TMUX6201RQXR [TI]

36-V, latch-up immune, 1:1 (SPST) 1 channel precision switch with 1.8V Logic (Active High) | RQX | 8 | -40 to 125;
TMUX6201RQXR
型号: TMUX6201RQXR
厂家: TEXAS INSTRUMENTS    TEXAS INSTRUMENTS
描述:

36-V, latch-up immune, 1:1 (SPST) 1 channel precision switch with 1.8V Logic (Active High) | RQX | 8 | -40 to 125

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TMUX6201, TMUX6202  
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TMUX620x 1.8V 逻辑电平36VRON1:1 (SPST)、单通道精密开关  
1 特性  
3 说明  
• 双电源电压范围±4.5V ±18V  
• 单电源电压范围4.5 V 36 V  
• 低导通电阻1.2Ω  
• 低电荷注入-10 pC  
• –40°C +125°C 工作温度  
逻辑引脚上带有集成下拉电阻器  
1.8V 逻辑电平  
失效防护逻辑  
TMUX620x 是一款互补金属氧化物半导体 (CMOS),  
采用单通道 1:1 (SPST) 置。该器件采用单电源  
4.5V 36V、双电源±4.5V ±18V或不对称  
电源VDD = 12VVSS = 5V作。  
TMUX620x 可在源极 (S) 和漏极 (D) 引脚上支持从  
VSS VDD 范围的双向模拟和数字信号。  
可以通过控制 SEL 引脚来启用或禁用 TMUX620x。当  
禁用时两个信号路径开关都被关闭。所有逻辑控制输  
入均支持 1.8V VDD 的逻辑电平当器件在有效电源  
电压范围内运行时TTL CMOS 逻辑兼容。失  
效防护逻辑电路允许先在控制引脚上施加电压然后在  
电源引脚上施加电压从而保护器件免受潜在的损害。  
轨到轨运行  
双向信号路径  
• 先断后合开关  
2 应用  
光纤网络  
光学测试设备  
有线网络  
工厂自动化和工业控制  
可编程逻辑控制(PLC)  
半导体测试  
超声波扫描仪  
患者监护和诊断  
远程无线电单元  
数据采集系统  
封装信息(1)(2)  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
TMUX6201  
封装  
DGKVSSOP83.00mm × 3.00mm  
RQXWQFN83.00mm × 2.00mm  
TMUX6202  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的封装选项附录。  
(2) 请参阅器件比较表。  
VDD  
VSS  
VDD  
VSS  
SW  
SW  
S
D
S
D
SEL  
SEL  
TMUX6201  
TMUX6202  
(SELx = Logic 1)  
(SELx = Logic 1)  
方框图  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
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内容  
1 特性................................................................................... 1  
2 应用................................................................................... 1  
3 说明................................................................................... 1  
4 修订历史记录.....................................................................2  
5 器件比较表.........................................................................3  
6 引脚配置和功能................................................................. 4  
7 规格................................................................................... 5  
7.1 绝对最大额定值...........................................................5  
7.2 ESD 等级.................................................................... 5  
7.3 热性能信息..................................................................6  
7.4 建议运行条件.............................................................. 6  
7.5 源极或漏极持续电流....................................................6  
7.6 ±15V 双电源电气特.............................................7  
7.7 ±15V 双电源开关特.............................................8  
7.8 36V 单电源电气特...............................................9  
7.9 36V 单电源开关特.............................................10  
7.10 12V 单电源电气特...........................................11  
7.11 12V 单电源开关特...........................................12  
7.12 ±5V 双电源电气特...........................................13  
7.13 ±5V 双电源开关特...........................................14  
7.14 典型特性..................................................................15  
8 参数测量信息...................................................................20  
8.1 导通电阻....................................................................20  
8.2 关断漏电流................................................................20  
8.3 导通泄漏电流............................................................ 21  
8.4 tON tOFF 时间.........................................................21  
8.5 tON (VDD) 时间.............................................................22  
8.6 传播延迟....................................................................22  
8.7 电荷注入....................................................................23  
8.8 关断隔离....................................................................23  
8.9 带宽...........................................................................24  
8.10 THD + 噪声............................................................. 24  
8.11 电源抑制(PSRR).................................................25  
9 详细说明.......................................................................... 25  
9.1 概述...........................................................................25  
9.2 功能方框图................................................................25  
9.3 特性说明....................................................................26  
9.4 器件功能模式............................................................ 28  
9.5 真值表....................................................................... 28  
10 应用和实施.....................................................................29  
10.1 应用信息..................................................................29  
10.2 典型应用..................................................................29  
10.3 电源相关建议.......................................................... 31  
10.4 布局.........................................................................31  
11 器件和文档支持..............................................................33  
