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CSD17571Q2
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SLPS393 - 2013年10月
30V N通道NexFET ™功率MOSFET
检查样品:
CSD17571Q2
1
特点
低Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 2毫米×2毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
漏源极电压
栅极电荷总数( 4.5 V )
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
30
2.4
0.6
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
1.6
24
20
V
nC
nC
V
2
订购信息
设备
CSD17571Q2
SON 2毫米×2毫米
塑料包装
媒体
7-Inch
REEL
数量
3000
磁带和
REEL
应用
优化负载开关应用
存储,平板电脑和手持设备
优化控制FET应用
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
价值
30
±20
22
7.6
(2)
(1)
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
这30V , 20MΩ , Son2x2 NexFET™功率MOSFET
已被设计为最小化功率损耗
转化率和负载管理应用程序,而
对于规模提供了出色的散热性能
该程序包。
顶视图
D
1
D
6
D
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流(套餐限制)
连续漏电流
功耗
(1)
工作结存储
温度范围
雪崩能量,单脉冲
I
D
= 12 A,L = 0.1 mH的,R
G
= 25
Ω
漏电流脉冲,T
A
= 25°C
39
2.5
-55到150
7.2
(1) R
θJA
= 50的1in²铜(2盎司)对0.060"厚的FR4 PCB
D
2
5
D
(2)脉冲持续时间10
μs,
占空比
≤2%
G
3
S
4
S
P0108-01
50
R
DS
(
on
)
- 通态电阻(mΩ )
46
42
38
34
30
26
22
18
14
10
0
2
4
R
DS ( ON)
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
T
C
= 25 ° C,I
D
= 5A
T
C
≤ 125 ° C,I
D
= 5A
栅极电荷
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3 3.5 4
Q
g
- 栅极电荷( NC)
4.5
5
5.5
G001
I
D
= 5A
V
DS
=15V
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压(V)
18
20
G001
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有© 2013年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G( TH )
Q
OSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数( 4.5V )
栅极电荷 - 栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在V
th
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
DS
= 5 A,V
GS
= 0 V
V
DD
= 15 V,I
F
= 5 A, di / dt的= 300 A / μs的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V,I
DS
= 5 A
R
G
= 2
Ω
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V,I
DS
= 5 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 15 V , F = 1兆赫
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
μA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250
μA
V
GS
= 4.5 V,I
DS
= 5 A
V
GS
= 10 V,I
DS
= 5 A
V
DS
= 15 V,I
DS
= 5 A
1.3
1.6
24
20
43
360
101
9
3.8
2.4
0.6
0.9
0.6
3.4
5.3
19
8.0
2.6
0.8
2.3
11
1
468
131
12
7.6
3.1
30
1
100
2.0
29
24
V
μA
nA
V
S
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
TYP MAX
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
典型值
最大
6.2
65
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
(1) (2)
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
) , 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸( 3.81厘米× ( 0.071毫米厚) Cu焊盘
3.81厘米) , 0.06英寸( 1.52毫米)厚的FR4 PCB 。 ř
θJC
由设计规定,而ř
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
) , 2盎司( 0.071毫米厚)的Cu 。
2
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N通
来源
N通
来源
最大ř
θJA
= 65时,
装在1英寸
2
( 6.45厘米
2
) 2盎司
( 0.071毫米厚)的Cu 。
最大ř
θJA
= 235时,
安装在最小
的2盎司垫区域。
( 0.071毫米厚)的Cu 。
M0164-01
M0164-02
典型MOSFET的特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
图1.瞬态热阻抗
TEXT增加了间距
50
I
DS
- 漏极 - 源极电流(A )
I
DS
- 漏极 - 源极电流(A )
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2
V
GS
= 10V
V
GS
= 6V
V
GS
= 4.5V
0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
1.8
2
G001
TEXT增加了间距
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= −55°C
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
3.5
4
G001
V
DS
= 5V
图2.饱和特性
图3.传输特性
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3
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典型MOSFET的特性(续)
T
A
= 25 ° C除非另有说明
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3 3.5 4
Q
g
- 栅极电荷( NC)
4.5
5
5.5
G001
TEXT增加了间距
1000
I
D
= 5A
V
DS
=15V
Ç - 电容(pF )
100
10
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
1
0
3
6
9
12
15
18
21
24
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
27
30
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
2
V
GS
(
th
)
- 阈值电压( V)
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
−75
−25
25
75
125
T
C
- 外壳温度( ° C)
175
G001
图5.电容
TEXT增加了间距
50
R
DS
(
on
)
- 通态电阻(mΩ )
I
D
= 250uA
46
42
38
34
30
26
22
18
14
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压(V)
18
20
G001
T
C
= 25 ° C,I
D
= 5A
T
C
≤ 125 ° C,I
D
= 5A
图6.阈值电压随温度的变化
TEXT增加了间距
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
−75
−25
25
75
125
T
C
- 外壳温度( ° C)
175
G001
图7.导通电阻与栅极至源极电压
TEXT增加了间距
100
I
SD
- 源 - 漏极电流(A )
归一化通态电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
I
D
= 5A
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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典型MOSFET的特性(续)
T
A
= 25 ° C除非另有说明
TEXT增加了间距
1000
I
AV
- 峰值雪崩电流( A)
I
DS
- 漏极 - 源极电流(A )
1ms
10ms
100
100ms
1s
DC
100
T
C
= 25ºC
T
C
= 125ºC
TEXT增加了间距
10
10
1
1
0.1
单脉冲
典型ř
ThetaJA
= 190℃ / W (分铜)
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
50
G001
0.1
0.01
0.1
T
AV
- 在雪崩时间(ms )
1
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
30.0
I
DS
- 漏极 - - 源电流(A )
27.0
24.0
21.0
18.0
15.0
12.0
9.0
6.0
3.0
0.0
−50
−25
0
25
50
75
100 125
T
A
- AmbientTemperature ( ºC )
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
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