TPIC1501A

Quad和HEX功率DMOS阵列

SLIS046A - 1995年5月 - 修订1996年6月

D

D

D

D

低R

DS （ ON）

:

0.1

Ω

典型值（ H桥）

0.4

Ω

典型值（三重半H桥）

脉冲电流：

12每个通道（ H桥）

6每通道（三人间半H桥）

匹配检测晶体管的A类， B

线性操作

快换速度

DW包装

（ TOP VIEW ）

描述

该TPIC1501A是单片功率阵列

由10电隔离的N沟道

增强型功率DMOS晶体管，四

其被配置为全H桥和6作为

三重半H桥。完整的下段

H桥具有集成FET的感觉，让

偏置类A-B运行的桥梁。

OUTPUT3

GND

GATE3B

GATE2B

SENSE

OUTPUT2

GATE4B

GATE2A

GATE5B

V

DD2

OUTPUT4

来源

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

V

DD3

GND

GATE3A

GATE1B

GATE2C

OUTPUT1

GATE4A

GATE1A

GATE5A

V

DD1

V

DD3

OUTPUT5

该TPIC1501A提供一个24针宽体表面贴装（ DW ）封装，其特征为

在操作的情况下温度范围 - 40 ° C至125°C 。

概要

VDD1

15

VDD2

10

VDD3

14, 24

Q1A

17

GATE1A

19

OUTPUT1

Q1B

21

GATE1B

5

Q2C

20

GATE2C

D1

D2

Q2A

8

GATE2A

6

OUTPUT2

Q2B

4

GATE2B

Q3A

22

GATE3A

1

OUTPUT3

Q3B

3

GATE3B

D3

Q4A

18

GATE4A

11

OUTPUT4

Q4B

7

GATE4B

Q5A

16

GATE5A

13

OUTPUT5

Q5B

9

GATE5B

SENSE

12

来源

2, 23

GND

注意事项： A.引脚2和23必须从外部连接。

B.引脚14和24必须从外部连接。

C.禁止输出可以取大于0.5 V低于GND。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

版权

©

1996年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

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绝对最大额定值，T

C

= 25 ℃（除非另有说明）

†

供应到接地电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V

源到GND电压（ Q3A ， Q4A ， Q5A ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V

输出至GND的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V

感觉对GND电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V

栅 - 源电压范围，V

GS

（ Q1A ， Q1B ， Q2A ， Q2B ， Q3A ， Q3B ， Q4A ， Q4B ， Q5A ， Q5B ） 。 。 。 。 。

±

20 V

栅 - 源电压范围，V

GS

（ Q2C ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.7 V至6 V

连续漏电流，每个输出（ Q1A ， Q1B ， Q2A ， Q2B ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A

连续漏电流，每个输出（ Q3A ， Q3B ， Q4A ， Q4B ， Q5A ， Q5B ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 A

连续漏电流（ Q2C ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安

连续源 - 漏极二极管的电流（ Q1A ， Q1B ， Q2A ， Q2B ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A

连续源 - 漏极二极管的电流（ Q3A ， Q3B ， Q4A ， Q4B ， Q5A ， Q5B ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 A

连续源 - 漏二极管电流（ Q2C ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安

脉冲漏极电流，每路输出，我

最大

（ Q1A ， Q1B ， Q2A ， Q2B ） （见注1和图24 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 12一

脉冲漏极电流，每路输出，我

最大

（ Q3A ， Q3B ， Q4A ， Q4B ， Q5A ， Q5B ）

（见注1和图25 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6的

脉冲漏电流，I

最大

（ Q2C ） （见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60毫安

连续总功耗，T

C

= 70 ° C（见注2和图24和图25 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.86 W¯¯

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 〜150℃

工作温度范围内，T

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃〜150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

†超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注： 1，脉冲持续时间= 10毫秒，占空比= 2 ％

2.包安装在了无限的散热器亲密接触。

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SLIS046A - 1995年5月 - 修订1996年6月

电特性， Q1A ， Q1B ， Q2A ， Q2B ，T

C

= 25 ℃（除非另有说明）

参数

V（ BR ） DSX

VGS （ TH）

VGS （ TH）比赛

V（ BR ）

VDS （上）

VF

漏极至源极击穿电压

栅极 - 源极阈值电压

栅极 - 源极阈值电压的匹配

反向漏 - GND击穿电压

漏极至源极导通状态电压

正向通态电压， GND到VDD1 ，

GND-to-VDD2

测试条件

ID = 250

µA,

ID = 1毫安，

参见图5

VGS = 0

VDS = VGS ，

民

20

1.4

1.7

2.1

40

20

0.2

1.8

0.85

0 85

0.9

09

0.05

0.5

10

10

0.05

0.5

0.1

0.14

0.1

0.14

1.5

2

2.5

S

3.1

31

240

VDS = 14 V ，

F = 1MHz时，

VGS = 0时，

见图17

170

130

VDS = 6 V ，

ID （ Q2C ） = 40

µA

75

130

200

pF

1.05

1 05

V

1.1

11

1

10

100

100

1

10

0.12

0.18

Ω

0.12

0.18

µA

nA

nA

µA

0.24

典型值

最大

单位

V

V

mV

V

V

V

ID = 1毫安，

VDS = VGS

漏极至GND电流= 250

µA

(D1, D2)

