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CD54HC73 , CD74HC73 ,
CD74HCT73
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS134E
1998年2月 - 修订2003年9月
双J- K触发器与复位
负边沿触发
描述
在“ HC73和CD74HCT73利用硅栅CMOS
技术,实现运行速度相当于LSTTL
件。它们表现出的标准的低功率消耗
CMOS集成电路,具有带动10的能力一起
LSTTL负载。
这些FL IP- FL OPS具有独立的J,K ,复位和时钟
输入和Q及输出。他们更改国家
负向的时钟脉冲的过渡。复位
由一个低电平输入异步地完成的。这
装置在功能上等同于HC / HCT107 ,但不同
在终端分配,在一定的参数范围。
在HCT逻辑系列在功能和引脚兼容
与标准LS逻辑系列。
特点
[ /标题
(CD74
HC73,
CD74
HCT73
)
/子
拍摄对象
(双
J-K·
倒装
拍击
•滞后的时钟输入,提高了噪音
免疫力和增加输入上升和下降时间
•异步复位
•互补输出
•缓冲输入
•典型˚F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
•扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
•宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
•平衡传输延迟和转换时间
•显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
• HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
• HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC73F3A
CD74HC73E
CD74HC73M
CD74HC73MT
CD74HC73M96
CD74HCT73E
CD74HCT73M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC73 ( CERDIP )
CD74HC73 , CD74HCT73 ( PDIP , SOIC )
顶视图
1CP 1
1R 2
1K 3
V
CC
4
2CP 5
2R 6
2J 7
14 1J
13 1Q
12 1Q
11 GND
10 2K
9 2Q
8 2Q
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
©
2003年,德州仪器
1
CD54HC73 , CD74HC73 , CD74HCT73
工作原理图
14
1J
3
1K
1
1CP
2
1R
7
2J
10
2K
5
2CP
2R
6
GND = 11
V
CC
= 4
FF 2
9
2Q
8
2Q
FF 1
12
1Q
13
1Q
真值表
输入
R
L
H
H
H
H
H
H
L
X
=高级别(稳态)
=低电平(稳态)
=无关
=高向低转换
CP
X
J
X
L
H
L
H
X
K
X
L
L
H
H
X
H
L
切换
没有变化
Q
L
没有变化
L
H
输出
Q
H
H
逻辑图
14 (7)
J
3(10)
K
1 (5)
CP
nA
J
K
CL
CL ř
13 (8)
Q
12 (9)
Q
2 (6)
R
2
CD54HC73 , CD74HC73 , CD74HCT73
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
µA
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC73 , CD74HC73 , CD74HCT73
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5〜
5.5
4.5〜
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
µA
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
µA
I
CC
∆I
CC
(注2 )
0
-
5.5
4.5〜
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
µA
µA
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
0.3
输入电平
V
S
HC类型
V
CC
50% V
CC
HCT类型
3V
1.3V
注:机组负荷为
∆I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
注:转换时间和传输延迟时间
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
CP脉冲宽度
t
w
-C
L
= 50pF的
2
4.5
6
ř脉冲宽度
t
w
-C
L
= 50pF的
2
4.5
6
80
16
14
80
16
14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
100
20
17
-
-
-
-
-
-
120
24
20
120
24
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC73 , CD74HC73 , CD74HCT73
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
建立时间,J ,K为CP
符号
t
SU
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
保持时间,J ,K为CP
t
H
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
拆除时间
t
REM
-C
L
= 50pF的
2
4.5
6
CP频率
f
最大
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
HCT类型
CP脉冲宽度
ř脉冲宽度
建立时间,J ,K为CP
保持时间,J ,K为CP
拆除时间
CP频率
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
f
最大
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
5
16
18
16
3
12
30
-
-
-
-
-
-
-
60
-
-
-
-
-
-
-
20
23
20
3
15
25
-
-
-
-
-
-
-
-
24
27
24
3
18
20
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
5
6
25
o
C
80
16
14
3
3
3
80
16
14
6
30
-
35
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
100
20
17
3
3
3
100
20
17
5
25
-
29
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
3
3
3
120
24
20
4
20
-
23
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
TEST
条件
C
L
= 50pF的
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP到Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
CL = 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
CP到Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
R键Q,Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
13
-
-
-
12
-
-
-
-
160
32
-
28
160
32
-
28
145
29
-
25
75
15
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
40
-
34
200
40
-
34
180
36
-
31
95
19
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18
-
-
240
48
-
41
240
48
-
41
220
44
-
38
110
22
19
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
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