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UCC2808-1 , UCC2808-2 , UCC3808-1 , UCC3808-2
低功耗电流模式推挽PWM
SLUS168D - 1999年4月 - 修订2002年8月
D
在推挽式双输出驱动级
D
D
D
D
D
D
D
CON组fi guration
130 μA典型的启动电流
1 mA的典型运行电流
操作至1 MHz的
内部软启动
片上误差放大器以及2 - MHz增益
带宽积
片上VDD钳位
输出驱动级能500毫安
峰源电流, 1 A峰值灌电流
ð或N包装
( TOP VIEW )
COMP
FB
CS
RC
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
OUTA
OUTB
GND
PW包
( TOP VIEW )
OUTA
VDD
COMP
FB
1
2
3
4
8
7
6
5
OUTB
GND
RC
CS
描述
该UCC3808是一个家族的BiCMOS推挽,高速,低功率,脉冲宽度调制器的。该UCC3808
包含所有所需的脱线或直流到直流固定频率电流模式开关的控制和驱动电路的
电源用最少的外部组件数。
该UCC3808双输出驱动器级被配置成推挽式构型。两个输出一半的切换
振荡器的频率用一个双稳触发器。这两个输出之间的死区时间通常为60纳秒至200纳秒
根据定时电容器和电阻器的值,从而限制每个输出级的占空比,以小于
的50%。 (续)
框图
FB
2
COMP
1
CS
3
8
过电流
比较
0.75 V
2.0 V
2.2 V
7
VDD OK
S
Q
R
1.2R
VDD - 1 V
S
Q
R
0.5 V
软启动
电压
参考
VDD
R
6
OUTB
PWM
比较
PWM
LATCH
S
Q
R
Q
T
Q
振荡器
OUTA
0.5 V
22 k
峰值电流
比较
14 V
VDD
斜率= 1 V / ms的
5
GND
4
注:图中所示引脚是SOIC和PDIP封装。 TSSOP封装的引脚配置是不同的。
RC
UDG-02116
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年,德州仪器
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1
UCC2808-1 , UCC2808-2 , UCC3808-1 , UCC3808-2
低功耗电流模式推挽PWM
SLUS168D - 1999年4月 - 修订2002年8月
描述(续)
该UCC3808系列提供多种封装温度范围选项,并选择欠压锁定的
的水平。家里有UVLO阈值和离线和电池供电的系统滞后的选项。门槛
示于下表中。
表1中。
产品型号
UCCx808–1
UCCx808–2
开启阈值
12.5 V
4.3 V
订购信息
包装设备
TA = TJ
40°C
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
UVLO选项
12.5 V/8.3 V
4.3 V/4.1 V
12.5 V/8.3 V
SOIC ( D)
UCC2808D–1
UCC2808D–2
UCC3808D–1
PDIP ( N)
UCC2808N–1
UCC2808N–2
UCC3808N–1
TSSOP ( PW )
UCC2808PW–1
UCC2808PW–2
UCC3808PW–1
关闭阈值
8.3 V
4.1 V
4.3 V/4.1 V
UCC3808D–2
UCC3808N–2
UCC3808PW–2
† D( SOIC - 8)和PW ( TSSOP - 8 )封装都提供卷带封装。加入TR后缀设备类型(例如,
UCC3808DTR - 1 )订购的每卷2500设备数量为每卷SOIC -8和2000设备的TSSOP - 8 。
在工作​​自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压( IDD
10毫安) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 V
电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
OUTA / OUTB源电流(峰值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5
OUTA / OUTB灌电流(峰值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0
