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TPIC0108B
PWM智能控制H桥
SLIS068 - NOVEMBER1998
D
D
D
D
D
D
D
20的低静态电流
µA
优化的低功耗/电池供电
应用
为精简两个输入控制线
微控制器开销
5 A内部电流关断
40 V负载突降评级
集成故障保护和诊断功能
兼容CMOS施密特触发器输入
高噪声抗扰度
DWP包装
( TOP VIEW )
描述
GNDS
V
CC
IN1
V
CC
OUT1
OUT1
GND
IN2
GND
GNDS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
GNDS
V
CC
STATUS2
V
CC
OUT2
OUT2
GND
STATUS1
GND
GNDS
该TPIC0108B是PWM控制智能H桥专为直流电机应用而设计的。该
器件提供正向,反向和操作制动模式。 5V的逻辑电源电压为内部
从V派生
CC
.
该TPIC0108B有一个非常低R
DS ( ON)
, 280 MΩ典型,以尽量减少系统功耗。该
控制输入​​( IN1和IN2 ),大大简化微控制器的开销要求。该装置具有一个低
20的静态电源电流
µA
以适应各种汽车和工业电池供电
应用程序。
该TPIC0108B提供保护,防止过压,过流,过温,和跨
传导故障。故障诊断可以通过监测STATUS1和状态2的终端可以得到和
两个输入控制线。 STATUS1是一个开漏输出适用于有线或连接。 STATUS2是
推挽式输出,提供了锁定状态输出。欠压保护可确保输出, OUT1
和OUT2 ,将被禁用,当V
CC
小于欠压检测电压V
( UVCC )
.
该TPIC0108B采用TI的LinBiCMOS ™工艺设计。 LinBiCMOS实现了低功耗的整合
的CMOS结构,精密双极细胞,和低阻抗的DMOS晶体管。
该TPIC0108B是在一个20引脚耐热增强型小外形封装( DWP ) ,其特征
工作在-40° C至125°C的工作温度。
功能表
IN1
0
0
1
1
IN2
0
1
0
1
OUT1
Z
LS
HS
HS
OUT2
Z
HS
LS
HS
模式
静态电源电流模式
电机顺时针转动
电机逆时针转动
刹车,无论是HSDS开启硬
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
LinBiCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
©
1998年,德州仪器
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1
TPIC0108B
PWM智能控制H桥
SLIS068 - NOVEMBER1998
方框示意图
VCC
IN1
IN2
STATUS1
STATUS2
逻辑
OVER-
当前
保护
HSD
OVER-
电压
发现
DMOS
司机
DMOS
司机
5V
注册。
收费
( 2兆赫)
OUT2
开放
电路
检测
OUT1
负载突降
保护
理解
电压
发现
OVER-
温度
发现
DMOS
司机
DMOS
司机
OVER-
当前
保护
LSD
GND
终端功能
终奌站
名字
GND
GNDS
IN1
IN2
OUT1
OUT2
STATUS1
STATUS2
VCC
7, 9,
12, 14
1, 10,
11, 20
3
8
5, 6
15, 16
13
18
2, 4,
17, 19
I / O
I
I
I
I
O
O
O
O
I
电源地
地底
控制输入
控制输入
半-H的输出。 DMOS输出
半-H的输出。 DMOS输出
状态输出
锁存状态输出
电源电压
描述
注:它是强制性的,所有四个接地端子加上至少一个基板端子连接到系统接地。使用所有VCC和
OUT端子。
2
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输入和输出的原理图
STATUS1
STATUS2
IN1/IN2
在工作温度范围内的绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压范围,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至33 V
逻辑输入电压范围,V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
负载突降( 400毫秒;吨
C
= 25 ℃)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 V
状态输出电压范围,V
O(状态)
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
连续功率耗散,T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25瓦
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至150℃
最高结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
†超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
额定功耗表
TA