11.1 文档支持..................................................................33  
11.2 接收文档更新通知................................................... 33  
11.3 支持资源..................................................................33  
11.4 商标.........................................................................33  
11.5 静电放电警告...........................................................33  
11.6 术语表..................................................................... 33  
12 机械、封装和可订购信息...............................................33  
4 修订历史记录  
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Changes from Revision * (November 2022) to Revision A (March 2023)  
Page  
• 将数据表的状态从预告信息 更改为量产数据 .....................................................................................................1  
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5 器件比较表  
产品  
说明  
TMUX6201  
1:1 单通道多路复用器高电平有效  
1:1 单通道多路复用器低电平有效  
TMUX6202  
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6 引脚配置和功能  
S
NC  
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
NC  
1
2
3
4
8
7
6
5
D
VSS  
SEL  
NC  
Thermal  
Pad  
VSS  
SEL  
NC  
GND  
VDD  
GND  
VDD  
Not to scale  
Not to scale  
6-2. RQX 封装8 WSON顶视图)  
6-1. DGK 封装8 VSSOP顶视图)  
6-1. 引脚功能  
引脚  
DGK  
1
类型(1)  
说明(2)  
RQX  
名称  
S
1
2
3
I/O  
NC  
P
源极引脚可以是输入或输出。  
NC  
2
无连接。无内部连接。  
GND  
VDD  
3
4
(0V) 基准  
正电源。该引脚是正电源电势最高的引脚。为了可靠运行VDD GND 之间连接一个  
0.1µF 10µF 的去耦电容器。  
4
P
NC  
5
6
5
6
NC  
I
无连接。无内部连接。  
SEL  
逻辑控制输入具有内部下拉电阻。有关开关连接控制的信息请参阅9.5。  
负电源。该引脚是负电源电势最高的引脚。在单电源应用中该引脚可以接地。为了可靠运  
VSS GND 之间连接一0.1µF 10µF 的去耦电容器。  
VSS  
7
8
7
8
P
D
I/O  
漏极引脚。可以是输入或输出。  
内部未连接散热焊盘。无需焊接此焊盘如果已连接建议将焊盘保持悬空或连接GND  
散热焊盘  
(1) I = 输入O = 输出I/O = 输入或输出P = 电源NC = 无连接。  
(2) 有关如何处理未使用的引脚的信息请参阅9.4。  
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7 规格  
7.1 绝对最大额定值  
在自然通风条件下的工作温度范围内除非另有说明(1) (2)  
最小值  
最大值  
单位  
38  
V
VDD VSS  
VDD  
VSS  
38  
V
V
电源电压  
0.5  
-38  
0.5  
38  
30  
V
V
SEL VEN  
逻辑控制输入引脚电(SELx)  
逻辑控制输入引脚电(SELx)  
源极或漏极电压SxDx)  
二极管钳位电流(3)  
0.5  
mA  
V
I
SEL IEN  
30  
VDD+0.5  
30  
VS VD  
VSS0.5  
30  
IIK  
mA  
mA  
°C  
°C  
°C  
IDC + 10%(4)  
150  
IS ID (CONT)  
源极或漏极连续电流SxDx)  
环境温度  
TA  
-55  
Tstg  
TJ  
150  
65  
贮存温度  
150  
结温  
(1) 超出绝对最大额定运行可能会对器件造成损坏。绝对最大额定并不表示器件在这些条件下或在绝对最大额定以外的任何其他条  
件下能够正常运行。如果在绝对最大额定之外但又在绝对最大额定范围内使用器件可能不会完全正常运行这可能会影响器件的  
可靠性、功能性和性能并缩短器件的寿命。  
(2) 除非另有说明否则所有电压均以接地为基准。  
(3) 引脚被二极管钳制至电源轨。过压信号的电压和电流必须限制在最大额定值内。  
(4) IDC 规格请参阅源极或漏极连续电表。  
7.2 ESD 等级  
单位  
TMUX620x  
人体放电模(HBM)ANSI/ESDA/JEDEC  
JS-001所有引脚(1)  
±2000  
±500  
V(ESD)  
V
静电放电  
充电器件模(CDM)ANSI/ESDA/JEDEC  
JS-002 标准所有引脚(2)  
(1) JEDEC JEP155 指出500V HBM 可实现在标ESD 控制流程下安全生产。  
(2) JEDEC JEP157 指出250V CDM 可实现在标ESD 控制流程下安全生产。  
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7.3 热性能信息  
TMUX620x  
热指标(1)  
DGK (VSSOP)  
8 引脚  
152.1  
48.4  
RQX (WQFN)  
8 引脚  
62.9  
单位  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
结至环境热阻  
RθJC(top)  
RθJB  
54.0  
结至外壳顶部热阻  
结至电路板热阻  
73.2  
31.0  
4.1  
0.8  
ΨJT  
结至顶部特征参数  
结至电路板特征参数  
结至外壳底部热阻  
71.8  
30.9  
ΨJB  
RθJC(bot)  
23.4  
不适用  
(1) 有关新旧热指标的更多信息请参阅半导体IC 封装热指标应用报告。  
7.4 建议运行条件  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得除非另有说明)  
最小值  
标称值  
最大值  
单位  
V
(1)  
4.5  
4.5  
36  
36  
VDD VSS  
VDD  
电源电压差分  
V
正电源电压  
VSS  
0
VDD  
V
VS VD  
信号路径输入/输出电压源极或漏极引脚)(SxD)  
36  
V
V
SEL VEN  
地址或使能引脚电压  
(2)  
IDC  
mA  
°C  
IS ID (CONT) 源极或漏极连续电流SxD)  
TA  
-40  
125  
环境温度  
(1) 只要满4.5 V (VDD VSS) 44 V 以及最VDD 条件VDD VSS 就可以是任意值。  
(2) IDC 规格请参阅源极或漏极连续电表。  
7.5 源极或漏极持续电流  
电源电压VDD ±10%VSS ±10% 除非另有说明)  
(2)  
每通道持续电(IDC  
)
TA = 25°C  
TA = 85°C  
TA = 125°C  
单位  
封装  
测试条件  
+36V 双电源(1)  
±15V 双电源  
+12V 单电源  
±5V 双电源  
420  
420  
330  
300  
600  
600  
500  
450  
260  
260  
210  
200  
340  
340  
300  
265  
130  
130  
125  
120  
150  
150  
145  
135  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
DSK (VSSOP)  
+36V 单电源(1)  
±15V 双电源  
+12V 单电源  
±5V 双电源  
RQX (WQFN)  
(1) 仅适用于标称电源电压。  
(2) 请参阅绝对最大额定表中的总功率耗(Ptot) 限制必须遵循最大持续电流规格。  
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7.6 ±15V 双电源电气特性  
VDD = +15V ± 10%VSS = -15V ± 10%GND = 0V除非另有说明)  
VDD = +15VVSS = -15VTA = 25°C 时的典型值除非另有说明)  
TA  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
模拟开关  
25°C  
1.2  
0.3  
1.7  
2
Ω
Ω
VS = -10 V +10 V  
ID = -10mA  
RON  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
导通电阻  
2.5  
0.5  
0.7  
0.8  
Ω
Ω
VS = -10 V +10 V  
ID = -10mA  
RON FLAT  
RON DRIFT  
IS(OFF)  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
25°C  
Ω
导通电阻平坦度  
导通电阻漂移  
Ω
VS = 0VIS = -10mA  
0.01  
0.05  
/°C  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
0.3  
3.4  
33  
VDD = 16.5 VVSS = -16.5 V  
0.3  
-3.4  
开关状态为关断  
VS = +10 V/-10 V  
VD = -10 V/10 V  
源极关断漏电流(1)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
25°C  
-33  
0.05  
0.05  
0.3  
3.4  
33  
VDD = 16.5 VVSS = -16.5 V  
0.3  
-3.4  
开关状态为关断  
VS = +10 V/-10 V  
VD = -10 V/10 V  
漏极关断漏电流(1)  
