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TLV2264QD  TLV2264MJ  TLV226XA  TLV2264MJB  TLV2264MWB  TLV226X  TLV2264QDR  
CSD17571Q2 30V N通道NexFET功率MOSFET (30V N-Channel NexFET Power MOSFETs)
.型号:   CSD17571Q2
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描述: 30V N通道NexFET功率MOSFET
30V N-Channel NexFET Power MOSFETs
文件大小 :   908 K    
页数 : 11 页
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品牌   TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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100%
SLPS393 - 2013年10月
典型MOSFET的特性(续)
T
A
= 25 ° C除非另有说明
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3 3.5 4
Q
g
- 栅极电荷( NC)
4.5
5
5.5
G001
TEXT增加了间距
1000
I
D
= 5A
V
DS
=15V
Ç - 电容(pF )
100
10
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
1
0
3
6
9
12
15
18
21
24
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
27
30
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
2
V
GS
(
th
)
- 阈值电压( V)
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
−75
−25
25
75
125
T
C
- 外壳温度( ° C)
175
G001
图5.电容
TEXT增加了间距
50
R
DS
(
on
)
- 通态电阻(mΩ )
I
D
= 250uA
46
42
38
34
30
26
22
18
14
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压(V)
18
20
G001
T
C
= 25 ° C,I
D
= 5A
T
C
≤ 125 ° C,I
D
= 5A
图6.阈值电压随温度的变化
TEXT增加了间距
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
−75
−25
25
75
125
T
C
- 外壳温度( ° C)
175
G001
图7.导通电阻与栅极至源极电压
TEXT增加了间距
100
I
SD
- 源 - 漏极电流(A )
归一化通态电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
I
D
= 5A
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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