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L7824C  
TPIC1310 3 ,半H桥栅极保护的电源DMOS阵列 (3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY)
.型号:   TPIC1310
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描述: 3 ,半H桥栅极保护的电源DMOS阵列
3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY
文件大小 :   232 K    
页数 : 11 页
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品牌   TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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100%
TPIC1310
3半H- GATE BRIDGE受保护
功率DMOS阵列
SLIS071 - 1997年12月
D
D
D
D
D
D
配置为3相无刷电机
DRIVE
低R
DS ( ON)
. . . 0.25
典型值
高电压输出。 。 。 30 V
脉冲电流。 。 。 12每个通道
输入瞬变和ESD保护
兼容高侧和低侧
电流传感电阻器
KTR或KTS包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC1310是单片栅极保护
功率DMOS阵列,它由六个电
隔离的N沟道增强型DMOS
构造的晶体管作为三半H桥。
当适当的热沉,在TPIC1310可以驱动
电机要求相电流2.5 A 。该
DMOS晶体管免疫第二突破性
下跌的影响,电流拥挤问题
常与双极晶体管有关。
该TPIC1310是通孔提供在15针
( KTS )和表面贴装( KTR )的PowerFlex
封装,其特征在于,操作过
外壳温度范围 - 40 ° C至125°C 。
V
DD
OUTA
UGA
LGA
UGB
SUB / GND
来源
OUTB
来源
SUB / GND
LGB
LGC
教资会
OUTC
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
标签是SUB / GND
概要
VDD
1, 15
KTR包装
KTS包装
Q1
UGA
3
2
OUTA
Q2
UGB
5
8
OUTB
Q3
UG
C
14
OUTC
13
Q4
LGA
4
13 k
Q5
LGB
11
13 k
Q6
LGC
12
13 k
6, 10
SUB / TAB / GND
注意事项: A.
B.
C.
D.
7, 9
来源
端子1和15必须从外部连接。
端子6和10必须连接到GND 。
端子7和9必须连接到所述感测电阻器或GND 。
没有终端可以采取大于0.5 V以下GND。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
POWERFLEX是德州仪器公司的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
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1997年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
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