通道导通漏电流(2)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
25°C  
ID(OFF)  
-33  
0.65  
2
0.65  
-2  
VDD = 16.5 VVSS = -16.5 V  
开关状态为导通  
VS = VD = ±10 V  
IS(ON)  
ID(ON)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
16  
16  
逻辑输入SEL/EN 引脚)  
VIH  
1.3  
0
36  
0.8  
2.2  
V
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
逻辑电压高位  
VIL  
V
逻辑电压低位  
IIH  
0.4  
0.005  
3.5  
µA  
µA  
pF  
输入漏电流  
IIL  
-0.1  
输入漏电流  
CIN  
逻辑输入电容  
电源  
25°C  
30  
7
45  
50  
55  
12  
15  
17  
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
VDD = 16.5 VVSS = -16.5 V  
逻辑输= 0V5V VDD  
IDD  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
25°C  
VDD 电源电流  
VSS 电源电流  
VDD = 16.5 VVSS = -16.5 V  
逻辑输= 0V5V VDD  
ISS  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
(1) VS 为正时VD 为负VS 为负时VD 为正。  
(2) VS 处于电压电势时VD 处于浮动状态VD 处于电压电势时VS 处于浮动状态。  
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7.7 ±15V 双电源开关特性  
VDD = +15V ± 10%VSS = -15V ± 10%GND = 0V除非另有说明)  
VDD = +15VVSS = -15VTA = 25°C 时的典型值除非另有说明)  
TA  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
25°C  
120  
140  
155  
170  
150  
160  
190  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
VS = 10 V  
RL = 300ΩCL = 35pF  
tON  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
控制输入的开通时间  
130  
VS = 10 V  
RL = 300ΩCL = 35pF  
tOFF  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
控制输入的关断时间  
VDD 上升时= 1µs  
RL = 300ΩCL = 35pF  
器件开通时间  
VDD 至输出)  
tON (VDD)  
0.2  
ms  
40°C +125°C  
tPD  
25°C  
25°C  
450  
-15  
ps  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 0VCL = 100pF  
传播延迟  
电荷注入  
QINJ  
pC  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 0Vf = 100kHz  
OISO  
OISO  
BW  
IL  
25°C  
25°C  
25°C  
25°C  
dB  
dB  
70  
-46  
关断隔离  
关断隔离  
-3dB 带宽  
插入损耗  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 0Vf = 1MHz  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 0V  
22  
MHz  
dB  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 0Vf = 1MHz  
0.11  
VPP = 0.62VVDD VSS  
RL = 50ΩCL = 5pF,  
f = 1MHz  
ACPSRR  
THD+N  
25°C  
25°C  
dB  
%
40  
交流电源抑制比  
VPP = 15VVBIAS = 0V  
RL = 10kΩCL = 5pF,  
f = 20Hz 20kHz  
0.0007  
总谐波失+ 噪声  
CS(OFF)  
CD(OFF)  
CS(ON)  
CD(ON)  
VS = 0Vf = 1MHz  
VS = 0Vf = 1MHz  
25°C  
25°C  
45  
65  
pF  
pF  
源极关断电容  
漏极关断电容  
VS = 0Vf = 1MHz  
25°C  
240  
pF  
导通电容  
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7.8 36V 单电源电气特性  
VDD = +36V ± 10%VSS = 0VGND = 0V除非另有说明)  
VDD = +36VVSS = 0VTA = 25°C 时的典型值除非另有说明)  
TA  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
模拟开关  
25°C  
1.35  
0.3  
1.8  
2.2  
2.6  
0.9  
1.2  
1.3  
Ω
Ω
VS = 0V 30V  
ID = -10mA  
RON  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
导通电阻  
Ω
Ω
VS = 0V 30V  
IS = -10mA  
RON FLAT  
RON DRIFT  
IS(OFF)  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
25°C  
Ω
导通电阻平坦度  
导通电阻漂移  
Ω
VS = 18VIS = -10mA  
VDD = 39.6VVSS = 0V  
开关状态为关断  
VS = 30V/1V  
VD = 1V/30V  
0.009  
0.05  
/°C  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
0.65  
7
0.65  
7  
源极关断漏电流(1)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
25°C  
-55  
55  
0.65  
7
0.05  
0.05  
VDD = 39.6VVSS = 0V  
0.65  
7  
开关状态为关断  
VS = 30V/1V  
VD = 1V/30V  
漏极关断漏电流(1)  
通道导通漏电流(2)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
25°C  
ID(OFF)  
-55  
55  
0.85  
4
0.85  
-4  
VDD = 39.6VVSS = 0V  
开关状态为导通  
VS = VD = 30V 1V  
IS(ON)  
ID(ON)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
-55  
55  
逻辑输入SEL/EN 引脚)  
VIH  
1.3  
0
36  
0.8  
2.2  
V
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
逻辑电压高位  
VIL  
V
逻辑电压低位  
IIH  
0.4  
0.005  
3.5  
µA  
µA  
pF  
输入漏电流  
IIL  
-0.1  
输入漏电流  
CIN  
逻辑输入电容  
电源  
25°C  
30  
53  
60  
64  
µA  
µA  
µA  
VDD = 39.6VVSS = 0V  
逻辑输= 0V5V VDD  
IDD  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
VDD 电源电流  
(1) VS 为正时VD 为负VS 为负时VD 为正。  
(2) VS 处于电压电势时VD 处于浮动状态VD 处于电压电势时VS 处于浮动状态。  
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7.9 36V 单电源开关特性  
VDD = +36V ± 10%VSS = 0VGND = 0V除非另有说明)  
VDD = +36VVSS = 0VTA = 25°C 时的典型值除非另有说明)  
TA  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
25°C  
105  
140  
150  
180  
150  
160  
180  
ns  
ns  
VS = 18V  
RL = 300ΩCL = 35pF  
tON  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
控制输入的开通时间  
ns  
125  
ns  
VS = 18V  
RL = 300ΩCL = 35pF  
ns  
tOFF  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
控制输入的关断时间  
ns  
0.17  
0.19  
0.19  
1000  
18  
ms  
ms  
ms  
ps  
VDD 上升时= 1µs  
RL = 300ΩCL = 35pF  
器件开通时间  
VDD 至输出)  
tON (VDD)  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
tPD  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 18VCL = 100pF  
传播延迟  
电荷注入  
QINJ  
25°C  
pC  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 6Vf = 100kHz  
OISO  
OISO  
BW  
IL  
25°C  
25°C  
25°C  
25°C  
dB  
dB  
66  
-46  
关断隔离  
关断隔离  
-3dB 带宽  
插入损耗  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 6Vf = 1MHz  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 6V  
22  
MHz  
