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TPIC1501A
Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS046A - 1995年5月 - 修订1996年6月
D
D
D
D
低R
DS ( ON)
:
0.1
典型值( H桥)
0.4
典型值(三重半H桥)
脉冲电流:
12每个通道( H桥)
6每通道(三人间半H桥)
匹配检测晶体管的A类, B
线性操作
快换速度
DW包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC1501A是单片功率阵列
由10电隔离的N沟道
增强型功率DMOS晶体管,四
其被配置为全H桥和6作为
三重半H桥。完整的下段
H桥具有集成FET的感觉,让
偏置类A-B运行的桥梁。
OUTPUT3
GND
GATE3B
GATE2B
SENSE
OUTPUT2
GATE4B
GATE2A
GATE5B
V
DD2
OUTPUT4
来源
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
DD3
GND
GATE3A
GATE1B
GATE2C
OUTPUT1
GATE4A
GATE1A
GATE5A
V
DD1
V
DD3
OUTPUT5
该TPIC1501A提供一个24针宽体表面贴装( DW )封装,其特征为
在操作的情况下温度范围 - 40 ° C至125°C 。
概要
VDD1
15
VDD2
10
VDD3
14, 24
Q1A
17
GATE1A
19
OUTPUT1
Q1B
21
GATE1B
5
Q2C
20
GATE2C
D1
D2
Q2A
8
GATE2A
6
OUTPUT2
Q2B
4
GATE2B
Q3A
22
GATE3A
1
OUTPUT3
Q3B
3
GATE3B
D3
Q4A
18
GATE4A
11
OUTPUT4
Q4B
7
GATE4B
Q5A
16
GATE5A
13
OUTPUT5
Q5B
9
GATE5B
SENSE
12
来源
2, 23
GND
注意事项: A.引脚2和23必须从外部连接。
B.引脚14和24必须从外部连接。
C.禁止输出可以取大于0.5 V低于GND。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
©
1996年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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1
TPIC1501A
Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS046A - 1995年5月 - 修订1996年6月
绝对最大额定值,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
供应到接地电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
源到GND电压( Q3A , Q4A , Q5A ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
输出至GND的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
感觉对GND电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
栅 - 源电压范围,V
GS
( Q1A , Q1B , Q2A , Q2B , Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B ) 。 。 。 。 。
±
20 V
栅 - 源电压范围,V
GS
( Q2C ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.7 V至6 V
连续漏电流,每个输出( Q1A , Q1B , Q2A , Q2B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
连续漏电流,每个输出( Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 A
连续漏电流( Q2C ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
连续源 - 漏极二极管的电流( Q1A , Q1B , Q2A , Q2B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
连续源 - 漏极二极管的电流( Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 A
连续源 - 漏二极管电流( Q2C ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
脉冲漏极电流,每路输出,我
最大
( Q1A , Q1B , Q2A , Q2B ) (见注1和图24 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 12一
脉冲漏极电流,每路输出,我
最大
( Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B )
(见注1和图25 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6的
脉冲漏电流,I
最大
( Q2C ) (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60毫安
连续总功耗,T
C
= 70 ° C(见注2和图24和图25 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.86 W¯¯
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 〜150℃
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃〜150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
†超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1,脉冲持续时间= 10毫秒,占空比= 2 %
2.包安装在了无限的散热器亲密接触。
2
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Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS046A - 1995年5月 - 修订1996年6月
电特性, Q1A , Q1B , Q2A , Q2B ,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VGS ( TH)
VGS ( TH)比赛
V( BR )
VDS (上)
VF
漏极至源极击穿电压
栅极 - 源极阈值电压
栅极 - 源极阈值电压的匹配
反向漏 - GND击穿电压
漏极至源极导通状态电压
正向通态电压, GND到VDD1 ,
GND-to-VDD2
测试条件
ID = 250
µA,
ID = 1毫安,
参见图5
VGS = 0
VDS = VGS ,
20
1.4
1.7
2.1
40
20
0.2
1.8
0.85
0 85
0.9
09
0.05
0.5
10
10
0.05
0.5
0.1
0.14
0.1
0.14
1.5
2
2.5
S
3.1
31
240
VDS = 14 V ,
