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BUF08832AIPWPR 可编程伽马电压发生器和高压摆率VCOM ,集成双内存银行 (Programmable Gamma-Voltage Generator and High Slew Rate VCOM with Integrated Two-Bank Memory)
.型号:   BUF08832AIPWPR
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描述: 可编程伽马电压发生器和高压摆率VCOM ,集成双内存银行
Programmable Gamma-Voltage Generator and High Slew Rate VCOM with Integrated Two-Bank Memory
文件大小 :   788 K    
页数 : 30 页
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品牌   TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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100%
BU
F08
832
www.ti.com
..........................................................................................................................................
SBOS476B - 2009年8月 - 修订2009年9月
可编程伽马电压发生器和
高转换速率V
COM
集成双内存银行
检查样品:
1
特点
10位分辨率
8通道P- GAMMA
1路P -V
COM
高转换速率V
COM
: 45V / μs的
16倍速重写非易失性存储器
两个独立的引脚可选
存储银行
轨到轨输出
- 300mV的最小摆动到轨(10mA拉)
- > 300毫安我最大
OUT
低电源电流
电源电压: 9V至20V
数字电源: 2V到5.5V
两线接口:支持400kHz的和
3.4MHz
描述
该BUF08832提供8个可编程的伽玛
信道和一个可编程V
COM
通道。
最后伽马和V
COM
值可以被存储在
片上的非易失性存储器。以允许
编程错误或液晶显示器(LCD)
板返工的BUF08832支持多达16个的写
操作,以在片上存储器。
该BUF08832有两个独立的存储体,
允许同时存储两个不同的伽马
曲线,以便伽马曲线之间的切换。
所有的伽玛和V
COM
渠道提供轨到轨
输出通常摆幅内150mV的任
与10mA的负载电源轨。所有通道都
采用双线接口的编程
支持标准的操作可达400kHz和
高速的数据传输速度高达3.4MHz的。
该BUF08832采用德州制造
仪器公司专有的,国家的最先进的,高电压
CMOS工艺。这个过程提供了非常密集的逻辑
和高达20V的高电源电压下运行。该
BUF08832是在HTSSOP - 20使用PowerPad ™提供
封装,工作在-40° C至+ 85° C温度范围。
相关产品
特点
22通道伽玛校正缓冲器
OUT1
23
应用
TFT -LCD参考驱动程序
BKSEL
数字
( 2.0V至5.5V )
类似物
( 9V至20V )
1
BUF08832
产品
16通道伽玛校正缓冲器
12通道伽玛校正缓冲器
18- / 20通道可编程缓冲器, 10位,V
COM
18- / 20通道可编程缓冲带记忆
OUT2
16倍的非易失性存储器BANK0
16倍的非易失性存储器BANK1
DAC寄存器
DAC寄存器
¼
¼
¼
¼
¼
OUT7
可编程V
COM
司机
18V供电,传统的Gamma缓冲器
22V供电,传统的Gamma缓冲器
OUT8
V
S
(V
COM
)
V
COM
GND (V
COM
)
V
COM -FB
SDA
SCL
控制IF
A0
1
2
3
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仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
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不一定包括所有参数进行测试。
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