dB  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 6Vf = 1MHz  
0.11  
VPP = 0.62VVDD VSS  
RL = 50ΩCL = 5pF,  
f = 1MHz  
ACPSRR  
THD+N  
25°C  
25°C  
dB  
%
63  
交流电源抑制比  
VPP =18VVBIAS = 18V  
RL = 10kΩCL = 5pF,  
f = 20Hz 20kHz  
0.0007  
总谐波失+ 噪声  
CS(OFF)  
CD(OFF)  
CS(ON),  
CD(ON)  
VS = 18Vf = 1MHz  
VS = 18Vf = 1MHz  
25°C  
25°C  
45  
68  
pF  
pF  
源极关断电容  
漏极关断电容  
VS = 18Vf = 1MHz  
25°C  
240  
pF  
导通电容  
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7.10 12V 单电源电气特性  
VDD = +12V ± 10%VSS = 0VGND = 0V除非另有说明)  
VDD = +12VVSS = 0VTA = 25°C 时的典型值除非另有说明)  
TA  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
模拟开关  
25°C  
2.1  
0.5  
3.2  
3.8  
4.2  
1.2  
1.4  
1.6  
Ω
Ω
VS = 0V 10V  
ID = -10mA  
RON  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
导通电阻  
Ω
Ω
VS = 0V 10V  
IS = -10mA  
RON FLAT  
RON DRIFT  
IS(OFF)  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
25°C  
Ω
导通电阻平坦度  
导通电阻漂移  
Ω
VS = 6VIS = -10mA  
0.017  
0.05  
/°C  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
0.4  
3
VDD = 13.2VVSS = 0V  
0.4  
-3  
开关状态为关断  
VS = 10V/1V  
VD = 1V/10V  
源极关断漏电流(1)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
25°C  
25  
0.4  
3
25  
0.4  
-3  
0.05  
0.05  
VDD = 13.2VVSS = 0V  
开关状态为关断  
VS = 10V/1V  
VD = 1V/10V  
漏极关断漏电流(1)  
通道导通漏电流(2)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
25°C  
ID(OFF)  
25  
0.65  
2
25  
0.65  
-2  
VDD = 13.2VVSS = 0V  
开关状态为导通  
VS = VD = 10V 1V  
IS(ON)  
ID(ON)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
12  
12  
逻辑输入SEL/EN 引脚)  
VIH  
1.3  
0
36  
0.8  
2.2  
V
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
逻辑电压高位  
VIL  
V
逻辑电压低位  
IIH  
0.4  
0.005  
3.5  
µA  
µA  
pF  
输入漏电流  
IIL  
-0.1  
输入漏电流  
CIN  
逻辑输入电容  
电源  
25°C  
27  
35  
40  
45  
µA  
µA  
µA  
VDD = 13.2VVSS = 0V  
逻辑输= 0V5V VDD  
IDD  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
VDD 电源电流  
(1) VS 为正时VD 为负VS 为负时VD 为正。  
(2) VS 处于电压电势时VD 处于浮动状态VD 处于电压电势时VS 处于浮动状态。  
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7.11 12V 单电源开关特性  
VDD = +12V ± 10%VSS = 0VGND = 0V除非另有说明)  
VDD = +12VVSS = 0VTA = 25°C 时的典型值除非另有说明)  
TA  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
25°C  
125  
145  
160  
180  
180  
205  
220  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
VS = 8V  
RL = 300ΩCL = 35pF  
tON  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
控制输入的开通时间  
150  
VS = 8V  
RL = 300ΩCL = 35pF  
tOFF  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
控制输入的关断时间  
VDD 上升时= 1µs  
RL = 300ΩCL = 35pF  
器件开通时间  
VDD 至输出)  
tON (VDD)  
0.2  
ms  
40°C +125°C  
tPD  
25°C  
25°C  
1000  
-4  
ps  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 6VCL = 100pF  
传播延迟  
电荷注入  
QINJ  
pC  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 6Vf = 100kHz  
OISO  
OISO  
BW  
IL  
25°C  
25°C  
25°C  
25°C  
dB  
dB  
65  
45  
23  
关断隔离  
关断隔离  
-3dB 带宽  
插入损耗  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 6Vf = 1MHz  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 6V  
MHz  
dB  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 6Vf = 1MHz  
-0.18  
VPP = 0.62VVDD VSS  
RL = 50ΩCL = 5pF,  
f = 1MHz  
ACPSRR  
THD+N  
25°C  
25°C  
dB  
%
40  
交流电源抑制比  
VPP = 6VVBIAS = 6V  
RL = 10kΩCL = 5pF,  
f = 20Hz 20kHz  
0.0009  
总谐波失+ 噪声  
CS(OFF)  
CD(OFF)  
VS = 6Vf = 1MHz  
VS = 6Vf = 1MHz  
25°C  
25°C  
53  
75  
pF  
pF  
源极关断电容  
漏极关断电容  
CS(ON)  
CD(ON)  
VS = 6Vf = 1MHz  
25°C  
240  
pF  
导通电容  
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7.12 ±5V 双电源电气特性  
VDD = +5V ± 10%VSS = -5V ±10%GND = 0V除非另有说明)  
VDD = +5VVSS = -5VTA = 25°C 时的典型值除非另有说明)  
TA  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
模拟开关  
25°C  
2.3  
0.8  
3.5  
4.4  
4.9  
1.5  
1.8  
2
Ω
Ω
VDD = +4.5VVSS = -4.5V  
VS = -4.5V +4.5V  
ID = -10mA  
RON  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
导通电阻  
Ω
Ω
VS = -4.5V +4.5V  
ID = -10mA  
RON FLAT  
RON DRIFT  
IS(OFF)  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
25°C  
Ω
导通电阻平坦度  
导通电阻漂移  
Ω
VS = 0VIS = -10mA  
0.019  
0.02  
/°C  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
0.4  
1.5  
20  
0.4  
1.5  
20  
0.4  
1
VDD = +5.5VVSS = -5.5V  
0.4  
1.5  
-20  
开关状态为关断  
VS = +4.5V/-4.5V  
VD = -4.5V/+4.5V  
源极关断漏电流(1)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
25°C  
0.02  
0.02  
VDD = +5.5VVSS = -5.5V  
0.4  
1.5  
-20  
开关状态为关断  
VS = +4.5V/-4.5V  
VD = -4.5V/+4.5V  
漏极关断漏电流(1)  
通道导通漏电流(2)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
25°C  
ID(OFF)  
0.4  
-1  
VDD = +5.5VVSS = -5.5V  
开关状态为导通  
VS = VD = ±4.5V  
IS(ON)  
ID(ON)  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
-20  
20  
逻辑输入SEL/EN 引脚)  
VIH  
1.3  
0
36  
0.8  
2.2  
V
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
40°C +125°C  
逻辑电压高位  
VIL  
V
逻辑电压低位  
IIH  
0.4  
0.005  
3.5  
µA  
µA  
pF  
输入漏电流  
IIL  
-0.1  
输入漏电流  
CIN  
逻辑输入电容  
电源  
25°C  
24  
4
35  
38  
42  
9
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
VDD = +5.5VVSS = -5.5V  
逻辑输= 0V5V VDD  
