元器件型号: | 015AZ4.7-Y |
生产厂家: | TOSHIBA SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
PDF文件: | 总5页 (文件大小:234K) |
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型号参数:015AZ4.7-Y参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | End Of Life |
包装说明 | R-PDSO-F2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | 1-1G1A |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.57 |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | ZENER DIODE |
最大动态阻抗 | 120 Ω |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 |
膝阻抗最大值 | 1000 Ω |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 0.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
标称参考电压 | 4.65 V |
最大反向电流 | 5 µA |
子类别 | Voltage Reference Diodes |
表面贴装 | YES |
技术 | ZENER |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
最大电压容差 | 2.5% |
工作测试电流 | 5 mA |
Base Number Matches | 1 |
Diode Silicon Epitaxial Planar Type
二极管,硅外延平面型