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 SLUSBU4A - 2013年12月 - 修订2014年1月 电气特性（续） 电路 V UVLO ＆ LT ; V IN ＆ LT ; V OVP 和V IN ＆ GT ; V BAT + V SLP , T J = -40 ° C至125°C和T J = 25 ℃，典型值（除非 另有说明） 参数 抗尖峰脉冲对CD和PSEL 保护 V UVLO V UVLO_Hys V BATUVLO V SLP t DGL （ BAT ） V SLP_HYS t DGL （ VSLP ） IC活跃的阈值电压 IC有源滞后 电池欠压 锁定阈值 睡眠模式进入门槛， V IN -V BAT 抗尖峰脉冲时间， BAT以上 V BATUVLO SYS开始之前 上升 睡眠模式退出滞后 抗尖峰脉冲时间供应 上述V上升 SLP +V SLP_HYS 输入电源过压保护门限 电压 良好的电池监控器 阈值（仅BQ24260 / 1 ） 抗尖峰脉冲时间， VIN在OVP 降压模式 电池过压保护阈值 电压 V BOVP 迟滞 BOVP尖峰脉冲 逐周期电流限制 热脱扣 热滞 T REG PWM R DSON_Q1 R DSON_Q2 f OSC D 最大 D 民 V 热 V 温暖 V COOL V 冷 TSOff t DGL （TS）的 2 测试条件 CD或PSEL上升/下降 民 典型值 100 最大 单位 µs V IN 升起 V IN 从上面的V下降 UVLO V BAT 下降， 100mV的滞后 2.0 V < V BAT ＆ LT ; V BATREG , V IN 落下 3.2 3.3 300 2.4 3.4 V mV 2.6 120 V mV 0 40 1.2 V IN 上述V上升 SLP 上升的电压， 2毫伏以上的车程，T 上升 =100ns bq24260 10.1 13.6 6.25 3.51 40 100 30 10.5 14 6.5 3.7 30 1.03 × V BATREG 1.05 × V BATREG 1 8 4.1 4.5 150 10 输入电流开始切断 –20% 125 20% 4.9 1.07 × V BATREG 10.9 14.4 6.75 3.89 190 ms mV ms V OVP 瑞星， 100mV的滞后 bq24261 bq24262 V V BATGD t DGL （ BUCK_OV P) V IN 升起 在属于低于V OVP V BAT 阈值超过V OREG 充电过程中关闭充电器 对于V下限 BAT 从上面的V下降 BOVP 电池进入/退出BOVP V SYS 短 V ms V ％的 V BATREG ms A °C V BOVP V BOVP_HYS t DGL （ BOVP ） I CbCLIMIT T SHTDWN 热调节的阈值 安全定时器的精度 °C 内部高端MOSFET导通 阻力 内底N沟道 MOSFET的导通电阻 振荡器频率 最大占空比 最小占空比 YFF套餐：从测量到SW RGE包装：从测量到SW YFF套餐：从SW测量到PGND RGE包装：从SW测量到PGND 1.35 75 80 75 80 1.5 95 0 120 135 115 135 1.65 mΩ mΩ mΩ mΩ 兆赫 % 电池组NTC MONITOR （ 1 ） 高温度阈值 温暖的温度阈值 凉爽的温度阈值 低温阈值 TS禁用门槛 抗尖峰脉冲时间TS的变化 V TS 下降， 2 ％V DRV 迟滞 V TS 下降， 2 ％V DRV 迟滞 V TS 上升， 2 ％V DRV 迟滞 V TS 上升， 2 ％V DRV 迟滞 V TS 上升， 4 ％V DRV 迟滞 适用于V 热 , V 温暖 , V COOL 和V 冷 27.3 36.0 54.7 58.2 80 50 30 38.3 56.4 60 32.6 41.2 58.1 61.8 85 %V DRV %V DRV %V DRV %V DRV %V DRV ms I C兼容接口 V IH V IL V OL I BIAS t 看门狗 输入低门限电平 输入低门限电平 输出低电平阈值电平 高层次的漏电流 V 引体向上 = 1.8V ， SDA和SCL V 引体向上 = 1.8V ， SDA和SCL IL = 5毫安，灌电流 V 引体向上 = 1.8V ， SDA和SCL 30 50 1.3 0.4 0.4 1 V V V μA s 6 版权所有© 2013-2014 ，德州仪器 产品文件夹链接：
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