IDD  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
25°C  
VDD 电源电流  
VSS 电源电流  
VDD = +5.5VVSS = -5.5V  
逻辑输= 0V5V VDD  
11  
12  
ISS  
40°C +85°C  
40°C 125°C  
(1) VS 为正时VD 为负VS 为负时VD 为正。  
(2) VS 处于电压电势时VD 处于浮动状态VD 处于电压电势时VS 处于浮动状态。  
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7.13 ±5V 双电源开关特性  
VDD = +5V ± 10%VSS = -5V ±10%GND = 0V除非另有说明)  
VDD = +5VVSS = -5VTA = 25°C 时的典型值除非另有说明)  
TA  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
25°C  
145  
180  
220  
240  
220  
240  
260  
ns  
ns  
VS = 3V  
RL = 300ΩCL = 35pF  
tON  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
控制输入的开通时间  
ns  
170  
ns  
VS = 3V  
RL = 300ΩCL = 35pF  
ns  
tOFF  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
控制输入的关断时间  
ns  
0.19  
0.19  
0.19  
500  
-3  
ms  
ms  
ms  
ps  
VDD 上升时= 1µs  
RL = 300ΩCL = 35pF  
器件开通时间  
VDD 至输出)  
tON (VDD)  
40°C +85°C  
40°C +125°C  
25°C  
tPD  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 0VCL = 100pF  
传播延迟  
电荷注入  
QINJ  
25°C  
pC  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 0Vf = 100kHz  
OISO  
OISO  
BW  
IL  
25°C  
25°C  
25°C  
25°C  
dB  
dB  
66  
-46  
关断隔离  
关断隔离  
-3dB 带宽  
插入损耗  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 0Vf = 1MHz  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 0V  
23  
MHz  
dB  
RL = 50ΩCL = 5pF  
VS = 0Vf = 1MHz  
-0.20  
VPP = 0.62VVDD VSS  
RL = 50ΩCL = 5pF,  
f = 1MHz  
ACPSRR  
THD+N  
25°C  
25°C  
-68  
dB  
%
交流电源抑制比  
VPP = 5VVBIAS = 0V  
RL = 10kΩCL = 5pF,  
f = 20Hz 20kHz  
0.001  
总谐波失+ 噪声  
CS(OFF)  
CD(OFF)  
CS(ON),  
CD(ON)  
VS = 0Vf = 1MHz  
VS = 0Vf = 1MHz  
25°C  
25°C  
56  
77  
pF  
pF  
源极关断电容  
漏极关断电容  
VS = 0Vf = 1MHz  
25°C  
240  
pF  
导通电容  
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7.14 典型特性  
TA = 25°C 时  
2
4
3.5  
3
VDD = 18 V, VSS = -18 V  
VDD = 15 V, VSS = -15 V  
VDD = 13.5 V, VSS = -13.5 V  
VDD = 5 V, VSS = -5 V  
VDD = 10 V, VSS = -10 V  
VDD = 12 V, VSS = -12 V  
1.75  
1.5  
2.5  
2
1.25  
1
1.5  
0.75  
1
-25 -20 -15 -10  
-5  
0
5
10  
15  
20  
25  
-15 -12  
-9  
-6  
-3  
0
3
6
9
12  
15  
VS or VD - Source or Drain Voltage (V)  
VS or VD - Source or Drain Voltage (V)  
7-1. 导通电阻与源极或漏极电压间的关- 双电源  
7-2. 导通电阻与源极或漏极电压间的关- 双电源  
2.25  
6
VDD = 5 V, VSS = 0 V  
VDD = 8 V, VSS = 0 V  
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V  
VDD = 12 V, VSS = 0 V  
VDD = 15 V, VSS = 0 V  
VDD = 18 V, VSS = 0 V  
VDD = 24 V, VSS = 0 V  
VDD = 36 V, VSS = 0 V  
5.5  
2
1.75  
1.5  
5
4.5  
4
3.5  
3
1.25  
1
2.5  
2
1.5  
0.75  
0
1.5  
3
4.5  
6
7.5  
9
10.5 12 13.5 15  
0
4
8
12 16 20 24 28 32 36 40 44  
VS or VD - Source or Drain Voltage (V)  
VS or VD - Source or Drain Voltage (V)  
7-4. 导通电阻与源极或漏极电压间的关- 单电源  
7-3. 导通电阻与源极或漏极电压间的关- 单电源  
3
5.6  
4.8  
4
TA = -40C  
TA = 25C  
TA = 85C  
TA = -40C  
TA = 25C  
TA = 85C  
TA = 125C  
2.5  
TA = 125C  
2
1.5  
1
3.2  
2.4  
1.6  
0.8  
0.5  
-15  
-10  
-5  
0
5
10  
15  
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
1
2
3
4
5
VS or VD - Source or Drain Voltage (V)  
VS or VD - Source or Drain Voltage (V)  
VDD = 15 V, VSS = -15 V  
VDD = 5 V, VSS = -5 V  
7-5. 导通电阻与温度间的关系  
7-6. 导通电阻与温度间的关系  
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7.14 典型特(continued)  
TA = 25°C 时  
5.5  
3
2.5  
2
TA = -40C  
TA = 25C  
TA = 85C  
TA = 125C  
TA = -40C  
TA = 25C  
TA = 85C  
TA = 125C  
4.5  
3.5  
2.5  
1.5  
0.5  
1.5  
1
0.5  
0
4
8
12  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
28  
32  
36  
VS or VD - Source or Drain Voltage (V)  
VS or VD - Source or Drain Voltage (V)  
VDD = 12 V, VSS = 0 V  
VDD = 36 V, VSS = 0 V  
7-7. 导通电阻与温度间的关系  
7-8. 导通电阻与温度间的关系  
10  
12  
ION -10 V  
IDON -4.5 V  
10.5  
9
7.5  
6
4.5  
3
1.5  
0
-1.5  
-3  
-4.5  
-6  
-7.5  
-9  
-10.5  
-12  
8
6
IDOFF VS = -10 V, VD = 10 V  
ISOFF VS = -10 V, VD = 10 V  
IDOFF VS = 10 V, VD = -10 V  
ISOFF VS = 10 V, VD = -10 V  
ION 10 V  
IDOFF VS = -4.5 V, VD = 4.5 V  
ISOFF VS = -4.5 V, VD = 4.5 V  
IDOFF VS = 4.5 V, VD = -4.5 V  
ISOFF VS = 4.5 V, VD = -4.5 V  
ION 4.5 V  
4
2
0
-2  
-4  
-6  
-8  
-10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
0
25  
50  
75  
100  
125  
Temperature (C)  
Temperature (C)  
VDD = 15 V, VSS = -15 V  
VDD = 5 V, VSS = -5 V  
7-10. 泄漏电流与温度间的关系  
7-9. 泄漏电流与温度间的关系  
20  
16  
12  
8
10  
8
ION 1 V  
ION 1 V  
IDOFF VS = 1 V, VD = 30 V  
ISOFF VS = 1 V, VD = 30 V  
IDOFF VS = 30 V, VD = 1 V  
ISOFF VS = 30 V, VD = 1 V  
ION 30 V  
IDOFF VS = 1 V, VD = 10 V  
ISOFF VS = 1 V, VD = 10 V  
IDOFF VS = 10 V, VD = 1 V  
ISOFF VS = 10 V, VD = 1 V  
ION 10 V  
6
4
4
2
0
0
-4  
-2  
-4  
-6  
-8  
-8  
-12  
-16  
-20  
-10  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
25  
50  
75  
100  
125  
Temperature (C)  
Temperature (C)  
VDD = 36 V, VSS = 0 V  
VDD = 12 V, VSS = 0 V  
7-11. 泄漏电流与温度间的关系  
7-12. 泄漏电流与温度间的关系  
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7.14 典型特(continued)  
TA = 25°C 时  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
195  
155  
115  
75  
VDD = 5 V, VSS = -5 V  
