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TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
D
2 ×带宽的TL06x (2兆赫)和
D
D
TL03x运算放大器
低电源电流。 。 。 290
μA /通道
典型值
片偏移电压的微调
改进的DC性能
D
高输出驱动,指定为100 Ω
D
负载
比以前的低本底噪声
低功耗BiFETs的代
描述
该TLE206x系列低功耗JFET输入运算放大器的两倍较早的带宽
代TL06x和TL03x的BiFET家庭没有显著增加功耗。得克萨斯州
仪器神剑过程中还提供了一个低本底噪声低于TL06x和TL03x 。片上稳压
微调偏置电压的产生精度等级的直流耦合应用。该TL206x设备
引脚兼容于其它德州仪器BiFETs ;它们可以被用来增加一倍TL06x的带宽和
TL03x电路或由近90%的减少TL05x , TL07x和TL08x电路的功耗。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的,更高的输入阻抗,无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或低电平的交流信号。它们还具有比双极本身更好的交流响应
或有可比功耗CMOS器件。该TLE206x系列具有高输出驱动
电路可驱动100 Ω负载时电源低至中
±
5五,这使它们特别适用于驾驶
在调制解调器和其他需要良好的AC性能,低功耗和高负荷的变压器
输出驱动器。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的,负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE206x是在完全指定
±15
V和
±
5五,适用于低电压和/或单电源系统的操作,
推荐运算放大器( TLC-和TLV -前缀),德州仪器路LinCMOS家庭。
当从移动的BiFET和CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。德州仪器TLV2432和TLV2442 CMOS运算放大器
需要考虑的极佳选择。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLE2061可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
µV
0 C 70°C
0 ° C至70℃
1.5毫伏
3毫伏
500
µV
−40 C 85 C
-40 ° C至85°C
1.5毫伏
3毫伏
500
µV
−55 C 125 C
-55 ° C至125°C
1.5毫伏
3毫伏
外形™
(D)
TLE2061ACD
TLE2061CD
TLE2061AID
TLE2061ID
TLE2061AMD
TLE2061MD
芯片
支架
( FK )
TLE2061AMFK
TLE2061MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2061BMJG
TLE2061AMJG
TLE2061MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2061ACP
TLE2061CP
TLE2061AIP
TLE2061IP
TSSOP †
( PW )
TLE2061CPWLE
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLE2061AMU
TLE2061MU
†为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLE2061ACDR ) .Chips在25 ℃条件下测定。
‡的PW包可左端卷带封装(由LE后缀设备类型(例如, TLE2061CPWLE )表示。
TLE2062可选项
包装设备
TA
0°C
to
70°C
−40°C
to
85°C
−55°C
to
125°C
VIOMAX
在25℃下
1毫伏
2毫伏
4毫伏
1毫伏
2毫伏
4毫伏
1毫伏
2毫伏
4毫伏
小尺寸†
(D)
TLE2062BCD
TLE2062ACD
TLE2062CD
TLE2062BID
TLE2062AID
TLE2062ID
TLE2062BMD
TLE2062AMD
TLE2062MD
芯片载体
( FK )
TLE2062AMFK
TLE2062MFK
陶瓷DIP
( JG )
TLE2062BMJG
TLE2062AMJG
TLE2062MJG
塑料DIP
(P)
TLE2062BCP
TLE2062ACP
TLE2062CP
TLE2062BIP
TLE2062AIP
TLE2062IP
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLE2062AMU
TLE2062MU
†为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2062ACDR ) 。
TLE2064可选项
包装设备
TA
0°C
to
70°C
−40°C
to
85°C
−55°C
to
125°C
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
6毫伏
2毫伏
4毫伏
6毫伏
2毫伏
4毫伏
6毫伏
小尺寸†
(D)
TLE2064ACD
TLE2064CD
TLE2064AID
TLE2064ID
TLE2064AMD
TLE2064MD
芯片载体
( FK )
陶瓷DIP
(J)
塑料DIP
(N)
TLE2064BCN
TLE2064ACN
TLE2064CN
TLE2064BIN
TLE2064AIN
TLE2064IN
陶瓷的
扁平封装
(W)
TLE2064BMFK
TLE2064AMFK
TLE2064MFK
TLE2064BMJ
TLE2064AMJ
TLE2064MJ
TLE2064AMW
TLE2064MW
†为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLE2064ACDR ) 。
2
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TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
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“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLE2061 , TLE2061A ,和TLE2061B
D, DB , JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TLE2062 , TLE2062A , TLE2062B
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TLE2064 , TLE2064A , TLE2064B
D, J,N或W包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC −
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC −
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC −
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TLE2061M , TLE2061AM , TLE2061BM
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2062M , TLE2062AM , TLE2062BM
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2064M , TLE2064AM , TLE2064BM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
TLE2061和TLE2061A
ü套餐
( TOP VIEW )
VCC =
NC
偏移N2
NC
NC
TLE2062和TLE2062A
ü套餐
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC−
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
1OUT
1IN−
1IN+
V
CC−
1
2
3
4
5
NC - 无内部连接
V
CC −
NC
2IN+
NC
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN−
2IN+
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
8
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
8
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC −
NC
3英寸+
3
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
µ
功率运算
2004年4月
放大器器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订版
4
VCC +
Q9
Q32
Q13
Q14
Q18
Q29
Q33
Q35
Q16
Q19
Q25
Q34
Q27
Q23
Q5
Q17
Q11
2.7 kΩ
Q10
Q20
Q24
Q38
Q31
Q15
Q21
Q12
R4
55 kΩ
R2
1.1 kΩ
R5
60 kΩ
Q22
Q26
R7
600
Q8
C2
15 pF的
Q6
C1
R3
2.4 kΩ
C3
5.3 pF的
Q28
Q30
D1
Q37
Q41
Q40
R6
Q7
D2
Q36
Q39
R8
20
R9
100
OUT
Q42
Q4
另请注意一个
VCC =
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLE2061
43
9
1
3
TLE2062
42
9
2
3
TLE2064
42
9
2
3
等效电路图(每个通道)
IN +
IN =
模板发布日期: 94年7月11日
Q1
Q3
邮政信箱655303
15 pF的
Q2
达拉斯,德克萨斯州75265
R1
1.1 kΩ
偏移N2
OFFSET N1
注意事项: A. OFFSET N1和N2 OFFSET仅在所属行业的TLE2061x设备。
B.组件的值是有名无实。
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
在工作​​自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
CC+
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19 V
电源电压,V
CC −
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −19 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
38 V
输入电压范围,V
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±V
CC
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
80毫安
总电流为V
CC+
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
总电流输出的V
CC −
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -80毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97.1 ° C / W
,D封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86.2 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79.7 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84.6 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
封装的热阻抗,
θ
JC
(见注4和5 ) : FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.6 ° C / W
Ĵ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.1 ° C / W
JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.5 ° C / W
ü包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.7 ° C / W
W包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10℃ / W的
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃〜150 ℃的
外壳温度60秒: FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下,10秒: D,P ,或PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒: JG ,U或W包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
†超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 (塑料)和MIL -STD- 883方法1012 (陶瓷) 。
推荐工作条件
ç后缀
电源电压VCC
±
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
VCC ± =
±5
V
VCC ± =
±15
V
±
3.5
−1.6
−11
0
最大
±
18
4
13
70
我的后缀
±
3.5
−1.6
−11
−40
最大
±
18
4
13
85
M后缀
最大
±
3.5
−1.6
−11
−55
±
18
4
13
125
V
°C
单位
V
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
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