25°C
额定功率
25 W
降额因子
以上TA = 25°C
-0.2 W / ℃,
TA = 70℃
额定功率
16 W
TA = 125°C
额定功率
5W
推荐工作条件
电源电压VCC
工作温度的情况下, TC
开关频率, FPWM
6
–40
最大
18
125
2
单位
V
°C
千赫
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3
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电气特性在推荐工作温度范围和V
CC
= 5 V至
6 V(除非另有说明)
参数
LSD
RDS ( )
DS ( ON)
导通电阻的静态漏极 - 源极(
(每个晶体管)
)
I( BR ) = 1
开路检测电流
欠压检测VCC上,关闭电压
在电压检测的VCC ,转换电压
地位低输出电压
STATUS2高输出电压
STATUS输出漏电流
低逻辑电平输入电压
高级逻辑输入电压
输入电压滞后
高级逻辑输入电流
VIH = 3.5 V
见注1
见注1
IO = 100
µA,
见注1
IO = 20
µA,
见注1
V( ST ) = 5 V ,见注1
–0.3
3.6
0.3
2
10
50
3
HSD
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 150℃
TJ = 25°C
TJ = 150℃
10
40
典型值
最大
550
850
600
870
100
5
5.2
0.8
5.4
5
0.5
7
单位
mΩ
mΩ
mA
V
V
V
V
µA
V
V
V
µA
我( QCD )
V( UVCC ( OFF) )
V( UVCC ( ON) )
V( STL )
V(ST2H)
我(ST (OFF) )
VIL
VIH
∆V
I
IIH
注1 :按V( UVCC )和5 V之间的函数表的VCC设备功能(没有指定参数) 。状态输出
对于VCC没有定义小于V( UVCC ) 。
4
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电气特性在推荐工作温度和电源电压
范围(除非另有说明) (见注2 )
参数
TJ = 25°C
LSD
RDS ( )
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
(每个晶体管) IBR = 1
HSD
TJ = 150℃
我( QB )
我( QCD )
TSDS
Tsdd
ICS
我( CON )
V( OVCC )
V( STL )
V(ST2H)
我(ST (OFF) )
VIL
VIH
∆V
I
IIH
静态电流电池
开路检测电流
静态热关断温度
动态热关断温度
电流关断限制
连续梁桥电流
过电压检测的VCC
地位低输出电压
STATUS2高输出电压
STATUS输出漏电流
低逻辑电平输入电压
高级逻辑输入电压
输入电压滞后
高级逻辑输入电流
VIH = 3.5 V
IO = 100
µA
IO = 20
µA
V( ST )= 5 V
–0.3
3.6
0.3
2
10
50
见注释3和4
见注释3和5
VCC = 6 V至9 V
VCC = 9 V至18 V
TJ = 125°C ,工作寿命万小时,
(参见图1)
27
3.9
TJ = 25°C
TJ = 150℃
TJ = 25°C
测试条件
VCC = 6 V至9 V
VCC = 9 V至18 V
VCC = 6 V至9 V
VCC = 9 V至18 V
VCC = 6 V至9 V
VCC = 9 V至18 V
VCC = 6 V至9 V
VCC = 9 V至18 V
VCC = 13.2 V
10
140
160
4.8
5
7.5
7.5
3
36
0.8
5.4
5
0.8
7
40
典型值
280
400
280
400
最大
380
340
620
560
430
340
640
560
20
100
µA
mA
°C
°C
A
A
V
V
V
µA
V
V
V
µ
A
mΩ
mΩ
单位
注意:根据为VCC的函数表18之间, V和V( OVCC ),但只有最多电源电压2的装置的功能
33 V(不指定任何参数) 。曝光超出18 V工作会影响器件的可靠性。
3.曝光以后结温的绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
DMOS晶体管和温度传感器之间4.没有温度梯度。
5.在一个典型的应用中的DMOS晶体管和温度传感器之间的温度梯度( DMOS晶体管作为热
源) 。
在推荐的工作温度和电源电压的开关特性
范围(除非另有说明)
参数
兜售(上)
t( )
SR
高侧驱动器的开启时间
低端驱动器的开启时间
压摆率,低到高正弦(ΔV / ΔT )
压摆率,高到低正弦(ΔV / ΔT )
根据目前的尖峰时间触发
开路检测
延时过电流停机
测试条件
VDS ( ) <1 V 1 A,
A
DS ( ON)
VCC = 13 2 V
13.2 V,
VCC = 5 V至18 V
VCC = 13 2 V
13.2
IO = 1电阻负载
1
1
1
5
10
典型值
最大
100
100
6
6
10
25
单位
µs
V / μs的
TD ( QCD )
TD ( CS )
ms
µs
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