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TPIC1310
3半H- GATE BRIDGE受保护
功率DMOS阵列
SLIS071 - 1997年12月
D
D
D
D
D
D
配置为3相无刷电机
DRIVE
低R
DS ( ON)
. . . 0.25
典型值
高电压输出。 。 。 30 V
脉冲电流。 。 。 12每个通道
输入瞬变和ESD保护
兼容高侧和低侧
电流传感电阻器
KTR或KTS包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC1310是单片栅极保护
功率DMOS阵列,它由六个电
隔离的N沟道增强型DMOS
构造的晶体管作为三半H桥。
当适当的热沉,在TPIC1310可以驱动
电机要求相电流2.5 A 。该
DMOS晶体管免疫第二突破性
下跌的影响,电流拥挤问题
常与双极晶体管有关。
该TPIC1310是通孔提供在15针
( KTS )和表面贴装( KTR )的PowerFlex
封装,其特征在于,操作过
外壳温度范围 - 40 ° C至125°C 。
V
DD
OUTA
UGA
LGA
UGB
SUB / GND
来源
OUTB
来源
SUB / GND
LGB
LGC
教资会
OUTC
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
标签是SUB / GND
概要
VDD
1, 15
KTR包装
KTS包装
Q1
UGA
3
2
OUTA
Q2
UGB
5
8
OUTB
Q3
UG
C
14
OUTC
13
Q4
LGA
4
13 k
Q5
LGB
11
13 k
Q6
LGC
12
13 k
6, 10
SUB / TAB / GND
注意事项: A.
B.
C.
D.
7, 9
来源
端子1和15必须从外部连接。
端子6和10必须连接到GND 。
端子7和9必须连接到所述感测电阻器或GND 。
没有终端可以采取大于0.5 V以下GND。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
POWERFLEX是德州仪器公司的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
©
1997年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TPIC1310
3半H- GATE BRIDGE受保护
功率DMOS阵列
SLIS071 - 1997年12月
在工作温度范围内的绝对最大额定值(除非另有说明)
漏极至源极电压,V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V
输出至GND的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
源到SUB / GND的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3到20V
栅 - 源电压范围,V
GS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3到20V
连续输出电流,每路输出上,T所有输出
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
连续源 - 漏极二极管的电流,T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
脉冲输出电流,每个输出,我
最大
, T
C
= 25 ° C(见注1和图14 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12一
连续的V
DD
和源电流,T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
脉冲V
DD
和源电流,T
C
= 25 ° C(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12一
连续总功耗,T
C
= 25 ° C(见注2和图14 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.9 W¯¯
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 〜150℃
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃〜150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
†超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或任何其他条件的功能操作,是不是暗示。如果长期工作在绝对最大额定条件
期间可能会影响器件的可靠性。
注: 1,脉冲持续时间= 10
µs,
占空比
2%
2.封装被安装在同一个无限大的散热器紧密接触。
2
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功率DMOS阵列
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电特性,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VGS ( TH)
V( BR ) GS
V( BR ) SG
VDS (上)
VF ( SD )
IDSS
漏极至源极击穿电压
栅极 - 源极阈值电压
栅极 - 源极击穿电压
源到门
源到栅击穿电压
漏极至源极导通状态电压
前的导通状态的电压,源极 - 漏极
漏极电流 - 栅极短路到源
当前门
正向栅电流,漏短
短路源
低端
高边
低端
低端
高边
测试条件
ID = 250
µA,
ID = 1毫安,
参见图4
IGS = 250
µA
ISG = 250
µA
ISG = 250
µA
ID = 3 A,
见注释3和4
VGS = 14 V ,
VGS = 0
VDS = VGS ,
30
0.9
20
0.3
20
0.66
1.1
0.05
0.5
2
20
20
0.05
0.5
0.27
0.45
0.22
0.32
0.5
0.85
110
VDS = 25 V
V,
F = 1MHz时,
VGS = 0时,
0
见图10
120
pF
0.9
1.4
1
10
4
200
200
1
10
0.37
0.55
0.32
0.47
S
1.2
1.7
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
µA
mA
nA
nA
µA
IS = 3 A,
VGS = 0时,
见注3和4以及图11中
VDS = 28 V ,
,
VGS = 0
TC = 25°C
TC = 125°C
IGSSF
IGSSR
ILK
LKG
VSG = 16 V ,
VDS = 0,
从门内部13 kΩ到源
VSG = 16 V ,
VSG = 0.3 V ,
VDGND = 28 V
VGS = 10V ,
ID = 3 A,
,
见注释3和4
图5和图6
VGS = 14 V ,
ID = 3 A,
,
见注释3和4
图5和图6
VDS = 0
VDS = 0
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
TC = 125°C
反向栅极电流,漏短路到源代码
泄漏电流,漏极至GND克
g
,
门短路,
来源
RDS ( )
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
漏源极导通状态
政府飞行服务队
西塞
科斯
正向跨导
短路的输入电容,低边
短路输出电容,低侧
VDS = 10V ,
ID = 3 A,
见注3和4以及图8
CRSS
短路反向传输电容,低边
60
†工程估算
注: 3,技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
4.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
源 - 漏和GND - 漏二极管特性,T
C
= 25°C
参数
TRR
QRR
TRR
QRR
反向恢复时间
高边
HIGH SIDE
共有二极管充电
反向恢复时间
低端
LOW SIDE
共有二极管充电
测试条件
IS = 3 A,
VGS = 0时,
0
参见图1和13
IS = 3 A,
VGS = 0时,
参见图13 ,
VDS = 28 V ,
的di / dt = 100 A / μs的
A / μs的,
VDS = 28 V ,
的di / dt = 100 A / μs的,
µ
SUB / GND相连
来源
典型值
30
30
70
350
最大
单位
ns
nC
ns
nC
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3
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功率DMOS阵列
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阻性负载开关特性,T
C
= 25°C
参数
TD (上)
TD (关闭)
tr
tf
Qg
QGS (日)
QGD
LD
LS
Rg
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
总栅极电荷
阈值的栅 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部源极电感
内部栅极电阻
VDS = 12 V ,
ID = 3 A,
A
VGS = 10V ,
参见图3和图12中
VDD = 28 V ,
NS ,
10 = 10纳秒
见图2
RL = 9.3
Ω,
NS ,
TDI = 10纳秒
DIS
测试条件
典型值
70
200
140
55
1.6
0.5
0.25
5
5
500
2
0.62
0.31
nH
nC
ns
最大
单位
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
结到外壳热阻,一个输出上
结到外壳热阻,在两个输出
测试条件
见注5
见注5和6
典型值
7.5
4.5
最大
9
5.5
单位
° C / W
° C / W
注: 5包安装在了无限的散热器亲密接触。
6.两个输出与平等的权力
4
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参数测量信息
4
3
I S - 源极到漏极二极管电流 - 一个
2
TRR ( SD )
1
相反的di / dt = 100 A / μs的
0
IRM † 25%
–1
阴影面积= QRR
–2
IRM †
–3
–4
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
时间 - NS
† IRM =最大恢复电流
图1.反向恢复电流源极到漏极二极管波形
VDD = 28 V
RL
脉冲发生器
TEN
VDS
VGS
0V
DUT
RGEN
50
50
CL 30 pF的
(见注一)
VDS
TD (上)
tf
TD (关闭)
tr
VDD
VDS (上)
TDI发动机
14 V
VGS
电压波形
测试电路
注一: CL包括探针和夹具电容。
图2.电阻开关测试电路和电压波形
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