F = 1MHz时,
VGS = 0时,
见图17
170
130
VDS = 6 V ,
ID ( Q2C ) = 40
µA
75
130
200
pF
1.05
1 05
V
1.1
11
1
10
100
100
1
10
0.12
0.18
0.12
0.18
µA
nA
nA
µA
0.24
典型值
最大
单位
V
V
mV
V
V
V
ID = 1毫安,
VDS = VGS
漏极至GND电流= 250
µA
(D1, D2)
ID = 2 A,
见注释3和4
ID = 3 A( D1 , D2 )
见注释3和4
IS = 2 A,
VGS = 0时,
见注3和4以及图19中
IS = 3 A,
VGS = 0时,
见注3和4以及图19中
VDS = 16 V ,
,
VGS = 0
VGS = 16 V ,
VSG = 16 V ,
VDGND = 16 V
VGS = 10V ,
ID = 2 A,
,
见注释3和4
和图9
VGS = 10V ,
ID = 3 A,
,
见注释3和4
与图7和图9
VDS = 14 V ,
见注释3和4
TC = 25°C
TC = 125°C
VDS = 0
VDS = 0
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
TC = 125°C
ID = 1 A,
VGS = 10V ,
VF ( SD )
前的导通状态的电压,源极 - 漏极
开态电压源极到漏极
IDSS
IGSSF
IGSSR
ILK
LKG
零栅极电压漏极电流
零栅极电压
正向栅电流,漏短路
反向栅极电流,漏短路
漏电流, VDD1到GND ,
g
,
,
VDD2到GND ,栅极短路到源
RDS ( )
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
漏源极导通状态
政府飞行服务队
F
ð跨导
ð牛逼
转T
VDS = 14 V ,
ID = 1.5 A ,
见注3和4以及图13中
西塞
科斯
CRSS
α
s
短路的输入电容,共同
来源
短路输出电容,共同
来源
短路反向传输电容,
常见的来源
感觉- FET的漏极电流比
注: 3,技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
4.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
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Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS046A - 1995年5月 - 修订1996年6月
源 - 漏二极管特性, Q1A , Q2A ,T
C
= 25°C
参数
TRR
QRR
TRR
QRR
反向恢复时间
共有二极管充电
反向恢复时间
共有二极管充电
测试条件
IS = 1.5 A ,
VDS = 14 V
V,
参见图1和23
IS = 2 A,
VDS = 14 V ,
VGS = 0时,
的di / dt = 100 A / μs的
A / μs的,
VGS = 0时,
的di / dt = 100 A / μs的
典型值
70
90
75
110
最大
单位
ns
nC
ns
nC
阻性负载开关特性, Q1A , Q1B , Q2A , Q2B ,T
C
= 25°C
参数
TD (上)
TD (关闭)
tr
tf
Qg
QGS (日)
QGD
L(漏极)
L(源)
R(门)
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
总栅极电荷
阈值的栅 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部源极电感
内部栅极电阻
VDS = 14 V ,
V
参见图4
ID = 1 5 A,
1.5 A
VGS = 10V ,
V
VDD = 14 V ,
,
TDIS = 10纳秒,
RL = 9.3
Ω,
,
见图3
10 = 10纳秒,
,
测试条件
典型值
20
30
15
25
5.6
0.8
1.4
5
5
0.25
7
1
1.75
nH
nC
ns
最大
单位
4
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Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS046A - 1995年5月 - 修订1996年6月
电气特性, Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B ,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VGS ( TH)
VGS ( TH)比赛
V( BR )
VDS (上)
VF
漏极至源极击穿电压
栅极 - 源极阈值电压
栅极 - 源极阈值电压的匹配
反向漏 - GND击穿电压
漏极至源极导通状态电压
正向通态电压, GND到VDD3
测试条件
ID = 250
µA,
ID = 1毫安,
参见图6
VGS = 0 V
VDS = VGS ,
20
1.4
1.7
2.1
40
20
0.6
1.7
1
1.1
11
0.05
0.5
10
10
0.05
0.5
0.35
0.5
0.4
0.56
0.3
03
0.4
0.8
08
S
0.93
96
VDS = 14 V ,
F = 1MHz时,
VGS = 0时,
见图18
98
65
pF
1.2
12
V
1.3
13
1
10
100
100
1
10
0.39
0.56
0.45
0.65
µA
nA
nA
µA
0.68
典型值
最大
单位
V
V
mV
V
V
V
ID = 1毫安,
VDS = VGS
漏极至GND电流= 250
µA
(D3)
ID = 1.5 A ,
见注释3和4
ID = 1.5 A( D3 )
见注释3和4
IS = 1.5 A ,
VGS = 0时,
见注3和4以及图20中
IS = 2 A,
VGS = 0时,
见注3和4以及图20中
VDS = 16 V ,
,
VGS = 0
VGS = 16 V ,
VSG = 16 V ,
VDGND = 16 V
VGS = 10V ,
ID = 0.3 A,
,
见注释3和4
和图10
VGS = 10V ,
ID = 1.5 A ,
,
见注释3和4
和图8和图10
VDS = 14 V ,
见注释3和4
TC = 25°C
TC = 125°C
VDS = 0
VDS = 0
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
TC = 125°C
ID = 500 mA时,
VGS = 10V ,
VF ( SD )
前的导通状态的电压,源极 - 漏极
开态电压源极到漏极
IDSS
IGSSF
IGSSR
ILK
LKG
零栅极电压
零栅极电压漏极电流
正向栅电流,漏短路
反向栅极电流,漏短路
漏电流, VDD3至GND ,
g
,
,
门短路源
RDS ( )
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
漏源极导通状态
政府飞行服务队
正向跨导
VDS = 14 V ,
ID = 750 mA时,
见注3和4以及图14中
短路的输入电容,共同
来源
短路输出电容,共同
来源
短路反向传输电容,
常见的来源
西塞
科斯
CRSS
注: 3,技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
4.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
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