFh,当发送逻辑高电平时,器件将检测并释放总线,而当发送逻辑低
电平时,器件将检测总线并使总线保持低电平。因此,根据配置的波特率,主机应在逻辑高电平时收到 FFh,在
逻辑低电平时收到F0h。
10.3 电源相关建议
在 VDD 供电和总线供电模式下,TMP1827 的工作电源电压范围为 1.7V 至 5.5V。在 VDD 供电模式下运行时,需
要一个电源旁路电容器来实现精度和稳定性。将此电源旁路电容器尽可能靠近器件的电源和接地引脚放置。电源
旁路电容器的容值通常为0.1µF。采用高噪声或高阻抗电源的应用可能需要更大的旁路电容器来抑制电源噪声。
在总线供电模式下,VDD 引脚必须接地。器件中的内部电容器足以在总线通信期间供电。在恢复期间,内部电容
器通过外部上拉电阻充电。在总线长度较长或温度较高的情况下,主机可能需要提供额外的总线恢复时间或使用
过驱速度,在这种速度下器件使用的内部电容器电荷较少。
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当使用IO 引脚控制外部电路时,请注意流向这些引脚的电流不会使器件发热,也不会使温度测量值偏移。
10.4 布局
10.4.1 布局指南
处于电源供电模式时,电源旁路电容器的位置应尽可能靠近电源引脚和接地引脚(请参阅图 10-4)。电容器的建
议值是0.1µF。开漏SDQ 引脚需要一个外部上拉电阻,该电阻器不得高于RPUR。
在总线供电模式下,开漏SDQ 引脚只需要外部上拉电阻。如图10-5 所示,TI 建议在将IO 连接到SDQ 引脚时放
置一个 20KΩ 的上拉电阻,防止在 IO 配置为输出并驱动为低电平时 SDQ 短接至 GND(请参阅图 10-6)。
ADDR 引脚电阻器使用极低的电流来解码短地址,如果可能,应将其放置在靠近器件的位置。请注意避免漏电
流,防止错误解码。
10.4.2 布局示例
It is a good prac ce
to have a bypass
capacitor on supply
SDQ trace routed on the bo om layer
to simplify rou ng and component
placement on the top layer
图10-4. VDD 供电布局示例
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V
DD pin must be connected to ground
Pull up resistor required on
the SDQ bus to provide
power when bus is idle
to ensure device powers up in bus-
powered mode and mi gate system
EMI issues.
It is generally best
prac ce to solder the
package thermal pad
to ground.
图10-5. 总线供电布局示例
Device short
address of 00h
IO0,IO1,IO2,IO3
connected to GND
Op onal resistor of
20 k
Device short address of 01h
IO0 connected to SDQ and
IO1,IO2,IO3 connected to GND
图10-6. 总线供电模式下的IO 硬件地址
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11 器件和文档支持
11.1 文档支持
11.1.1 相关文档
请参阅如下相关文档:
• 德州仪器(TI),TMP1827 EVM 用户指南
• 德州仪器(TI),TMP1827 安全编程指南
11.2 接收文档更新通知
要接收文档更新通知,请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册,即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息,请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
11.3 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料,可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范,并且不一定反映 TI 的观点;请参阅
TI 的《使用条款》。
11.4 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
1-Wire® is a registered trademark of Maxim Integrated Products Inc.
所有商标均为其各自所有者的财产。
11.5 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序,可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级,大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏,这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
11.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
12 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更,恕不另行通知,且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本,请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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29-Jun-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
TMP1827NGRR
TMP1827NNGRR
ACTIVE
ACTIVE
WSON
WSON
NGR
NGR
8
8
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
NIPDAUAG
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
-55 to 150
-55 to 150
T1827
35DP
Samples
Samples
NIPDAUAG
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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29-Jun-2023
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
30-Jun-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
TMP1827NGRR
TMP1827NNGRR
WSON
WSON
NGR
NGR
8
8
3000
3000
178.0
178.0
8.4
8.4
2.75
2.75
2.75
2.75
0.95
0.95
4.0
4.0
8.0
8.0
Q2
Q2
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
30-Jun-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
TMP1827NGRR
TMP1827NNGRR
WSON
WSON
NGR
NGR
8
8
3000
3000
205.0
205.0
200.0
200.0
33.0
33.0
Pack Materials-Page 2
GENERIC PACKAGE VIEW
NGR 8
2.5 x 2.5, 0.5 mm pitch
WSON - 0.8 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
This image is a representation of the package family, actual package may vary.
Refer to the product data sheet for package details.
4227146/A
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
NGR0008C
WSON - 0.8 mm max height
SCALE 5.000
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
2.6
2.4
A
B
PIN 1 INDEX AREA
2.6
2.4
C
0.8
0.7
SEATING PLANE
0.05
0.00
0.08 C
0.88 0.1
SYMM
(0.2) TYP
EXPOSED
THERMAL PAD
4
5
2X
1.5
SYMM
9
1.85 0.1
6X 0.5
8
1
0.3
8X
0.2
PIN 1 ID
0.5
0.3
0.1
C A B
C
8X
0.05
4227008/D 03/2022
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
NGR0008C
WSON - 0.8 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
(0.88)
SYMM
8X (0.6)
1
8
8X (0.25)
SYMM
(1.85)
9
6X (0.5)
(R0.05) TYP
5
4
(2.3)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:30X
0.07 MIN
ALL AROUND
0.07 MAX
ALL AROUND
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
SOLDER MASK
OPENING
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4227008/D 03/2022
NOTES: (continued)
4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
5. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If any vias are implemented, refer to their locations shown
on this view. It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
NGR0008C
WSON - 0.8 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
(0.85)
METAL
TYP
SYMM
8X (0.6)
1
8
8X (0.25)
9
SYMM
(1.67)
6X (0.5)
(R0.05) TYP
5
4
(2.3)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
EXPOSED PAD 9:
87% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA UNDER PACKAGE
SCALE:30X
4227008/D 03/2022
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
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相关型号:
TMP1919-60
TMP1919-60Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA
TMP1940CYAF
IC 32-BIT, MROM, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100, 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, MicrocontrollerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA
TMP1940FDBF
IC 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100, 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, MicrocontrollerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA
TMP1941AF
32-Bit TX System RISCWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA
TMP1942CXBG
IC 32-BIT, MROM, RISC MICROCONTROLLER, PBGA177, 13 X 13 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.8 MM PITCH, CSP-177, MicrocontrollerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA
TMP1942CYUE
32bit TX System RISC TX19 familyWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA
TMP1942CZUE
32bit TX System RISCWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA
TMP1942FDU
32bit TX System RISCWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA
TMP1942FDUE
IC RISC MICROCONTROLLER, MicrocontrollerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA
TMP1942FDXBG
IC 32-BIT, MROM, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA177, 13 X 13 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.8 MM PITCH, CSP-177, MicrocontrollerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TOSHIBA
TMP1942XBG
32bit TX System RISCWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TOSHIBA
TMP1962C10AXB
IC 32-BIT, 40.5 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA281, 13 X 13 MM, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-281, MicroprocessorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TOSHIBA
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