模拟输入( FB , CS ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至VDD + 0.3 V ,不超过6 V
在T功耗
A
= 25°C (N包) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1 W
在T功耗
A
= 25°C (D包) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 650毫瓦
在T功耗
A
= 25 ° C( PW封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
储存温度,
TSTG
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃〜150 ℃的
结温,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至150℃
引线温度(焊接, 10秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
†超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
‡电流为正,负出指定的终端。咨询的包装科
电源控制数据手册( TI文学
数SLUD003 )
热限制和封装方面的考虑。
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UCC2808-1 , UCC2808-2 , UCC3808-1 , UCC3808-2
低功耗电流模式推挽PWM
SLUS168D - 1999年4月 - 修订2002年8月
电气特性
, T
A
= 0℃至70℃的UCC3808 -的x, -40 ℃至85℃的UCC2808 - x和-55 ℃下
至125°C的UCC1808 -X , VDD = 10V (见注6 ) , 1
µF
电容从VDD到GND , R = 22 kΩ的,C = 330 pF的,
T
A
= T
J
(除非另有规定)
振荡器部分
参数
振荡器频率
振荡器的振幅/ VDD
见注1
测试条件
175
0.44
典型值
194
0.5
最大
213
0.56
单位
千赫
V/V
误差放大器部分
参数
输入电压
输入偏置电流
开环电压增益
COMP灌电流
COMP源电流
FB = 2.2 V ,
FB = 1.3 V ,
COMP = 1 V
COMP = 3.5 V
COMP = 2 V
测试条件
1.95
–1
60
0.3
–0.2
80
2.5
–0.5
典型值
2
最大
2.05
1
单位
V
µA
dB
mA
mA
PWM节
参数
最大占空比
最小占空比
COMP = 0 V
测试条件
测量OUTA或OUTB
48%
典型值
49%
最大
50%
0%
单位
电流检测科
参数
收益
最大输入信号
CS到输出延迟
CS源电流
过电流阈值
COMP到CS偏移
CS = 0 V
注: 1,测量温度为RC 。信号幅度跟踪​​VDD 。
DV
COMP , 0
v
V
v
0.4 V,
答: 2,增益被定义
+
CS
DV
CS
3.参数在闩锁与FB在0V跳变点进行测量。
4.启动阈值和齐纳分流门槛轨道彼此。
5.对于UCCx808-1 ,在10 V设置之前设置VDD高于启动阈值
6.不包括当前在外部振荡器网络。
见注2
COMP = 5 V ,
COMP = 3.5 V ,
见注3
CS从0到600毫伏
–200
0.7
0.35
0.75
0.8
0.8
1.2
测试条件
1.9
0.45
典型值
2.2
0.5
100
最大
2.5
0.55
200
单位
V/V
V
ns
nA
V
V
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UCC2808-1 , UCC2808-2 , UCC3808-1 , UCC3808-2
低功耗电流模式推挽PWM
SLUS168D - 1999年4月 - 修订2002年8月
电气特性
, T
A
= 0℃至70℃的UCC3808 -的x, -40 ℃至85℃的UCC2808 - x和-55 ℃下
至125°C的UCC1808 -X , VDD = 10V (见注6 ) , 1
µF
电容从VDD到GND , R = 22 kΩ的,C = 330 pF的,
T
A
= T
J
(除非另有规定)
输出部分
参数
输出低电平
OUT高层
上升时间
下降时间
I =百毫安
I = -50毫安,
CL = 1 nF的
CL = 1 nF的
VDD - OUT
测试条件
典型值
0.5
0.5
25
25
最大
1
1