VDD = 15 V, VSS = -15 V  
VDD = 5 V, VSS = 0 V  
VDD = 5 V, VSS = -5 V  
VDD = 12 V, VSS = 0 V  
VDD = 15 V, VSS = -15 V  
35  
-5  
-45  
-85  
-125  
-15 -12  
-9  
-6  
-3  
0
3
6
9
12  
15  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
VS - Source Voltage (V)  
Logic Voltage (V)  
7-14. 电荷注入与源极电压间的关- 双电源  
7-13. 电源电流与逻辑电压间的关系  
100  
250  
VDD = 5 V, VSS = -5 V  
VDD = 15 V, VSS = -15 V  
VDD = 5 V, VSS = 0 V  
VDD = 12 V, VSS = 0 V  
VDD = 15 V, VSS = 0 V  
VDD = 20 V, VSS = 0 V  
VDD = 36 V, VSS = 0 V  
210  
170  
130  
90  
75  
50  
25  
0
50  
10  
-30  
-70  
-110  
-150  
-25  
-50  
-75  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
28  
32  
36  
-15  
-11  
-7  
-3  
1
5
9
13  
VS - Source Voltage (V)  
VD - DrainVoltage (V)  
7-16. 电荷注入与源极电压间的关- 单电源  
7-15. 电荷注入与漏极电压间的关- 双电源  
180  
150  
145  
140  
135  
130  
125  
120  
115  
110  
VDD = 5 V, VSS = 0 V  
VDD = 12 V, VSS = 0 V  
VDD = 15 V, VSS = 0 V  
VDD = 20 V, VSS = 0 V  
VDD = 36 V, VSS = 0 V  
TOFF  
TON  
140  
100  
60  
20  
-20  
-60  
-100  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
28  
32  
36  
-40  
-15  
10  
35  
60  
85  
110 125  
VD - Drain Voltage (V)  
Temperature (C)  
VDD = 15 V, VSS = -15 V  
7-18. TON TOFF 与温度间的关系  
7-17. 电荷注入与漏极电压间的关- 单电源  
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7.14 典型特(continued)  
TA = 25°C 时  
160  
0
-20  
TOFF  
TON  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
-40  
-60  
-80  
-100  
-120  
-140  
-40  
-15  
10  
35  
60  
85  
110 125  
100  
1k  
10k  
100k  
1M  
10M  
100M  
Temperature (C)  
Frequency(Hz)  
VDD = 36 V, VSS = 0 V  
7-20. 关断隔离与频率间的关系  
7-19. TON TOFF 与温度间的关系  
0.01  
0.007  
0.005  
0.01  
0.007  
0.005  
VDD = 15 V, VSS = -15 V  
VDD = 12 V, VSS = 0 V  
VDD = 36 V, VSS = 0 V  
0.003  
0.002  
0.003  
0.002  
0.001  
0.0007  
0.0005  
0.001  
0.0007  
0.0005  
0.0003  
0.0002  
0.0003  
0.0002  
0.0001  
0.0001  
20  
100  
1k  
10k 20k  
20  
100  
1k  
10k 20k  
Frequency (Hz)  
Frequency (Hz)  
7-21. THD+N 与频率间的关系双电源)  
7-22. THD+N 与频率间的关系单电源)  
1
0
-1  
-2  
-3  
-4  
-5  
-6  
-7  
-8  
-9  
-10  
10k  
100k  
1M  
10M  
100M  
Frequency(Hz)  
VDD = +15 V, VSS = -15 V  
VDD = 15 V, VSS = -15 V  
7-24. ACPSRR 与频率间的关系  
7-23. 导通响应与频率间的关系  
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TA = 25°C 时  
320  
320  
280  
240  
200  
160  
120  
80  
CDOFF  
CON  
CSOFF  
CDOFF  
CON  
CSOFF  
280  
240  
200  
160  
120  
80  
40  
40  
-15  
-10  
-5  
0
5
10  
15  
0
2
4
6
8
10  
12  
VS or VD - Source or Drain Voltage (V)  
VS or VD - Source or Drain Voltage (V)  
VDD = +15 V, VSS = -15 V  
VDD = 12 V, VSS = 0 V  
7-25. 电容与源极电压或漏极电压间的关系  
7-26. 电容与源极电压或漏极电压间的关系  
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8 参数测量信息  
8.1 导通电阻  
器件的导通电阻是器件源极 (Sx) 和漏极 (Dx) 引脚之间的欧姆电阻。导通电阻随输入电压和电源电压的变化而变  
化。符号 RON 用于表示导通电阻。8-1 展示了用于测量 RON 的测量设置。电压 (V) 和电流 (ISD) 可通过此设置  
进行测量RON 可通RON = V/ISD 来计算。  
V
ISD  
S
D
VS  
8-1. 导通电阻测量设置  
8.2 关断漏电流  
在关断状态下开关有两种类型的漏电流:  
1. 源极关断漏电流。  
2. 漏极关断漏电流。  
源极漏电流定义为开关断开时流入或流出源极引脚的漏电流。该电流用符IS(OFF) 表示。  
漏极漏电流定义为开关断开时流入或流出漏极引脚的漏电流。该电流用符ID(OFF) 表示。  
8-2 展示了用于测量两个关断漏电流的设置。  
VDD  
VSS  
VDD  
VSS  
Is (OFF)  
Is (OFF)  
S
S
D
D
A
A
GND  
GND  
VS  
VS  
VD  
VD  
ID(OFF)  
IS(OFF)  
8-2. 关断漏电流测量设置  
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8.3 导通泄漏电流  
源极导通漏电流定义为开关闭合时流入或流出源极引脚的漏电流。该电流用符IS(ON) 表示。  
漏极导通漏电流定义为开关闭合时流入或流出漏极引脚的漏电流。该电流用符ID(ON) 表示。  
在测量期间源极引脚或漏极引脚均保持悬空。8-3 展示了用于测量导通漏电流IS(ON) ID(ON) 表示的  
电路。  
VDD  
VSS  
VDD  
VSS  
Is (ON)  
ID (ON)  
S
S
D
D
N.C.  
A
A
N.C.  
VS  
VD  
GND  
GND  
IS(ON)  
ID(ON)  
8-3. 导通漏电流测量设置  
8.4 tON tOFF 时间  
开通时间定义为使能上升到超过逻辑阈值后器件输出上升至 90% 所需的时间。90% 的测量值用于提供器件的时  
序。然后系统级时序可以考虑为从负载电阻和负载电容添加的时间常数。8-4 展示了用于测量开通时间用  
tON 表示的设置。  
关断时间定义为使能下降到超过逻辑阈值后器件输出下降至 10% 所需的时间。10% 的测量值用于提供器件的时  
序。然后系统级时序可以考虑为从负载电阻和负载电容添加的时间常数。8-4 展示了用于测量关断时间用  
tOFF 表示的设置。  
VDD  
VSS  
0.1 µF  
0.1 µF  
3 V  
0 V  
VDD  
VSS  
tr < 20 ns  
tf < 20 ns  
50%  
50%  
VSEL  
VS  
Output  
S
D
tON  
tOFF  
RL  
CL  
90%  
SEL  
Output  
0 V  
10%  
GND  
VSEL  
8-4. 导通和关断时间测量设置  
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8.5 tON (VDD) 时间  
t
ON (VDD) 时间定义为电源上升到超过电源阈值后器件输出上升至 90% 所需的时间。90% 测量用于提供器件在系统  
中导通的时序。8-5 展示了用于测量开通时间用符tON (VDD) 表示的设置。  
VSS  
0.1 µF  
0.1 µF  
Output  
VDD  
Supply  
VDD  
VDD  
VSS  
tr = 10 µs  
4.5 V  
Ramp  
VS  
S
D
0 V  
tON  
RL  
CL  
90%  
SEL  
Output  
0 V  
3 V  
GND  
8-5. tON (VDD) 时间测量设置  
8.6 传播延迟  
传播延迟定义为在输入信号上升或下降至超过 50% 阈值后器件输出上升或下降 50% 所需的时间。8-6 方程  
1 展示了用于测量传播延迟用符tPD 表示的设置。  
VDD  
VSS  
0.1 µF  
0.1 µF  
250 mV  
VDD  
VSS  
Input  
(VS)  
50%  
50%  
tr < 40 ps  
tf < 40 ps  
0 V  
50 Ω  
Output  
D
S
VS  
tPD  
1
tPD 2  
RL  
CL  
Output  
0 V  
50%  
50%  
GND  
8-6. 传播延迟测量设置  
t
= max t 1 t 2  
PD  
(1)  
Prop Delay  
PD  
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8.7 电荷注入  
TMUX620x 器件具有传输门拓扑结构。NMOS PMOS 晶体管之间电容的任何不匹配都会导致在栅极信号的下  
降沿或上升沿期间向漏极或源极注入电荷。注入器件源极或漏极的电荷量称为电荷注入用符号 QC 表示。8-7  
展示了用于测量从源(Sx) 到漏(Dx) 的电荷注入的设置。  
VDD  
VSS  
0.1 µF  
0.1 µF  
3 V  
