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MBT3946DW1T2G  MBT2222ADW1T1G  MBT3906DW1T1G_09  MBT3904DW2T1G  MBT6429DW1T1G  MBT3906DW1T1G  MBT3946DW1T1G  MBT3904DW1T1G  MBSK18S  
TPS71530DCKR 50毫安, 24 V , 320 mA的电源电流 (50 mA, 24 V, 3.2-mA Supply Current)
.型号:   TPS71530DCKR
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描述: 50毫安, 24 V , 320 mA的电源电流
50 mA, 24 V, 3.2-mA Supply Current
文件大小 :   642 K    
页数 : 16 页
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品牌   TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
购买 :   
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100%
TPS715xx
SLVS338P - 2001年5月 - 修订2008年11月
....................................................................................................................................................
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS715xxyyyz
V
出(2)
XX
标称输出电压(例如, 28 = 2.8 V, 285 = 2.85 V, 01 =可调节) 。
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
从1.25 V至5.4 V在50 mV的增量输出电压可通过使用创新的工厂EEPROM编程;
最小起订量,可申请。请与工厂联系了解详细信息和可用性。
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作温度范围内(除非另有说明) 。
单位
V
IN
范围
V
OUT
范围
峰值输出电流
ESD额定值, HBM
ESD额定值,清洁发展机制
连续总功率耗散
结温范围,T
J
存储温度范围,T
英镑
(1)
(2)
-0.3 V至+24 V
0.3 V至16.5 V
内部限制
2千伏
500 V
见耗散额定值表
-40 ° C至+ 150°C
-65 ° C至+ 150°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
额定功耗表
低K
(1)
高K
(1)
(2)
(2)
DCK
DCK
R
θJC
° C / W
165
165
R
θJA
° C / W
395
315
降额因子
上述牛逼
A
= +25°C
2.52毫瓦/°C的
3.18毫瓦/°C的
T
A
25°C
额定功率
250毫瓦
320毫瓦
T
A
= +70°C
额定功率
140毫瓦
175毫瓦
T
A
= +85°C
额定功率
100毫瓦
130毫瓦
用于导出这些数据的JEDEC低K ( 1S)电路板设计是一个3英寸× 3英寸,双层板与前2盎司铜的痕迹
董事会。
用于导出这些数据的JEDEC的High-K ( 2S2P )电路板设计是一个3英寸× 3英寸,多层电路板与1盎司内部电源和
接地层和顶部板和底部2盎司铜的痕迹。
2
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