TPIC1321LDWR [TI]

暂无描述;
TPIC1321LDWR
元器件型号: TPIC1321LDWR
生产厂家: TEXAS INSTRUMENTS    TEXAS INSTRUMENTS
描述和应用:

暂无描述

栅极
PDF文件: 总14页 (文件大小:273K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:TPIC1321LDWR参数
Brand NameTexas Instruments
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码SOIC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.9
其他特性ESD PROTECTED
雪崩能效等级(Eas)96 mJ
外壳连接ISOLATED
配置COMPLEX
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.3 A
最大漏极电流 (ID)1.25 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)75 pF
JEDEC-95代码MS-013AD
JESD-30 代码R-PDSO-G24
元件数量6
端子数量24
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值1.39 W
最大功率耗散 (Abs)1.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)4 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)180 ns
最大开启时间(吨)125 ns
Base Number Matches1