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SN74LVC1G08
单路2输入正与门
www.ti.com
SCES217T - 1999年4月 - 修订2007年2月
特点
可以在德州仪器
NanoFree ™封装
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
3.6 ns的电压为3.3 V
低功耗, 10 μA最大I
CC
±24-mA
输出驱动电压为3.3 V
DBV包装
( TOP VIEW )
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 , II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 200 -V机型号( A115 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
DRL包装
( TOP VIEW )
DCK包装
( TOP VIEW )
A
B
GND
1
5
V
CC
A
B
1
2
3
5
V
CC
A
B
GND
1
2
3
5
V
CC
Y
2
4
GND
4
4
Y
3
Y
干包装
( TOP VIEW )
YZP包装
(底视图)
A
B
1
2
3
6
V
CC
NC
Y
GND
B
A
3 4
2
1 5
Y
V
CC
5
4
GND
NC - 无内部连接
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
该SN74LVC1G08执行布尔函数或
Y = A •B或Y = A + B
在正逻辑。
NanoFree ™封装技术是IC封装概念的重大突破,采用了模为
封装。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出,
防止有害的电流回流通过该装置,当它被断电。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有©1999-2007 ,德州仪器
SN74LVC1G08
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订购信息
T
A
(1)
NanoFree ™ - WCSP ( DSBGA )
0.23毫米大的凸起 - YZP
(无铅)
SON - 干
-40 ° C至85°C
SOT ( SOT - 23 ) - DBV
SOT ( SC - 70 ) - DCK
SOT ( SOT - 553 ) - DRL
(1)
(2)
3000卷
5000卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
订购零件
SN74LVC1G08YZPR
SN74LVC1G08DRYR
SN74LVC1G08DBVR
SN74LVC1G08DBVT
SN74LVC1G08DCKR
SN74LVC1G08DCKT
SN74LVC1G08DRLR
CE =
顶部端标记
(2)
_ _CE_
CE =
C08_
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL /干:实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YZP :实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年,月,和序列码,和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成( 1 =锡铅,
=无铅) 。
功能表
输入
A
H
L
X
B
H
X
L
产量
Y
H
L
L
逻辑图(正逻辑)
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
I
V
O
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压范围
输入电压范围
(2)
电压范围应用于任何输出的高阻抗或电源关断状态
(2)
电压范围应用于任何输出的高或低
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出中的电流
连续电流通过V
CC
或GND
DBV包装
DCK包装
θ
JA
封装的热
阻抗
(4)
DRL包装
干包装
YZP包装
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
存储温度范围
–65
状态
(2) (3)
V
I
& LT ; 0
V
O
& LT ; 0
–0.5
–0.5
–0.5
–0.5
最大
6.5
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
206
252
142
234
132
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
V的值
CC
在推荐工作条件表中提供。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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推荐工作条件
(1)
V
CC
电源电压
操作
数据保存时间只有
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
IH
高电平输入电压
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
IL
低电平输入电压
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
V
O
输入电压
输出电压
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OH
高电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 2.3 V
I
OL
低电平输出电流
V
CC
= 3 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V, 2.5 V
±
0.2 V
ΔT/ ΔV
输入过渡上升或下降速率
T
A
(1)
工作自由空气的温度
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
–40
0
0
1.65
1.5
0.65
×
V
CC
1.7
2
0.7
×
V
CC
0.35
×
V
CC
0.7
0.8
0.3
×
V
CC
5.5
V
CC
–4
–8
–16
–24
–32
4
8
16
24
32
20
10
5
85
°C
NS / V
mA
mA
V
V
V
V
最大
5.5
单位
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号SCBA004 。
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围(除非另有说明)
参数
I
OH
= –100
µA
I
OH
= -4毫安
V
OH
I
OH
= -8毫安
I
OH
= -16毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -32毫安
I
OL
= 100
µA
I
OL
= 4毫安
V
OL
I
OL
= 8毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 32毫安
I
I
I
关闭
I
CC
∆I
CC
C
i
(1)
A或B输入
V
I
= 5.5 V或GND
V
I
或V
O
= 5.5 V
V
I
= 5.5 V或GND ,
一个输入在V
CC
– 0.6 V,
V
I
= V
CC
或GND
所有典型值是在V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C.
I
O
= 0
其他输入在V
CC
或GND
测试条件
V
CC
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V至5.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
0至5.5 V
0
1.65 V至5.5 V
3 V至5.5 V
3.3 V
4
最小值典型值
(1)
V
CC
– 0.1
1.2
1.9
2.4
2.3
3.8
0.1
0.45
0.3
0.4
0.55
0.55
±5
±10
10
500
µA
µA
µA
µA
pF
V
V
最大
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 15 pF(除非另有说明)(见
图1)
参数
t
pd
(输入)
A或B
TO
(输出)
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
1.5
最大
7.2
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
0.7
最大
4.4
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
0.8
最大
3.6
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
0.8
最大
3.4
ns
单位
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内,C
L
= 30 pF或者50 pF(除非另有说明)(见
图2)
参数
t
pd
(输入)
A或B
TO
(输出)
Y
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
2.4
最大
8
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
1.1
最大
5.5
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
1
最大
4.5
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
1
最大
4
ns
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V
典型值
21
V
CC
= 2.5 V
典型值
24
V
CC
= 3.3 V
典型值
26
V
CC
= 5 V
典型值
31
单位
pF
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