60
60
单位
V
V
ns
ns
欠压锁定部分
参数
UCCx808–1,
启动阈值
最低
微量米工作电压开始后
oltage
迟滞
ħ steresis
UCCx808–2
UCCx808–1
UCCx808–2
UCCx808–1
UCCx808–2
测试条件
见注6
11.5
4.1
7.6
3.9
3.5
0.1
典型值
12.5
4.3
8.3
4.1
4.2
0.2
最大
13.5
4.5
9
4.3
5.1
0.3
单位
V
V
V
V
V
V
软启动第
参数
COMP上升时间
FB = 1.8 V ,
测试条件
从0.5 V上升到24 V
典型值
3.5
最大
20
单位
ms
总体组
参数
启动电流
工作电源电流
VDD稳压分流电压
FB = 0 V ,
IDD = 10 mA时,
测试条件
VDD <启动阈值
CS = 0 V ,
见注4
见注5和6
13
典型值
130
1
14
最大
260
2
15
单位
µA
mA
V
注: 1,测量温度为RC 。信号幅度跟踪​​VDD 。
DV
COMP , 0
v
V
v
0.4 V,
答: 2,增益被定义
+
CS
DV
CS
3.参数在闩锁与FB在0V跳变点进行测量。
4.启动阈值和齐纳分流门槛轨道彼此。
5.对于UCCx808-1 ,在10 V设置之前设置VDD高于启动阈值
6.不包括当前在外部振荡器网络。
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UCC2808-1 , UCC2808-2 , UCC3808-1 , UCC3808-2
低功耗电流模式推挽PWM
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引脚说明
COMP :
COMP是误差放大器的输出端与PWM比较器的输入端。在误差放大器
UCC3808是一个真正的低输出阻抗, 2 -MHz的运算放大器。因此, COMP引脚可以源和
灌电流。但是,误差放大器是内部电流限制,从而使零占空比可以从外部强制
拉COMP到GND。
该UCC3808系列内置了完整的循环软启动。软启动被实现为在最大COMP的夹紧
电压。
CS :
输入到PWM ,峰值电流和过电流比较器。过流比较器仅用于
进行故障检测。超过过流门限会导致软启动周期。
FB :
反相输入端的误差放大器。为了获得最佳的稳定性,保持FB的引线长度尽可能短和FB杂散
电容尽可能小。
GND :
参考接地和电源地的所有功能。由于高的电流,和高频手术
该UCC3808 ,低阻抗电路板的接地层强烈推荐。
OUTA和OUTB :
交替的高电流输出级。这两个阶段都能够驱动一个功率门
MOSFET。每个阶段都能够500 mA峰值电流源,以及1 -A峰值吸收电流。
输出级切换以一半的振荡频率,在推/拉配置。当在RC上的电压
销是上升的,在两个输出端中的一个是高的,但在下降时间内,两个输出都关闭。这两者之间的死区时间
输出,随着比下降时间更慢的输出上升时间,确保了两个输出不能同时是对
时间。这种死区时间通常为60纳秒至200纳秒,并且取决于定时电容器和电阻器的值。
高电流输出驱动器包含MOSFET的输出设备,它把从VDD到GND 。每路输出
阶段还提供了非常低的阻抗,过冲和下冲。这意味着,在许多情况下,外部
肖特基钳位二极管是不需要的。
RC :
该振荡器编程引脚。该UCC3808的振荡器跟踪VDD和GND内部,使变化
电源轨最小影响的频率稳定性。图1示出了振荡器的方框图。
只有两个部件都需要进行编程的振荡器:一个电阻(连接在VDD和RC)和电容器(绑
到RC和GND) 。近似​​振荡器频率是由简单的公式来确定:
f
+
1.41
振荡器
RC
其中,频率,单位为赫兹,单位为欧姆的电阻,并在法拉电容。定时所建议的范围
电阻为10 kΩ和200 kΩ和定时电容范围为100 pF和1000 pF的之间。定时电阻
应避免使用小于10千欧。
为了获得最佳性能,保持定时电容器引线到GND尽可能短,定时电阻引线从VDD
尽可能地短,并且定时元件和RC尽可能短的引线。单独地和
VDD痕迹外部定时网络鼓励。
VDD :
该设备的电源输入接口。虽然静态VDD电流非常低,总电源电流
将更高,这取决于OUTA和OUTB的电流,并在编程的振荡器频率。总电流VDD
是静态VDD电流和平均输出电流的总和。知道的工作频率和
MOSFET的栅极电荷(Qg ) ,平均输出电流可由下式计算:
I
OUT
+
Qg
F,其中F为频率
为了防止噪音问题, VDD旁路至GND陶瓷电容尽量靠近芯片以及可能的
的电解电容器。一个1 μF的去耦电容。
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