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ADS4129IRGZ25 14位/ 12位, 160 / 250MSPS ,超低功耗ADC (14-/12-Bit, 160/250MSPS, Ultralow-Power ADC)
.型号:   ADS4129IRGZ25
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描述: 14位/ 12位, 160 / 250MSPS ,超低功耗ADC
14-/12-Bit, 160/250MSPS, Ultralow-Power ADC
文件大小 :   1965 K    
页数 : 77 页
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品牌   TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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100%
www.ti.com
SBAS483D - 2009年11月 - 修订2010年4月
电气特性:一般
典型值为+ 25 ° C, AVDD = 1.8V , DRVDD = 1.8V , 50 %时钟占空比,而0 dB的放大,除非另有说明。
最低和最高值是在整个温度范围:T已
= -40°C至T
最大
= + 85°C , AVDD = 1.8V ,并
DRVDD = 1.8V 。
ADS4126 / ADS4146 ( 160MSPS )
(1)
参数
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入电阻(在DC) ;看
差分输入电容;看
模拟输入带宽
模拟输入共模电流(每输入引脚)
共模输出电压
VCM输出电流能力
DC精度
偏移误差
偏移误差的温度系数
增益误差作为内部参考的结果
孤独不准确
单独通道增益误差
Ë温度系数
GCHAN
电源
IAVDD
模拟电源电流
IDRVDD
(2)
输出缓冲器的电源电流
LVDS接口与外部100Ω端接
低LVDS摆幅( 200mV的)
IDRVDD
输出缓冲器的电源电流
LVDS接口与外部100Ω端接
标准LVDS摆幅( 350mV的)
IDRVDD输出缓冲器的电源电流
(2) (3)
CMOS接口
(3)
为8pF外部负载电容
f
IN
= 2.5MHz的
模拟电源
数字电源
LVDS接口,低LVDS摆幅
数字电源
CMOS接口
(3)
为8pF外部负载电容
f
IN
= 2.5MHz的
全球掉电
待机
73
99
113
mA
E
GREF
E
GCHAN
–2
–0.2
0.001
2.5
0.003
2
–2
–0.2
0.001
–15
2.5
0.003
2
–1
15
mV
毫伏/°C的
% FS
% FS
Δ%/°C
VCM
2.0
>1
4
550
0.6
0.95
4
2.0
>1
4
550
0.6
0.95
4
V
PP
pF
兆赫
μA / MSPS
V
mA
典型值
最大
ADS4129 / ADS4149 ( 250MSPS )
(1)
典型值
最大
单位
38
47
mA
50
59
72
mA
26
35
mA
131
68.7
179
84.6
mW
mW
47
63
mW
10
185
10
185
25
mW
mW
(1)
(2)
(3)
该ADS4126 , ADS4129 , ADS4146以及在产品预览设备。
最大DRVDD电流的CMOS接口依赖于数字输出线的实际负载电容。需要注意的是
每个数字输出线路最大推荐负载电容为10pF的。
在CMOS模式中, DRVDD当前鳞用的采样频率,在输出引脚的负载电容,输入频率,并且
电源电压(见
在节
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