VSEL  
VDD  
VSS  
tr < 20 ns  
tf < 20 ns  
S
Output  
D
0 V  
VS  
CL  
Output  
VD  
SEL  
VOUT  
QINJ = CL ×  
VOUT  
VSEL  
GND  
8-7. 电荷注入测量设置  
8.8 关断隔离  
关断隔离定义为器件漏极引脚 (Dx) 处的信号与关断通道的源极引脚 (Sx) 上施加的信号之比。特性阻抗 Z0 测量值  
50Ω。8-8 方程2 展示了用于测量关断隔离的设置。使用关断隔离公式来计算关断隔离。  
VDD  
VSS  
0.1 µF  
0.1 µF  
VDD  
VSS  
Network Analyzer  
VS  
S1  
D
50  
VOUT  
VSIG  
50  
GND  
8-8. 关断隔离测量设置  
V
OUT  
Off − Isolation = 20 × Log  
(2)  
V
S
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8.9 带宽  
带宽定义为当输入施加到开启通道的源极引脚 (Sx) 且输出在器件的漏极引脚 (Dx) 处测量时衰减小于 3dB 的频率  
范围。特性阻Z0 测量值50Ω。8-9 方程3 展示了用于测量带宽的设置。  
VDD  
VSS  
0.1 µF  
0.1 µF  
VDD  
VSS  
Network Analyzer  
VS  
S
D
50  
VOUT  
VSIG  
50  
S2  
GND  
8-9. 带宽测量设置  
V
OUT  
BandWidtℎ = 20 × Log  
(3)  
V
S
8.10 THD + 噪声  
信号的总谐波失真 (THD) 是对谐波失真的度量定义为多路复用器输出端所有谐波分量的功率之和与基频功率之  
比。该器件的导通电阻随输入信号振幅的变化而变化当漏极引脚连接到低阻抗负载时会导致失真。总谐波失  
真加噪声表示THD + N。  
VDD  
VSS  
0.1 µF  
0.1 µF  
VDD  
VSS  
Audio Precision  
S
D
40  
VOUT  
VS  
RL  
GND  
8-10. THD + N 测量设置  
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8.11 电源抑制(PSRR)  
PSRR 衡量器件防止出现在电源电压引脚上的噪声和杂散信号耦合到开关输出的能力。器件电源上的直流电压由  
100mVPP 的正弦波调制。输出端信号振幅与调制信号振幅之比为交PSRR。  
VDD  
Network Analyzer  
VSS  
DC Bias  
Injector  
With and Without  
Capacitor  
50  
0.1 µF  
0.1 µF  
VDD  
VSS  
620 mVPP  
VIN  
S
VBIAS  
50 Ω  
VOUT  
D
RL  
GND  
CL  
8-11. PSRR 测量设置  
V
OUT  
PSRR = 20 × Log  
(4)  
V
IN  
9 详细说明  
9.1 概述  
TMUX620x 1:1 单通道开关。开关根据所选引脚的状态闭合或断开。  
9.2 功能方框图  
VDD  
VSS  
VDD  
VSS  
SW  
SW  
S
D
S
D
SEL  
SEL  
TMUX6201  
(SELx = Logic 1)  
TMUX6202  
(SELx = Logic 1)  
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9.3 特性说明  
9.3.1 双向运行  
TMUX620x 从源极 (S) 到漏极 (D) 和从漏极 (D) 到源极 (S) 的导电性能相同。开关在两个方向上都有非常相似的  
特性并同时支持模拟和数字信号。  
9.3.2 轨至轨运行  
TMUX620x 的有效信号路径输入和输出电压范围VSS VDD。  
9.3.3 1.8V 逻辑兼容输入  
对于所有逻辑控制输入TMUX620x 1.8V 逻辑兼容控制。1.8V 逻辑电平输入支持器件连接具有较低逻I/O  
电源轨的处理器并且无需外部转换器从而节省了空间和 BOM 成本。有关 1.8V 逻辑实现的更多信息请参阅  
使1.8V 逻辑多路复用器和开关简化设计。  
9.3.4 逻辑引脚上的集成下拉电阻  
TMUX6201 TMUX6202 具有连接至 GND 的内部弱下拉电阻来确保逻辑引脚不悬空。该下拉电阻的值约为  
4MΩ但在较高电压时被钳位至1µA。此功能集成了外部元件可减小系统尺寸并降低成本。  
9.3.5 失效防护逻辑  
TMUX620x 在控制输入引脚 (SEL) 上支持失效防护逻辑因此无论电源引脚的状态如何均可在高于接地的高达  
36V 的电压下运行。此特性允许在电源极引脚之前对控制引脚施加电压从而保护器件免受潜在的损坏。失效防  
护逻辑无需在逻辑控制引脚上进行电源时序控制从而更大限度地降低了系统复杂性。例如失效防护逻辑特性  
可实现 TMUX620x 的逻辑输入引脚VDD VSS 0V 时斜升至 +36V。在断电情况下逻辑控制输入可防止高  
+36V 的正极故障但不针对负过压情况提供保护。  
9.3.6 闩锁效应抑制  
闩锁是在电源引脚和接地之间创建低阻抗路径的情况。这种情况由触发器电流注入或过压引起一旦激活,  
即使触发器不再存在低阻抗路径仍然存在。该低阻抗路径可能会因电流电平过高而导致系统混乱或巨大损坏。  
闩锁情况通常需要下电上电来消除低阻抗路径。  
TMUX620x 系列器件采用基于绝缘体(SOI) 的工艺制造在每CMOS 开关PMOS NMOS 晶体管之间添  
加了氧化层用于防止形成寄生结构。氧化层也称为绝缘沟道可防止因过压或电流注入而触发闩锁事件。闩锁  
效应抑制特性使TMUX620x 系列开关和多路复用器能够在恶劣的环境中使用。  
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9.3.7 超低电荷注入  
9-1 展示了 TMUX620x 器件的传输门拓扑结构。NMOS PMOS 相关的杂散电容中的任何不匹配都会在开  
关断开或闭合时导致输出电平发生变化。  
OFF ON  
CGDN  
CGSN  
D
S
CGSP  
CGDP  
OFF ON  
9-1. 传输门拓扑  
TMUX620x 包含可减少漏极 (Dx) 电荷注入的专用架构。为了进一步减少敏感应用中的电荷注入可以在源极 (S)  
上添加补偿电容器 (Cp)。这会将开关转换中的过量电荷推入源极 (S) 补偿电容器而非漏极 (D) 补偿电容器。通  
Cp 应比漏极 (D) 等效负载电容大 20 倍。9-2 展示了源极侧不同补偿电容器的电荷注入变化。该图是在  
TMUX6219 上捕获的TMUX6219 TMUX62xx 系列100pF 负载电容。  
9-2. 电荷注入补偿  
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9.4 器件功能模式  
TMUX620x SEL 引脚拉至高电平时开关将关闭。当 SEL 引脚拉至低电平时开关将打开。控制引脚可高  
36V。  
TMUX620x 无需任何外部元件电源去耦电容器除外即可运行。SEL 引脚具有 4MΩ 的内部下拉电阻。如未使  
SEL 引脚必须连接至 GND以此确保器件不会消耗额外的电流CMOS 输入缓慢变化或悬空的影响 中重点  
介绍了相关内容。  
9.5 真值表  
9-1 展示TMUX620x 的真值表。  
9-1. TMUX620x 真值表  
所选源极连接到漏(D) -  
所选源极连接到漏(D) -  
SEL  
TMUX6201  
TMUX6202  
0
1
S
所有源极均关断高阻态)  
S
所有源极均关断高阻态)  
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10 应用和实施  
备注  
以下应用部分中的信息不属于 TI 元件规格TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户负责确定元件是否  
适合其用途以及验证和测试其设计实现以确认系统功能。  
10.1 应用信息  
TMUX620x 是精密开关和多路复用器系列器件。TMUX620x 具有低 RON、低导通和关断漏电流以及超低电荷注  
入性能。这些特性使TMUX620x 非常适合实现需要选择两个输入或输出之一的高精度工业系统。  
10.2 典型应用  
10.2.1 TIA 反馈增益开关  
TMUX620x 的应用之一是在分立式跨阻放大器 (TIA) 实现中配置反馈。通常TIA 用于光电二极管输入等应用,  
然后馈送到 ADC MCU/ 处理器中。根据光电二极管输入的预期强度和所需的精度需要多个增益电平。  
TMUX620x 等开关允许选择不同的增益值从而改变放大水平。该解决方案可进行扩展但可根据多个增益选项  
的需要进行扩展。  
10-1 展示了配备精密运算放大器TMUX620x可支持多种增益。  
Processor  
VSS  
VDD  
0.1 µF  
1.8 V Logic I/O  
0.1 µF  
SEL  
Digital Processing  
RF_S  
RF  
VDD  
VDD  
RIN  
-
Gain / Filter  
Network  
TIA  
ADC  
IPD  
+
VSS  
VSS  
10-1. TIA 反馈控制  
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10.2.1.1 设计要求  
对于这个设计示例请使10-1 中列出的参数。  
10-1. 设计参数  
参数  
15V  
(VDD  
)
-15 V  
(VSS  
)
多路复用I/O 信号范围  
-15V 15V轨到轨)  
控制逻辑阈值  
1.8V 兼容VDD)  
10.2.1.2 详细设计过程  
10-1 展示了演示如何使用 TMUX620x 选择 TIA 放大器增益的应用。此处使用 RF 来避免任何开环配置。要实  
现较小误差开关RON 应远小RF_S原因在于这将与潜在误差成线性比例。  
TMUX620x 可在控制输入端支持 1.8V 逻辑信号从而实现该器件与 FPGA MCU 的低逻辑控制相连接。  
TMUX620x 无需任何外部元件电源去耦电容器除外即可运行。所选引脚具有内部下拉电阻可防止输入逻辑  
悬空。开关的所有输入必须处于 TMUX620x 的建议运行条件范围内包括信号范围和持续电流。对于此设计,  
VDD 具有 15V 的正电源VSS 具有 -15V 的负电源信号范围可为 15V -15V。最大持续电流 (IDC) 可高达  
330mA对于宽范围电流测量请参阅建议运行条部分。  
10.2.1.3 应用曲线  
TMUX620x 具有低导通和关断漏电流以及超低电荷注入性能因而成为实现高精度工业系统的理想选择。  
TMUX620x 采用专用架构可减少源极 (Sx) 电荷注入有关更多详细信息请参阅9.3.710-2 展示了  
TMUX620x 的电荷注入与源极电压间的关系图。  
10-2. 电荷注入与源电压间的关系  
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10.3 电源相关建议  
