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TLE214x , TLE214xA
神剑低噪音的高速运转
精密运算放大器器
SLOS183C - 1997年2月 - 修订2006年6月
D
低噪音
D
D
D
D
D
10赫兹。 。 。 15纳伏/ √Hz的
1千赫。 。 。 10.5内华达州/ √Hz的
10 000- pF负载能力
20 mA最小短路输出电流
27 V / μs的最小转换速率
高增益带宽积。 。 。 5.9兆赫
低V
IO
. . . 500
µV
最高25℃
D
单个或分离电源。 。 。 4 V至44 V
D
快速建立时间
D
D
340 ns至0.1 %
400 ns至0.01 %
饱和度恢复。 。 。 150纳秒
较大的输出摆幅
V
CC −
+ 0.1 V到V
CC +
− 1 V
描述
该TLE214x和TLE214xA设备是高性能的,内部补偿运算放大器
内置采用德州仪器(TI)互补双极神剑的过程。该TLE214xA是一个严格的偏移
在TLE214x的电压等级。两者都是引脚兼容的升级,行业标准的产品。
该设计结合了输入级,同时实现了10.5非易失,音频带内噪声/ √Hz的用
10 Hz的1 / f转折和对称的40 V / μs压摆率通常与负载高达800 pF的。将得到的低
失真和高功率带宽的高保真音频应用中非常重要。的快速建立时间
340毫微秒至10 -V的步骤用2千欧/ 100- pF负载的0.1%是在快速致动器/驱动器的定位是有用的。在类似
试验条件下,稳定时间为0.01%是400纳秒。
这些器件具有稳定的容性负载高达10 nF的,虽然6 MHz带宽降低到1.8兆赫
在这样高的负载水平。这样, TLE214x和TLE214xA是用于低下垂有用的采样和保持,并
直接缓冲的长电缆,包括4 mA至20 mA电流环路。
的特殊设计也呈现出改进的不敏感固有集成电路元件的失配
作为由500 μV最大失调电压和1.7 μV/°C典型漂移证明。最小共模
抑制比和电源电压抑制比为85dB或90分贝分别。
器件的性能是相对独立的电源电压的过
±
2 V至
±
22 V范围内。输入可以
V的操作
CC −
- 0.3 V
CC +
- 1.8 V而不引起相位反转,但过大的输入电流
可能流出每个输入超过下的共模输入范围。全NPN输出级提供
V的近轨到轨输出摆幅
CC −
- 0.1 V
CC +
- 1 V下的光电流负载条件。该装置
可以维持空头要么因为输出电流电源内部限制,但必须注意确保
该封装的最大功耗不超过。
这两个版本也可以用作比较器。 V的差分输入
CC
±
可以保持而不会损坏
到设备。开环传输延迟与TTL电平的供应通常是200纳秒。这给出了一个很好的
指示,以当该装置被驱动以外的推荐的限值输出级饱和度恢复
输出摆幅。
两者TLE214x和TLE214xA可用在各种各样的包,其中包括两个
工业标准的8引脚小外形版本和芯片的形式为高密度系统的应用程序。在C-后缀
器件的特点是运行在0 ° C至70 ° C, I-后缀设备从 - 40 ° C至105 ° C和M后缀
在设备的整个军用温度范围 - 55 ° C至125°C 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997至2006年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SLOS183C - 1997年2月 - 修订2006年6月
TLE214x , TLE214xA
神剑低噪音的高速运转
精密运算放大器器
TLE2141可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
µV
900
µV
500
µV
900
µV
500
µV
900
µV
小OUT-
LINE †
(D)
TLE2141ACD
TLE2141CD
TLE2141AID
TLE2141ID
TLE2141MD
陶瓷DIP
( JG )
TLE2141AMJG
TLE2141MJG
塑料DIP
(P)
TLE2141ACP
TLE2141CP
TLE2141AIP
TLE2141IP
0 ° C至70℃
-40ºC至105ºC
-55 ° C至125°C
†为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如,
TLE2141ACDR).
