TPIC1501A

Quad和HEX功率DMOS阵列

SLIS046A - 1995年5月 - 修订1996年6月

D

D

D

D

低R

DS （ ON）

:

0.1

Ω

典型值（ H桥）

0.4

Ω

典型值（三重半H桥）

脉冲电流：

12每个通道（ H桥）

6每通道（三人间半H桥）

匹配检测晶体管的A类， B

线性操作

快换速度

DW包装

（ TOP VIEW ）

描述

该TPIC1501A是单片功率阵列

由10电隔离的N沟道

增强型功率DMOS晶体管，四

其被配置为全H桥和6作为

三重半H桥。完整的下段

H桥具有集成FET的感觉，让

偏置类A-B运行的桥梁。

OUTPUT3

GND

GATE3B

GATE2B

SENSE

OUTPUT2

GATE4B

GATE2A

GATE5B

V

DD2

OUTPUT4

来源

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

V

DD3

GND

GATE3A

GATE1B

GATE2C

OUTPUT1

GATE4A

GATE1A

GATE5A

V

DD1

V

DD3

OUTPUT5

该TPIC1501A提供一个24针宽体表面贴装（ DW ）封装，其特征为

在操作的情况下温度范围 - 40 ° C至125°C 。

概要

VDD1

15

VDD2

10

VDD3

14, 24

Q1A

17

GATE1A

19

OUTPUT1

Q1B

21

GATE1B

5

Q2C

20

GATE2C

D1

D2

Q2A

8

GATE2A

6

OUTPUT2

Q2B

4

GATE2B

Q3A

22

GATE3A

1

OUTPUT3

Q3B

3

GATE3B

D3

Q4A

18

GATE4A

11

OUTPUT4

Q4B

7

GATE4B

Q5A

16

GATE5A

13

OUTPUT5

Q5B

9

GATE5B

SENSE

12

来源

2, 23

GND

注意事项： A.引脚2和23必须从外部连接。

B.引脚14和24必须从外部连接。

C.禁止输出可以取大于0.5 V低于GND。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

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版权

©

1996年，德州仪器

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所有测试参数。

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