TMUX620x ±4.5V ±18V单电源模式下为 4.5V 36V的宽电源电压范围内运行。该器件还适用于非对  
称电源VDD = 12V VSS = -5V。  
电源旁路可提高噪声容限并防止开关噪声从电源轨传播到其他元件。良好的电源去耦对于实现最优性能至关重  
要。为提高电源噪声抗扰度可在 VDD VSS 引脚与接地端之间使用 0.1μF 10μF 的电源去耦电容器。使用  
低阻抗接头将旁路电容器放置在尽可能靠近器件电源引脚的位置。TI 建议使用多层陶瓷贴片电容 (MLCC) 提供等  
效串联电阻 (ESR) 和电感 (ESL) 特性从而实现电源去耦。对于敏感度较高或在恶劣噪声环境中使用的系统避  
免使用过孔将电容与器件引脚相连以获得出色的噪声抗扰度。并行使用多个过孔可降低总电感值并且有利于与  
接地层和电源层相连。在电源斜升之前务必确保已建立接(GND) 连接。  
10.4 布局  
10.4.1 布局指南  
PCB 布线90° 角拐角时会发生反射。反射的主要原因是布线宽度发生了变化。在拐角的顶点布线宽度增  
加到原来宽度的 1.414 倍。这种增加会影响传输线路特性尤其是导致反射的布线的分布式电容和自感特性。并  
非所有 PCB 布线都是直线因此某些布线必须拐角。10-3 展示了渐入佳境的圆角技术。只有最后一个示例  
理想保持恒定的布线宽度并能够更大限度地减少反射。  
WORST  
BETTER  
BEST  
2W  
1W min.  
W
10-3. 布线示例  
使用较少的过孔和拐角路由高速信号可减少信号反射和阻抗变化。当必须使用导孔时增加其周边的间隙尺寸以  
降低其电容。每一导孔均引入了信号传输线路的非连续性并增加了来自其他电路板层干扰信号的几率。设计测  
试点时要小心不建议在高频下使用穿孔引脚。  
10-4 展示TMUX620x PCB 布局示例。一些关键的考虑因素如下:  
• 为了可靠运行VDD/VSS GND 之间连接一0.1µF 10µF 的去耦电容器。我们建议使0.1µF 和  
1µF 电容器将值最低的电容器尽可能靠近引脚放置。确保电容器额定电压足以满足电源电压要求。  
• 尽可能缩短输入线路。  
• 使用实心接地平面有助于降低电磁干(EMI) 噪声拾取。  
• 敏感的模拟迹线不能与数字布线平行。尽可能避免数字引线与模拟引线交叉仅在必要时以垂直交叉方式布  
线。  
• 并行使用多个过孔可降低总电感值并且有利于与接地层相连。  
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10.4.2 布局示例  
D
S
VSS  
SEL  
NC  
NC  
GND  
VDD  
Wide (low inductance)  
trace for power  
Wide (low inductance)  
trace for power  
Via to ground plane  
S
D
TMUX620x  
NC  
VSS  
SEL  
NC  
GND  
VDD  
Wide (low inductance)  
trace for power  
C
C
Wide (low inductance)  
trace for power  
Via to ground plane  
10-4. TMUX620x 布局示例  
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11 器件和文档支持  
11.1 文档支持  
11.1.1 相关文档  
请参阅如下相关文档:  
• 德州仪(TI)使用CON 多路复用器改善稳定性问应用简报  
• 德州仪(TI)提高自动化测试设备的信号测量精应用简报  
• 德州仪(TI)多路复用器和信号开关词汇应用报告  
• 德州仪(TI)QFN/SON PCB 应用报告  
• 德州仪(TI)Quad Flatpack No-Lead 逻辑封应用报告  
• 德州仪(TI)使1.8V 逻辑多路复用器和开关简化设应用简报  
• 德州仪(TI)高电压模拟多路复用器的系统级保应用报告  
• 德州仪(TI)真差4 x 2 多路复用器、模拟前端、同步采ADC 应用报告  
11.2 接收文档更新通知  
要接收文档更新通知请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册即可每周接收产品信息更  
改摘要。有关更改的详细信息请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。  
11.3 支持资源  
TI E2E支持论坛是工程师的重要参考资料可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解  
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。  
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范并且不一定反映 TI 的观点请参阅  
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11.4 商标  
TI E2Eis a trademark of Texas Instruments.  
所有商标均为其各自所有者的财产。  
11.5 静电放电警告  
静电放(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理  
和安装程序可能会损坏集成电路。  
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏这是因为非常细微的参  
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。  
11.6 术语表  
TI 术语表  
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。  
12 机械、封装和可订购信息  
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更恕不另行通知且  
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本请查阅左侧的导航栏。  
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PACKAGING INFORMATION  
Orderable Device  
Status Package Type Package Pins Package  
Eco Plan  
Lead finish/  
Ball material  
MSL Peak Temp  
Op Temp (°C)  
Device Marking  
Samples  
Drawing  
Qty  
(1)  
(2)  
(3)  
(4/5)  
(6)  
TMUX6201RQXR  
TMUX6202RQXR  
ACTIVE  
ACTIVE  
WSON  
WSON  
RQX  
RQX  
8
8
2500 RoHS & Green  
2500 RoHS & Green  
NIPDAU  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
-40 to 125  
H201  
H202  
Samples  
Samples  
NIPDAU  
(1) The marketing status values are defined as follows:  
ACTIVE: Product device recommended for new designs.  
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.  
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.  
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.  
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.  
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance  
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may  
reference these types of products as "Pb-Free".  
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.  
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based  
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.  
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.  
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.  
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation  
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.  
(6)  
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two  
lines if the finish value exceeds the maximum column width.  
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information  
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and  
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.  
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.  
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.  
Addendum-Page 1  
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Addendum-Page 2  
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TI“按原样提供技术和可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源,  
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保,包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担  
保。  
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