TLE2142可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
750
µV
1200
µV
750
µV
1200
µV
750
µV
外形™
(D)
TLE2142ACD
TLE2142CD
TLE2142AID
TLE2142ID
TLE2142AMD
芯片
支架
( FK )
TLE2142AMFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2142AMJG
塑料
DIP
(P)
TLE2142ACP
TLE2142CP
TLC2142AIP
TLC2142IP
TSSOP †
( PW )
TLE2142CPWLE
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLE2142AMU
TLE2142MU
0 ° C至70℃
-40ºC至105ºC
-55 ° C至125°C
1200
µV
TLE2142MD
TLE2142MFK
TLE2142MJG
†为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLC2142ACDR ) 。
‡的PW封装可供左键结束录音和缠绕。添加LE后缀设备类型(例如, TLC2142CPWLE ) 。
TLE2144可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
1.5毫伏
2.4毫伏
1.5毫伏
2.4毫伏
1.5毫伏
2.5毫伏
小尺寸†
( DW )
TLE2144CDW
TLE2144IDW
TLE2144MDW
芯片载体
( FK )
TLE2144AMFK
TLE2144MFK
陶瓷DIP
(J)
TLE2144AMJ
TLE2144MJ
塑料DIP
(N)
TLE2144ACN
TLE2144CN
TLE2144AIN
TLE2144IN
0 ° C至70℃
-40ºC至105ºC
-55 ° C至125°C
†在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2144CDWR ) 。
符号
OFFSET N1
(见注一)
IN +
IN =
偏移N2
(见注一)
注意事项: A. OFFSET N1和N2 OFFSET
只有在所属行业的
TLE2241x设备。
+
OUT
2
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TLE214x , TLE214xA
神剑低噪音的高速运转
精密运算放大器器
SLOS183C - 1997年2月 - 修订2006年6月
TLE2141
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TLE2142
PW包
( TOP VIEW )
TLE2142
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC −
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
TLE2141
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
1OUT
1IN -
1IN+
V
CC
V
CC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
VCC +
VCC +
2OUT
2IN -
2IN+
2IN+
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC −
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
TLE2142
FK包装
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TLE2142
ü套餐
( TOP VIEW )
TLE2144
DW包装
( TOP VIEW )
NC
VCC =
NC
偏移N2
NC
TLE2144
J或N包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
TLE2144
FK包装
( TOP VIEW )
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1OUT
1IN−
1IN+
V
CC−
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN−
2IN+
NC
1IN -
NC
1IN
+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
NC - 无内部连接
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3
TLE214x , TLE214xA , TLE214xY
神剑低噪音的高速运转
精密运算放大器器
SLOS183C - 二月1997 - 修订2006年6月
4
VCC +
R4
R21
Q22
Q26
Q34
Q30
R24
Q37
D2
R3
R6
D4
Q36
Q6
R15
Q14
Q15
R13
R16
Q25
C3
Q19
R10
Q18
Q20
C2
C4
Q24
D6
Q32
D7
R22
Q7
Q12
Q17
R11
R5
R12
D5
R20
Q21
Q29
Q33
Q35
R17
Q11
OUT
R8
D3
Q23
Q27
D8
R23
R7
R14
R18
R19
Q5 Q8
Q10
Q13
R9
Q16
Q9
C1
Q28
Q31
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
EPI -FET
TLE2241
46
24
8
4
1
TLE2242
65
43
14
8
1
TLE2244
130
86
28
16
2
等效原理图
R1
Q3
D1
R2
模板发布日期: 94年7月11日
IN =
Q1
Q4
IN +
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Q2
OFFSET N1
(见注一)
偏移N2
(见注一)
VCC =
注一: OFFSET N1和N2 OFFSET仅在所属行业的TLE2241x设备。
TLE214x , TLE214xA
神剑低噪音的高速运转
精密运算放大器器
SLOS183C - 1997年2月 - 修订2006年6月
在工作​​自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
CC +
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22 V
电源电压,V
CC −
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −22 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
44 V
输入电压范围,V
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC +
到V
CC −
− 0.3 V
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
80毫安
总电流为V
CC +
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
总电流输出的V
CC −
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
短路电流的(或低于)持续时间25
°C
(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97.1 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57.3 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79.7 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84.6 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108.4 ° C / W
封装的热阻抗,
θ
JC
(见注4和5 ) : FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.6 ° C / W
Ĵ包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.1 ° C / W
JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.5 ° C / W
ü包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.7 ° C / W
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至105℃
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至150
°C
外壳温度60秒: FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:D , DW ,N,P ,或PW包。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒: J或JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
†超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流流过,如果输入的,被带到下面VCC - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 (塑料)和MIL -STD- 883方法1012 (陶瓷) 。
推荐工作条件
ç后缀
电源电压VCC
±
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
VCC = 5 V
VCC
±
=
±
15 V
±
2
0
−15
0
最大
±
22
2.9
12.9
70
我的后缀
±
2
0
−15
−40
最大
±
22
2.7
12.7
105
M后缀
±
2
0
−15
−55
最大
±
22
2.7
12.7
125
V
°C
单位
V
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
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