ID = 2 A，

见注释3和4

ID = 3 A（ D1 ， D2 ）

见注释3和4

IS = 2 A，

VGS = 0时，

见注3和4以及图19中

IS = 3 A，

VGS = 0时，

见注3和4以及图19中

VDS = 16 V ，

,

VGS = 0

VGS = 16 V ，

VSG = 16 V ，

VDGND = 16 V

VGS = 10V ，

ID = 2 A，

,

见注释3和4

和图9

VGS = 10V ，

ID = 3 A，

,

见注释3和4

与图7和图9

VDS = 14 V ，

见注释3和4

TC = 25°C

TC = 125°C

VDS = 0

VDS = 0

TC = 25°C

TC = 125°C

TC = 25°C

TC = 125°C

TC = 25°C

TC = 125°C

ID = 1 A，

VGS = 10V ，

VF （ SD ）

前的导通状态的电压，源极 - 漏极

开态电压源极到漏极

IDSS

IGSSF

IGSSR

ILK

LKG

零栅极电压漏极电流

零栅极电压

正向栅电流，漏短路

源

反向栅极电流，漏短路

源

漏电流， VDD1到GND ，

g

,

,

VDD2到GND ，栅极短路到源

RDS （ ）

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

漏源极导通状态

政府飞行服务队

F

ð跨导

ð牛逼

转T

VDS = 14 V ，

ID = 1.5 A ，

见注3和4以及图13中

西塞

科斯

CRSS

α

s

短路的输入电容，共同

来源

短路输出电容，共同

来源

短路反向传输电容，

常见的来源

感觉- FET的漏极电流比

注： 3，技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。

4.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。

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3

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Quad和HEX功率DMOS阵列

SLIS046A - 1995年5月 - 修订1996年6月

源 - 漏二极管特性， Q1A ， Q2A ，T

C

= 25°C

参数

TRR

QRR

TRR

QRR

反向恢复时间

共有二极管充电

反向恢复时间

共有二极管充电

测试条件

IS = 1.5 A ，

VDS = 14 V

V,

参见图1和23

IS = 2 A，

VDS = 14 V ，

VGS = 0时，

的di / dt = 100 A / μs的

A / μs的，

VGS = 0时，

的di / dt = 100 A / μs的

民

典型值

70

90

75

110

最大

单位

ns

nC

ns

nC

阻性负载开关特性， Q1A ， Q1B ， Q2A ， Q2B ，T

C

= 25°C

参数

TD （上）

TD （关闭）

tr

tf

Qg

QGS （日）

QGD

L（漏极）

L（源）

R（门）

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

上升时间

下降时间

总栅极电荷

阈值的栅 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

内部源极电感

内部栅极电阻

VDS = 14 V ，

V

参见图4

ID = 1 5 A，

1.5 A

VGS = 10V ，

V

VDD = 14 V ，

,

TDIS = 10纳秒，

RL = 9.3

Ω,

,

见图3

10 = 10纳秒，

,

测试条件

民

典型值

20

30

15

25

5.6

0.8

1.4

5

5

0.25

7

1

1.75

nH

Ω

nC

ns

最大

单位

4

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Quad和HEX功率DMOS阵列

SLIS046A - 1995年5月 - 修订1996年6月

电气特性， Q3A ， Q3B ， Q4A ， Q4B ， Q5A ， Q5B ，T

C

= 25 ℃（除非另有说明）

参数

V（ BR ） DSX

VGS （ TH）

VGS （ TH）比赛

V（ BR ）

VDS （上）

VF

漏极至源极击穿电压

栅极 - 源极阈值电压

栅极 - 源极阈值电压的匹配

反向漏 - GND击穿电压

漏极至源极导通状态电压

正向通态电压， GND到VDD3

测试条件

ID = 250

µA,

ID = 1毫安，

参见图6

VGS = 0 V

VDS = VGS ，

民

20

1.4

1.7

2.1

40

20

0.6

1.7

1

1.1

11

0.05

0.5

10

10

0.05

0.5

0.35

0.5

0.4

0.56

0.3

03

0.4

0.8

08

S

0.93

96

VDS = 14 V ，

F = 1MHz时，

VGS = 0时，

见图18

98

65

pF

1.2

12

V

1.3

13

1

10

100

100

1

10

0.39

0.56

Ω

0.45

0.65

µA

nA

nA

µA

0.68

典型值

最大

单位

V

V

mV

V

V

V

ID = 1毫安，

VDS = VGS

漏极至GND电流= 250

µA

(D3)

ID = 1.5 A ，

见注释3和4

ID = 1.5 A（ D3 ）

见注释3和4

IS = 1.5 A ，

VGS = 0时，

见注3和4以及图20中

IS = 2 A，

VGS = 0时，

见注3和4以及图20中

VDS = 16 V ，

,

VGS = 0

VGS = 16 V ，

VSG = 16 V ，

VDGND = 16 V

VGS = 10V ，

ID = 0.3 A，

,

见注释3和4

和图10

VGS = 10V ，

ID = 1.5 A ，

,

见注释3和4

和图8和图10

VDS = 14 V ，

见注释3和4

TC = 25°C

TC = 125°C

VDS = 0

VDS = 0

TC = 25°C

TC = 125°C

TC = 25°C

TC = 125°C

TC = 25°C

TC = 125°C

ID = 500 mA时，

VGS = 10V ，

VF （ SD ）

前的导通状态的电压，源极 - 漏极

开态电压源极到漏极

IDSS

IGSSF

IGSSR

ILK

LKG

零栅极电压

零栅极电压漏极电流

正向栅电流，漏短路

源

反向栅极电流，漏短路

源

漏电流， VDD3至GND ，

g

,

,

门短路源

RDS （ ）

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

漏源极导通状态

政府飞行服务队

正向跨导

VDS = 14 V ，

ID = 750 mA时，

见注3和4以及图14中

短路的输入电容，共同

来源

短路输出电容，共同

来源

短路反向传输电容，

常见的来源

西塞

科斯

CRSS

注： 3，技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。

4.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。

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